【課題】拡散現象は、加熱時間が長かったり、加熱が繰り返されたりすると、より生じやすい。拡散現象が進行すると、その電気抵抗率が高くなるから、電熱層の電気抵抗率と温度との関係が経時変化することになる。特に、高温になるとその経時変化が顕著に生じやすい。従って、ヒータをサーミスタとして用いる場合、使用するごとに、その温度測定精度が低下してしまい、使用するごとに温度・電気抵抗率の補償をしなければならい。温度・電気抵抗率の特性の経時変化を起こりにくくするとともに、温度測定精度の低下を抑えるようにする。
【解決手段】サーミスタ兼電熱ヒータ１は、絶縁性の基材２の上に直接形成され、金属モリブデン又は金属タングステンを含む下地層３と、下地層３の上に直接形成され、金を含む電熱層４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高ＯＮ／ＯＦＦ比を有し、且つ動作安定性に優れた酸化物半導体を用いた薄膜電界効果型トランジスタの製造方法を提供することにある
【解決手段】ゲート電極２を形成する工程、ゲート絶縁膜３を形成する工程、酸化物半導体よりなる活性層を形成する工程、該活性層に接して該活性層より電気伝導度の低い酸化物半導体よりなる抵抗層６を形成する工程、該抵抗層の一部を低抵抗化処理することにより所定の間隔を離して少なくとも２つの低抵抗領域を形成する低抵抗化処理工程であって、該２つの低抵抗領域に挟まれた低抵抗化処理が施されなかった領域（未低抵抗化領域）が、平面上、前記ゲート電極の内側に形成され、及び前記２つの低抵抗領域のそれぞれと接してソース電極及びドレイン電極を形成する工程を有する薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ターゲットと磁石ユニットとの距離の調整の自由度を高めることができるスパッタリングカソードを提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るスパッタリングカソードは、ターゲット１の裏面に対向する位置に配置される複数の磁石ユニット７と、ターゲット１と磁石ユニット７との間の距離を各々の磁石ユニット７ごとに個別に調節する距離調節機構とを有する。また、スパッタリングカソードは、複数の磁石ユニット７をターゲットの裏面に平行に往復移動させる往復移動機構を有する。複数の磁石ユニット７、距離調節機構及び往復移動機構を、真空排気することが可能な磁石室に収容しても良い。 （もっと読む）

【課題】第一ターゲット１７ａ及び第二ターゲット１７ｂが、それぞれ基板６及び他のターゲットに対して斜めに対向して配置され、基板６を搬送経路１５に沿って搬送しながら成膜する連続方式のスパッタリング装置において、高品質の膜が得られるようにすると共に、粒子のチャンバー３内拡散を防止できるようにする。
【解決手段】第一ターゲット１７ａと第二ターゲット１７ｂとの間の空間の搬送経路１５側への延長領域を挟んで、搬送経路１５と、第一ターゲット１７ａ及び第二ターゲット１７ｂとの間に、少なくとも基板６の搬送方向に対向するシールド１９ａ，１９ｂを設ける。 （もっと読む）

コーティングシステム１は、ロックインチャンバ３とロックアウトチャンバ４を含む。更に、コーティングシステムは、ロックインチャンバ３及びロックアウトチャンバ４に接続された第１搬送チャンバ５を含む。搬送チャンバ５内には、第１可回転搬送モジュール６が配置されている。基板ホルダー７ａ、７ｂは、ロックインチャンバ３及びロックアウトチャンバ４にそれぞれ整列して配置されるように、中心軸の周りに回転してもよい。コーティングステーション１は、第１プロセスチャンバ８と第２プロセスチャンバ９を更に含んでいる。更に、コーティングシステム１は、第３基板ホルダー１２ａ及び第４基板ホルダー１２ｂを含む第２可回転搬送モジュール１１を有する第２搬送チャンバ１０を含んでいる。第２搬送チャンバは、第３プロセスチャンバ１３及び第４プロセスチャンバ１４のみならず第１プロセスチャンバ８及び第２プロセスチャンバ９に接続される。第３プロセスチャンバ１３及び第４プロセスチャンバ１４は、第２搬送チャンバ１０において並列に、即ち、クラスタ配置のように配置される。本発明は、フォワードパスＦからリターンパスＲまで、及びその逆に、基板を移動するために構成される２つの搬送チャンバ５及び１０間において、フォワードパスＦ及びリターンパスＲ上にそれぞれ配置される２つの並列なコーティングチャンバ８及び９のサンドイッチアレンジメントによってシステムの利便性を向上させる可能性を提供する。
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【課題】 可撓性を有し、変換効率が高いＣＩＳ系太陽電池を提供する。
【解決手段】 芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジアミン成分とから得られるポリイミドフィルムであって、２５℃から５００℃までの寸法変化率が、初期の２５℃での寸法を基準にして、−０．３％〜＋０．６％の範囲内であるポリイミドフィルムを基板として使用する。 （もっと読む）

【課題】 複数枚のターゲットを並設し、この並設したターゲットに、複数台のバイポーラパルス電源を介してバイポーラパルス状に電力投入してスパッタリング法を実施する際に、簡単な制御でスイッチングノイズの影響を受け難くしてターゲットに精度よく投入電力できるようにする。
【解決手段】 対をなすターゲット毎に、直流電力供給源からの正負の直流出力端に接続したブリッジ回路５２の各スイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ４のオン、オフを切換えてバイポーラパルス状に電力供給し、各ターゲットをスパッタリングするスパッタリング方法において、前記直流電力供給源からの正負の直流出力間に設けた出力短絡用スイッチング素子ＳＷ０の短絡状態で前記スイッチング素子のオン、オフの切換えを行うと共に、出力短絡用スイッチング素子の切換えのタイミングをブリッジ回路毎に相互にずらす。 （もっと読む）

【課題】 応力緩和層や反射層の、面内の膜質の差に起因する応力分布を除去する。
【解決手段】 基板１０上に応力緩和層１２を介して反射層１１を積層する。応力緩和層１２は、反射層１１の内部応力を相殺するための、均一な膜厚分布をもつ応力緩和部１２ａと、膜厚分布を二次偶関数近似した応力分布除去部１２ｂを有する。応力は膜厚にほぼ比例するので、任意の膜厚分布を形成することで応力分布を制御することができるが、設計値による膜厚分布を変えることは光学特性の劣化につながる。そこで、応力分布を除去するための応力分布除去部１２ｂの膜厚分布を二次偶関数で近似することで、膜厚分布による収差を光学系の調整によって低減可能とする。 （もっと読む）

【課題】微細な開口部、かつ高アスペクト比を持つトレンチ又はホール内を金属材料で埋め込む方法の提供。
【解決手段】円筒状トリガ電極１３と蒸発材料部材１２ａを有する円柱状カソード電極１２とが、円筒状絶縁碍子１５を介して同軸状に隣接して固定されて配置され、カソード電極の周りに同軸状にアノード電極１１が離間して配置されている同軸型真空アーク蒸着源１を用い、トリガ電極とカソード電極との間にトリガ放電を発生させ、カソード電極とアノード電極との間に間欠的にアーク放電を誘起させ、蒸発材料部材から生成される荷電粒子を真空チャンバー内に放出させ、トレンチ又はホール内へ金属材料を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】大口径で貫通転位の少ないＧａＮ系半導体基板、その製造方法および半導体素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮテンプレート基板１０は、ＺｎＯ単結晶基板１１と、この基板１１の裏面１１ａと側面１１ｂに形成された保護膜１２と、ＺｎＯ単結晶基板１１の表面１１ｃに形成された界面層１３と、界面層上に形成されたＺｎＯ単結晶基板１１と格子整合するＩｎＧａＮ層１４と、ＩｎＧａＮ層上に形成された数μｍ以上の厚いＧａＮ層１５と、を備える。転位密度の小さいＺｎＯ単結晶基板１１に格子整合して成長されたＩｎＧａＮ層１４を有するＩｎＧａＮ／ＺｎＯ複合基板を下地としてＧａＮ層１５が成長されているので、ＧａＮ層１５の貫通転位密度が大幅に低減されている。ＧａＮ層１５を成長する際に、ＺｎＯ単結晶基板１１がアンモニアによって破壊されるのを保護膜１２により抑制でき、ＩｎＧａＮ層やＧａＮ層へのＺｎ，Ｏの混入を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族カルコパイライト化合物の結晶配向性を改善し、光電変換効率の向上を図ることが可能なＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族カルコパイライト型薄膜系太陽電池およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に少なくとも、積層構造の金属裏面電極１０と、ｐ型Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族カルコパイライト型化合物半導体５とが順次積層され、更に透明電極７が積層されてなるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族カルコパイライト型薄膜系太陽電池であり、積層構造の金属裏面電極１０の少なくとも、ｐ型Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族カルコパイライト型化合物半導体５に接する層が体心立方構造を有し、その結晶配向性が主として（００２）配向を有し、かつ、その体心立方構造のａ軸の格子定数が面内方向で異なった値を持つことを特徴とするＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族カルコパイライト型薄膜系太陽電池。 （もっと読む）

【課題】突発的なパーティクルの発生を低減し、膜質及び薄膜製造効率の向上を実現することができるスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、マグネトロンスパッタリング装置用のスパッタリングターゲットの製造方法であって、ターゲット本体を準備し、前記ターゲット本体表面の非エロージョン領域をブラスト処理し、前記非エロージョン領域を超音波洗浄し、前記超音波洗浄した前記非エロージョン領域をエッチングし、または洗浄液でジェット洗浄し、前記非エロージョン領域を再度超音波洗浄する。 （もっと読む）

【課題】アーキングの発生を確実に低減し、かつ割れおよびクラックの発生を抑制できるスパッタリングターゲット材、およびこれから得られるスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲット材は、矩形状のスパッタリング面、矩形状の側面および矩形状のボンディング面を有する略板状のスパッタリングターゲット材において、該スパッタリングターゲット材を構成する複数の面のうち、少なくとも３つの面が当接することにより形成されるコーナー部に、面取り処理が施されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】軟Ｘ線多層膜光学素子に十分な耐久性を持たせ、かつ反射特性を向上させること。
【解決手段】軟Ｘ線多層膜ミラー１００の製造方法は、Ｓｉ層２とＭｏ層３とからなる多層膜４と、この多層膜の最表層３ｅに重ねて設けられた保護膜用Ｓｉ層５とＣ層６とからなる保護膜７とを備えた、軟Ｘ線を反射する軟Ｘ線多層膜ミラー１００の製造するものであり、多層膜４をＡｒガスによるスパッタリングによって形成した後、多層膜４に保護膜７を形成し、保護膜７にＸｅ８を含有させて、軟Ｘ線多層膜ミラー１００を製造する。 （もっと読む）

【課題】高い耐久性と十分な本物感とが有利に表現され得る加飾樹脂成形品を提供する。
【解決手段】基材１２の意匠面１８に、物理蒸着法又は化学蒸着法により金属薄膜２０を直接に形成して、金属調の加飾を施すと共に、該金属薄膜２０に対して、該基材１２と該金属薄膜２０の両方に付着する特性を備えた透明な塗膜からなるトップコート層２２を１０〜４０μｍの厚さで形成して、構成した。 （もっと読む）

【課題】３００℃以上の温度でのプレス加工するプリント配線基板の製造に用いても、キャリアと銅箔層との引き剥がし可能なキャリアシート付銅箔の提供を目的とする。
【解決手段】前記課題を解決するために、キャリアシートの表面に接合界面層を介して銅箔層を有し、当該キャリアシートが物理的に引き剥がし可能なキャリアシート付銅箔であって、当該接合界面層は、金属層と炭素層とからなることを特徴とするキャリアシート付銅箔を採用する。そして、前記接合界面層は、厚さ１ｎｍ〜５０ｎｍの金属層と、厚さ１ｎｍ〜２０ｎｍの炭素層とで構成されたものとすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】周期表上でＶＩ族に属するモリブデン及びタングステンの安定した面心立方格子構造を有するモリブデン若しくはタングステン粒子又は該粒子からなる薄膜及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】面心立方格子（ｆｃｃ）結晶構造をもつ粒子であり、熱力学的に安定又は準安定である大径の粒子構造を備えていることを特徴とするモリブデン若しくはタングステン粒子又は該粒子からなる薄膜。面心立方格子（ｆｃｃ）結晶構造であり、かつ５回対称粒子構造を備えたモリブデン若しくはタングステン粒子又は該粒子からなる薄膜。 （もっと読む）

【課題】位相制御素子の故障を検出することのできる電子ビーム発生装置を提供する。
【解決手段】交流電力の導通角を制御する位相制御手段３と、前記位相制御手段により位相制御された交流電力を昇圧整流し直流電圧に変換する昇圧整流回路４，５と、前記直流電圧が加速電圧として供給される電子銃８と、前記加速電圧を検出した検出信号に基づいて加速電圧が一定になるように前記位相制御手段を制御する制御回路１５とを備えた電子ビーム発生装置において、前記加速電圧を検出した検出信号に基づいて加速電圧の脈動分の増加を検出する異常検出回路を設けた。 （もっと読む）

【課題】欠陥孔内を被覆して厚さが均一で表面性状に優れる金属層を形成することが可能な金属化フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁体１の表面に金属層４が形成された金属化フィルムの製造方法であって、絶縁体１の表面に乾式めっき法により下地金属膜４を形成する工程と、絶縁体の１下地金属膜４を形成した面に有機モノマー含有液を接触させ、下地金属膜４の欠陥孔内の絶縁体１表面に導電性有機ポリマー皮膜を選択的に形成することにより、欠陥孔内を被覆する工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、圧延／焼結方法による、高密度の、耐熱性金属生成物の製造方法に関する。本発明は、スパッタリングターゲットの製造方法、及びこのように製造されたスパッタリングターゲットにも関する。 （もっと読む）