【課題】カーボンナノチューブの形成方法及びそれを利用した半導体素子の配線形成方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）複数の突起部を有する基板を準備する段階と、（ｉｉ）前記基板上に、前記突起部を覆い、カーボンナノチューブの成長を促進させる触媒層を形成する段階と、（ｉｉｉ）前記触媒層上にカーボンが含まれるガスを注入して、前記触媒層の表面上に前記カーボンナノチューブを成長させる段階と、を含むカーボンナノチューブの形成方法である。本発明によれば、カーボンナノチューブの成長密度を上昇させて電気的抵抗を低下させうる。その結果、電流密度が上昇し、微細ビアホールにも適用可能で、半導体素子の超高集積化を達成しうる配線形成方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】放電インピーダンスを一定に保ち、高精度な膜厚制御が可能となるスパッタ装置およびスパッタリングによる成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜室にターゲットを備え、前記成膜室における前記ターゲットと対向する基板ホルダーに保持された基板に、スパッタリングによって成膜するスパッタ装置を、つぎのように構成する。
前記ターゲット１−２の前記基板方向前方に、前記ターゲットから飛び出す電子の進行を妨げる前記基板ホルダーと同電位の遮蔽部材１−５が位置するように構成する。 （もっと読む）

【課題】イオンビームスパッタ法により光学薄膜を形成するに際し、反射率低下を招く拡散層の形成を抑制し、光吸収の低減化を図ることが可能となる光学薄膜の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】イオンビーム１１６をターゲット１１５に照射し、スパッタリングによって被処理物１１９に多層膜による光学薄膜を成膜する光学薄膜の製造方法を、つぎのように構成する。
前記スパッタリングによって被処理物に光学薄膜を成膜するに際し、前記ターゲットにバイアス印加手段１０５によって正のバイアスを印加して、前記被処理物に光学薄膜を成膜する工程を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】 ＥＵＶ光などの短波長域の露光光を使用するリソグラフィー法において用いられる反射型マスク用として好適な、表面平滑性が高く、欠陥の少ない多層反射膜付き基板を提供する。
【解決手段】 基板上に、Ｍｏ／Ｓｉの交互積層膜からなる多層下地膜、光吸収体膜からなる中間層および露光光を反射するＭｏ／Ｓｉの交互積層膜からなる多層反射膜を順次設けてなる多層反射膜付き基板であって、前記光吸収体膜からなる中間層の厚さｄint［単位：ｎｍ］が、式（１）
ｄint≧０．２６９／−ｋ …（１）
（ただし、ｋは光吸収体の光吸収係数であり、マイナスで定義される。）
の関係を満たす多層反射膜付き基板である。 （もっと読む）

【課題】 高精度な面形状を有する多層膜反射鏡を提供する。
【解決手段】 基板４表面にＭｏを含む層とＳｉを含む層を交互に周期的に成膜した構造を有する多層膜６ａ，６ｂを備え、面内で除去量に分布を生じさせて前記多層膜６ａ，６ｂの表面近傍の多層膜６ｂを除去した多層膜反射鏡２において、前記多層膜６ｂの除去による応力開放によって生じた変形を相殺するような面内分布を有するＳｉまたはＳｉを含む単層膜６ｃを前記表面近傍の多層膜６ｂが除去された前記多層膜６ｂの表面に備える。 （もっと読む）

【課題】 ＥＵＶ光などの短波長域の露光光を使用するリソグラフィー法において用いられる反射型マスク用として好適な、表面平滑性が高く、欠陥の少ない多層反射膜付き基板を提供する。
【解決手段】 基板上に、Ｍｏ／Ｓｉの交互積層膜からなる多層下地膜および露光光を反射するＭｏ／Ｓｉの交互積層膜からなる多層反射膜を順次設けてなる多層反射膜付き基板であって、前記多層下地膜が、成膜後１５０〜５００℃の温度で加熱処理されたものである多層反射膜付き基板である。 （もっと読む）

【課題】 ＥＵＶ光などの短波長域の露光光を使用するリソグラフィー法において用いられる反射型マスク用として好適な、反射率が高い上、表面平滑性が高く、欠陥の少ない多層反射膜付き基板を提供する。
【解決手段】 基板上に、Ｍｏ／Ｓｉの交互積層膜からなる多層下地膜、Ｓｉ膜からなる中間層および露光光を反射するＭｏ／Ｓｉの交互積層膜からなる多層反射膜を順次設けてなる多層反射膜付き基板であって、前記多層下地膜の周期長をｄbottom［単位：ｎｍ］、中間層の厚さをｄSi［単位：ｎｍ］、多層反射膜の周期長をｄtop［単位：ｎｍ］とした場合、式（１）および式（２）
ｎ×ｄtop−０．０５≦ｄbottom≦ｎ×ｄtop＋０．０５ …（１）
（ただし、ｎは１以上の自然数である。）
ｍ×ｄtop−１．２≦ｄSi≦ｍ×ｄtop＋１．２ …（２）
（ただし、ｍは０以上の整数である。）
の関係を満たす多層反射膜付き基板である。 （もっと読む）

イオンビームスパッタリング法を用いて、表面に凹欠点を有する基板上にＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの多層反射膜を成膜する方法であって、前記基板をその中心軸を中心に回転させつつ、前記基板の法線と前記基板に入射するスパッタ粒子とのなす角度αの絶対値を３５°≦α≦８０°に保持してイオンビームスパッタリングを実施することを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの多層反射膜の成膜方法。
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本発明は、５０μｇ／ｇ未満の酸素含量と、理論密度で９９％を上回る密度と、１００μｍ未満の平均粒径とを有するＭｏ又はＭｏ合金を含み、支持管に接続される管状ターゲットを製造する方法に関し、フィッシャー法で測定して０．５〜１０μｍの平均粒径を有するＭｏ又はＭｏ合金からなる金属粉末の製造、１００ＭＰａ＜ｐ＜５００ＭＰａの圧力ｐで、コアを使って可撓性の型で金属粉末を冷間等方加圧することによる管素材の形での圧粉体の製造、減圧又は真空中で、１６００℃＜Ｔ＜２５００℃の温度Ｔで前記圧粉体を焼結することによる管素材の製造、前記管素材を、ＤＢＴＴ＜Ｔ＜（Ｔｓ−８００℃）の成形温度Ｔで加熱し且つ心棒上での押出しによる管の製造、前記支持管への前記管の接合および機械加工の各工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 方向性及び無方向性のプロセス・ステップを統合し、その結果、得られるシリサイドが最小限のシート抵抗を有し、かつパイプ欠陥を回避する、ニッケル堆積プロセス及びツールを提供すること。
【解決手段】 無方向性及び方向性の金属（例えば、Ｎｉ）堆積ステップが同一のプロセス・チャンバ内で実行される、方法及び装置が提供される。第１のプラズマは、ターゲットから材料を取り出すために形成され、材料のイオン密度を増大させる第２のプラズマは、ＲＦ発生器に接続された環状電極（例えば、Ｎｉ環）の内側に形成される。材料は、第２のプラズマ及び基板への電気的バイアスが存在しない場合、基板上に無方向性の堆積をされ、第２のプラズマが存在し、基板に電気的にバイアスがかけられている場合、方向性の堆積をされる。堆積された金属から形成されるニッケルシリサイドは、方向性プロセスのみで堆積された金属から形成されるＮｉＳｉよりも、ゲートポリシリコンの低シート抵抗を有し、より低いパイプ欠陥密度を有することができ、かつ無方向性堆積のみで堆積された金属から形成されたＮｉＳｉよりも低いソース／ドレイン接触抵抗を有する。 （もっと読む）

【課題】 高硬度から低硬度の材料まで広範囲の基材に対し、高硬度のＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜を最表面側に含むＤＬＣ多層膜を約３μｍ以上厚く形成しても、基材およびＤＬＣ膜の双方に対して優れた密着性を備えており、耐摩耗性にも優れたＤＬＣ成形体を提供する。
【解決手段】 基材１と、ＤＬＣ系膜３と、基材１とＤＬＣ系膜３との間の中間層２とからなるＤＬＣ硬質多層膜成形体である。ＤＬＣ系膜３は、基材１側から順に、第１のＤＬＣ系膜３ａと第２のＤＬＣ系膜３ｂとからなり、第１のＤＬＣ系膜３ａの表面硬度は、ナノインデンテーション試験で１０ＧＰａ以上４０ＧＰａ以下の範囲内にあり、第２のＤＬＣ系膜３ｂの表面硬度は、ナノインデンテーション試験で４０ＧＰａ超９０ＧＰａ以下の範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、成膜装置並びに成膜方法に関するものである。特に、波長１３ｎｍ帯の極端紫外線を用いたリソグラフィ用反射型マスクブランク多層膜の無欠陥成膜に用いて有用である。マスクブランク多層膜の成膜では、サイズ３０ｎｍ以上の欠陥密度零が要求され、これまでの成膜技術では達成困難であった。
【解決手段】 本発明の成膜装置は、真空容器と、この真空容器に、成膜材料源と、イオンビーム発生部と、成膜を施す基板の保持手段と、前記成膜材料源から発生する粒子の飛行速度を検出する手段とを、有する。粒子の飛行速度の計測に基づいて、形成中の膜面を、大きな粒子をエッチングするか、所望の膜を堆積するかを判定する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットキャリア上の単一または多数部品ターゲットの摺動を促進すること。
【解決手段】本発明は、ターゲットキャリアおよびターゲット付き筒状カソードに関する。ターゲットは単一または多数部品からなり、ターゲットキャリアとターゲットの間には、熱伝導物質からなり、複数の細いリングで互いに分離された複数個の環状構成要素がターゲットキャリアの長手方向に沿って置かれている。環状構成要素上で容易に摺動可能になるように、ターゲットは少なくともその一端面側に面取り部分を有する。 （もっと読む）

【課題】超紫外線リソグラフィ用の反射デバイス及びその製造方法、それを適用した超紫外線リソグラフィ用マスク、プロジェクション光学系及びリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】基板３５と、基板３５上に形成され、超紫外線を反射させる材料からなる多重反射層と、を備え、多重反射層は、第１物質層と、第１物質層を表面処理した表面処理膜と、表面処理膜上に形成された第２物質層と、を備える層グループが複数個積層されて形成された反射デバイスである。また、基板３５を準備するステップと、基板３５上に超紫外線を反射させる材料で多重反射層を形成するステップと、を含み、多重反射層を形成するステップは、第１物質層を形成するステップと、第１物質層を表面処理するステップと、表面処理された第１物質層上に第２物質層を形成するステップと、を含み、さらに第２物質層上に、第１物質層の形成、第１物質層の表面処理、第２物質層の形成過程を複数回反復して多重反射層を形成する反射デバイスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】主処理チャンバ（１４）と移動するマグネトロン（３０）を収納する真空チャンバ（３２）の両方に封止されるターゲットアセンブリを有する大面積パネルプラズマスパッタリアクタに特に有用なスパッタターゲットアセンブリ（１８、２０）を提供する。
【解決手段】ターゲットタイルが接着されたターゲットアセンブリは、主面に平行にドリルで穴開けされた平行な冷却ホール（６４）を備えた一体型のプレート（６２）を含む。ホールの端部は封止（７４）され、垂直に伸びているスロット（６６、６８、７０、７２）は各々の端部で２つの千鳥状のグループで配列され、バッキングプレートの対向側部において対として冷却ホールの各々の対に機械加工される。４個のマニフォルドチューブ（１０４、１０６）はスロットの４つのグループに封止され、カウンタフローの冷媒経路を提供する。 （もっと読む）

【課題】１つ又は複数のシリコン含有層及び１つ又は複数の金属含有層を含む積層膜を製造する方法及び基板上に積層膜を形成するための基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理システムは、１つ又は複数のロードロックチャンバに接続された１つ又は複数の搬送ポット及び２つ以上の異なるタイプの処理チャンバを含む。２つ以上のタイプの処理チャンバは、真空を破ることなく、基板処理システムから基板を取り出して、同一の基板処理システムで１つ又は複数のシリコン含有層及び１つ又は複数の金属含有層を蒸着するために使用され、表面汚染、酸化などを防ぎ、別の洗浄や表面処理ステップを排除することができる。基板処理システムは、その場の基板処理のための高処理能力及びコンパクトな専有面積を提供し、かつ異なるタイプの処理を行うように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 被処理対象物に与えるダメージを抑え、かつ成膜速度の高い成膜方法、および格子欠陥の発生を抑制した半導体レーザ素子の電極形成方法を提供する。
【解決手段】 エアリッジ構造を有する半導体レーザ素子１のオーミックメタル層１１の積層方向Ｚの一方側の表面６６上に、高周波スパッタリングを用いてＲＦバリアメタル層１３を形成する。次にＲＦバリアメタル層１３の積層方向Ｚの一方側の表面６７上に、直流スパッタリングを用いてＤＣバリアメタル層１４を形成し、ＲＦバリアメタル層１３およびＤＣバリアメタル層１４から成るバリアメタル層を形成する。次にＤＣバリアメタル層１４の積層方向Ｚの一方側の表面７１上に、直流スパッタリングを用いてボンディングメタル層を形成し、バリアメタル層およびボンディングメタル層１５から成る第２電極１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲット、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法をそれぞれ提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲットの構成を、ルテニウム（Ｒｕ）と、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、ランタン（Ｌａ）、ケイ素（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、イットリウム（Ｙ）から選ばれる少なくとも一種とを含有するルテニウム化合物からなり、焼結密度が９５％以上であり、酸素（Ｏ）の含有量が２０００ｐｐｍ以下、炭素（Ｃ）の含有量が２００ｐｐｍ以下とする。このターゲットを用いて基板１上の多層反射膜２の上にルテニウム化合物保護膜６を形成して多層反射膜付き基板３０を得る。この多層反射膜付き基板３０のルテニウム化合物保護膜６上に吸収体膜を形成して反射型マスクブランクとする。また、この反射型マスクブランクの吸収体膜にパターンを形成して反射型マスクを得る。 （もっと読む）

【課題】界面拡散層が薄く、かつ界面粗さの小さな膜を得る多層膜の製造方法及び多層膜を提供する。
【解決手段】多層膜の製造方法は、薄膜原料を基材とするターゲット１４を有し、ターゲット１４の表面近傍に磁場の作用でプラズマを集中させてスパッタリングを行うマグネトロン・スパッタ装置１を用い、構成元素、組成、結晶構造の少なくとも一つが相違する層を積層させた多層膜を形成する方法である。ターゲット１４の表面に平行な磁場の強度をターゲット１４の表面で０．３Ｔ（テスラ）以上に設定する磁石装置を用意する。次に、積層方向において互いに隣接するように膜を成膜すると共に、積層方向に互いに隣接する膜の界面に存在する界面拡散層の厚みが、隣接する膜のうち薄い側の層の厚みの５０％以下となるように設定する成膜工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】
反射率の低下が小さい多層膜反射鏡、その製造方法、及びこの多層膜反射鏡を使用した露光装置を提供すること。
【解決手段】
超電導磁石を用いたマグネトロンスパッタリング法で基板８１上に多層膜８３を形成することにより、プラズマから基板を遠ざけて成膜することができ、成膜中の膜へのダメージを低減することができる。その結果、多層膜界面に形成される拡散層を薄くすることができ、反射率の低下が小さい多層膜反射鏡８０を提供することができる。また、この高反射率の多層膜反射鏡８０を露光装置の光学系に用いることにより、高スループットで露光を行うことができる。 （もっと読む）