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Fターム[4K024AB17]の内容

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Fターム[4K024AB17]に分類される特許

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【課題】絶縁樹脂層と配線層との間の密着性に優れた多層回路基板を提供する。
【解決手段】絶縁樹脂層と配線層とを含んでなる多層回路基板の製造方法において、絶縁樹脂層表面に、水酸基、カルボニル基およびカルボキシル基からなる群から選ばれた少なくとも1種類の官能基を生成させ、絶縁樹脂層表面をトリアジン化合物および/またはシランカップリング剤で処理し、次いで、パラジウム触媒を用いた無電解金属めっき膜を形成し、さらに無電解金属めっき膜上に金属電気めっき膜を形成させる。 (もっと読む)


【課題】長寿命の可動接点が高歩留まりで得られる銀被覆ステンレス条を提供する。
【解決手段】ステンレス鋼基材表面の少なくとも一部に厚さ0.01〜0.1μmのニッケル下地層が形成され、前記ニッケル下地層は40〜90℃の温度で3秒以上保持する活性化処理が施されており、前記活性化処理後のニッケル下地層上にニッケル、ニッケル合金、銅、銅合金の少なくとも1種からなる厚さ0.05〜0.2μmの中間層が形成され、前記中間層上に銀または銀合金の最表層が形成された可動接点用銀被覆ステンレス条。前記銀被覆ステンレス条は前記ニッケル層に40〜90℃の温度で3秒以上保持する活性化処理を施す以外は常法により製造できるので生産性に優れる。しかも前記活性化処理温度は前記ニッケル層の形成を含むめっき前処理で使用される電流とステンレス鋼材の電気抵抗による発熱により付与できるので低コストである。 (もっと読む)


【課題】基板との密着性に優れ、充分な導電性を有し、且つ基板との界面における凹凸が小さい金属膜を、簡便な方法で形成しうる金属膜形成方法、及び、エッチング工程を行うことなく微細な金属パターンの形成が可能であり、且つ、基板との密着性に優れ、充分な導電性を有し、基板との界面における凹凸が小さい金属パターンを簡便な方法で形成しうる金属パターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】(a1)基板上に、金属イオン又は金属塩と相互作用する官能基を有し該基板と直接化学結合するポリマーからなるポリマー層を設ける工程と、(a2)ポリマー層に金属イオン又は金属塩を付与する工程と、(a3)金属イオン又は金属塩を還元して、表面抵抗率が10〜100kΩ/□の導電性層を形成する工程と、(a4)電気めっきにより、表面抵抗率が1×10−1Ω/□以下の導電性層を形成する工程と、を有することを特徴とする金属膜形成方法等である。 (もっと読む)


【課題】高いメッキ密着力と高誘電率を両立させ得るメッキ用高誘電性液晶性ポリマー組成物を提供する。
【解決手段】充填剤を40〜70重量%(組成物中)含有する液晶性ポリマー組成物であって、該充填剤がリン酸塩からなる無機充填剤20〜50重量%(組成物中)と、平均長径が0.01〜30μmで1MHzにおける誘電率が50以上であるチタン酸金属塩20〜50重量%(組成物中)との混合物であることを特徴とするメッキ用高誘電性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】アルミニウム系材料からなる基材の表面の少なくとも一部に、優れた耐食性と電気絶縁性とを兼ね備えた耐食絶縁性被膜が形成されてなる被膜付きアルミニウム材を提供する。
【解決手段】被膜付きアルミニウム材の耐食絶縁性被膜は、アルミニウム系基材の上に形成された耐食下地層と、その耐食下地層の上に形成されたポリイミド(PI)樹脂層とから構成される。耐食下地層は、前記基材の上に形成されたZn置換メッキ層と、その上に形成されたCu層と、その上に形成されたNi層と、その上に形成されると共に前記PI樹脂層の直下に位置する貴金属のメッキ層とを積層したものである。貴金属は、最も好ましくは金(Au)である。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハをカセットに入れず1枚ずつ連続的にメッキ装置内に導入し処理することができると共に、パーティクル汚染や酸化膜の形成を極力減少でき、且つ工程を少なくし装置の据付け面積を小さくすることが可能な基板メッキ装置及び基板メッキ方法を提供すること。
【解決手段】表面に配線溝及び配線穴からなる配線部を形成し、該配線部を含む表面にバリア層を形成した基板に、該配線部を埋め込むメッキ層を形成する基板のメッキ装置10であって、配線部表面を含むバリア層の上に無電解メッキでメッキ層を形成する第1のメッキ槽13と、該メッキ層の上に電解メッキにより配線用メッキ層を形成する第2のメッキ槽13を設けた。 (もっと読む)


【課題】ポリスチレン系樹脂又はポリスチレン系アロイ樹脂からなる樹脂成形体に対して高い密着力を有するめっき皮膜を形成することができ、しかもエッチング処理液として用いる過マンガン酸塩水溶液を長期間安定して連続使用することが可能な新規なめっき用前処理方法を提供する。
【解決手段】下記(1)〜(3)の工程を含む、ポリスチレン系樹脂又はポリスチレン系アロイ樹脂を樹脂成分とする樹脂成形体に対するめっき用前処理方法:(1)特定の有機化合物を含有する水分散液又は水溶液を、上記樹脂成形体に接触させる工程:(2)上記(1)工程で処理された樹脂成形体を、過マンガン酸塩を含有する水溶液に接触させる工程:(3)上記(2)工程で処理された樹脂成形体を、酸、過塩素酸塩及びペルオキソ酸塩からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分を含有する水溶液に接触させる工程。 (もっと読む)


【課題】クロム酸―硫酸混液以外のエッチング処理液、例えば、過マンガン酸塩水溶液を用いた場合や、触媒付着量を多くした場合であっても、めっき用治具の絶縁性コーティング部分に対するめっき皮膜の析出を防止することが可能なめっき析出阻害用組成物を提供する。
【解決手段】樹脂成分100重量部、並びに周期律表の第12族元素を含む化合物、第13族元素を含む化合物、第14族元素を含む化合物及び第16族元素を含む化合物からなる群から選ばれた少なくとも一種の化合物からなる析出阻害成分1〜100重量部を含有することを特徴とするめっき析出阻害用組成物。 (もっと読む)


【課題】安価で金属メッキが可能な、石炭灰−ポリオレフィン系樹脂からなる金属メッキ用石炭灰混合樹脂、導電性部材及び導電性部材の製造方法を提供する。
【解決手段】金属メッキ用樹脂組成物は、石炭灰とポリオレフィン系樹脂を混合して得られる樹脂組成物であって、その組成が、石炭灰とポリオレフィン系樹脂の合計量に対し、石炭灰で20〜70重量%とするものである。この組成物を用いた樹脂成型品は、例えばABS樹脂などに用いられる通常の金属メッキ処理工程を用いることによりメッキが可能となる。 (もっと読む)


【課題】 湿式処理主体のプロセスにより、連続処理化が容易で、生産性が高く、かつ絶縁抵抗の劣化やマイグレーションを促進することなく、めっき作業時間の短縮を図り、めっき析出安定性をより向上させることができ、更にポリイミド樹脂フィルムと金属との境界面の平滑性および密着性を安定して確保できる。
【解決手段】 ポリイミド樹脂材を前処理する前処理工程と、無電解めっき処理工程と、厚付け銅めっき処理工程とを含み、(1)上記前処理工程は、カルボニル基を分子内に有する有機溶剤を用いてポリイミド樹脂材の表面を処理する工程と、アルカリ性水溶液で処理する工程とを含み、(2)上記無電解めっき処理工程は、無電解ニッケルめっき処理工程であり、(3)上記厚付け銅めっき処理工程は、上記無電解めっきで得られるめっき層表面にアルカリ性無電解銅めっき処理およびアルカリ性電気銅めっき処理から選ばれる少なくとも1つのめっき処理工程である。 (もっと読む)


【課題】
プラスチック成形体表面に対し、シランカップリング剤によるカップリング処理を行った後、前記プラスチック成形体表面に金属被膜を形成している。
しかしながら、シランカップリング剤の塗布方法を用いると、前記プラスチック成形体基材表面に余分なシランカップリング剤が残り、残った前記シランカップリング剤が前記密着性の向上を邪魔し、適切に前記密着性を向上させることが出来ないという課題があった。

【解決手段】
プラスチック成形体基材と金属被膜間の密着性を向上させたプラスチック成形体ならびに前記プラスチック成形体を用いた物品を提供するために、プラスチック成形体基材の表面に単分子膜を形成する工程と、(b)前記単分子膜上に、金属被膜をメッキ形成する工程を用いて、プラスチック基材の表面が基材表面に共有結合した単分子膜を介して金属被膜で被われているプラスチック成形体を提供する。 (もっと読む)


【課題】シリカ、酸化鉄その他の微粒子を含む気体を取り扱う回転機械において、気体中に含まれる微粒子の付着を効果的に抑制すること。
【解決手段】この動翼23は、蒸気タービンに用いられる。動翼23は、その表面に設けられる金属の中間めっき皮膜11と、この中間めっき皮膜11の表面に設けられるフッ素樹脂含有めっき皮膜12とを含む。フッ素樹脂含有めっき皮膜12は、フッ素樹脂粒子13PがNi基の金属からなるめっきマトリックス13Mに含有され、かつフッ素樹脂粒子13Pの一部は、めっきマトリックス13Mの表面から露出している。 (もっと読む)


【課題】 ポリイミド樹脂上に金属めっき皮膜を析出させるにあたり、十分なポリイミド−金属皮膜間の密着性を確保できる技術を提供すること。
【解決手段】 ポリイミド樹脂をアルカリ処理した後、触媒付与処理、無電解金属めっきおよび電解金属めっきを行うポリイミド樹脂上の金属めっき皮膜形成方法であって、前記アルカリ処理と触媒付与処理の間に塩基性アミノ酸水溶液処理を行うことを特徴とするポリイミド樹脂上の金属めっき皮膜形成方法。 (もっと読む)


【課題】 ポリアセタール樹脂成形物へのめっき密着性をより向上させ、且つ前処理工程での樹脂自体の割れの発生を防ぎ、めっき強度に優れ且つ表面の滑り性に優れた、ポリアセタール樹脂成形物を得る。
【解決手段】 ポリアセタール樹脂成形物表面を前処理する前処理工程、化学めっきを行なう工程、複数回の電気めっきを行ない多層構造の電気めっき層を形成する工程を有し、第1段階で行なう化学めっきと第2段階で行なう電気めっきの2段階でめっきを行ない、前記化学めっきの次に行なう電気めっきは、導電性の高いCuめっきであり、以降はNiめっき、Crめっきとする。前処理工程において、樹脂成形物表面をバフ研磨後にめっき温度以上の温度で熱処理を行ない、その後ブラスト処理を行ない、且つブラスト処理後に脱脂処理を行なう。 (もっと読む)


【課題】 樹脂製材料からなる遊技機の使用部品に対して、磨かれた調度品のような表面仕上げを施すことができるめっき処理方法を提供する。
【解決手段】
樹脂製材料からなる遊技機の使用部品9をめっきするめっき処理方法は、以下の工程を具備する。即ち、先ず、使用部品9に対して行われる前処理工程S1と、この前処理後の使用部品9に対して複数層の異なる色のめっきが重ねて施される工程S2、S3とを備える。そして、使用部品9の表面を研磨又は研削することにより、その下側のめっき層の一部を現出させ(工程S4)、前記研磨又は研削後の使用部品9に対し、コーティング層を形成する(工程S5)。 (もっと読む)


【課題】水素分離膜への一酸化炭素等の吸着を減少させ、効率的に水素ガスを分離精製することができる水素分離体、水素製造装置、水素分離体の製造方法及び水素分離体の製造装置を提供する。
【解決手段】水素分離体100には、基体管101の内側表面に、超臨界CO2を用いためっきにより形成した水素透過層102が積層される。この基体管101は、触媒担持セラミックス層101aと細孔セラミックス層101bとから構成される。この触媒担持セラミックス層101aの多孔管内に、一酸化炭素ガスのシフト反応や部分酸化反応を行なう触媒金属を担持させる。また、細孔セラミックス層101bは、水素ガスを優先的に水素透過層102側へ供給する。Ni充填層103で生成された改質ガスに含まれる一酸化炭素ガス等は基体管101で低減される。 (もっと読む)


【課題】、無電解めっきを施す際に好適に使用することができる無電解めっき用材料であり、特にはプリント配線板用の製造等に好適に用いることができる微細配線形成が可能な無電解めっき用材料、及び該無電解めっき用材料を用いたプリント配線板を提供する。
【解決手段】表面に無電解めっきを施すための無電解めっき用材料であって、該無電解めっき用材料は、繊維と、特定の構造を有するポリイミド樹脂、特にシロキサン構造を有するポリイミド樹脂を含有する樹脂組成物との複合体を含むことを特徴とする無電解めっき用材料によって上記課題を解決しうる。 (もっと読む)


【課題】 光沢ニッケルめっき膜部分を、レべリング性の高い超光沢ニッケルめっきを代用することで、銅フリーめっきでニッケルめっき膜厚を削減しても良好な外観、さらに耐食性を向上させる。
【解決手段】 高耐食性が要求される電気めっきを樹脂成形品に施す銅フリー樹脂めっきの成膜方法であって、樹脂成形品にダイレクトめっきの前処理S1、S2、S3、S4を施し、次に、樹脂成形品に半光沢ニッケルめっきS5、超光沢ニッケルめっきS6、光沢ニッケルめっきS7、MPニッケルめっき(マイクロポーラスニッケルめっき)S8の順で各めっき処理を施し、最後にクロムめっきS9を施す。 (もっと読む)


【課題】 金属被覆膜を形成する方法において、該被覆膜と成形品との密着性が優れ、美麗な外観を有する金属メッキ方法を提供すること。
【解決手段】 芳香族ポリカーボネート系樹脂成形品の表面の、少なくとも一部に、特定の方法で金属メッキ膜を形成する方法であって、特にストライクメッキ工程において、メッキ浴として硫酸銅又は硫酸ニッケルの溶液を用いる。また、該金属メッキされた成形品が、特定のヒートサイクル試験を行った場合に測定されるビスフェノールAの量が10μg/cm以下である。 (もっと読む)


【課題】 当初より小さいテープ自動ボンディング用(TAB)テープ、およびチップオンフィルム(COF)テープに対しても、より小型化および薄型化を達成することができ、銅めっき層が薄くても、表面の平滑性が高い2層めっき基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ポリイミドフィルムに導電性を付与し、その上に、得られる無光沢銅めっき層の厚さが2μm以下となるように無光沢銅めっきを施した後、光沢銅めっきを施して、2層めっき基板を得る。銅めっき層の厚さは20μm以下である。さらに、前記無光沢銅めっき層の厚さが、0.5μm〜2μmの範囲内であることが望ましい。 (もっと読む)


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