【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）で、欠陥の発生数も少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）、酸発生剤及び式（ＩＡ）で表されるアニオンを有する塩を含有するレジスト組成物。
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【課題】パターン倒れ及び欠陥が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、式（ＩＩ）で表される構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。


アルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。］ （もっと読む）

【課題】欠陥の発生数が少なく、優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位を有する樹脂、酸発生剤及び環状ケトン溶剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^aa1は、水素原子又はメチル基；Ｒ^aa2は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基；Ａ^aa1は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルカンジイル基又は式（ａ−１）で表される基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたパターン倒れ耐性（ＰＣＭ）で、欠陥の少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基；Ａ^１はアルカンジイル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】ＣＤ均一性で、欠陥の発生が少ないレジストパターンを製造できるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及びアルカリ現像液の作用により開裂する構造を有する酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ａ¹³は、ハロゲン原子を有していてもよい２価の脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたＣＤ均一性（ＣＤＵ）で、欠陥数の少ないレジストパターンの製造。
【解決手段】式（ａａ）、（ａｂ）の構造単位を有する樹脂（Ｘ）、酸発生剤（Ｂ）を含有する組成物。


［式中、Ａ^aa1は、置換基を有していてもよいアルカンジイル基等で表される基；Ｒ^aa2は、脂肪族炭化水素基；Ｒ^ab2は芳香族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたマスクエラーファクターを有し、かつ欠陥の発生が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）、酸発生剤及び式（ＩＩ）で表される化合物を含有するレジスト組成物。
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【課題】優れたマスクエラーファクター（ＭＥＦ）のレジストパターンを製造し得るレジスト組成物及び該レジスト組成物に用いられる新規な樹脂を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位（ａａ）と、式（ａｂ）で表される構造単位（ａｂ）とを有する樹脂及びこの樹脂及び酸発生剤を含むレジスト組成物。


［Ｒ^aa１及びＲ^ab1は、水素原子又はメチル基；Ｒ^aa2は、水素原子又はフッ化アルキル基；Ｒ^aa３は、フッ化アルキル基；Ｒ^aa４は、酸安定基；Ａ^aa１は、炭化水素基；Ａ^ab1は、アルカンジイル基；Ｒ^ab2は、脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）で、欠陥の発生数も少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、式（ＩＩ）で表される化合物に由来する構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ａ²¹は２価の連結基；環Ｘ²¹は複素環；Ｒ²²は、ハロゲン原子、水酸基、炭化水素基、アルコキシ基等；ｍは、０〜１０の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたＣＤ均一性でレジストパターンを製造することができ、得られたレジストパターンの欠陥発生数が少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）、式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。
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【課題】他の樹脂と混合して樹脂組成物とし、基材の表面に塗布し硬化させてコーティング膜を形成させた場合に、該コーティング膜が経時的に黄変しない、アクリロイルモルホリンを得る。
【解決手段】アクリロイルモルホリンに、フェノール系酸化防止剤を０．５〜５．０重量％、望ましくはさらに紫外線吸収剤を０．０５〜０．５重量％含有させる。フェノール系酸化防止剤は、２，５’−ジ−ｔ−ブチルハイドロキノンまたは２，５’−ジ−ｔ−アミルハイドロキノンが望ましい。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高いパターン形成方法を提供する。
【解決手段】単糖類のヒドロキシ基の１つがメタクリルエステルとして結合し、残りのヒドロキシ基が酸不安定基で置換された（メタ）アクリレートの繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の面方向における断面形状に関して整形性が良好な（変形度が低い）コンタクトホールを形成できるパターン形成方法、並びに、これを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】（１）基板上に、（Ａ）化学増幅型レジスト組成物によって、レジスト膜を形成する工程、（２）露光して、ラインアンドスペースの潜像を形成する工程、（３）第１の加熱処理を行う工程、（４）第２のラインアンドスペースの潜像を、前記第１のラインアンドスペースの潜像におけるライン方向と交差するように形成する工程、（５）第２の加熱処理を行う工程、及び、（６）前記第２の加熱処理が行われたレジスト膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像を行う工程を、この順で有するパターン形成方法、並びに、このパターン形成方法を用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】高温高湿の環境に置いた場合でも、基板との密着性に優れる塗膜を製造可能な硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）を含む硬化性樹脂組成物。（Ａ）不飽和カルボン酸及び不飽和カルボン酸無水物からなる群から選ばれる少なくとも１種に由来する構造単位と、オキシラニル基及びエチレン性不飽和結合を有する単量体に由来する構造単位とを含む共重合体；（Ｂ）グリシジルエーテル型エポキシ樹脂及びグリシジルエステル型エポキシ樹脂からなる郡から選ばれる少なくとも１種；（Ｃ）多価カルボン酸無水物及び多価カルボン酸からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）ヘキサフルオロプロピル酸エステル基を側鎖に有するアクリル系繰り返し単位を有する高分子化合物、（Ｂ）ベース樹脂として、ラクトン環由来の骨格及び／又は水酸基を有する骨格及び／又は無水マレイン酸由来の骨格を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる高分子化合物、（Ｃ）高エネルギー線の露光により酸を発生する化合物、（Ｄ）有機溶剤を含有するレジスト材料。
【効果】レジスト保護膜を使うことなく高速スキャンに耐えうる高撥水性かつ高滑水性のレジスト膜を実現し得る。更には、アルカリ現像液による上記ポリマーの加水分解により現像後のレジスト膜表面を親水性に改質し、その結果、ブロッブ欠陥が大幅に抑制できる。 （もっと読む）

【課題】特定の構造を有するアクリル系共重合体、およびこの共重合体を用いることにより、放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本物性を有する樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記式で表される繰り返し単位を含むアクリル系共重合体およびこの共重合体を用いた感放射線性樹脂組成物。
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【課題】フォーカスマージン（ＤＯＦ）に優れ、欠陥の少ないレジストパターンを製造することのできる化合物を提供すること。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。


［式（Ｉ）中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す。Ａ^１は、式（ａ−ｇ１）


式（ａ−ｇ１）中、Ｙ^１は、アントラセン環、フルオレン環又はフェナントレン環を含む２価の有機基を表す。Ｒ²は、炭素数１〜１２のフッ化アルキル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】有機溶剤現像において溶解コントラストが大きく、かつ高感度なフォトレジスト組成物及び有機溶剤による現像によってポジネガ反転によるホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】分岐状アルキレン基もしくは脂環式基上のヒドロキシ基が酸不安定基で置換された側鎖を有するアクリル系繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】上記パターン形成方法で得られるレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高い特徴を有する。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で示される重合性エステル化合物。


【効果】重合性エステル単量体は、波長５００ｎｍ以下、特に波長３００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有し、現像特性の良好な感放射線レジスト材料のベース樹脂を製造するための単量体として非常に有用である。 （もっと読む）

【課題】高解像性で良好な形状の孤立ラインパターンを形成することができ、且つ、ドライエッチング耐性を含む他のレジスト性能にも優れる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、これを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、及びパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも１つのフェノール性水酸基と、フェノール性水酸基の水素原子が下記一般式（１）で表される基によって置換されている基を少なくとも１つ含む化合物（Ｐ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化１】
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