【課題】従来のスズ／パラジウム触媒と比べて容易に酸化しない、無電解金属化ためのスズを含まないパラジウム触媒の安定な水溶液を提供する。
【解決手段】パラジウム金属とセルロース誘導体とのナノ粒子、および１種以上の酸化防止剤を含む水系触媒溶液であって、ナノ粒子の粒径が１ｎｍ〜１０００ｎｍである。水系触媒溶液はスズを含まず、従来のスズ／パラジウム触媒と比べて容易に酸化しないので、この触媒は貯蔵の際に、および無電解金属めっきの際に活性低下やコロイド構造の維持が出来なくなるといった問題が無く、基体の良好な金属被覆を可能にする。 （もっと読む）

【課題】外部電源を用いることなく、Ｐｔ粒子又はＰｔ合金粒子の表面にＣｕ単原子層を形成することが可能な置換メッキ前駆体の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｃｕイオンを含む酸水溶液とＣｕ電極の少なくとも一部分とを接触させ、Ｐｔ若しくはＰｔ合金からなるコア粒子、又は、前記コア粒子が導電性担体に担持された複合体と前記Ｃｕ電極とを前記酸水溶液内又は前記酸水溶液外において接触させ、かつ、前記コア粒子と前記酸水溶液とを、不活性ガス雰囲気下において接触させることにより、前記コア粒子の表面にＣｕ層を析出させる析出工程を備えた置換メッキ前駆体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき処理を行うに際し、半導体装置の特性変動を防止する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１のおもて面に、アルミニウム、ニッケルを蒸着またはスパッタで順次積層し、エミッタ電極６を形成する。エミッタ電極６として、第１のアルミニウム膜６１および第１のニッケル膜６２が形成される。次いで、半導体基板１の裏面に、アルミニウムシリコン、ニッケルを蒸着またはスパッタで順次積層し、コレクタ電極９を形成する。コレクタ電極９として、第２のアルミニウム膜９１および第２のニッケル膜９２が形成される。次いで、エミッタ電極６の表面をエッチングする。次いで、エミッタ電極６の表面に形成された表面酸化膜を除去し、エミッタ電極６の表面を活性化する。次いで、半導体基板１のエミッタ電極６およびコレクタ電極９の両面に、同時に、無電解ニッケルめっき処理および置換金めっき処理を連続して行う。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、被めっき物の金属導体部分にのみ選択的に、無電解ニッケルめっき処理、置換金めっき処理および無電解金めっき処理を、順次行う無電解金めっき方法において、無電解金めっきの未析出が発生しない無電解金めっき方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、金属導体配線を形成した被めっき物の金属導体部分にのみ選択的に無電解ニッケルめっき処理、置換金めっき処理および無電解金めっき処理を、順次行う無電解金めっき方法において、該被めっき物に置換金めっき処理を行った後、還元剤を含む液で処理してから無電解金めっき処理を行うことを特徴とする無電解金めっき方法である。 （もっと読む）

【課題】鋼構造物の腐食を防ぐ電着被膜を外部電源を用いずに海水中で形成できるようにする。
【解決手段】鋼管杭２の海水中に没している部分に、電着被膜形成用陽極１２を取り付ける。電着被膜形成用陽極１２は、マグネシウムを主成分とする金属塊１４と、鋼管杭２に電気的に接続される芯材１３とで構成されている。
マグネシウムと鉄との電位差が大きいので、実海域３では海水を電解液として電着被膜形成用陽極１２の金属塊１４から鋼管杭２に向けて大量の電子ｅが放出され、電子と酸素の還元反応、並びに水の電気分解反応が起きて水酸イオンが生成される。そして、水酸イオンと海水中に含まれているカルシウムイオン、マグネシウムイオン、炭酸水素イオンにより炭酸カルシウム及び水酸化マグネシウムからなる電着被膜が、鋼管杭２の実海域３に浸かっている部位に形成させる。 （もっと読む）

【課題】導電特性の良好な配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる配線基板の製造方法は、第１の金属が露出している第１の基板１０と、当該第１の金属よりイオン化傾向の大きい第２の金属が露出している第２の基板１２とを導線１６で接続して、前記第１の基板および前記第２の基板を、第２の金属および還元剤を有する無電解めっき液１４に浸漬することにより、前記第１の基板に前記第２の金属を析出させて金属層を形成する。 （もっと読む）

【課題】接触または無電解めっきを安定かつ効率的に実施するための化学的めっき方法を提案する。
【解決手段】金属外環２の開口にガラス４によりリード部材５を気密封着した気密端子１に部分めっきする場合、被めっき金属素材となるリード部材５に電気化学的な犠牲電極を設けてめっき液８に浸漬する化学的めっき方法である。ここでリード部材５の被めっき金属素材にニッケル、犠牲電極に亜鉛および錫が利用され金めっき液に浸漬して所望厚さに制御された金めっき膜９を無ピンホールで密着性良好なめっきを得る。 （もっと読む）

【課題】 還元剤溶液を用いることなく簡便な工程で作成することができる上、無電解金属メッキ膜から金属メッキパターンを形成する工程を従来と比較して簡素化することができ、しかもミクロ〜ナノスケールで金属メッキパターンを正確に形成することができる無電解メッキ触媒を提供する。
【解決手段】 高分子−金属クラスター複合体からなる無電解メッキ用触媒。
高分子−金属クラスター複合体が、金属化合物の蒸気を、高分子化合物に、ガラス転移温度以上、不活性ガス雰囲気下において接触させ、金属化合物の蒸気を高分子内部に浸透させると同時に還元することにより得られたものである無電解メッキ用触媒。 （もっと読む）

【課題】 導体パターン以外の領域への無電解めっきの析出を十分に抑制するとともに、無電解めっき皮膜によって導体パターンを十分に被覆することができる無電解めっきの前処理方法を提供する。
【解決手段】 上記課題を解決する本発明の無電解めっきの前処理方法は、基板の表面上に形成された所定形状を有する導体パターンに、ノニオン系界面活性剤を含有する溶液を接触させる第１工程と、該第１工程の後の導体パターンに、カチオン系界面活性剤を含有する溶液を接触させる第２工程とを有するものである。
を有する （もっと読む）

【課題】半導体装置用テープキャリアにおけるソルダーレジスト下方のリード配線の銅の過剰溶解を防止すると共に、スズめっきのホイスカを抑制する。
【解決手段】絶縁フィルム１上に接着剤層２を介して施された銅箔３の表面の全面にスズめっき層４を厚さ０．０１〜０．２μｍ形成した後、加熱処理し、その後フォトレジストをコートし、露光、現像、エッチング、剥膜処理することにより銅箔３に微細配線パターン３０を形成し、その後、前記配線パターン上に、その端子部分を除く所定の位置にソルダーレジスト６を塗布した後、前記端子部分に、厚さ０．１５〜０．８０μｍのスズめっき層４を形成し、加熱処理することにより、厚さ０．２０μｍ以上のスズ−銅合金層５ｂと厚さ０．１５〜０．８０μｍの純スズ層４ｂを形成する。 （もっと読む）