被覆される基板を少なくともスズおよび銅のイオン、アルキルスルホン酸と湿潤剤を含む酸性電解質中でめっきするブロンズの電着の方法、ならびに該電解質の調製方法。 （もっと読む）

【課題】スズ−ビスマス合金層沈着（析出）のための電解質及び方法
【解決手段】本発明は、一種以上のアルキルスルホン酸及び／又はアルカノールスルホン酸、一種以上の可溶性スズ（ＩＩ）塩、一種以上の可溶性ビスマス（ＩＩＩ）塩、一種以上の非イオン性界面活性剤及び一種以上のチアゾール及び／又はチアヂアゾール化合物を含む、スズ−ビスアス合金の沈着のための酸性電解質を記述する。加えて、前記電解質を用いた方法、該方法を用いて得られたコーティング、並びに電子部品コーティングのための前記電解質の使用も可能にする。 （もっと読む）

【課題】 比較的短時間で形成することができ、環境への負荷が小さく耐食性に優れためっき皮膜およびそのめっき皮膜を形成するためのめっき液を提供する。
【解決手段】 めっき皮膜が、スズと鉄との二元合金、または、スズと、鉄と、亜鉛、コバルト、ニッケル、タングステン、モリブデン、銅、銀、金、ビスマス、インジウム、パラジウム、ロジウム、白金、リンおよびホウ素からなる群から選択される少なくとも１種との多元合金からなる。このめっき皮膜は電気めっき法を用いて基材上に形成される。 （もっと読む）

【課題】 スズとスズより貴な金属（銀、ビスマス、銅など）との合金の電気メッキに際して、電析中にスズ（合金）陽極での貴な金属の置換析出を円滑に防止する。
【解決手段】 スズ合金電気メッキ浴に、グルタミン酸−Ｎ,Ｎ−二酢酸、メチルグリシン−Ｎ,Ｎ−二酢酸、アスパラギン酸及びこれらの塩よりなる群から選ばれた溶解電流抑制剤の少なくとも一種を添加して、陽極の溶解電流を抑制し、電析中に貴な金属の陽極への置換析出を防止可能にしたスズ合金電気メッキ方法である。当該抑制剤の添加で溶解電流を抑制するため、陽極電流密度を従来より低くしても、陽極の電位を貴な金属の自然電極電位より貴に変移させ、もって貴な金属の陽極への置換析出を有効に防止できる。 （もっと読む）

【課題】 非シアン系のスズ−銀合金メッキ浴において、浴から得られる電着皮膜のハンダ付け性や外観を向上する。
【解決手段】 (ａ)脂肪族アミノ酸類、含窒素芳香族カルボン酸類の少なくとも一種と、(ｂ)脂肪族スルフィド類、脂肪族メルカプタン類の少なくとも一種とを含有するスズ−銀合金電気メッキ浴である。(ａ)の脂肪族アミノ酸類にはグリシンなどが、(ａ)の含窒素芳香族カルボン酸類にはピコリン酸、３−アミノピラジン−２−カルボン酸などが、(ｂ)の脂肪族スルフィド類には４,７−ジチアデカン−１,１０−ジオールなどが、脂肪族メルカプタン類にはチオグリコールなどが挙げられる。成分(ｂ)のイオウ化合物を銀の安定剤とし、さらに、グリシンやピコリン酸などの成分(ａ)を併用することで、スズ−銀合金皮膜のハンダ濡れ性と外観を良好に向上できる。 （もっと読む）

【課題】 非シアン系のスズ−銀合金メッキ浴において、浴から得られる電着皮膜のハンダ付け性や外観を向上する。
【解決手段】 (ａ)脂肪族アミノ酸類、含窒素芳香族カルボン酸類の少なくとも一種と、(ｂ)芳香族スルフィド類、芳香族メルカプタン類、チオ尿素類の少なくとも一種とを含有するスズ−銀合金電気メッキ浴である。(ａ)の脂肪族アミノ酸類にはグリシンなどが、(ａ)の含窒素芳香族カルボン酸類にはピコリン酸などが、(ｂ)の芳香族スルフィド類には３,４,５−トリヒドロキシ−４′−アミノジフェニルジスルフィドなどが、芳香族メルカプタン類には２,６−ジヒドロキシ−２−メルカプトピリジンなどが挙げられる。成分(ｂ)のイオウ化合物を銀の安定剤とし、さらに、グリシンやピコリン酸などの成分(ａ)を併用することで、スズ−銀合金皮膜のハンダ濡れ性と外観を良好に向上できる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性（低融点）を両立させるとともに、微摺動摩耗等の不都合を伴うことなく薄くかつ均一な厚みを有するＳｎ合金薄膜を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、基材上にＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を形成する方法であって、この方法は、該基材をめっき浴に浸漬し、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を該基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、このめっき浴は、少なくともＳｎ化合物と、Ａｇ化合物と、Ｃｕ化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含み、該無機系キレート剤は、該Ａｇ化合物１質量部に対して１質量部以上３００質量部以下の比率で配合され、該有機系キレート剤は、該Ｃｕ化合物１質量部に対して１質量部以上２００質量部以下の比率で配合されることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 鉛フリーのスズ−銀系合金又はスズ−銅系合金電気メッキ浴において、メッキ処理時のスズ又はスズ合金アノード表面への銀又は銅の置換析出を有効に防止する。
【解決手段】 第一スズ塩と、銀又は銅塩と、各種の酸を含有するスズ−銀系合金又はズ−銅系合金電気メッキ浴において、ＨＬＢが７.３〜１５.２のジスチレン化フェノールポリアルコキシレート、ＨＬＢが７.０〜１０.４のトリスチレン化フェノールポリアルコキシレート、ＨＬＢが８.２〜１５.０のジスチレン化クレゾールポリアルコキシレート、ＨＬＢが７.７〜１３.９のトリスチレン化クレゾールポリアルコキシレートよりなるノニオン系界面活性剤を添加した鉛フリーのスズ−銀系合金又はスズ−銅系合金電気メッキ浴である。所定のＨＬＢを有する特定化学構造種のノニオン系界面活性剤を選択添加するため、アノード表面への銀又は銅の置換析出を防止して浴中の銀又は銅の消耗を抑止し、メッキ浴組成を安定化できる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、めっき時における被めっき物の２個付き及び凝集現象がなく、また、電析めっき皮膜のはんだ付け性能の劣化のない錫又は錫合金めっき浴を提供することにある。
【解決手段】本発明は、下記一般式（Ｉ）で表されるジスルフィド化合物、及びカルボン酸又はその塩を含有する錫又は錫合金めっき浴であって、前記カルボン酸はモノカルボン酸、ジカルボン酸、ポリカルボン酸、オキシ又はケトカルボン酸、アミノ酸及びアミノカルボン酸からなる群より選ばれ、かつ、ｐＨが２．０〜９．０である、前記錫又は錫合金めっき浴を提供する。
Ａ-Ｒ¹-Ｓ-Ｓ-Ｒ²-Ａ （Ｉ）
（式中、Ｒ¹及びＲ²はそれぞれ炭素数１〜２０個の炭化水素残基を表し、それらは同一であっても又は異なっていてもよく、ＡはＳＯ₃Ｎａ、ＳＯ₃Ｈ、ＯＨ、ＮＨ₂又はＮＯ₂を表す。） （もっと読む）

【課題】 鉛フリーの酸性スズ−ビスマス系合金電気メッキ浴において、メッキ処理時のスズ又はスズ合金アノード表面へのビスマスの置換析出を防止する。
【解決手段】 ジエチレントリアミンペンタ酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミントリ酢酸、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸、Ｎ,Ｎ−ジカルボキシメチル−Ｌ−グルタミン酸、Ｎ,Ｎ−ジカルボキシメチル−Ｌ−アスパラギン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）、ホスホノブタントリカルボン酸、ヒドロキシエチルアミノジメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、Ｎ,Ｎ−ジカルボキシメチル−Ｌ−アラニン、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、１,３−ジアミノ−２−ヒドロキシプロパンテトラ酢酸、メルカプトコハク酸、これらの塩から選ばれた錯化剤を添加した鉛フリーの酸性スズ−ビスマス系合金電気メッキ浴である。特定種のアミノカルボン酸類又はホスホン酸類などを選択添加する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性（低融点）を両立させるとともに、薄くかつ均一な厚みを有するＳｎ合金薄膜を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、基材上にＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を形成する方法であって、この方法は、該基材をめっき浴に浸漬し、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を該基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、このめっき浴は、少なくともＳｎ化合物と、Ａｇ化合物と、Ｃｕ化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含み、該無機系キレート剤は、該Ａｇ化合物１質量部に対して１質量部以上３００質量部以下の比率で配合され、該有機系キレート剤は、該Ｃｕ化合物１質量部に対して１質量部以上２００質量部以下の比率で配合されることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 鉛フリーのスズ−ビスマス系合金電気メッキ浴において、メッキ処理時のスズ又はスズ合金アノード表面へのビスマスの置換析出を有効に防止する。
【解決手段】 第一スズ塩と、ビスマス塩と、各種の酸とを含有するスズ−ビスマス２元合金電気メッキ浴において、ＨＬＢが７.３〜１５.６のジスチレン化フェノールポリアルコキシレート、ＨＬＢが２.８〜１６.６のcis−9−オクタデセニルアミンポリアルコキシレートなどの所定のＨＬＢを有する特定化学構造種のアルキレンオキシド付加物、或は曇点が１５℃〜３０℃であるエチレンジアミンのポリアルコキシレートよりなるノニオン系界面活性剤を添加した鉛フリーのスズ−ビスマス系合金電気メッキ浴である。所定のＨＬＢ又は曇点を有する特定化学構造種のノニオン系界面活性剤を選択添加するため、アノード表面へのビスマスの置換析出を防止して浴中のビスマスの消耗を抑止し、メッキ浴組成を安定化できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来の錫−亜鉛合金電気めっきでは困難であった短時間での処理を可能にする電気めっき方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、めっき液温度：３０〜９０℃、めっき液の攪拌速度：５〜３００ｍ／ｍｉｎ及び陰極電流密度：５〜２００Ａ／ｄｍ²の条件下で錫−亜鉛合金電気めっきを行う方法を提供する。好ましくは、錫−亜鉛合金めっき浴中の２価の錫イオン濃度は１〜１００ｇ／Ｌであり、亜鉛イオン濃度は０．２〜８０ｇ／Ｌである。 （もっと読む）

本発明は、電気的接続のための部材上にＳｎリッチ堆積層を有する電子部品であって、Ｓｎリッチ堆積層が、堆積表面に対して平行な方向におけるサイズよりも堆積表面に対して垂直な方向におけるサイズの方が小さい粒子からなる微細粒Ｓｎリッチ堆積層である電子部品に関する。本発明はまた、電気的接続のための部材上にＳｎリッチ堆積層を形成するために電子部品をメッキするプロセスであって、開始添加物及び光輝性添加物が含まれているスズメッキ溶液の組成を調整するステップと、前記スズメッキ溶液中を通して前記電子部品を動かして、電気的接続のための前記部材上に前記Ｓｎリッチ堆積層を形成するステップと、を含むプロセスに関する。従来の技術と比較すると、本発明は、低コストで且つ信頼できる特性をもってウィスカ成長を有効に抑制することができる。
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【解決手段】 被めっき物を電気めっき槽内に収容した鉛フリーの電気錫合金めっき浴中に浸漬して、該被めっき物を陰極として電気めっきを行うに際し、上記めっき槽内で陽極をカチオン交換膜で形成されたアノードバック又はボックスで隔離して電気めっきを行うことを特徴とする電気錫合金めっき方法、及び、電気錫合金めっき液を収容し、該めっき液に被めっき物を浸漬する電気錫合金めっき槽と、該電気めっき槽内の一部を隔離するカチオン交換膜で形成されたアノードバック又はボックスと、上記アノードバック又はボックス内に設置された陽極とを具備してなることを特徴とする電気錫合金めっき装置を提供する。
【効果】 本発明の電気錫合金めっき方法及び装置は、めっき浴が長期に亘って安定し、効率よくめっきを行うことができる上、陽極として可溶性陽極を使用した場合であっても、金属の置換析出を防ぐことができるものである。 （もっと読む）