【課題】 本発明は、金属製の容器に原料粉末を充填し、熱間固化成形した成形体の機械加工に関し、特にスパッタリングターゲット材の機械加工方法を提供する。
【解決手段】 円筒型の金属製容器の内部に原料粉末を充填し、脱気封入した粉末充填ビレットを、熱間で固化成形した粉末成形体ビレットにおいて、金属製容器側面の外筒缶を厚さ０．５ｍｍ以上残した状態で、金属製容器の少なくとも片方の端面の蓋を２ｍｍ以下に切削し、その後、蓋を２ｍｍ以下に切削した側の端から、１５ｍｍ以下の厚さにワイヤーカットにてスライスする工程を有する粉末固化成形体の機械加工方法。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体における下地膜として用いる下地膜製造用Ｃｒ−Ｍｎ−Ｂ系スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜を提供する。
【解決手段】ａｔ％で、Ｍｎ：５〜３５％、Ｂ：０．１〜１０％を含み、残部Ｃｒおよび不可避的不純物からなる磁気記録媒体における下地膜製造用Ｃｒ−Ｍｎ−Ｂ系スパッタリングターゲット材およびその製造方法。また、上記のスパッタリングターゲット材を用いて製造したＣｒ−Ｍｎ−Ｂ系薄膜。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、垂直磁気記録媒体における中間層膜として用いるＮｉ−Ｗ−Ｂ系スパッタリングターゲット材合金およびこれを用いて製造した薄膜を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、Ｗ：１〜２０％，Ｂ：０．１〜１０％を含み、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなる垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ｎｉ−Ｗ−Ｂ系スパッタリングターゲット材。また、上記スパッタリングターゲット材をガスアトマイズ法により作製した原料粉末を固化成形したことを特徴とする垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ｎｉ−Ｗ−Ｂ系スパッタリングターゲット材の製造方法。さらに上記のスパッタリングターゲット材を用いて製造したＮｉ−Ｗ−Ｂ系薄膜。 （もっと読む）

【課題】膜面方向（膜面内）における成分の均一性に優れた薄膜を安定して形成することができるＡｇ−Ｔａ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｔａを０．６〜１０．５原子％、Ｃｕを２〜１３原子％含有するＡｇ基合金からなるスパッタリングターゲットであって、スパッタリングターゲットのスパッタリング面を画像解析したとき、（１）Ｔａ粒の全面積に対する、円相当直径１０〜５０μｍのＴａ粒の合計面積は６０面積％以上であり、且つ、Ｔａ粒の平均重心間距離は１０〜５０μｍであり、（２）Ｃｕ粒の全面積に対する、円相当直径１０〜５０μｍのＣｕ粒の合計面積は７０面積％以上であり、且つ、Ｃｕ粒の平均重心間距離は６０〜１２０μｍである。 （もっと読む）

【課題】プリスパッタ時間の短縮されたＡｇ基合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＡｌおよびＳｉよりなる群から選択される少なくとも１種を、合計で１〜１５質量％含むＡｇ基合金スパッタリングターゲットであって、
該スパッタリングターゲットのスパッタリング面の算術平均粗さ（Ｒａ）が２μｍ以上であり、かつ最大高さ（Ｒｚ）が２０μｍ以上であることを特徴とするＡｇ基合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

高融点金属プレートが提供される。前記プレートは、中心、板厚、端部、上面および裏面を有し、前記プレートにわたって実質的に均一な結晶組織（１００／／ＮＤ組織成分および１１１／／ＮＤ組織成分のそれぞれについて、板厚方向勾配、帯形成度およびプレート内変動によって特徴付けられる）を有する。
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【課題】 本発明は、Ｎｉフリー、省Ｎｉ型の耐食性に優れた固化成形用高窒素ステンレス鋼粉末およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 質量％で、Ｎｉ：０〜５．０％、Ｃｒ：１０．０〜４０．０％を含む合金粉末に窒素を吸収させて、０．５％以上のＮを含有させ、かつ粉末内部のＣｒＮの最大径が３μｍ以下になる耐食性に優れた固化成形用高窒素ステンレス鋼粉末。また、上記成分組成に加えて、Ｍｎ：０．１〜１５．０％、Ｍｏ：０．１〜２０．０％、さらに加えて、Ｃｕ：０．１〜１０．０％、Ｓｉ：０．３〜２．０％、Ｃ：０．２％以下を含む合金粉末に窒素を吸収させて、０．５％以上のＮを含有させ、かつ粉末内部のＣｒＮの最大径が３μｍ以下になる耐食性に優れた固化成形用高窒素ステンレス鋼粉末およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体に用いられる軟磁性膜形成用のＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材の機械加工性を向上させるとともに、軟磁性膜を安定してスパッタリング可能なＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｆｅ_Ｘ−Ｃｏ_{１００−Ｘ}）、２０≦Ｘ≦７０で表されるＦｅＣｏ合金に、Ｆｅに対する共晶点以上の（Ｎｂ、Ｔａ）から選ばれる１種または２種の元素Ｍ１を含有する焼結ターゲット材であって、ショア硬さが３７ＨＳ以下であるＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体に用いられるＣｏ−Ｚｒ系合金の軟磁性膜を成膜するためのＣｏ−Ｚｒ系合金ターゲット材に関して、良好なスパッタリング特性を有する低透磁率のＣｏ−Ｚｒ系合金ターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式がＣｏ_{１００−(Ｘ＋Ｙ)}−Ｚｒ_Ｘ−Ｍ_Ｙ、１≦Ｘ≦１５、０≦Ｙ≦１５で表され、前記組成式のＭ元素がＴｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗから選ばれる１種または２種以上の元素であるスパッタリングターゲット材であって、ミクロ組織においてＨＣＰ−Ｃｏからなる相と、Ｃｏを主体とする合金相とが微細に分散した金属組織を有し、Ｘ線回折パターンにおけるＦＣＣ（２００）ピークとＨＣＰ（１０１）ピークの強度比Ｉ_{ＦＣＣ（２００）}／Ｉ_{ＨＣＰ（１０１）}の値が０．２５以下であるＣｏ−Ｚｒ系合金焼結スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング成膜の際に、スプラッシュやパ−ティクルの発生を格段に低減させるＭｏＴｉ合金スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｔｉを１０〜７０原子％含有し残部Ｍｏおよび不可避的不純物からなるＭｏＴｉ合金スパッタリングターゲット材において、スパッタ面の断面ミクロ組織がＭｏ相およびＴｉ相とその相間にＭｏＴｉ固溶体相が存在する金属組織からなり、前記Ｔｉ相を構成するα-Ｔｉの主ピーク強度面（１０１）のＸ線回折ピーク強度をα（１０１）、β-Ｔｉの主ピーク強度面（１１０）のＸ線回折ピーク強度をβ（１１０）とした時、Ｘ線回折ピーク強度比β（１１０）／α（１０１）が１０．０以上であるＭｏＴｉ合金スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性にすぐれる高速度鋼系合金の外周層と、靱性にすぐれる高速度鋼系合金の内周層とを、焼結によって一体化した複合製品を提供する。
【解決手段】外周層の高速度鋼系合金は硬度がＨＲＣ６３以上であり、内周層の高速度鋼系合金は、重量％にて、Ｃ：０.５％以上、１.５％未満、Ｓｉ：０.６％以下、Ｍｎ：０.６％以下、Ｃｒ：０.５〜１０.０％、Ｍｏ：０.５〜１５％、Ｗ：０.５〜２０％、Ｖ、Ｔｉ、Ｎｂ及びＴａからなる群から選択される少なくとも一種を合計量で０.５〜２０％、残部Ｆｅ及び不可避的不純物からなり、Ｃ_bal（但し、Ｃ_bal＝Ｃ−Ｃ_sticとし、Ｃ_stic＝０.０６Ｃｒ＋０.０６３Ｍｏ＋０.０３３Ｗ＋０.２４Ｖ＋０.２５Ｔｉ＋０.１３Ｎｂ＋０.０６６Ｔａとする）が−１.５以上、−０.５以下の範囲にある。必要に応じて、Ｎｉ：０.５〜３％及び／又はＮ：０.１〜０.５％、Ｃｏ：７〜２０％を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】非磁性酸化物：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、素地中に絶対最大長５μｍを超えるクロム酸化物凝集体が５００個/ｍｍ^２以下であって、絶対最大長１０μｍを超えるクロム酸化物凝集体が存在しない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 粉末冶金法による耐摩耗、耐割損、および耐熱用途に適したロール用高耐摩耗、高靱性高速度工具鋼およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｃ：２．０〜２．２％、Ｓｉ：０．５％以下、Ｍｎ：０．５％以下、Ｃｒ：３．０〜５．０％、Ｍｏ：３．０〜６．０％、Ｗ：６．０〜９．０％、Ｖ：６．０〜８．０％、を含有し、残部Ｆｅおよび不可避的不純物よりなり、かつ２Ｍｏ＋Ｗ：１５％超〜２０％未満であることを特徴とする高耐摩耗、高靱性高速度工具鋼およびその製造方法。 （もっと読む）

激しい腐食性および研磨性環境における用途に用いられるニッケル基合金。この合金は、耐摩耗性および耐研磨性を付与する金属炭化物粒子を大きな体積分率で含有する。この合金は、誘導溶融およびガス噴霧によって合金粉末粒子を形成することによって製造される。これらの粒子を熱間等方圧加圧によって固化成形することで、固体物品が形成される。
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【課題】空隙、ミクロ割れ等がなく、機械強度及び機械加工性に優れた、真密度化された高密度のコバルト−タングステン・スパッタリングを製造する。
【解決手段】同じ粒度分布を持つＣｏ粉末とＷ粉末を選択して混合し（ステップ７０１）、混合粉末を容器に詰め、脱ガスし（ステップ７０２）、混合粉末を熱間静水圧圧縮成形で固形物を形成し（ステップ７０３）、最終ターゲット寸法に機械加工する（ステップ７０４）。製造されたコバルト−タングステン・スパッタターゲットは、元素Ｃｏ相及び／又は元素Ｗ相と、ＣｏがＷの原子パーセントより多いＣｏ−Ｗ金属間化合物相と、ＷがＣｏの原子パーセントより多いＷ−Ｃｏ金属間化合物相と、を含み、２０〜８０ａｔ．％のＣｏを含有し、且つ、密度がその理論的最大密度の９９％より高い。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、主に磁気記録媒体における下地膜など電子部品用の薄膜を形成するために用いられるＭｏＶＢ系ターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 原子％で、Ｖ：５〜５０％、Ｂ：０．５〜５％、残部Ｍｏからなり、原料粉末として、平均粒径が２０μｍ以下のＢ粉末を使用し、固化成形をしたことを特徴とするＭｏＶＢ系ターゲット材の製造方法。また、上記成形温度１２００〜１４００℃で固化成形したＭｏＶＢ系ターゲット材の製造方法。さらに、上記Ｂ粉末の平均粒径を０．５〜２０μｍとしたＭｏＶＢ系ターゲット材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体に用いられるＣｏ−Ｆｅ−Ｚｒ系合金の軟磁性膜を成膜するためのＣｏ−Ｆｅ−Ｚｒ系合金ターゲット材に関して、良好なスパッタリング特性を有する低透磁率のＣｏ−Ｆｅ−Ｚｒ系合金ターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｃｏ_Ｘ−Ｆｅ_{１００−Ｘ}）_{１００−（Ｙ＋Ｚ）}−Ｚｒ_Ｙ−Ｍ_Ｚ、２０≦Ｘ≦７０、２≦Ｙ≦１５、２≦Ｚ≦１０で表され、前記組成式のＭ元素が（Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ）から選ばれる１種または２種以上の元素であるスパッタリングターゲット材であって、ミクロ組織におけるＨＣＰ−Ｃｏからなる相とＦｅを主体とする合金相とが微細に分散しているＣｏ−Ｆｅ−Ｚｒ系合金スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

基板上に亜酸化クロムの薄膜を堆積させるためのＡＣまたはＤＣスパッタリングターゲットは、クロムの酸化物、金属クロム、および取込まれた酸素を含有する。ターゲットの抵抗率は、２００オーム．ｃｍ以下である。ターゲットは、クロムの酸化物の粉末と粉末状などの金属クロムとの組合せで作製され得るか、または１００％の酸化クロムもしくは亜酸化物材料で始め、当該材料をターゲット作製処理の前もしくは最中のいずれか一方に還元雰囲気に晒して、酸化クロムおよび／もしくは亜酸化物材料のある割合を金属クロムおよび保持酸素に還元して作製され得る。そのようなターゲットにより、不活性アルゴンガスのみの使用でスパッタリング処理を実行して、酸化クロムの薄膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 低温度域での塑性加工性に優れたＭｏスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 希土類元素から選ばれる１種類以上の元素を１〜１００質量ｐｐｍ含有し、残部はＭｏ及び不可避的不純物でなるＭｏスパッタリングターゲット材であり、前述の希土類元素はＬａ、Ｃｅの何れか１種または２種を選択するのが好ましい。更に希土類元素の効果を確実に得るには、Ｎ、Ｏ等のガス成分は極力少ない方が好ましく、Ｎは５０ｐｐｍ以下、Ｏは５００ｐｐｍ以下であり且つＮとＯの総量が５００ｐｐｍ以下の範囲が望ましい。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い封止を可能とする粉末加圧焼結用容器の脱気封止方法を提供する。
【解決手段】 脱気用管が配置されてなる粉末加圧焼結用容器の脱気封止方法において、該粉末加圧焼結用容器を脱気した後、脱気用管の径方向に押圧して扁平部を形成し、該扁平部上に脱気用管を横断する少なくとも１本の溶接部を形成し、次いで粉末加圧焼結用容器に対して前記溶接部と反対側の前記扁平部を溶断溶融して封止処理をする粉末加圧焼結用容器の脱気封止方法である。 （もっと読む）