【課題】ニッケル・コバルト・リン電気メッキの組成物、該ニッケル・コバルト・リン電気メッキの組成物を有する電気メッキ溶液及び該電気メッキ溶液を用いる表面処理方法を提供する。
【解決手段】本発明によるニッケル・コバルト・リン電気メッキの組成物はニッケル塩、コバルト塩、リン酸含有化合物、並びに、トリエチレン・テトラアミン、ジエチレン・トリアミン及びヒドラゾベンゼンを含む多座キレート剤を有する。また、前記ニッケル・コバルト・リン電気メッキの組成物を含む電気メッキ溶液とこの電気メッキ溶液を用いる材料表面処理方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】 強度、導電率、曲げ加工性に優れた銅条又は銅箔の製造方法を提供する。
【解決手段】 めっき添加剤を含むめっき浴を用いた電解により平均結晶粒径０．３μm以下の電解銅条又は電解銅箔を製造し、電解銅条又は電解銅箔を冷間圧延した後、熱処理を行わないか又は熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】過酷な冷熱サイクル試験条件の下でウイスカー発生が無く、しかも、下地の金属の影響を受けないスズめっき皮膜の形成が可能な技術の提供を目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するため、スズめっき液を電解することにより得られるスズめっき皮膜において、当該スズめっき皮膜は、圧縮応力を内包したものであり、スパイラル法で測定した場合の圧縮応力が１ＭＰａ以上であることを特徴とした耐ウイスカー特性を備えるスズめっき皮膜等を採用する。また、このスズめっき皮膜の形成に、メタンスルホン酸スズをスズイオンの供給源として用い、導電塩としての硫酸ナトリウム、両性界面活性剤を含有したスズめっき液等を採用する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの製造において直接銅めっきし、かつ充填して相互配線を形成するための方法及び組成物の提供。
【解決手段】本発明は、半導体デバイスの製造において直接銅めっきし、かつ充填して相互配線を形成するための方法及び組成物を目的としている。本発明によれば、上記方法とは、銅イオン源を４５〜２００ｍＭ、好ましくは４５〜１００ｍＭの濃度で、及び２〜４つのアミン官能基を有する脂肪族ポリアミンである少なくとも１種の銅錯化剤を３０〜２００ｍＭ、好ましくは６０〜２００ｍＭの濃度で溶媒中の溶液に含有し；かつ上記銅／錯化剤のモル比が０．２〜２、好ましくは０．３〜１．５である銅電解槽を調製し、基板の銅拡散バリア層を上記銅電解槽に接触させ、上記基板に、銅が電気めっきされる厚みに従い調整された時間中、電気的バイアスを印加し、上記基板を上記銅電解槽から取り出す方法である。 （もっと読む）

【課題】安価で高い生産性を維持し、線幅の増大を低減し、経時後の色味変化が少なく、めっき密着性の良好な、高速めっき処理を可能にするめっき処理方法を提示すること。さらにその方法を用いて優れた導電特性を有する導電性膜および優れた電磁波遮蔽効果を有する透光性電磁波シールド膜をを提供すること。
【解決手段】表面抵抗が１〜１０００Ω/□のフィルム表面に連続して電解めっき処理を施すめっき処理方法であって、該めっき処理がめっき反応抑制性有機化合物、めっき促進性有機化合物及びめっき平坦化性有機化合物の少なくとも一つを含有する銅めっき液を用いる第１段階と、該第１段階の銅めっき液中の前記少なくとも一つの化合物を第１段階のめっき液中の濃度の０〜７０％の濃度で含む液による第２段階のめっき処理から構成されることを特徴とするめっき処理方法。 （もっと読む）

【課題】良好な埋め込み性（ビアフィリング性）と優れた均一電着性を同時に併せ持ち、スルホールとブラインドビアホールの両方を含む被めっき物に対しても、電気的に信頼性の高い銅めっき皮膜を形成することが可能な新規な銅めっき液を提供する。
【解決手段】銅イオン、並びに有機酸及び無機酸から選ばれた少なくとも一種の酸成分を必須成分として含有する水溶液を基本めっき浴とする酸性電気銅めっき液であって、
（１）アルキレンジアミン類及びポリアルキレンポリアミン類からなる群から選ばれる少なくとも一種のポリアミン、（２）二塩基性カルボン酸系化合物、並びに（３）アルデヒド類、エピハロヒドリン類、α，γ−ジハロ−β−ヒドリン類、グリシジル化合物及びイソシアネート類からなる群から選ばれる少なくとも一種の架橋性化合物、からなる三成分を反応させて得られる水溶性樹脂を含有することを特徴とする酸性電気銅めっき液。 （もっと読む）

【課題】電気めっきによって基材表面を金属でコーティングする方法の提供。
【解決手段】電気めっき法によって基材表面を銅でコーティングする方法であって、コーティング対象の前記表面に電気的なバイアスをかけることなく、この表面を電気めっき用浴に接触させる工程；前記表面にバイアスをかけている間に、被膜を形成する工程；前記表面に電気的なバイアスをかけながら、前記表面を電気めっき用浴と分離する工程を含み、前記電気めっき用浴は、溶媒中の溶液に、０．４〜４０ｍＭの濃度の銅イオン源；ならびに少なくとも１種の銅錯化剤を含むことを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】 浴中での銀イオンの安定性が改善され、十分な錯化力が得られるとともに、生産コストを低減できる、実用性に優れたシアン化物非含有銀系メッキ浴を提供することにある。
【解決手段】 本発明のシアン化物非含有銀系メッキ浴は、銀塩を含む可溶性塩と、下記一般式（Ｉ）等でそれぞれ示される化合物からなる群より選ばれた１種以上のスルフィド
系化合物とを含有する。
一般式（Ｉ）：
【化１】


（式中、ｎは２〜４の整数を表す。Ｒ₁及びＲ₂は同一又は異なって、Ｃ₁〜₃アルキル又は水酸基が置換してもよいＣ₂〜₆アルキレン基を表す。Ｍは、水素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム又は有機アミンを表す。）で示される化合物。 （もっと読む）

【課題】表面抵抗の高いフィルムに対しても、めっきを均一に付けることができ、生産性の高いめっき処理方法を提供すること。
【解決手段】表面抵抗が１〜１０００Ω／□のフィルム表面を連続で電解めっきするめっき処理方法であって、めっきするべきフィルム１６を、銅濃度が硫酸銅五水塩の重量換算で１５０ｇ／Ｌ以上３００ｇ／Ｌ以下であり、その他硫黄化合物、窒素化合物あるいはポリマー成分を有するめっき液１５からなるめっき浴１１にて連続的にめっきすることを特徴とするめっき処理方法。 （もっと読む）

【課題】たとえ添加量の低濃度の場合でも添加剤の効果の変動を抑制し、特にグラビア版の機械彫刻に適した銅めっき皮膜を安定的に製造するために、銅めっき浴中に添加するハードナーの添加濃度を管理する新規の銅めっき浴の管理方法の提供にある。
【解決手段】添加剤としてのハードナーを含むめっき浴から析出した銅めっき皮膜の引張試験物性と、前記銅めっき皮膜を加温したものの引張試験物性から添加剤濃度を定量し、管理する銅めっき浴の管理方法としたもので、前記何れの引張試験物性も、公称歪み量、引張強さ、破断強さの少なくとも一つである管理方法及びその管理方法で管理されためっき浴を用いてめっきする銅めっき皮膜の製造方法である。 （もっと読む）

電気めっき溶液は、非水性の非芳香族の有機溶媒、および可溶性金属塩および非水溶性または非芳香族の有機溶媒に溶融された有機添加剤を含む混合物を含む。電気めっき溶液からの金属の電着は、電気めっき溶液を準備するステップと、カソード電流で導電性基板の上に電気めっき溶液から金属を電着させるステップを含む。電気めっきシステムは、電気めっき溶液を入れためっきチャンバと、電気めっきシステムに対する入口点と、電気めっきされる部品を入口点からめっきチャンバまで運ぶ運搬システムとを備える。電気めっき溶液は、非水性の非芳香族の有機溶媒、および可溶性金属塩および有機添加剤を含む混合物であり、混合物は非水性の非芳香族の有機溶媒に溶融されている。 （もっと読む）

【課題】電解アルミニウムめっき用の非水溶媒めっき液は湿度の制御が難しく、水分を吸収して塩化水素を発生し、未析等の欠陥を生じるという問題がある。これらの欠陥は、被めっき物の表面積が大きくなり、形状が複雑になるほど顕著となる傾向にある。また、生成するアルミニウム被膜は純アルミニウムの約10倍の硬度を有しており、延性に欠け、下地との密着性が悪いという問題がある。
【解決手段】ジメチルスルホンとアルミニウムハロゲン化物からなる溶融塩に禁水性物質であるジメチルアミンボラン又はその誘導体、若しくはジメチルアミンボランの分解生成物を添加することによって効果的に水分を除去し、それと同時にめっき膜の均一性及び延性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】適用する電流のプロフィールを変えることにより、銅の電解メッキの硬度の制御が容易な電解メッキ方法を提供する。
【解決手段】酸性の銅の電解メッキ浴を用いた物品への電解メッキ方法であって、下記工程（ａ）および（ｂ）を含む電解メッキ方法である。
（ａ）酸性の銅の電解メッキ浴中に、物品を懸架する工程
（ｂ）物品の表面に、所定厚さの銅メッキをするために、逆電流パルスのプロフィールを有する電流を所定時間流して、電解メッキする工程であって、（ｉ）カソードのパルス電流の印加時間、（ｉｉ）アノードのパルス電流の印加時間、（ｉｉｉ）カソードのパルス電流密度、（ｉＶ）アノードのパルス電流密度からなる群から選択される少なくとも一つの要因を変えることにより、銅メッキの硬度を調整または変更する電解メッキする工程 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来の錫−亜鉛合金電気めっきでは困難であった短時間での処理を可能にする電気めっき方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、めっき液温度：３０〜９０℃、めっき液の攪拌速度：５〜３００ｍ／ｍｉｎ及び陰極電流密度：５〜２００Ａ／ｄｍ²の条件下で錫−亜鉛合金電気めっきを行う方法を提供する。好ましくは、錫−亜鉛合金めっき浴中の２価の錫イオン濃度は１〜１００ｇ／Ｌであり、亜鉛イオン濃度は０．２〜８０ｇ／Ｌである。 （もっと読む）

【課題】 少なくとも１つの窪みを有する第１領域と、前記少なくとも１つの窪みのアスペクト比とは異なるアスペクト比を有する窪みが複数個並んだ第２領域とを有する半導体構造に、低コストで銅の配線層を形成する方法を提供すること。
【解決手段】 本方法は、線幅の異なる２以上の溝を有する半導体構造に、第１の硫酸濃度を有するめっき液で銅の導電層を形成する第１工程と、前記第１の硫酸濃度より薄い第２の硫酸濃度を有するめっき液で、前記導電層上に更に導電層を積層する第２工程と、前記半導体構造上に成膜された銅の導電層を研磨する研磨工程とを有する。これにより、線幅の異なる２以上の溝を有する半導体構造に、低コストで銅の配線層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】平滑化剤化合物
【解決手段】第一拡散係数を有する第一レベリング剤および第二拡散係数を有する第二レベリング剤が含有されているレベリング剤の混合物を含有するメッキ浴が提供される。かかるメッキ浴は、電解質濃度の範囲に亘って実質的に平坦である金属層、特に銅層を堆積する。かかるメッキ浴を使用する金属層の堆積方法も開示される。これらの浴および方法は、電子デバイスをはじめとする小さいアパーチャーを有する基体上に、銅の平坦な層を提供するために有用である。 （もっと読む）