説明

感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びに該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法

【課題】パターン形状、ラフネス性能、及び、オーバー露光マージンに優れたパターンを形成することができる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法の提供。
【解決手段】(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)カチオン部に窒素原子を含み、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生するオニウム塩化合物、(C)下記一般式(C−I)により表される化合物、又は、下記一般式(C−I)により表される化合物の複数が連結基を介して結合された構造を有する化合物、及び、(G)溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。


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【特許請求の範囲】
【請求項1】
(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、
(B)カチオン部に窒素原子を含み、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生するオニウム塩化合物、
(C)下記一般式(C−I)により表される化合物、又は、下記一般式(C−I)により表される化合物の複数が連結基を介して結合された構造を有する化合物、及び、
(G)溶剤
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化1】

一般式(C−I)中、
m及びnは、各々独立して、m+n=3なる関係を満足する1以上の整数を表す。
Rは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又は前記連結基を表す。m=2の場合、2つの前記Rは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
R’は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又は前記連結基を表す。R’のうち少なくとも2つは、互いに結合して、環を形成していてもよい。n=2の場合、2つの−C(R’)基は同じであっても異なっていてもよい。
【請求項2】
更に、(D)前記オニウム塩化合物(B)とは異なる、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物を含有する請求項1に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項3】
前記化合物(D)が下記一般式(ZI−3)又は(ZI−4)で表される化合物である、請求項2に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化2】

一般式(ZI−3)に於いて、
1c〜R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表す。
6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子又はアリール基を表す。
及びRは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、2−オキソアルキル基、2−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。
1c〜R5c中のいずれか2つ以上、R5cとR6c、R6cとR7c、R5cとR、及びRとRは、それぞれ結合して環構造を形成しても良い。
Zcは、非求核性アニオンを表す。
【化3】


一般式(ZI−4)中、
13は水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。
14は複数存在する場合は各々独立して、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。
15は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基又はナフチル基を表す。2個のR15が互いに結合して環を形成してもよい。これらの基は置換基を有してもよい。
lは0〜2の整数を表す。
rは0〜8の整数を表す。
Zcは、非求核性アニオンを表す。
【請求項4】
前記樹脂(A)が、下記一般式(III)で表される繰り返し単位を有する樹脂である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化4】


上記一般式(III)中、
Aは、エステル結合又はアミド結合を表す。
は、アルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表し、Rが複数存在する場合、複数のRは同じであっても異なっていても良い。
Zは、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表し、Zが複数存在する場合、複数のZは同じであっても異なっていても良い。
は、ラクトン構造を有する1価の有機基を表す。
nは、−R−Z−で表される構造の繰り返し数であり、1〜5の整数を表す。
は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
【請求項5】
前記オニウム塩化合物(B)がスルホニウム塩化合物である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項6】
前記オニウム塩化合物(B)におけるカチオン部が、窒素原子を含んだ塩基性部位を備えている、請求項1〜5のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項7】
前記窒素原子を含んだ塩基性部位が、下記一般式(N−I)で表される部分構造である、請求項6に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化5】


式中、
及びRは、各々独立に、水素原子又は有機基を表す。
Xは、単結合又は連結基を表す。
、R及びXの少なくとも2つは、互いに結合して、環を形成していてもよい。
【請求項8】
前記オニウム塩化合物(B)が、下記一般式(N−II)で表される化合物である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化6】

式中、
は、硫黄原子又はヨウ素原子を表す。
は、水素原子又は有機基を表し、Rが複数存在する場合、複数のRは同じであっても異なっていても良い。
Rは、有機基を表し、Rが複数存在する場合、複数のRは同じであっても異なっていても良い。
Xは、単結合又は連結基を表し、Xが複数存在する場合、複数のXは同じであっても異なっていても良い。
は、窒素原子を含んだ塩基性部位を表し、Aが複数存在する場合、複数のAは同じであっても異なっていても良い。
前記Aが硫黄原子である場合、pは、1〜3の整数であり、mは、m+p=3なる関係を満たす整数である。
前記Aがヨウ素原子である場合、pは、1又は2の整数であり、mは、m+p=2なる関係を満たす整数である。
oは、1〜10の整数を表す。
は、アニオンを表す。
、X、R、Aの少なくとも2つは、互いに結合して、環を形成していてもよい。
【請求項9】
請求項1〜8のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜。
【請求項10】
請求項9に記載のレジスト膜を、露光、現像する工程を含むパターン形成方法。
【請求項11】
前記露光が液浸露光である、請求項10に記載のパターン形成方法。

【公開番号】特開2012−234038(P2012−234038A)
【公開日】平成24年11月29日(2012.11.29)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−102403(P2011−102403)
【出願日】平成23年4月28日(2011.4.28)
【出願人】(306037311)富士フイルム株式会社 (25,513)
【Fターム(参考)】