【課題】フィルタ、触媒担体、電池用電極などの用途に適したアルミニウム多孔体の製造方法を提供すること。
【解決手段】連通気孔を有する多孔質樹脂成形体の表面にアルミニウム膜を形成してなるアルミニウム構造体のシート３２を溶融塩浴槽３０中の溶融塩浴に浸漬して前記多孔性樹脂成形体を分解処理して除去した後にアルミニウム多孔体３３のシートを溶融塩浴から引き出す工程を含むアルミニウム多孔体の製造方法であって、ローラにメッシュベルト３８を懸架し、前記ローラを駆動させることによってメッシュベルト３８を搬送し、搬送されるメッシュベルト３８上に前記シートを載置してシートを搬送することを特徴とするアルミニウム多孔体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 三次元網目構造を有する多孔質樹脂成形体を用いたアルミニウム構造体の製造方法であって、不純物の量が少ないアルミニウム構造体を形成することが可能な方法、および特に大面積のアルミニウム多孔体を得ることが可能な方法を目的とする。
【解決手段】 導電性カーボンを含有する導電性塗料を樹脂成形体の表面に塗布して前記樹脂成形体を導電化する導電化工程、導電化された前記樹脂成形体の表面に溶融塩中でアルミニウムをめっきしてアルミニウム層を形成するめっき工程、熱処理して前記樹脂成形体を除去する熱処理工程、を有するアルミニウム構造体の製造方法であって、前記導電性カーボンが、平均粒径０．００３μｍ以上０．０５μｍ以下のカーボンブラックであることを特徴とするアルミニウム構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】樹脂成形体とりわけ三次元網目構造を有する多孔質樹脂成形体の表面にアルミニウムをめっきするに際し、電流値を高くして効率よくアルミニウムめっき膜を形成する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】表面に導電層２を形成することにより導電化された樹脂成形体１にアルミニウムを溶融塩浴中で電気めっきしてアルミニウムめっき層３を形成するアルミニウム多孔体の製造方法であって、陽極がアルミニウムエキスパンドメタルからなり、該陽極の表面積が樹脂成形体の表面積の１．３倍以上であることを特徴とするアルミニウム多孔体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ピッチズレが抑制されためっき物からなる微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 導電性の基板表面に感光性樹脂の層を形成する第１工程と、前記感光性樹脂の層を露光および現像することで前記基板表面の一部を露出させ、前記感光性樹脂の構造体を形成する第２工程と、前記感光性樹脂の構造体を第１のめっき液に浸漬し、前記基板表面が露出した部分から第１のめっき層を形成する第３工程と、前記第１のめっき層を形成した後、前記感光性樹脂の構造体を硬化させる第４工程と、前記感光性樹脂の構造体を硬化させた後、前記第１のめっき層の少なくとも一部を除去する第５工程と、硬化させた前記感光性樹脂の構造体を前記第１のめっき液と異なる第２のめっき液に浸漬し、前記第１のめっき層を除去した部分から第２のめっき層を形成する第６工程とを有する微細構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】三次元網目構造を有する多孔質樹脂成形体であっても、その表面へのアルミニウムのめっきを可能とし、厚膜を均一に形成することで純度の高いアルミニウム構造体を形成する。
【解決手段】少なくとも表面が導電化された、三次元網目構造を有する樹脂多孔体に、アルミニウムを溶融塩浴中でめっきする工程を有するアルミニウム構造体の製造方法であって、前記溶融塩は塩化アルミニウムと有機塩との混合塩であり、前記溶融塩浴の温度を４５℃以上１００℃以下としてめっきする、アルミニウム構造体の製造方法。前記溶融塩浴中には、さらに１，１０−フェナントロリンを０．２５ｇ／ｌ以上７ｇ／ｌ以下の濃度で含有すると好ましい。 （もっと読む）

【課題】液組成が中性〜酸性であっても十分に機能する封孔処理剤およびその封孔処理剤を用いた金めっき部材の封孔処理方法を提供する。
【解決手段】インヒビターがベンゾトリアゾールおよび２−カルボキシメチルチオベンゾチアゾールからなり、酸性または中性の溶液であることを特徴とする封孔処理剤。ｐＨが３．０以上であり、ベンゾトリアゾールおよび２−カルボキシメチルチオベンゾチアゾールの含有量がそれぞれ１０ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下であることが好ましい。上記の封孔処理剤を用いて基材を陽極電解処理する。 （もっと読む）

【課題】三次元網目構造を有する多孔質樹脂成形体であっても、その表面へのアルミニウムのめっきを可能とし、厚膜を均一に形成することで純度の高いアルミニウム構造体を形成することが可能な方法、および特に大面積のアルミニウム多孔体を得ることが可能な方法を目的とする。
【解決手段】樹脂成形体の表面にアルミニウムからなる導電層を形成する導電化工程と、該導電化された樹脂成形体にアルミニウムを溶融塩浴中でめっきするめっき工程とを備えるアルミニウム構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】点光源のＸ線源を用いても、Ｘ線吸収の効率を低下させることのない湾曲したマイクロ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】表側に微細構造とメッキ層を有し、裏側に弯曲した面を有するモールドからなるマイクロ構造体の製造方法であって、異方性エッチングにて深さ方向にエッチングされて形成された微細構造を有し、前記微細構造の連続した隙間の底部に導電性が付与されたモールドを用意する工程と、前記微細構造の底部からメッキして前記微細構造の連続した隙間に第１のメッキ層を形成する工程と、前記第１のメッキ層の上に、応力を発生する第２のメッキ層を形成し、前記第２のメッキ層の応力によりモールドを湾曲させる工程とを少なくとも有するマイクロ構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置用部材のリード線に、電解めっき層と置換めっき層とが同時に析出した後、置換めっき層のみ剥離する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置用部材１０のステム１２に装着された複数のリード線１８の各一端部を治具３０内に挿入して、前記一端部の端面が治具３０内に設けられた陰極としての第１電極２４に当接した後、陽極としての第２電極が浸漬された電解金めっき液に浸漬し、第１電極２４と第２電極との間に電流を印加して、第１電極１８ａの各露出面に電解金めっき層を形成する。その際リード線１８ａより短いリード線１８ｂの露出面には置換めっき層が析出する。次いで治具３０に装着された半導体装置用部材１０を、金めっきを剥離する剥離液に浸漬して、第１電極２４を陰極とし、陽極４２との間に直流電流を印加すると、置換めっき層のみが剥離する。 （もっと読む）

【課題】置換めっき層を剥離する際に、電解めっき層も同時に剥離する従来の置換めっき層の剥離方法の課題を解決できる方法を提供する。
【解決手段】ステム１２の表面を形成する金属と電気的に絶縁されてリード線１８，１８が装着された半導体装置用部材１０に、リード線１８，１８のみに給電する電解めっきによって、リード線１８，１８の露出面に電解めっき層を形成した後、前記電解めっきの際に、非通電状態のステム１２の表面に析出した置換めっき層を除去すべく、半導体装置用部材１０を、前記電解めっき層を形成するめっき金属を剥離する剥離性能を有し、且つ電解質が添加された剥離液４０に浸漬して、リード線１８，１８に給電しつつ、前記置換めっき層を剥離液４０によって選択的に剥離する。 （もっと読む）

【課題】ステンレス基板への腐食を抑え、薄く欠陥のない金めっき層のパターンをステンレス基板上に形成する方法を提供する。
【解決手段】第１めっき工程にて、ステンレス基板に前処理を施した後、全面に塩酸めっき液を用いて第１金めっき層を形成し、第２めっき工程にて、この第１金めっき層上にマスクめっきにより所望のパターンで第２金めっき層を形成し、その後、剥離工程にて、第２金めっき層の存在しない領域の第１金めっき層をアルカリ系剥離液を用いて剥離除去する。 （もっと読む）

【課題】水道用器具における通水路の内周面から水への溶出量の低減を鉛及びニッケルの両者について実現可能な方法を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、めっき工程Ｓ１０と、第１処理工程Ｓ１１と、第２処理工程Ｓ１２と、第３処理工程Ｓ１３と、第４処理工程Ｓ１４とを備えている。第１処理工程Ｓ１１では、硝酸と塩酸との混酸水溶液を第１処理液として用意し、めっき工程Ｓ１０後の第１ワークＷ１を第１処理液に浸漬して第２ワークＷ２を得る。第２処理工程Ｓ１２では、ＢＴＡ水溶液を第２処理液として用意し、第２処理液に第２ワークＷ２を浸漬して第３ワークＷ３を得る。第３処理工程Ｓ１３では、水酸化ナトリウム水溶液を第３処理液として用意し、第３処理液に第３ワークＷ３を浸漬して第４ワークＷ４を得る。第４処理工程Ｓ１４では、リン酸水溶液を第４処理液として用意し、第４処理液に第４ワークＷ４を浸漬する。 （もっと読む）

【課題】超ファインピッチの配線としても幅方向の断面（横断面）の表面が平坦となる配線をセミアディティブ法で製造できるセミアディティブ用硫酸系銅めっき液及びこれを用いたプリント配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セミアディティブ用硫酸系銅めっき液であって、３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸又はビス（３−スルホプロピル）ジスルフィドから選択された少なくとも一種と環状構造を持つ４級アンモニウム塩重合体と塩素とを含み、銅濃度が２３〜５５ｇ／Ｌであり、硫酸濃度が５０〜２５０ｇ／Ｌである。 （もっと読む）

【課題】高価で寿命の短い剥離液を使用せず、剥離後のエッチングもすることなく、連続して効率良く、ニッケルめっきが施された銅又は銅合金屑からニッケルを剥離し、ニッケルめっきが剥離された銅又は銅合金屑を銅又は銅合金の製造用原料として使用する。
【解決手段】電解反応を起すアノードとカソードを含有する硫酸鉄溶液が入った処理槽中に、表面にニッケルめっきが施された銅又は銅合金屑を浸漬し、２Ｆｅ^３＋＋Ｎｉ→２Ｆｅ^２＋＋Ｎｉ^２＋なる化学反応によりニッケルめっきを剥離すると共に、Ｆｅ^２＋→Ｆｅ^３＋＋ｅ⁻なる電解反応にて、消費されたＦｅ^３＋を再生することにより、連続的にニッケルめっきを剥離し、銅又は銅合金の製造用原料として使用する。硫酸濃度５０〜６００ｇ／ｌ、Ｆｅ濃度１〜５０ｇ／ｌの剥離液を用い、電解再生時のカソード電流が５〜１００Ａ／ｄｍ^２、アノード電流が０．０１〜１０Ａ／ｄｍ^２である時に顕著に効果を発揮する。 （もっと読む）

【課題】構成材料と犠牲材料の両方の着電に基づいて多層３次元構造を形成する。
【解決手段】めっきされる基板２に、マスク６および支持体８を含む第１の物品４ａを接触させ、第１の金属イオン源が存在している状態で、第１の金属（例えば犠牲金属）１２を堆積し、マスク１６および支持体１８を含む第２の物品１４を基板２に接触させ、第２の金属イオン源が存在している状態で、第２の金属（例えば構成金属）２０を堆積し、層を平坦化する。そして、異なるパターンの電気めっき物品４ａ、４ｂ、１４ａ、１４ｂを用いて上記した方法を繰り返し、多層構造２４を生成する。犠牲金属１２の全てをエッチングすることによって、エレメント２６を得る。 （もっと読む）

【課題】回路パターンの凹凸が大きい配線基板であっても、めっき液が非めっき部位に浸入することによりめっきされることがない。また、マスキングフィルムの打ち抜き加工に性、特にバリや穴が開かないなどの発生を防止する。
【解決手段】絶縁基材４上に凹凸が２５μｍ以上の回路パターンが形成された配線基板のめっき対象部位１，２に選択的にめっきをかけるために、該めっき対象部位１，２以外をマスキングするにあたり、ポリブチレンテレフタレートフィルムの片面に粘着剤層及び離型シートを順次積層させたマスキングフィルムを用い、該マスキングフィルムの該離型シートを剥離後、マスキングフィルムの粘着剤層面を常温環境下で配線基板の所定の場所に貼り付けた後、熱圧着することにより貼り付け、その後めっき対象部位にめっきをすることを特徴とする配線基板のめっき方法。及びこの方法を用いた配線基板である。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性に優れた金属膜を有し、温・湿度依存性が低い金属膜付基板、及びその作製方法を提供すること。基板との密着性に優れた金属パターンを有し、温・湿度依存性が低く、金属パターンの非形成領域の絶縁信頼性に優れた金属パターン材料、及びその作製方法を提供すること。
【解決手段】（ａ１）基板上に、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する多座配位可能な非解離性官能基を有し、且つ、該基板と直接化学結合したポリマーからなるポリマー層を形成する工程と、（ａ２）該ポリマー層に多座配位可能なめっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、（ａ３）該ポリマー層に該多座配位可能なめっき触媒又はその前駆体とは異なる金属を含有させる工程と、（ａ４）該多座配位可能なめっき触媒又はその前駆体に対してめっきを行う工程と、を有することを特徴とする金属膜付基板の作製方法等である。 （もっと読む）

【課題】電解めっき工程の生産性を向上させた配線板の製造方法を提供する。また、金属薄膜と絶縁性基板との密着性が高い配線を有する配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板上に金属薄膜を形成して配線基板１０２とし、該配線基板１０２の金属薄膜２上に電解めっき法によってめっき膜を形成する配線板の製造方法である。めっき膜を形成する工程は、めっき液９に浸漬させていない状態の配線基板１０２の金属薄膜２とめっき液９に浸漬した状態のダミーカソード６を電気的に並列接続し、金属薄膜２とダミーカソード６に電圧が印加された状態を準備する準備工程と、配線基板１０２をめっき液９に浸漬して、配線基板１０２の金属薄膜２に電解めっきを行う電解めっき工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ハロゲン化銀粒子を含む層を有する原版（電磁波遮蔽材料用原版）を用いて、高い導電性と、光透過性を有し、電子ディスプレイ機器の画像表示面からの電磁波をシールドするのに好適な透光性の電磁波遮蔽材料を得ることにある。
【解決手段】支持体上に、少なくともハロゲン化銀粒子と、架橋性バインダー樹脂、及び前記架橋性バインダー樹脂に架橋していない水溶性化合物、を含有する層を有する電磁波遮蔽材料用原版に、パターン露光、現像処理、物理現像及び／又はメッキ処理、を順次行うことを特徴とする電磁波遮蔽材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 めっきにより磁性膜を形成して磁極とする場合に、めっき膜の析出レートを安定化させ、磁極の形成精度のばらつきを抑え、軟磁気特性にすぐれた磁極を形成し、高密度記録が可能な磁気ヘッドとして提供する。
【解決手段】 Ruからなるめっきシード層２２をめっき給電層として電解めっきにより磁性膜２６を形成することにより、ライトヘッドの磁極を形成する磁気ヘッドの製造方法において、前記Ruからなるめっきシード層２２を形成した後、めっきシード層２２の表面に、めっき膜の析出レートを安定化させるキャップ層３０を形成する工程と、前記めっきシード層２２とキャップ層３０をめっき給電層として前記磁性膜を形成する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）