【課題】フォトリソグラフィのための組成物を提供する。
【解決手段】下記のＡを含むポリマーとシランから形成されるポリマーを含む組成物。Ａ）下記の構造単位１：


（式中、Ｌは、Ｃ−Ｃ結合でありであり；Ｍは２価の結合基、Ｓｉ上に酸素含有基、ハライドから選択される基を持つ。） （もっと読む）

【課題】現像欠陥が少なくかつ良好なパターン形状を有するレジストパターンを形成できるフォトレジスト組成物の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、［Ａ］酸解離性基を含む構造単位（Ｉ）を有するベース重合体、［Ｂ］塩基解離性基を含む構造単位（ＩＩ）を有し、［Ａ］重合体よりもフッ素原子含有率が高い重合体、及び［Ｃ］酸発生体を含有し、上記［Ａ］重合体のポリスチレン換算重量平均分子量が、１０，０００以上４０，０００以下であるフォトレジスト組成物である。上記塩基解離性基は、フッ素原子を有することが好ましい。上記塩基解離性基は、芳香族炭化水素基であることがさらに好ましい。構造単位（ＩＩ）が、下記式（２）で表されることが好ましい。
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【課題】ネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法、及びこれに用いることができ、保存安定性に優れたレジスト組成物の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分と、酸供給成分と、フッ素原子及びケイ素原子から選ばれる少なくとも１種を含み、かつ、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含まない化合物（Ｆ）とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、前記レジスト膜を露光する工程（２）と、前記工程（２）の後にベークを行う工程（３）と、前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）とを含むレジストパターン形成方法、及び前記工程（１）で用いる前記レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】良好な現像時間依存性を以って、超微細の孔径を有し、かつ、真円性に優れるホールパターンの提供。
【解決手段】（Ｐ）下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（ａ）を有する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物、及び、（Ｃ）活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物を含有する組成物であって、前記化合物（Ｃ）の前記化合物（Ｂ）に対するモル比率［Ｃ］／［Ｂ］が０．４以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。


上記一般式（Ｉ）中、Ｒ_０は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ_１、Ｒ_２及びＲ_３は、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。 （もっと読む）

【解決手段】置換又は非置換のメチロール基と結合する窒素原子を含むウレア結合、アミド結合、又はウレタン結合を有する化合物と、ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
【効果】本発明に係るレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、感度を十分に満足し、かつＥＬ、ＤＯＦ、ＣＤＵ及びＭＥＥＦに優れる感放射線性樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】本発明は、有機溶媒が８０質量％以上の現像液を用いるレジストパターン形成用感放射線性樹脂組成物であって、上記感放射線性樹脂組成物が、［Ａ］酸解離性基を有する重合体、及び［Ｂ］感放射線性酸発生体を含有し、かつ上記有機溶媒で現像した場合のレジスト感度曲線から算出されるコントラスト値γが、５．０以上３０．０以下であることを特徴とするレジストパターン形成用感放射線性樹脂組成物である。上記有機溶媒は、炭素数３〜７のカルボン酸アルキルエステル及び炭素数３〜１０のジアルキルケトンからなる群より選択される少なくとも１種の有機溶媒であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性及びパターン形状に優れ、ディフェクトを低減可能なレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な新規重合体、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有し、かつフッ素原子を含む構成単位（ｆ１）を有する重合体；該重合体は主鎖の少なくとも一方の末端に式（Ｉ−１）で表される基を有することが好ましい；該重合体を含有するレジスト組成物；該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法
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【課題】サブクオーターミクロン（＜０．２５μｍ）寸法の高解像の像を提供できる新たなフォトレジストを提供する。
【解決手段】光酸不安定基を有する樹脂、光酸発生剤化合物、およびフォトレジスト塗膜層の未露光領域への望まれない光発生酸拡散を低減させる様に機能しうる２以上のアミド基を含むマルチアミド成分、を含む新規のフォトレジスト組成物であり、特に、アミドカルボニル基同士の間に３〜８原子の間隔を有するマルチアミド化合物を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、感度を十分に満足し、かつＥＬ、ＤＯＦ、ＣＤＵ及びＭＥＥＦに優れる感放射線性樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】本発明は、有機溶媒が８０質量％以上の現像液を用いるレジストパターン形成用感放射線性樹脂組成物であって、上記感放射線性樹脂組成物が、［Ａ］酸解離性基を有する重合体、及び［Ｂ］感放射線性酸発生体を含有し、かつ上記有機溶媒で現像した場合のレジスト感度曲線から算出されるコントラスト値γが、５．０以上３０．０以下であることを特徴とするレジストパターン形成用感放射線性樹脂組成物である。上記有機溶媒は、炭素数３〜７のカルボン酸アルキルエステル及び炭素数３〜１０のジアルキルケトンからなる群より選択される少なくとも１種の有機溶媒であることが好ましい。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基と結合する窒素原子を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】本発明の酸不安定基と結合する窒素原子を有する繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤とを含むレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、即ち溶解コントラストが高く、酸拡散を抑制する効果が非常に高い特徴を有する。このレジスト膜を用いてドットパターン又は格子状パターンのマスクを使って露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よく形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】長期に亘り繰り返し使用しても電気特性の劣化が抑制された電子写真感光体を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される化合物の重合体を含有する電荷輸送性層を備えた電子写真感光体〔一般式（Ｉ）中、Ｆは電荷輸送性サブユニットを示し、Ｌはアルキレン基、−Ｃ＝Ｃ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−、及びアルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は価の４基からなる群より選択される２種以上を組み合わせてなる（ｎ＋１）価の連結基を示し、ｍは１以上６以下の整数を示し、ｎは２以上３以下の整数を示す。〕。
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【課題】リソグラフィー特性及びパターン形状に優れるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）は、式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０−１）、及び露光により酸を発生する構成単位（ａ０−２）を有する樹脂成分（Ａ１）を含有することを特徴とするレジスト組成物［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ｒ^２は２価の連結基である。］。
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【課題】ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）に優れたレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（ａ）で表される構造単位を有する樹脂及び式（Ｂ１）で表される塩を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１は水素原子又はメチル基；Ｒ^２は脂肪族炭化水素基；Ａ^１は、単結合、脂肪族炭化水素基等；Ａ^２は、単結合又は脂肪族炭化水素基；環Ｗ^１は脂肪族環；Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^b1は、２価の脂肪族炭化水素基；Ｙは、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基；Ｚ⁺は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】ラフネス特性およびパターン倒れの改善を可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、及び（Ｃ）下記一般式（ＺＩ−３）、（ＺI−４）又は（ＺＩ−５）で表される活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であり、樹脂（Ａ）が酸の作用により分解する基を有する繰り返し単位を少なくとも１種含有し、該酸分解性の基が分解して脱離する基が環構造を有し、該環構造が極性基を置換基として有し、もしくは、該環構造が極性原子を環構造内に含み、且つ、前記脱離基が脱離して生成する化合物のｌｏｇＰ値が０以上２．８未満であることを特徴とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
（もっと読む）

【課題】解像性、焦点深度（ＤＯＦ）特性に優れ、真円性に優れた矩形性の高いホールパターンを与えることのできるポジ型レジスト組成物、及びパターン形成方法の提供。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１−１）で示される繰り返し単位と、下記一般式（１−２）で示される繰り返し単位と、酸不安定基を有する繰り返し単位とを含み、酸によってアルカリ溶解性が向上する樹脂、（Ｂ）光酸発生剤、（Ｃ）塩基性化合物、及び（Ｄ）溶剤を含有するものであることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
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【課題】優れた解像度でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂と、式（Ｉ）で表される塩とを含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、同一又は相異なり、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１は、単結合又は２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基に含まれる水素原子はフッ素原子又はヒドロキシ基に置き換わっていてもよく、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子等に置き換わっていてもよい。Ｒ^１は、炭化水素基等を表す。Ｒ^２は、水素原子又はアルキル基を表す。ｍは、０〜４の整数を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基により水酸基が保護された構造を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、光酸発生剤と、有機溶剤と、フッ素原子を有する繰り返し単位を含有し、かつ水酸基を含有しない高分子添加剤とを含み、高分子添加剤の含有量が全高分子化合物の含有量に対して１〜３０質量％であるレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明のレジスト組成物は、液浸露光可能な高い後退接触角を示すと共に、有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで高い解像性、微細トレンチパターンやホールパターンの広い焦点深度を示し、ラインパターン側壁の垂直性を高め、パターン倒れ耐性を向上させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性及び露光ラチチュードに優れ、かつ露光により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりを抑制するパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（ａ）を有する樹脂（Ｐ）及び活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程
を含む、パターン形成方法。


上記一般式（Ｉ）中、Ｒ_０は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ_１、Ｒ_２及びＲ_３は、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。 （もっと読む）

【課題】極性基を有する単量体を重合した重合体であっても、簡便な方法で重合体中の不純物を有効に除去できる重合体の製造方法（又は精製方法）を提供する。
【解決手段】不純物を含む重合体と有機溶媒とを含む重合体溶液と、前記重合体に対して貧溶媒である沈殿溶媒（又は再沈殿溶媒）とを、超音波の作用下で接触させて重合体を析出又は沈殿させ、析出又は沈殿した重合体を回収して重合体を製造する。この方法は、レジストの重合体を精製するのに有用である。 （もっと読む）

【課題】水溶性に優れるとともに、架橋剤との反応性が良好で架橋剤と反応することにより耐水性に優れるフィルム等の成形体を与えることのできるアミノ基含有変性ビニルアルコール系重合体を提供する。
【解決手段】ビニルアルコール単位、および下記式（Ｉ）で示される構成単位を含む変性ビニルアルコール系重合体。（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁵はそれぞれ独立して、水素原子、または炭素数１〜８の基を表し、Ａは、単結合、酸素原子、または炭素数１〜８の２価の基を表す。）
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