本発明は、１又はそれ以上の誘導コイルに囲まれた反応容器内に不活性ガスを供給する工程と、反応容器に還元剤を設ける工程と、還元剤に第４Ｂ族金属の原料を加える工程と、１又はそれ以上の誘導コイルの少なくとも１つに撹拌交流電流を供給して、反応容器内で還元剤及び原料の循環を誘導する工程と、第４Ｂ族金属の原料を還元して、１又はそれ以上の副生成物を伴った中間型を形成する工程とを含む第４Ｂ族金属の中間スポンジ型の製造方法に係る。
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【課題】半導体の動作機能を保証するために障害となる不純物を低減する、すなわち特にＮａ、Ｋなどのアルカリ金属元素、Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｏ，Ｔａ、Ｖなどの遷移金属若しくは重金属又は高融点金属元素、さらにはＣ、Ｏ等のガス成分の含有量を極めて低減させた高純度ジルコニウム又はハフニウム及びこれらを安価に得ることのできる高純度ジルコニウム又はハフニウムの製造方法の提供。
【解決手段】酸素、炭素などのガス成分を除く不純物含有量が１００ｐｐｍ未満であることを特徴とする高純度ジルコニウム。 （もっと読む）

ＴｉＣｌ_４を金属熱還元反応させることによって、チタン粒子あるいは関心分野の他の金属、あるいは反応ゾーンで他の金属塩化物を製造する方法であって、該方法は、前記反応を流動床反応ゾーン中で実施する工程、および粒子を前記反応ゾーンにリサイクルさせて粒子サイズを肥大化させる工程、を含む。 （もっと読む）

目的とする純金属 M 又は純金属合金 M_xN_y を製造する方法で、その方法はグラファイトで作られているアノード、あるいは、目的としている金属の金属酸化物と炭素とのコンポジットで作られているアノードを使用して、アルカリ金属ハライド又はアルカリ土類金属ハライド AX 又は AX₂ の溶融塩電解質を電気分解し、カソードの所でアルカリ金属又はアルカリ土類金属 A を放出せしめ、且つ、アノードの所で発生期の塩素ガスを放出せしめ、それにより、目的とする金属のハロゲン化物 MX_n 及び／又は NX_n を生成せしめ、カソードで得られたアルカリ金属又はアルカリ土類金属 A でもって、金属ハライド MX_n 及び／又はNX_n を、別々にあるいは一緒にのいずれかで、金属熱還元せしめて、目的としている金属 M 又は金属合金 M_xN_y を粒子の形態で製造することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ハフニウム系材料は、絶縁ゲート材料など先端電子材料として用いられることが見込まれているが、特に化学的性質の類似したジルコニウムの分離が困難であるため、電子材料用途に適した高純度ハフニウム材料は従来得ることができなかった。
【解決手段】本発明は、ＴＢＰ溶媒を用いた溶媒抽出法をベースとした方法によって、ジルコニウムおよびその他不純物元素が１重量ｐｐｍ以下の高純度ハフニウム材料およびその製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 金属酸化物の還元によるタンタルおよび／またはニオブの金属粉末の製造方法を提供すること。
【解決手段】 （ａ）気体が通過できる形態にある金属の酸化物または混合酸化物を準備し、（ｂ）水素含有気体を集合体の中に高められた温度で通し、（ｃ）酸化物中に含有される酸素の少なくとも２０％を除去して亜酸化物が生成するように、酸化物の多孔度、還元反応の温度および時間を選択し、（ｄ）第二段階で亜酸化物を還元性金属および還元性金属の水素化物の群から選択される還元剤でさらに還元し、それにより酸化物を実質的に完全に還元してその金属部分を遊離させる段階を含んでなる、Ｔａおよび／またはＮｂ並びにそれらの全てよりなる群からの金属粉末を、単独でまたはＴｉ、Ｍｏ、Ｗ、ＨｆおよびＶおよびＺｒの群から選択される１種もしくはそれ以上の金属と共に製造する方法。 （もっと読む）

【課題】真空アーク溶解において、インゴットの歩留まりを高いレベルに維持しつつ、溶解末期におけるホットトップや溶解停止のタイミングを的確に把握する方法を提供する。
【解決手段】溶解用電極を溶解し、凝固させて金属インゴットを得る金属の真空アーク溶解方法であって、溶解用電極５の溶解終端部である頂部に、第１の切欠９と第１の切欠の長さより短い第２の切欠１０を有し、これらの形状の変化を検知して溶解末期に行うホットトップ操作の開始および終了時期、または溶解操作の終了時期を把握する。 （もっと読む）

【課題】Ｃａ、Ｎａ等のメタルフォグ形成金属含有溶融塩を含む溶融塩に溶解しているメタルフォグ形成金属を除去して他方の溶融塩中へ移行、高濃度化させる方法及び装置を提供する。
【解決手段】メタルフォグ形成金属除去濃縮槽１ａの濃縮領域２及びこの領域と隔てられた除去領域３に、メタルフォグ形成金属含有溶融塩を含み且つ前記メタルフォグ形成金属が溶解した溶融塩を保持し、更にこれら両領域内の溶融塩と接触させてメタルフォグ形成金属を含有する溶融合金５を保持し、前記除去領域内の溶融塩側の電極板が濃縮領域内の溶融塩側に対して＋極となるように前記メタルフォグ形成金属含有溶融塩の分解電圧未満の電圧を印加する。この方法は、本発明の装置により容易に且つ好適に実施できる。なお、この方法及び装置は、Ｔｉ又はＴｉ合金の製造方法を実施する際に有効に適用できる。 （もっと読む）

【課題】消耗電極式真空アーク溶解法による高融点金属の多段溶解において、初期溶解でサイドチャージを行ったときの製品表面の性状悪化を防止する。
【解決手段】最終溶解に使用する水冷金属鋳型の内面に、ＴｉＯ₂ を主成分とする金属酸化物粉末をコーティングする。金属酸化物粉末の平均粒径を１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下に制限する。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット用の高純度活性金属の製造に用いる還元剤金属の高純度化およびこれを用いた高純度活性金属を効率よく製造する技術を提供する。
【解決手段】 溶融状態の原料金属に固体状の活性金属を接触させ、原料金属中の不純物を活性金属に吸着もしくは結合させて不純物を除去する。また、上記の方法により精製した原料金属を還元剤として用い、活性金属の塩化物と接触させ還元させる。 （もっと読む）

【課題】 半導体の動作機能を保証するために障害となる不純物を低減させた高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉を、安全かつ安価に得ることのできる高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の製造方法を得る。
【解決手段】 ジルコニウム若しくはハフニウム原料を電子ビーム溶解して高純度化した後インゴットに鋳造する工程、得られた高純度ジルコニウム若しくはハフニウムインゴット又は切粉等を水素雰囲気中で５００°Ｃ以上に加熱して水素化する工程、該インゴットを冷却し水素化ジルコニウム若しくはハフニウム粉をインゴットから剥落させて水素化高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉を得る工程、及び水素化高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の水素を除去する工程からなることを特徴とする高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体の動作機能を保証するために障害となる不純物を低減させた高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉を、安全かつ安価に得ることのできる高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の製造方法を提供する。
【解決手段】ジルコニウム若しくはハフニウム原料を電子ビーム溶解して高純度化した後インゴットに鋳造する工程、得られた高純度ジルコニウム若しくはハフニウムインゴット又は切粉等を水素雰囲気中で５００°Ｃ以上に加熱して水素化する工程、該インゴットを冷却し水素化ジルコニウム若しくはハフニウム粉をインゴットから剥落させて水素化高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉を得る工程、及び水素化高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の水素を除去する工程からなることを特徴とする高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高純度で、微細粒径および／または均一な集合組織（texture）を有するタンタル製品を得る要求に応える。
【解決手段】高純度の金属タンタルおよびそれを含む合金が記載されている。金属タンタルは好ましくは少くとも９９．９９５％、そしてもっと好ましくは少くとも９９．９９９％の純度を有する。加えて、約５０μｍ以下の粒径、もしくは厚みの５％増分内の（１００）強度がランダムな１５より小さい集合組織、もしくは約−４．０より大きい（１１１）：（１００）強度の増分対数比、またはこれらの組合わせを有する金属タンタルもしくはその合金が記載されている。さらに金属タンタルからつくられる物品および部品について記載されている。さらに、高純度金属の製造方法が開示されており、タンタルを含有する塩を、この塩を還元してタンタル粉末および第２の塩とすることのできる少くとも１つの化合物と反応容器中で反応させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマアーク溶解により、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｙまたは希土類等の活性高融点金属元素を合金成分として含有する合金の長尺鋳塊を製造するさいに、成分偏析や中心部に引け巣およびボイド欠陥が発生するのを確実に阻止すること。
【解決手段】アルゴン雰囲気下で活性高融点金属を含有する合金をプラズマアーク溶解する方法において、３０Ｔｏｒｒ〜２００Ｔｏｒｒのアルゴンヘリウム雰囲気を保持した状態のもとで、あらかじめ調製しておいた所定合金組成の原料棒をプラズマアークにより溶解し、その溶湯プールを水冷銅るつぼ内に保持しつつ冷却凝固させながら、銅るつぼの可動底盤を毎分２ｍｍ〜５０ｍｍの速度で下方へ引き抜くことを特徴とするプラズマアーク溶解による活性高融点金属含有合金の長尺鋳塊の製造方法。 （もっと読む）

一次高融点金属（例えば、一次タンタル金属）を粒状高融点金属酸化物（例えば、五酸化タンタル）と加熱されたガス（例えば、プラズマ）との接触によって製造する方法が記載されている。加熱されたガスは、水素ガスからなる。加熱されたガスの温度範囲および水素ガスと高融点金属酸化物との質量比は、〜のようにそれぞれ選択される。（ｉ）加熱されたガスが原子状水素からなり；（ｉｉ）高融点金属酸化物の供給材料が実質的に熱力学的に安定されており（即ち、原子状水素によって還元されていない亜酸化物の同時の形成は、最少化されている）；および（ｉｉｉ）高融点金属酸化物は、加熱されたガスとの接触によって還元され、それによって一次高融点金属（例えば、一次タンタル金属および／または一次ニオブ金属）が形成される。
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ハフニウムの塩化物を水溶液にし、これを溶媒抽出によりジルコニウムを除去した後、中和処理により酸化ハフニウムを得、さらにこれを塩素化して塩化ハフニウムとし、これを還元してハフニウムスポンジを得、さらにハフニウムスポンジをさらに電子ビーム溶解し、ハフニウムインゴットを得る高純度ハフニウムの製造方法及びこれによって得られた高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び薄膜。ハフニウム中に含まれるジルコニウムの含有量を低減させた高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び薄膜及びその製造方法に関し、効率的かつ安定した製造技術及びそれによって得られた高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び高純度ハフニウム薄膜を提供する。 （もっと読む）

本発明は、Zr+Hfに基づき3質量%以下のHfを含有するZrCl₄及びHfCl₄の混合物からジルコニウム及びハフニウムを分離するための方法に関し、該方法は以下の工程:1)強無機酸水溶液においてZrCl₄及びHfCl₄の混合物を加水分解し、1リットル当たり7〜12モルの酸を有する酸性水溶液を形成する工程;2)工程1)で得られた溶液をアニオン交換樹脂に通す工程;3)任意に、ハフニウムが濃縮されている1リットル当たり7〜12モルの酸を有する前記水溶液のフラクションを溶出する工程;4)Zr及びHfを含有する該酸性溶液を該樹脂から除去する工程;5)水溶液を該樹脂に通し、該樹脂に固定されているジルコニウム化合物を脱離させ、及びジルコニウム濃縮フラクションを回収する工程を含む。 （もっと読む）

本発明は混合酸化物試料中に金属酸化物として含まれる金属の分離のための、（ｉ）融解塩の電解質に混合酸化物を添加し、酸化物を陰極で電気分解すること（ここで陰極のポテンシャルが融解塩中に存在するカチオンからの金属の析出より酸素のイオン化を優先するように制御され、適用される電位差が他の金属酸化物を犠牲にして１金属酸化物の選択的還元を容易にするようなものである）、および（ｉｉ）遷移金属、ランタニドもしくはアクチニド系の少なくとも１種からの金属の酸化物を含んで成る残りの金属酸化物から金属を分離すること、を含んで成る方法を提供する。その方法は２種以上の金属酸化物の混合物を含んで成る混合酸化物試料に適用でき、そして特別の適用は混合ジルコニウムおよびハフニウム酸化物中に含まれるジルコニウムおよびハフニウムの分離にあり、そこでハフニウムの除去は原子力発電産業における使用のための燃料被覆加工におけるジルコニウムの使用を容易にする。 （もっと読む）

本発明は、ＺｒＣｌ₄及びＨｆＣｌ₄を含む混合物からハフニウム及びジルコニウムを分離及び精製するための方法であって、下記の工程を具備する方法に関する：（１）ＺｒＣｌ₄及びＨｆＣｌ₄の混合物を蒸気の形態で連続抽出蒸留カラムの中に導入する工程；（２）前記蒸留カラムの中で前記蒸気の流れに対して向流で循環する抽出溶媒により、ＺｒＣｌ₄及びＨｆＣｌ₄蒸気を選択的に吸収する工程；（３）ＺｒＣｌ₄を富化されたＺｒＣｌ₄及びＨｆＣｌ₄の液体もしくは気体混合物を抜取る工程；（４）ＨｆＣｌ₄を富化されたＺｒＣｌ₄及びＨｆＣｌ₄の液体もしくは気体混合物を抜取る工程；（５）工程（４）で得られた混合物を無機強酸の水溶液中で加水分解して、１リットル当り７〜１２モルの酸を有する水溶液を形成する工程；（６）工程（５）で得られた溶液を陰イオン交換樹脂に通す工程；及び（７）ハフニウムが富化された画分を溶出及び回収する工程。 （もっと読む）

【課題】 特に、酸素含有量や炭素含有量の極めて少ないスパッタリングターゲット用に適した高純度ハフニウム材の製造方法を提供する。
【解決手段】ハフニウム材を製造するにあたり、酸化ハフニウムを塩化してハフニウム塩化物を得、次いで上記ハフニウム塩化物を活性金属により還元して金属ハフニウムとし、さらに上記金属ハフニウムを減圧下で精製する。 （もっと読む）