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Fターム[4J246GC01]の内容

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本発明は有機シロキサン樹脂及びこれを用いた絶縁膜に関するものであって、1種以上のハイドロシラン化合物を含むシラン化合物の縮重合体である有機シロキサン樹脂を有機溶媒に溶解した溶液を基体に塗布し形成した絶縁膜を乾燥及び硬化し製造した絶縁膜は機械的物性及び低誘電性が優秀であるため、高集積化半導体素子として適合に使用ことができるという効果がある。 (もっと読む)


【課題】 ゾルゲル法により得られるアルコキシシラン縮合物であるにも拘らず、柔軟性が高く強度に優れたアルコキシシラン硬化物からなる自立膜を形成することが可能なアルコキシシラン縮合物、並びにその製造方法を提供すること。
【解決手段】 下記一般式(1)〜(4):
【化1】


[式(1)〜(4)中、Xは1価の加水分解性基、Rは2価の有機基を示す。]
でそれぞれ表されるT、T、T及びTサイト骨格成分からなる有機架橋型アルコキシシラン縮合物であって、29Si−NMRにおける、前記T、T、T及びTサイト骨格成分にそれぞれ相当するシグナルの積分値(T、T、T、T)が下記数式:
/(T+T+T+T)≦0.6
/(T+T+T+T)≧0.4
/(T+T+T+T)≦0.2
/(T+T+T+T)≦0.03
で表される条件を満たしていることを特徴とする有機架橋型アルコキシシラン縮合物。 (もっと読む)


【課題】 従来のポーラス膜と同等又はそれ以下の比誘電率を有し、しかも十分に機械強度に優れたシリカ系硬化被膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 上記課題を解決する本発明のシリカ系硬化被膜の形成方法は、基板上に形成されたシリカ系被膜上に第1の触媒を含有する液体を塗布する第1工程と、第1工程の後にシリカ系被膜を硬化してシリカ系硬化被膜を得る第2工程とを有するものである。 (もっと読む)


【課題】 シリコンウェハー、ディスプレイ、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ或いはレンズなどの基体上に、透明であって、しかも、低反射率で且つ低誘電率であるとともに、械的強度や基板に対する密着性に優れた薄膜を形成するための膜形成用組成物及び膜の形成方法に関する。
【解決手段】 粒子表面に存在するシラノール基が、疎水性基を有する表面改質剤で処理されたシリカ粒子と、ポリシラン化合物とを含有することを特徴とする膜形成用組成物とする。また、この膜形成用組成物を、基体上に塗布した後に、熱処理及び/又は光処理することを特徴とする膜形成方法とする。 (もっと読む)


【課題】電気・電子材料においては、絶縁性、耐熱性、耐久性、成形性等の更なる改善が求められていて、そのためにかご型構造を有するシルセスキオキサンを主鎖とし、結合の位置が明確に限定され、成形性に優れた共重合体が望まれている。本発明は、従来の化合物を用いる場合には困難であった、主鎖にかご型構造を有するシルセスキオキサンを有する共重合体を提供することを目的とする。
【解決手段】式(1)で示される構成単位を有するケイ素化合物。式(1)において、mは1〜30の整数であり、Rはアリールまたはシクロアルキルであり、RおよびRは独立してアルキル、アリールまたはアリールアルキルであり、Rは−CHCH−、−CHCHCH−、−O−、エチルフェニルまたはフェニルエチルである。

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本発明の課題は、アルコキシシリル−官能バインダーBS及びOH官能性バインダーBOから選択されたバインダーBと、湿分架橋性の粒子PSとを含有し、該粒子PSは、金属酸化物、金属ケイ素混合酸化物、シリカ、コロイドシリカ及びオルガノポリシロキサン樹脂並びにこれらの組合物から選択され、Me−OH、Si−OH、Me−O−Me、Me−O−Si−、Si−O−Si、Me−OR2、Si−OR2及び基Aに反応性を示し、一般式(I)で示され、その式中、Me、A、R1、R2、R3及びvが請求項1に記載された意味を有するオルガノシランSとの反応を生じさせることができる基Hから選択された官能基を有する材料からなる粒子Pと、Sとを反応させることにより製造される湿分架橋性の組成物である。 (もっと読む)


本発明は、シロキサンコポリマーを製造するための方法に関し、この場合、この方法は、第1の工程において、式RO−SiR−R−NHR (I)
のオルガニルオキシシランを、式R(NCO) (II)のイソシアネートと一緒に反応させ、式R(NH−(C=O)−NR−R−SiR−OR (III)の尿素化合物を形成する(基および指数については、請求項1に示す)。場合によっては、第2の工程において、式(III)の尿素化合物を水と反応させ、かつ第3の工程において、式(III)の尿素化合物および/または第2の工程から得られた反応生成物を、式(IV)R(SiR−OH)のシラノール末端化合物と反応させ、コポリマーを形成する(基および指数については、請求項1に示す)。 (もっと読む)


a)10〜99.99重量%の少なくとも1種類のポリオレフィンと、b)0〜50重量%のポリオレフィンではない熱可塑性物質と、c)0.005〜1重量%のそれ自体公知のポリマー添加物と、を含み、d)有機分岐を坦持する無機コアを含み、このコアおよび分岐が粒子構造を形成する、少なくとも1種類の多分岐有機/無機ハイブリッドポリマー、または/およびe)最終生成物中の全ての金属が、標準状態(25℃および最大湿度98%)で、適切な酸化剤によって確実にその最高安定酸化状態で存在するような方法で、金属塩と酸性有機化合物とを反応させることによって調製される脂溶性金属化合物と、のうちから選択される付加的な成分を含有するポリマー組成物。 (もっと読む)


水性シリコーンエマルジョンは、水の蒸発で樹脂強化エラストマーフィルムを形成する。エマルジョン組成物は、(i)線状ヒドロキシ末端ポリジオルガノシロキサン、(ii)シリコーンMQ樹脂、および(iii)有機官能性ポリシロキサン、から構成されるシリコーン混合物からなる分散相を含む。水性シリコーンエマルジョンは、成分、(i)から(iii)を混合し、混合物を形成し、混合物に乳化剤および水を添加し、成分を混合して水性ベースエマルジョンを得、架橋を促進するために、ベースエマルジョンのpHを酸性または塩基性pHに調整し、引き続いてエマルジョンを中和することによって調製される。エラストマーフィルムは、エマルジョンを基体上で周囲条件で乾燥させることによって得ることができる。 (もっと読む)


本発明は半導体または電気回路での低いk誘電性フィルムの製造方法に関し、前記方法は、一般式[(RSiO1.5(RSiO)](式中、a、bは0〜1であり、c、dは1であり、m+nは3以上であり、a+bは1であり、n、mは1以上であり、Rは水素原子またはアルキル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、シクロアルキニル、アリールまたはヘテロアリール基であり、それぞれ置換されているかまたは置換されてなく、Xはオキシ、ヒドロキシル、アルコキシ、カルボキシル、シリル、シリルオキシ、ハロゲン、エポキシ。エステル、フルオロアルキル、イソシアネート、アクリレート、メタクリレート、ニトリル、アミノまたはホスフィン基であり、またはタイプXの少なくとも1つの前記基を有するタイプRの置換基であり、Yはヒドロキシル、アルコキシまたはタイプO−SiZの置換基であり、Z、ZおよびZはフルオロアルキル、アルコキシ、シリルオキシ、エポキシ、エステル、アクリレート、メタクリレートまたはニトリル基であり、またはタイプRの置換基であり、同じかまたは異なり、タイプRの置換基が同じかまたは異なるだけでなく、タイプXおよびYの置換基もそれぞれ同じかまたは異なり、タイプYの置換基として少なくとも1個のヒドロキシル基を有する)の不完全に縮合した多面体のオリゴマーシルセスキオキサンをフィルムの製造のために使用することを特徴とし、更にこの方法により製造される低いk誘電性フィルムに関する。 (もっと読む)


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