本発明は、次の工程：すなわち、ａ）ヒドロゲルを調製する工程；ｂ）ヒドロゲルを粉砕して微粒状ヒドロゲルを得る工程；ｃ）微粒状ヒドロゲルをベースとするスラリーを製造する工程；ｄ）微粒状ヒドロゲルを含むスラリーを乾燥させて触媒用担体を得る工程；ｅ）触媒用担体に対して、少なくとも１種の遷移金属および／または少なくとも１種の遷移金属化合物を施用し、また、適当な場合には、その施用された金属および／または化合物を活性化させることによって担持触媒を製造する工程を含み、かつその場合に、粒子の総体積を基準として、粒子の少なくとも５体積％が０μｍ超〜３μｍ以下の粒径を有し；かつ／または粒子の総体積を基準として、粒子の少なくとも４０体積％が０μｍ超〜１２μｍ以下の粒径を有し、かつ／または粒子の総体積を基準として、粒子の少なくとも７５体積％が０μｍ超〜３５μｍ以下の粒径を有する微粒状ヒドロゲルを工程ｂ）で製造し、そして工程ａ）〜工程ｄ）に記載のようにして調製できる担体を使用して工程ｅ）で触媒を製造する、担持触媒を調製する方法、特に、オレフィンの重合および／または共重合のための触媒を調製する方法に関する。 （もっと読む）

オレフィン重合用触媒の成分として有用な、遷移金属化合物及び高分子量を持つオレフィン重合体を与える高活性な重合触媒を提供する。具体的には、式（１）で表される遷移金属化合物を用いたオレフィン重合用触媒である。
【化１】


［式中、Ｍは、周期律表第３〜１０族又はランタノイド系列の金属元素であり、Ｘは、Ｍと結合するσ結合性の配位子を示し、Ｘが複数ある場合、複数のＸは同じでも異なっていてもよい。Ｙは、ルイス塩基を示し、Ｙが複数ある場合、複数のＹは同じでも異なってよい。Ａ^１、Ａ^２の内、少なくとも一つはホウ素又はリン原子が架橋原子となっている架橋基を示し、ｑは１〜５の整数で、［（Ｍの原子価）−２］を示し、ｒは０〜３の整数を示す。Ｑ^１及びＱ^２は、特定構造を有する。Ｑ^１及びＱ^２はそれぞれ異なっていてもよく、同じであってもよい。］ （もっと読む）

本発明は、オレフィン重合触媒組成物の分野、並びにオレフィンの重合及び共重合法に関するものであり、担持された触媒組成物を用いる重合法を含む。一つの観点では、本発明は、第一のメタロセン化合物、第二のメタロセン化合物、少なくとも一つの化学的に処理された固体酸化物、及び少なくとも一つの有機アルミニウム化合物の接触生成物を含む触媒組成物を包含する。新規な樹脂は、匹敵するメルトインデックス値で、衝撃、引裂、接着、シール、押出機のモーター負荷及び圧力、並びにネック−イン及びドローダウンに有用な特性をもつことを特徴とした。 （もっと読む）

不飽和モノマーの重合方法が開示される。この方法は、後周期遷移金属触媒（ＬＴＭＣ）の存在下で、伝統的にフリーラジカル重合に依存し、一部はラジカル重合によって排他的に行われてきた様々な不飽和モノマーを重合させることを含む。ＬＴＭＣ重合は、フリーラジカル残留物を含まない、分子量分布が狭いなど、改良された特性を有するポリマーを提供する。 （もっと読む）

式(I)：


［式中、Mは遷移金属の原子であり；Xは同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、またはR、OR、OSO₂CF₃、OCOR、SR、NR₂もしくはPR₂基（ここで、RはC₁-C₄₀の炭化水素基である）であり；Lは2価の架橋基であり；R¹はC₁-C₄₀の炭化水素基であり；R³はC₁-C₄₀の炭化水素基であり；R²、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷およびR⁸は、同一または異なって、水素原子またはC₁-C₄₀の炭化水素基である］
のメタロセン化合物。 （もっと読む）

単量体、有機溶媒、及び生成した重合体の全重量に対して２０重量％未満の有機溶媒の存在下、共役ジエン単量体をランタニド系の触媒系に接触させる工程を含み、前記ランタニド系の触媒系が、（ａ）ランタニド化合物、（ｂ）有機アルミニウム水素化物、（ｃ）トリヒドロカルビルアルミニウム、及び（ｄ）ハロゲン含有化合物の組み合わせ若しくは反応生成物であることを特徴とするシス−１，４−ポリジエンの製造方法。 （もっと読む）

本発明は、式（Ｉ）
【化１】


（式中、
Ｍ¹が、元素周期表の第３、４、５又は６族の元素又はランタノイドを表し、
Ｘが、同一であっても異なってもよく、それぞれ有機又は無機の基を表し、且つ２個の基Ｘが相互に結合しても良く、
ｎが、１〜４の自然数であり、
Ｚが、１〜４０個の炭素原子を有する二価の有機基であり、この二価の有機基は、インデニルの２個の炭素原子と共に、飽和又は不飽和、置換又は無置換の、４〜１２原子の環員を有する環を形成し、且つインデニルと縮合した環内のＺが、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｎ、Ｐ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ及びＴｅからなる群から選ばれる一個以上の同一又は異なるヘテロ原子を更に含んでいても良く、
Ｒ¹が、水素又は１〜４０個の炭素原子を有する有機基を表し、
Ｒ²が、水素又は１〜４０個の炭素原子を有する有機基を表し、
Ｒ³が、水素、ハロゲン又は１〜４０個の炭素原子を有する有機基を表し、
Ｒ⁴が、水素、ハロゲン又は１〜４０個の炭素原子を有する有機基を表し、
Ｒ⁵が、水素、又は１〜４０個の炭素原子を有する有機基を表し、
Ｒ⁶が、水素、又は１〜４０個の炭素原子を有する有機基を表し、
Ｒ⁷、Ｒ⁸が、同一又は異なっていても良く、それぞれが、水素又は１〜４０個の炭素原子を有する有機基を表すか、又はＲ⁷及びＲ⁸が、これらを結合している原子と共に、単環式、又は多環式の、置換又は無置換の、１〜４０個の炭素原子を有し、且つＳｉ、Ｇｅ、Ｎ、Ｐ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ及びＴｅからなる群から選ばれるヘテロ原子を含んでも良い環を形成しており、
Ａが、二価の原子又は二価の基からなる架橋基を表し、そして、
Ｒ³が水素の場合、Ｒ⁵が３〜２０個の炭素原子を有し、且つα位で分岐している有機基を表し、そしてＲ⁶が水素で表される、有機金属遷移金属化合物に関し、
このような置換パターンを有するビスシクロペンタジエニル配位子、
本発明の有機金属遷移金属化合物を少なくとも１種含む触媒粗製物、本発明の触媒組成物の存在下に少なくとも１種のオレフィンを重合又は共重合させることによりポリオレフィンを製造する方法、有機金属遷移金属化合物の製造用に、本発明のビスシクロペンタジエニル配位子を使用する方法、及びビスシクロペンタジエニル配位子を使用して有機金属遷移金属化合物を製造する方法に関する。
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Ａ１）マグネシウム化合物、非メタロセンチタン化合物、および少なくとも１つのチタン以外の遷移金属の非メタロセン化合物の反応生成物を含む、スプレー乾燥触媒前駆体の、
Ａ２）有機アルミニウムハライドハロゲン化剤
を用いたハロゲン化によって形成された固体混合物を含む、チーグラー・ナッタ触媒組成物、そこで使用するための前駆体を調製する方法、およびそれを使用するオレフィン重合工程。 （もっと読む）

本発明は、式（Ｉ）：
【化１】


［但し、Ｍ¹が元素周期表第３、４、５又は６族の金属又はランタニドを表し、
Ｘが同一でも又は異なっていても良く、それぞれ有機基又は無機基を表し、且つ２個の基Ｘが相互に結合しても良く、
ｎが１〜４の自然数を表し、
Ｔ¹、Ｔ²が同一でも又は異なっていても良く、それぞれ−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−、−Ｔｅ−、−Ｎ（Ｒ¹³）−、−Ｐ（Ｒ¹³）−、−Ａｓ（Ｒ¹³）−、−Ｓｂ（Ｒ¹³）−、−Ｓｉ（Ｒ¹³）₂−、−Ｃ（Ｒ¹³Ｒ¹⁴）−Ｃ（Ｒ¹³Ｒ¹⁵）−及び−Ｃ（Ｒ¹⁴）＝Ｃ（Ｒ¹⁵）−からなる群から選択される２価の基を表し、且つＲ¹³、Ｒ¹⁴及びＲ¹⁵が同一でも又は異なっていても良く、それぞれ水素又は炭素原子数１〜４０の有機基を表し、
Ｒ¹、Ｒ⁷が同一でも又は異なっていても良く、それぞれ水素又は炭素原子数１〜４０の有機基を表し、
Ｒ²、Ｒ⁸が同一でも又は異なっていても良く、それぞれ水素又は炭素原子数１〜４０の有機基を表し、
Ｒ³、Ｒ⁹が同一でも又は異なっていても良く、それぞれハロゲン又は炭素原子数１〜４０の有機基を表し、且つＴ¹が−Ｃ（Ｈ）＝Ｃ（Ｈ）−を表す場合には、Ｒ³がメチルを表さず、
Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ¹²が同一でも又は異なっていても良く、それぞれ水素、ハロゲン又は炭素原子数１〜４０の有機基を表すか、又は２個の隣接基Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ¹²がこれらに結合する原子と結合して、置換されていても良い単環式基又は多環式基を形成し、この環式基は、１〜４０個の炭素原子を含み、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ及びＳｉからなる群から選択されるヘテロ原子を含んでいても良く、或いは
Ｔ¹又はＴ²が−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−又は−Ｔｅ−を表す場合には、基Ｒ³と基Ｒ⁴及び／又は基Ｒ⁹と基Ｒ¹⁰とが結合して、置換されていても良い単環式基又は多環式基を形成し、この環式基は、１〜４０個の炭素原子を含み、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ及びＳｉからなる群から選択されるヘテロ原子を含んでいても良く、そして
Ａが２価の原子又は２価の基から構成されるブリッジを表す。］
で表される有機遷移金属化合物に関する。
更に、本発明は、上記の置換様式を有するビスシクロペンタジエニルリガンド組成物、本発明の少なくとも１種の有機遷移金属化合物を含む触媒組成物、本発明のいずれか１つの触媒組成物の存在下で少なくとも１種のオレフィンを重合又は共重合することによるポリオレフィンの製造方法及びこのようにして得られるポリオレフィン、本発明のビスシクロペンタジエニルリガンド組成物を有機遷移金属化合物の製造に使用する方法並びにビスシクロペンタジエニルリガンド組成物を用いる有機遷移金属化合物の製造方法に関する。
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１種又はそれ以上の遷移金属化合物及び１種又はそれ以上の芳香族カルボン酸のモノエステル内部電子供与体を含む１種又はそれ以上のチーグラー−ナッタプロ触媒組成物、１種又はそれ以上のアルミニウム含有共触媒並びに２種又はそれ以上の異なった選択率制御剤の混合物を含む、プロピレンの重合用の触媒組成物であって、前記ＳＣＡ混合物が、９８．０〜９９．９モル％の１種若しくはそれ以上の芳香族モノカルボン酸の１種若しくはそれ以上のエステル又はこれらの置換誘導体及び２．０〜０．１モル％の１種又はそれ以上のアルコキシシラン化合物を含む触媒組成物。 （もっと読む）

次の工程：工程a) i) 式(I)の1種以上のメタロセン化合物 [ここでMは遷移金属原子であり；pは0〜3の整数であり；Xは同一又は異なって水素原子、ハロゲン原子又は炭化水素基であり；Lは2価の橋架け基であり；R¹は直鎖又は分枝鎖状で飽和又は不飽和のC₁〜C₂₀アルキル基であり；R²は分枝鎖状のC₁〜C₂₀アルキル基であり；Tは互いに等しいか又は異なって、式の部分(ここで、印を付した原子は式(I)の化合物において同じ印を付した原子と結合し；R⁵〜R¹³は互いに等しいか又は異なって、水素原子又は炭化水素基である)である]と、ii) アルモキサン又はアルキルメタロセンカチオンを形成し得る化合物と、任意にiii) 有機アルミニウム化合物とを含む、多孔性有機ポリマー上に担持された触媒系の存在下に、プロピレンと任意にエチレン又は1種以上のα-オレフィンとを重合条件下に接触させ、工程b) 重合条件下に、気相中でエチレンと1種以上のα-オレフィンとを、任意に追加の有機アルミニウム化合物の存在下に接触させることを含む、ヘテロ相プロピレンポリマーを得るための多段方法。 （もっと読む）

担持重合触媒系は、（ｉ）共触媒を多孔質担体に加えるステップと、（ｉｉ）重合触媒を重合可能なモノマーと混合するステップと、（ｉｉｉ）ステップ（ｉ）および（ｉｉ）で得られた成分を同時に接触させるステップとからなる方法によって調製するものである。該多孔質担体は好ましくはシリカであり、該重合触媒は好ましくはメタロセンである。該重合可能なモノマーは通常、１−ヘキセンであり、該担持触媒系は、特に気相中で操作すると緩慢に減衰する活性プロフィールにおけるメリットをもたらす。 （もっと読む）

オレフィン重合方法を開示する。重合は、粘土、活性剤、および少なくとも１種のピリジン部分含有リガンドを有する遷移金属錯体の存在下で行われる。粘土の存在により触媒活性が増大する。本方法は、超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷＰＥ）を作るのに適している。製造されるＵＨＭＷＰＥは高い嵩密度を有する。 （もっと読む）

次の工程：ａ）１以上のアルファ−オレフィンをメタロセンベースの触媒系と、ループ状反応釜中で連続的に接触させ、（i）そこで反応は、液状媒体中で行われる；（ii）メタロセンベースの触媒系の平均滞留時間は、３０分より多くない；（iii）温度は２５〜７０℃の範囲であり；触媒系のｇ当り６０〜５００ｇの範囲の重合度を得；ｂ）工程ａ）で得た予備重合したメタロセンベースの触媒系を重合反応釜に連続的に供給し、；ｃ）工程ａ）で使用されるアルファ−オレフィンと同一または異なる１以上のアルファ−オレフィンを、前記予備重合したメタロセンベースの触媒系の存在下で重合させることからなる、式ＣＨ₂＝ＣＨＴ（式中、Ｔは水素原子またはＣ₁〜Ｃ₂₀アルキル基である）の１以上のアルファ−オレフィンの重合方法。
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複合触媒系を開示している。この触媒系は触媒Ａおよび触媒Ｂを含む。触媒Ａは、担持された架橋したインデノインドリル遷移金属錯体を含む。触媒Ｂは、担持された非架橋のインデノインドリル遷移金属錯体を含む。本発明の触媒系は、二峰性または多峰性分子量分布を有するポリオレフィンを生成する。 （もっと読む）

担持メタロセン触媒そして前記触媒をＣ_３＋エチレン系不飽和単量体のイソタクティック重合で用いる方法。本担持触媒は粒状シリカ支持体、アルキルアルモキサン成分およびメタロセン触媒成分を含んで成る。前記支持体は１０−５０ミクロンの平均粒径、２００−８００ｍ^２／ｇの表面積および１グラム当たり０．９−２．１ミリリットル（ｍｌ／ｇ）の細孔容積を有し、アルモキサンを前記支持体にアルモキサンのシリカに対する重量比が少なくとも０．８：１になるように取り込ませる。前記メタロセンをシリカとアルモキサンの少なくとも１重量パーセントの量で存在させ、そしてこれは式Ｂ（ＣｐＲａＲｂ）（Ｆｌ’）ＭＱ_２［式中、Ｆｌ’は置換されていないフルオレニル基または３位と６位が対称的に置換されているフルオレニル基であり、ＢはＣｐとＦｌ’の間に位置する構造ブリッジであり、Ｒａは遠位に位置するかさ高い置換基であり、Ｒｂは前記ブリッジに対して近位に位置しかつ前記遠位の置換基に隣接して位置していないあまりかさ高くない置換基であり、ＭはＩＶＢ族の遷移金属またはバナジウムであり、そしてＱはハロゲンまたはＣ_１−Ｃ_４アルキル基である］で表される。
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