【課題】本発明は、ガラス基板に対する密着性や弾性回復力に優れた柱状スペーサーの提供を前提として、このような柱状スペーサーを得ることのできるフォトスペーサー用硬化性樹脂組成物の提供を課題としている。
【解決手段】液晶セルの柱状スペーサーの製造のために用いられるフォトスペーサー用硬化性樹脂組成物であって、酸基を導入し得るモノマーと、アミド基含有モノマーとを必須成分として含むモノマー成分から合成された酸基含有ポリマーの酸基に、ラジカル重合性不飽和二重結合と酸基と反応し得る官能基を有する化合物を反応させることによって得られる感光性ポリマーと、多官能モノマーと、光重合開始剤とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、通常露光（ドライ露光）によるパターニングにおいて、１００ｎｍ以下の微細パターンの形成においても、プロファイル形状、パターン倒れ、露光ラチチュード性能に優れ、液浸露光によるパターニングにも優れたポジ型レジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、（Ｃ）エステル結合が窒素原子に結合した構造を有するアミン化合物を含有することを特徴とするレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位及び／又は酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位とオキシラン環又はオキセタン環を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】本発明によるレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高く、酸拡散を抑制する特徴を有する。このフォトレジスト膜を用いて格子状パターンのマスクを使って露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よく形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】従来から知られるレジスト組成物では、レジストパターン製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）が必ずしも十分ではない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１は炭素数２〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。但し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基のうち、環Ｗと結合するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わらない。環Ｗは、炭素数２〜３６の複素環を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ用途のために、改良された（すなわち、低減された）ライン幅ラフネスを有するフォトレジストポリマーを提供する。
【解決手段】ポリマーは、酸脱保護性モノマー、塩基可溶性モノマー、ラクトン含有モノマーおよび光酸生成モノマーを含むモノマー；下記式の連鎖移動剤；並びに場合によって開始剤の重合生成物を含む：


式中、Ｚはｙ価のＣ_１−２０有機基であり、ｘは０または１であり、Ｒ^ｄは置換もしくは非置換のＣ_１−２０アルキル、Ｃ_３−２０シクロアルキル、Ｃ_６−２０アリール、またはＣ_７−２０アラルキルである。 （もっと読む）

【課題】向上したＬＥＲ性能を示すフォトレジスト組成物の提供。
【解決手段】フォトレジスト組成物は、酸感受性ポリマー、および式


を有する環式スルホニウム化合物を含む組成物。（式中、各Ｒ^ａは独立して置換もしくは非置換のＣ_１−３０アルキル基、Ｃ_６−３０アリール基、Ｃ_７−３０アラルキル基、または前記のものの少なくとも１種を含む組み合わせであり、Ａｒは単環式、多環式、または縮合多環式Ｃ_６−３０アリール基であり、各Ｒ^ｂは独立してＨ、Ｆ、線状もしくは分岐のＣ_１−１０フルオロアルキル、または線状もしくは分岐のへテロ原子含有Ｃ_１−１０フルオロアルキルであり、ＬはＣ_１−３０連結基であって、場合によってはヘテロ原子を含むものであり、このヘテロ原子はＯ、Ｓ、Ｎ、Ｆまたは前記のヘテロ原子の少なくとも１種を含む組み合わせを含む。） （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ａ¹は、式（ａ−ｇ１）で表される基；ｓは０〜２の整数；Ａ^１０は脂肪族炭化水素基；Ａ^１１は、単結合又は脂肪族炭化水素基、但し、ｓ＝０の時、Ａ^１１は単結合ではない；Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基又はオキシカルボニルオキシ基；環ＷＲ^２は、置換基を有していてもよいラクトン環基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ａ¹は、式（ａ−ｇ１）で表される基；環Ｗ^１は、置換基を有していてもよいスルトン環；ｓは０〜２の整数；Ａ^１０は脂肪族炭化水素基；Ａ^１１は、単結合又は脂肪族炭化水素基；Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基又はオキシカルボニルオキシ基を表す。] （もっと読む）

【課題】優れた形状でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す；環Ｗ^１は、置換基を有していてもよい炭素数３〜３４のスルトン環を表す。］ （もっと読む）

【課題】ＣＤ均一性（ＣＤＵ）に優れたレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂と、式（Ｂ１）で表される塩と、溶剤とを含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；ｎは１〜３の整数；Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^b1は単結合又は２価の飽和炭化水素基を表し、該基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい；Ｙは置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】組成物の保存時におけるパーティクル発生の抑制能に優れ、且つ、経時による線幅変動が抑制されたパターン形成を可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びこの組成物の製造方法を提供することにある。更に、本発明の目的は、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する第１樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び（Ｃ）溶剤として少なくともアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、該組成物中に溶存する酸素の濃度と窒素の濃度の合計が０．１８０μｇ／μｌ以下である組成物。 （もっと読む）

【課題】優れたパターン倒れ耐性（ＰＣＭ）を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す。環Ｗ^２は置換基を有していてもよい炭素数３〜３４のラクトン環を表す。］ （もっと読む）

【課題】従来のレジスト組成物では、得られるパターンのマスクエラーファクター（ＭＥ
Ｆ）が必ずしも十分に満足できない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。


［式（Ｉ）中、Ｔ１は、単結合又は芳香族炭化水素基を表す。Ｌ１は、飽和炭化水素基を
表し、該飽和炭化水素基を構成しているメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き
換わっていてもよい。ｍは０又は１を表す。Ｌ２及びＬ３は、単結合又は飽和炭化水素基
を表し、該飽和炭化水素基を構成しているメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置
き換わっていてもよい。環Ｗ１及び環Ｗ２は、炭化水素環を表す。Ｒ１及びＲ２は、水素
原子、ヒドロキシ基又はアルキル基を表す。Ｒ３及びＲ４は、ヒドロキシ基又はアルキル
基を表す。Ｒ５は、水素原子又はメチル基を表す。ｔは、０〜２の整数を表す。ｕは、０
〜２の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】解像性、感度、及び経時安定性に優れ、かつ良好な形状のパターン形成を可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いた感活性光線性又は感放射線性樹脂膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基およびプロトンアクセプター基をともに有する繰り返し単位（Ａ）を備えた樹脂（Ｐ）を含有している。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、短時間でＰＥＢを行うことができ、それによりスループットの向上や、酸拡散距離を短くすることができることによる解像性の向上が達成できるパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 被加工基板上に波長６００〜２０００ｎｍの範囲の光を吸収する下層膜を形成し、該下層膜上にフォトレジスト膜を形成し、該フォトレジスト膜を露光した後、波長６００〜２０００ｎｍの光を照射して加熱することでポストエクスポジュアーベーク（ＰＥＢ）を行い、その後現像によってパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）が良好であり、あるいはマスクエラーファクター（ＭＥＦ）に優れ、欠陥の発生数が少ないレジストパターンを製造できるレジスト組成物などを提供する。
【解決手段】式（ａ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有するレジスト組成物。


［式（ａ）中、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基；Ａ^１は、置換基を有していてもよいアルカンジイル基又は式（ａ−ｇ１）；ｓは０又は１；Ａ¹⁰及びＡ¹²は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基；Ａ¹¹は、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基又は単結合；Ｘ¹⁰及びＸ¹¹は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基；ただし、Ａ¹⁰、Ａ¹¹、Ａ¹²、Ｘ¹⁰及びＸ¹¹の合計炭素数は６以下；Ｒ^２は置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト組成物の基材成分として利用できる新規な高分子化合物、該高分子化合物用のモノマーとして有用な化合物、前記高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、ならびに該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される化合物。下記一般式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０）を有する高分子化合物。
（もっと読む）

【課題】良好なラインエッジラフネスを有するレジストパターンを得ることができるポジ型レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、酸発生剤と、式（Ｉ）で表される化合物とを含むポジ型レジスト組成物。


［式中、Ｒ^１は、ヒドロキシ基、アルキル基、脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基、脂環式及び芳香族炭化水素基はヒドロキシ基又はアルキル基で置換されていてもよい；Ｘ^１は、２価の飽和炭化水素基を表し、２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい；Ｒ^２は飽和炭化水素基；ｕ１は０〜２の整数、ｓ１は１又は２、ｔ１は０又は１、但し、ｓ１＋ｔ１は１又は２である。］ （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（ａ）で表される構造単位を有する樹脂；式（ａ４−８）で表される構造単位を有する樹脂；（Ｂ）酸発生剤；（Ｄ）溶剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^３は、式（ｂ）で表されるスルホラン環基；Ａ^a41は、置換基を有していてもよいアルカンジイル基等；Ｒ^a42は、脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れた機械的強度を有するゴム弾性体を得ることのできる共役ジエン系エラストマーおよびその製造方法並びにゴム組成物を提供すること、また、優れた機械的強度を有するゴム弾性体およびタイヤを提供する。
【解決手段】共役ジエン系エラストマーは、共役ジエン化合物に由来の繰り返し単位、または、共役ジエン化合物に由来の繰り返し単位と単環芳香族ビニル化合物に由来の繰り返し単位とを含有する共役ジエン系エラストマーにおいて、芳香族系の多環式化合物に由来の置換基または芳香族系の多環式化合物に由来の繰り返し単位を有することを特徴とする。 （もっと読む）