【課題】 イオンビームスパッタやマグネトロンスパッタ法で形成された、異なる２種類の膜材料界面で相互拡散や相互反応のない多層膜が形成可能なスパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】 炭化硼素を主成分としたターゲットにアルカリ金属又はアルカリ金属の化合物を１種又は２種以上含む炭化硼素（Ｂ４Ｃ）ターゲットで、前記アルカリ金属又はアルカリ金属の化合物は、リチウム（Ｌｉ）又はリチウム化合物を１種又は２種以上含む炭化硼素（Ｂ４Ｃ）ターゲットであるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 スプラッシュによる故障を防止し、スポット状欠陥の少ない高品質な機能性薄膜形成と、膜厚が安定した機能性薄膜形成が可能な真空蒸着方法の提供。
【解決手段】 蒸発源容器から原料を蒸発させ、基板上に蒸着膜を形成する真空蒸着方法において、原料を該蒸発源容器に入れる前に、前記蒸発源容器を洗浄手段を用いて洗浄液で洗浄し、乾燥した後に前記蒸発源容器に該原料を入れ、前記蒸発源容器を加熱し原料を蒸発させ、基板上に蒸着膜を形成することを特徴とする真空蒸着方法。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、熱拡散法によって形成した傾斜機能材層よりも高温揮発減耗を抑制し、電極チップの高温強度を向上させることで火花減耗に対する耐久性を向上させること及び更なる細径化を図り貴金属使用量を抑えて安価であることを実現するスパークプラグ用電極チップを提供することである。
【解決手段】
本発明に係るスパークプラグ用電極チップは、イリジウム又はイリジウム合金からなる芯材の表面に、イリジウムとロジウムを主成分とする合金からなる保護被膜を被覆する際に、保護被膜を気相法によって形成し、保護被膜の組成を、芯材の表面上においてはイリジウムのみ又はイリジウムを主成分とし、膜成長方向に沿ってロジウム含有量が連続的及び／又は段階的に増加すると共にイリジウム含有量が連続的及び／又は段階的に減少し、且つ、最表面においてはロジウムを７５〜１００質量％含有する組成とする。 （もっと読む）

【課題】 金属配線を２ステップスパッタにより形成する場合、金属配線の電気抵抗の上昇や、ばらつきを抑制しつつ、２ｎｄステップの初期段階におけるＡｌ膜の凝集によるカバレッジ不良を抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 １ｓｔＡｌ合金配線２を２ステップスパッタ法により形成する際、１ｓｔステップスパッタにより、下側Ａｌ合金膜２３を成膜し、続いて、スパッタにより、下側Ａｌ合金膜２３の表面上に、直接、Ｗ膜２４を成膜する。次いで、２ｎｄステップスパッタにより、Ｗ膜２４の表面上に、直接、上側Ａｌ合金膜２５を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 化学的方法や熱プラズマによる溶融精錬といった高価な方法を利用することなく、使用済みの高融点金属系ターゲット材から、高融点金属系粉末を容易にかつ安価に安定して製造する方法を提供する。
【解決手段】 使用済みの高融点金属系ターゲット材を、削出し処理してダライ粉とし、該ダライ粉を粉砕処理して微粉末とした後、さらに真空または還元雰囲気で熱処理をする高融点金属系粉末の製造方法である。また、使用済みの高融点金属系ターゲット材を、削出し処理してダライ粉とし、該ダライ粉を真空または還元雰囲気で熱処理をした後、さらに粉砕処理して微粉末とする高融点金属系粉末の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 充分な耐熱性や耐食性を有した低抵抗なＡｇ合金膜と、そのＡｇ合金膜の基板に対する密着性を高いレベルで確保できる新規な積層配線膜を提供する。
【解決手段】 基板上に形成される積層配線膜であって、０．１〜０．５原子％のＳｉおよび／またはＺｒ、０．１〜０．５原子％のＣｕを含有し、残部実質的にＡｇからなるＡｇ合金膜と該Ａｇ合金膜を覆う被覆膜からなり、該被覆膜はＭｏあるいはＭｏを５０原子％以上含有するＭｏ系膜である積層配線膜である。 （もっと読む）

成膜チャンバ（１１）の前段にロードロックチャンバ（１２）が、ダンパ等を介して連結されている。ロードロックチャンバ（１２）には、Ｎ_２ガス及び気体又は霧状のＨ_２Ｏが供給される配管が連結されている。この配管は、ベーパライザ（１３）から繋がっている。ロードロックチャンバ（１２）内には、ウェハ（２０）が載置される搬送部（１５）が設けられ、ロードロックチャンバ（１２）の外部には、液体窒素を用いて搬送部（１５）を冷却する冷却器（１４）が配置されている。搬送部（１５）の温度は、例えば−４℃に保持される。
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【課題】抵抗発熱体は種々の材料ソースあるいは基板加熱などに用いられ、近年あらゆる雰囲気で化学的に安定な発熱体材料が必要とされている。従来、炭化ケイ素、モリブデン、タンタル、タングステンを用いた発熱体が知られているが、薄膜化が困難であり、小さくできない。また形状も、板状、ワイヤー状に限られる場合が多く、熱効率がよい形状が望まれている。
【解決手段】MoSi₂の欠点を、RFマグネトロンスパッタリング装置などを用いて、るつぼ等に直接薄膜として堆積させることで改善し、高効率の加熱が可能な薄膜状のMoSi₂薄膜発熱体、および、基体にMoSi₂薄膜を形成した薄膜発熱器を提供する。薄膜層の劣化を防止するため第１電極と第２電極を設ける。 （もっと読む）

【課題】非晶質透明導電膜のアンカー効果を高めて接着力を向上させ、耐久性に優れた透明導電膜を得、また、ＡＣＦや検査用プローブとの接触抵抗を低減可能な透明導電膜を得ることを目的とする。
【解決手段】表面粗さの最大値であるRmaxの値が、１０ｎｍ以上であることを特徴とする非晶質透明導電膜を提供する。この非晶質透明導電膜と異方導電フィルム（ＡＣＦ）との間、及びこの非晶質透明導電膜と検査用プローブとの間、等に生じる接触抵抗を小さな値にすることができる。また、この非晶質透明明導電膜は、アンカー効果を従来より大きくでき、その結果、従来より耐久性の向上を図ることができる。
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スピン塗布によりレジストの被膜を形成する場合、無駄となってしまうレジスト材料が存在し、さらに、必要に応じて端面洗浄の工程が増えてしまう。また、真空装置を用いて、基板上に薄膜を成膜する際には、チャンバー内を真空にする特別な装置や設備が必要で、製造コストが高くなってしまう。本発明は、絶縁表面を有する基板上に、ＣＶＤ法、蒸着法又はスパッタ法により選択的に導電層を形成するステップと、前記導電層に接するように、組成物を吐出してレジストマスクを形成するステップと、前記レジストマスクを用いて、大気圧又は大気圧近傍下で、プラズマ発生手段により前記導電層をエッチングするステップと、大気圧又は大気圧近傍下で、前記プラズマ発生手段により前記レジストマスクをアッシングするステップを有することを特徴とする。上記特徴により、材料の利用効率を向上させて、製造コストの低減を実現する。
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【課題】凹部内の配線におけるボイドを減少させることが可能であり、かつ配線の信頼性を確保することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】めっき膜４上に、めっき膜４を構成している金属の熱膨張率に対して６０％以下の熱膨張率を有する物質からなる圧縮応力印加膜５を形成し、圧縮応力印加膜５によりめっき膜４に圧縮応力を印加しながら熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】 膜の界面の粗さ及び表面粗さを低減し、優れた光学特性を有する多層膜ミラーを比較的低コストで製造することができる多層膜ミラーの製造方法及び多層膜ミラーを提供する。
【解決手段】 第１の物質からなる第１の層と、前記第１の物質とは異なる第２の物質からなる第２の層とを積層した多層膜を有し、所定の光を反射する多層膜ミラーの製造方法であって、前記多層膜を成膜するステップであって、前記第１の層を第１の成膜条件で形成する第１の形成ステップと、前記第２の層を第２の成膜条件で形成する第２の形成ステップと、前記第１の成膜条件又は前記第２の成膜条件とは異なる第３の成膜条件で前記第１の層又は前記第２の層を形成する第３の形成ステップとを有するステップを有することを特徴とする製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 使用中に極めて変形が少なく、亀裂、割れなども起こらず、安定使用することが出来る蒸着用発熱体を提供すること。
【解決手段】 真空装置の蒸発源４０を蒸発させる蒸着用発熱体１０において、電力導入電極３０に固定される抵抗加熱体部分と蒸発源を蒸発させる抵抗加熱体部分を分離し、これらを伸縮させられることが出来る緩衝構造体１で再結合した。 （もっと読む）

【課題】
基材の端部を遮蔽することなく、基材端部にまで有効な真空薄膜を製造する方法を提供する。本発明により、基材の端部まで全面が均一な真空薄膜を得ることができる。
【解決手段】
基材上に真空薄膜を形成する方法において、該基材が該基材の幅より大きな幅を持つ支持体に近接または接触しており、かつ該基材の両端部のさらに外側に該支持体がはみ出し、該支持体のはみ出した部分に被覆シートを配設させた状態で成膜することを特徴とする真空薄膜の製造方法。
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組織の結合または貫通する厚さの勾配を有しないかまたは最小であることにより特徴付けられるモリブデンスパッタリングターゲットおよび焼結体。微細な、均一な粒度および均一な組織を有するモリブデンスパッタリングターゲットは高い純度であり、性能を改良するためにミクロ合金化できる。スパッタリングターゲットは丸い円板、正方形、長方形、または管状であってもよく、基板に薄膜を形成するために、スパッタすることができる。セグメント形成法を使用することにより、スパッタリングターゲットの大きさは６ｍ×５.５ｍｍまでであってもよい。薄膜を電子部品、例えば薄膜トランジスター、液晶ディスプレー、プラズマディスプレーパネル、有機発光ダイオード、無機発光ダイオードディスプレー、電界発光ディスプレー、太陽電池、センサー、半導体装置および調節可能な仕事関数を有するＣＭＯＳ（相補的金属酸化物半導体）のゲート装置に使用される。
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【課題】 金属吸着法を用いて均一な単原子ステップを有する固体結晶表面を形成する方法を提供する。
【解決手段】 固体結晶の両端に直流電圧を印加して所定の温度に加熱する段階と、直流電圧印加を保持しつつ、所定の温度に加熱された固体結晶の表面に金属原子を所定の蒸着速度で蒸着することで、固体結晶の表面に当該固体結晶を構成する原子の単原子ステップを形成する段階と、を含む固体結晶表面の形態制御方法。 （もっと読む）

【課題】環境温度の上昇、また昇温と降温の繰り返しなどの条件下において、被覆されたＤＬＣ膜の亀裂や剥離の発生を抑制する半導体加工装置用部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、被覆層を１層以上有する金属製基材からなる半導体加工装置用部材であって、前記被覆層の最外層が水素含有量１８〜４０ａｔ％のダイヤモンドライクカーボン層である。また、本発明の半導体加工装置用部材の製造方法は、金属製基材表面又は被覆層を１層以上有する金属製基材の最外層に、炭化水素含有ガス雰囲気下で、パルス幅が１μＳ〜２０ｍＳ、印加電圧が−１〜−５０ｋＶ、パルス繰り返しが１０００〜８０００ｐｐｓのパルス電圧を印加することにより発生するプラズマによってアモルファスカーボンを析出させるものである。 （もっと読む）

【課題】 従来のスパッタリング装置用のマグネトロンカソード電極では、処理基板の周囲に設けたアノードの影響を受けて、処理基板全面に亘って比抵抗値などの膜質が均一な薄膜を得ることが困難であった。
【解決手段】 処理基板Ｓに対向して設けたターゲットＴの後方に、中央磁石３５ｂと周辺磁石３５ｃとから構成される磁石組立体３５を設ける。中央磁石の同磁化に換算したときの体積を各周辺磁石の同磁化に換算したときの体積と比較して小さく設定して前記磁石組立体を構成し、処理基板中央領域での磁場強度を局所的に高める。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は、加工チャンバ内に配設された遮蔽体２２の面と相互接触する絶縁体１３２を有するコイル支持組立体１３０を備えている。絶縁体１３２は遮蔽体２２を貫通して延びる伸長部を有する。第二の絶縁体１３１が遮蔽体２２とコイル２６との間に配設され且つコイルから延びる突出部４０と接触する。締結具１３４は、第一の絶縁体１３２を通して配設され且つ第二の絶縁体１３１を通って突出部４０内に延びる。締結具１３４は、第一の絶縁体１３２により遮蔽体２２から電気的に隔離されている。本発明は、上述したコイル支持体の形態を保持するコイル組立体を含む。本発明は、その内部に配設された遮蔽体を有する加工チャンバ内にてコイルを支持する方法を更に含む。絶縁体は、遮蔽体の外側部から遮蔽体の厚さを通って延びるように挿入される。コイルは、締結具を挿入することによりチャンバ内に取り付けられる。本発明は、加工チャンバ内に配設された遮蔽体の面と相互接触する絶縁体を有するコイル支持組立体を備えている。絶縁体は遮蔽体を通って延びる遮蔽体を有する。第二の絶縁体は、遮蔽体とコイルとの間に配設され且つコイルから延びる突出部と接触する。締結具は、第一の絶縁体を通して配設され且つ第二の絶縁体を通って突出部内に延びる。締結具は第一の絶縁体により遮蔽体から電気的に隔離される。本発明は、上述したコイル支持体の形態を保持するコイル組立体を含む。本発明は、その内部に配設された遮蔽体を有する加工チャンバ内にコイルを支持する方法を更に含む。絶縁体が遮蔽体の外側部から遮蔽体の厚さを通って延びるよう挿入される。コイル本体から外方に突出するボス内に締結具を絶縁体の各々を通して挿入することによりコイルがチャンバ内に取り付けられる。
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スパッタリング対象物用の大型のＭｏビレットあるいはＭｏバーを製造する方法であって、Ｍｏを含有する二つ以上のボディは、その隣接したボディ間の隙間または結合部にＭｏ金属粉が存する状態で、相互隣接して配置されている（例えば一方が他方に積み重なっている）。この隣接したボディは、機械加工する等して大型のスパッタリング対象物を形成可能なビレットまたはバーを提供するため、隣接ボディ間の結合部で金属−Ｍｏ粉層−金属の拡散接合すべく熱間等方加圧される。相互近接して配置されるボディの数や寸法は、スパッタリング対象物として適切な大型のビレットやバーを産出できるように要望に応じて選択される。スパッタリング対象のためのビレットまたはバーは、粒度３０ミクロン未満の等軸粒子からなるミクロ構造を呈するとともに、重量比で約１００ｐｐｍの低酸素含有量となっている。
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