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Fターム[4K022CA29]の内容

化学的被覆 (24,530) | 前処理 (4,223) | その他の前処理 (190)

Fターム[4K022CA29]に分類される特許

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【目的】 粉体塗装された成型品および一般塗装膜がコーティングされた成形品にメッキを可能にする。
【構成】 粉体塗装された成型品CMの粉体塗装膜面上にメッキする場合、該粉体塗装された成型品CMの粉体塗装膜面PP上に、該粉体塗装被膜に密着し、かつ無電解ニッケルに結合する腐食性のあるコーティング剤で新たに膜面PALを1層形成し、しかる後、該新たな膜面上に無電解ニッケル層NIを形成し、該無電解ニッケル層の上に金属の電解メッキを施す。 (もっと読む)


【課題】接触または無電解めっきを安定かつ効率的に実施するための化学的めっき方法を提案する。
【解決手段】金属外環2の開口にガラス4によりリード部材5を気密封着した気密端子1に部分めっきする場合、被めっき金属素材となるリード部材5に電気化学的な犠牲電極を設けてめっき液8に浸漬する化学的めっき方法である。ここでリード部材5の被めっき金属素材にニッケル、犠牲電極に亜鉛および錫が利用され金めっき液に浸漬して所望厚さに制御された金めっき膜9を無ピンホールで密着性良好なめっきを得る。 (もっと読む)


【課題】 熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を基材に用いた高精細且つ高周波用途に適した配線基板用フィルム基材を提供すること。
【解決手段】 ポリイミドまたは液晶ポリマー(LCP)からなる樹脂フィルム11と、樹脂フィルム11上に塗布された有機SOG溶液の塗布膜を硬化させたシロキサンポリマーを含むポリマー膜12と、ポリマー膜12を下地層としてNi−B無電解メッキ液に浸漬してメッキ処理により形成された金属膜13と、を有する配線基板用フィルム基材10。
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【課題】無電解めっきにおいて部分的金属不着部のある被めっき物形成方法、それを利用した電解めっき膜形成方法、被めっき物、電解めっき膜を提供する。
【解決手段】液体状態の合成樹脂に、その合成樹脂を硬化させる硬化剤と水に溶解する水溶性物質とを混合して、その混合物を成形して固化させて基材を形成する。そしてその基材のめっき処理を施す被めっき面の少なくとも一部領域を削って合成樹脂に内包された水溶性物質を基材の被めっき面に露出させ、基材を無電解めっき液に浸漬させて、被めっき面に露出した水溶性物質を無電解めっき液に溶解させながら、被めっき面の被めっき面に露出した水溶性物質に対応する以外の領域に無電解めっき膜を形成する。さらにその無電解めっき膜に、電解めっき処理を施して、空孔を有する電解めっき膜を形成する。 (もっと読む)


本発明は、活性化剤溶液と銅シード表面上に銅をメッキするのを容易とするための銅シード面の活性化方法を目的とする。活性化剤溶液は、前駆体溶液を少なくとも約95℃に加熱し、そしてその温度に少なくとも約30分間維持することにより調製され、ここで、前駆体溶液は、水、塩化物イオン、錫(II)イオンおよび、錫(II)イオンの錫(IV)イオンへの酸化を実質的に防止する酸化防止剤からなる。 (もっと読む)


【課題】 先鋭化ファイバーのような線的な構造あるいは立体的な微細加工に対して無電解により再現性よく金属コーティングを行うことができるようにする。
【解決手段】 触媒金属としてパラジウムを酸素含有アルゴン環境下でスパッタにより被めっき物の表面に付与する。 (もっと読む)


防炎剤としてまたはプレス成形性を向上させる目的でアンチモン化合物を含有する支持体の上にスズまたはスズ合金層を沈着させるための方法であって、アンチモン化合物は、金属化に先立ち、酸性溶液によって基板材料の表面から取り除かれることを特徴とする方法が提供される。このために、塩酸を含有する前処理溶液が用いられることが特に好ましい。この方法は、アンチモン化合物を含有するプリント回路基板上に接合可能なスズ仕上げ層を形成するのに特に好適であり、スズ仕上げ層は、はんだストップマスクによって覆われていない導体パターンの銅部分の上に形成される。 (もっと読む)


本発明では、マイクロエレクトロニクス処理用無電解メッキにおける温度制御手順が開示されている。この手順は、堆積の均一性を改善し、メッキ浴液の寿命を延ばし、また費用効率が高い。浴液は、メッキ室の外の装置内で最低堆積温度未満の温度まで加熱される。浴液は、堆積の発生していないメッキ室へ導入される。メッキ室が満たされた後、浴液は所望の堆積温度まで加熱される。堆積が開始する。堆積後、浴液は元のタンクに戻される。 (もっと読む)


【課題】 レジストを用い、無電解めっきによって基板の表面に金属パターンを形成する方法であって、基板表面への密着性に優れた精細な金属パターンを得ることができるとともに、レジストパターンおよびその上の無電解めっき被膜を同時に除去すること、およびレジストパターン上の無電解めっき被膜のみを除去することのいずれもが容易になる方法を提供する。
【解決手段】 レジストパターンが形成された基板の表面全面を酸化処理(例えば紫外線照射)し、次いでレジストパターンの最上層を除去した後、基板の表面全面に無電解めっきを行う。 (もっと読む)


【課題】 基材表面に担持された金属錯体を低温で還元剤により還元して、基材表面に熱分解残留物を含まない金属核を形成することにより、基材材質への影響が少なく、金属核の基材表面への密着性を向上する。
【解決手段】 先ずめっき金属と同一の金属を含む金属錯体12を溶かした亜臨界流体又は超臨界流体を基材11に接触させることにより、基材11表面を脱脂しかつエッチングするとともに、基材11表面に金属錯体12を担持させる。次に基材11表面に担持した金属錯体12を還元剤を用いて還元することにより、金属錯体12中の金属を基材11表面に析出させて金属核13を形成する。 (もっと読む)


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