説明

基板をコーティングするためのコーティングシステム及び方法

コーティングシステム1は、ロックインチャンバ3とロックアウトチャンバ4を含む。更に、コーティングシステムは、ロックインチャンバ3及びロックアウトチャンバ4に接続された第1搬送チャンバ5を含む。搬送チャンバ5内には、第1可回転搬送モジュール6が配置されている。基板ホルダー7a、7bは、ロックインチャンバ3及びロックアウトチャンバ4にそれぞれ整列して配置されるように、中心軸の周りに回転してもよい。コーティングステーション1は、第1プロセスチャンバ8と第2プロセスチャンバ9を更に含んでいる。更に、コーティングシステム1は、第3基板ホルダー12a及び第4基板ホルダー12bを含む第2可回転搬送モジュール11を有する第2搬送チャンバ10を含んでいる。第2搬送チャンバは、第3プロセスチャンバ13及び第4プロセスチャンバ14のみならず第1プロセスチャンバ8及び第2プロセスチャンバ9に接続される。第3プロセスチャンバ13及び第4プロセスチャンバ14は、第2搬送チャンバ10において並列に、即ち、クラスタ配置のように配置される。本発明は、フォワードパスFからリターンパスRまで、及びその逆に、基板を移動するために構成される2つの搬送チャンバ5及び10間において、フォワードパスF及びリターンパスR上にそれぞれ配置される2つの並列なコーティングチャンバ8及び9のサンドイッチアレンジメントによってシステムの利便性を向上させる可能性を提供する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板を処理するためのコーティングシステムに関する。このシステムは、第1プロセスチャンバ及び第2プロセスチャンバを含むチャンバアレンジメントを含み、前記第1プロセスチャンバは前記コーティングシステムのインライン部のフォワードパスに配置され、前記第2プロセスチャンバは前記コーティングシステムのインライン部のリターンパスに配置される。更に本発明は、特に上述のようなコーティングシステム内で、基板をコーティングするための方法に関する。
【従来技術】
【0002】
多くの技術アプリケーションにおいて、コーティングステップのシーケンス中において多層スタックが基板に堆積される。例えば、TFT(薄膜トランジスタ)金属化プロセスにおいて、2又は3の異なる金属がスパッタリングプロセスで堆積する。異なるプロセスステップではコーティングレートが異なるため、及び層の厚さが異なるため、異なる層を成膜するためのコーティングステーションにおける処理時間はかなり異なるかもしれない。
【0003】
多層スタックを堆積するために、コーティング及び処理チャンバの多くの構成が提案されてきた。例えば、コーティングチャンバのクラスタ配置のみならずコーティングチャンバのインライン配置が使用される。典型的なクラスタ配置は、中央のハンドリングチャンバとそれに接続された多くのコーティングチャンバを含む。同じ又は異なるコーティングプロセスを実行するためにコーティングチャンバを備えてもよい。しかしながら、インラインシステムではプロセスのハンドリングは非常に簡単であるが、処理時間は最も長い処理時間によって決定される。従って、プロセスの効率は影響を受ける。他方、クラスタツールは異なるサイクルタイムを可能にする。しかしながら、ハンドリングがかなり複雑であり、中央のハンドリングチャンバに提供される手の込んだ搬送システムを必要とする。
【0004】
インライン及びクラスタ概念を組み合わせる代替概念が、EP1801843A1に記述されており、その内容は参照として本明細書に組み込まれる。文献は、ロックインチャンバと、第1金属化プロセスのための金属化ステーションと、中央のハンドリングチャンバと、第2金属化プロセスのための2つの金属化ステーションと、第1プロセスのための第2金属化ステーションとを有するTFT層スタックを堆積させるためのコーティングシステムについて記述している。第2プロセスのための金属化チャンバは、互いに並列に配置されており、交互に使用される。第1金属化のプロセスのためのプロセスチャンバは、あらゆる基板が両方のチャンバで処理されるようにインラインに配置されている。インライン及びクラスタ概念の組み合わせは、スループットを向上させると同時にハンドリングの複雑性を最小化するので、この組み合わせによってシステムのサイクルタイムが縮小する。
【0005】
US2007/020903A2は、フィルムスタックを作るための方法及び基板上にフィルムスタックを形成するための処理システムを開示している。
【0006】
しかしながら、例えば、スパッタリングターゲットを変えるために、ある特定のコーティングチャンバがメンテナンス又はクリーニングプロセスを施さなければならないとき、コーティングシステムの動作を完全に止めなければならない。
【本発明の目的】
【0007】
特にTFT金属アプリケーションに対して、コーティングシステムの全体的なスループットと効率を向上させることが、本発明の目的である。
【技術的解決】
【0008】
この目的は、請求項1に係るコーティングシステム及び請求項11に係る基板をコーティングするための方法を提供することによって解決される。従属クレームは本発明の好ましい構成について言及している。
【0009】
本発明に係る基板を処理するためのコーティングシステムは、第1プロセスチャンバ及び第2プロセスチャンバを含むチャンバアレンジメントを含み、第1プロセスチャンバはコーティングシステムのインライン部のフォワードパスに配置され、第2プロセスチャンバはコーティングシステムのインライン部のリターンパスに配置されることを含んでいる。第1プロセスチャンバ及び第2プロセスチャンバは共に、第1インライン部のフォワードパスから第2インライン部のリターンパスまで及びその逆に基板を移動するために構成される第1搬送チャンバと第2搬送チャンバの間に配置される。
【0010】
通常の動作モード、すなわち第1及び第2プロセスチャンバの両方が稼働中であるならば、フォワードパスはロックインチャンバから第2搬送チャンバまでの基板の移動パスとして画定され、リターンパスは第2搬送チャンバからロックアウトチャンバまでの基板の移動パスとして画定される。輸送パスに沿った輸送のために、基板は基板キャリア内にサポートされてもよい。基板は基板キャリアに取り付けられてもよい。別の実施形態では、基板はキャリアなしで、例えばエアークッション輸送システムによってコーティングシステムを通過してもよい。
【0011】
第1プロセスチャンバ及び第2プロセスチャンバは、ロックイン/ロックアウトステーション及び第1搬送チャンバと並列に及びインラインに配置される。第1搬送チャンバは、ロックイン/ロックアウトステーションと第1プロセスチャンバ及び第2プロセスチャンバの間に配置され、ロックイン/ロックアウトステーションから受け取った基板を第1プロセスチャンバ及び第2プロセスチャンバへそれぞれ移動するために構成される。更に、コーティングシステムは、第1プロセスチャンバ及び第2プロセスチャンバと共にインラインに配置される第2搬送チャンバを含み、第1プロセスチャンバ又は第2プロセスチャンバから受け取った基板を別のチャンバまで移動するために構成されている。
【0012】
プロセスチャンバはどんな処理ステーション、特に第1基板上にレイヤ又はレイヤスタックを堆積するためのコーティングステーションであってもよい。TFTコーティングプロセスにおいて、2、3又はそれ以上の金属層が第1基板上に堆積される。第1プロセスチャンバ及び第2プロセスチャンバは、例えば、第1スパッタリングプロセスによってMo層を提供するための金属コーティングステーションであってもよい。第3プロセスチャンバ及び第4プロセスチャンバは、例えば、第2スパッタリングプロセスによって第1基板上にAl層を提供するための金属コーティングステーションであってもよい。例えば、第2、第3、第4基板等のような更なる基板が、コーティングシステムに入り、連続的及び第1基板と同時にコーティングシステム内で処理されてもよい。すなわち、異なるプロセスと移動ステップが重なってもよい。
【0013】
コーティングシステムはハンドリング及びプロセスステーションの特定のアレンジメントによって特徴付けられる。両方の搬送チャンバは、それぞれのプロセスチャンバから基板を受け取り、第1及び第2プロセスチャンバの両方に基板を送り出してもよい。従って、第1又は第2プロセスチャンバのうちの1つが修理、メンテナンス、クリーニング等のためにシャットダウンしたときに、第1及び第2プロセスチャンバのもう一方が依然として稼働して、プロセスチャンバを通過して基板を処理してもよい。もちろん、第1又は第2プロセスチャンバの1つがシャットダウンすると、各基板が第1又は第2プロセスチャンバのうちのどちらか一方を双方向に通過するので、基板を処理するためのサイクルタイムは増加する。従って、第1又は第2プロセスチャンバが欠けたためのボトルネックがインラインパス中にある。フォワードパス及びリターンパスがある特定のプロセスチャンバを共有するとき、全コーティングシステムのスループット及び効率は減少する。しかしながら、コーティングシステム全体の稼働を停止しなければならないことを避け、こうしてコーティングシステムの有用性を改善してもよい。
【0014】
EP1801843A1に記載されている概念と比較すると、ある特定のコーティングステーションと並列に配置された対応するコーティングステーションを使用することで、インラインパス上の基板が特定のコーティングステーションを迂回することができる更なる搬送チャンバが導入されている。この発明の概念は、あらゆるコーティングシステムに適用されてもよく、そこではインラインシステム(又は組み合わされたインラインクラスタシステム)のフォワードパス内のプロセスチャンバは、インラインシステム(又は組み合わされたインラインクラスタシステム)のリターンパス内の対応するプロセスチャンバに並列に配置され、フォワードパスからリターンパスに又はその逆に変わることによって、2つのチャンバのうちの1つを迂回するために、基板がフォワードパス(又はリターンパス)上に輸送されることを可能にする第1搬送チャンバと第2搬送チャンバの間に両プロセスチャンバは配置される。第3及び第4コーティングチャンバへそれぞれ向かう途中に、そして第3及び第4コーティングチャンバからそれぞれ戻る途中に、両プロセスチャンバ内で通常同じプロセスが実行されるとき、この概念は特に適している。
【0015】
チャンバアレンジメントは、基板をコーティングシステム内に閉じ込めるための、及び/又は基板をコーティングシステムから締め出すためのロックイン/ロックアウトステーションをそれぞれ含んでいるのが好ましい。第1プロセスチャンバ及び第2プロセスチャンバは、ロックイン/ロックアウトステーション、第1搬送チャンバ、及び第2搬送チャンバとインラインに配置される。
【0016】
特に、第1プロセスチャンバ及び第2プロセスチャンバは、第1コーティングプロセスによって基板上に層を堆積するためのコーティングツールを含む。第1コーティングプロセスは、例えば、Moの金属化プロセスのような金属化プロセスであってもよい。コーティングプロセスはスパッタリングプロセスであってもよい。
【0017】
本発明の好ましい実施形態において、チャンバアレンジメントは、基板を処理するために少なくとも第3プロセスチャンバを含んでおり、第3プロセスチャンバは第2搬送チャンバと連結されている。
【0018】
特に、チャンバアレンジメントは、第2搬送チャンバと連結される第3プロセスチャンバに並列に配置された第4プロセスチャンバを含む。第4プロセスチャンバは、第3プロセスチャンバに並列に配置されてもよく、第2搬送チャンバは、第1プロセスチャンバ及び第2プロセスチャンバから受け取った基板を、第3プロセスチャンバ又は第4プロセスチャンバのいずれかにそれぞれ移動するように構成される。第3プロセスチャンバ及び第4プロセスチャンバ内では、同じコーティングが行われてもよく、例えば、第3及び第4プロセスチャンバは、スパッタリングプロセスによってAl層を基板上に堆積するための金属コーティングステーションであってもよい。TFTシステムのAl層の厚さは上下に横たわるMo層の厚さよりもはるかに大きいという事実のため、第3プロセスチャンバ及び第4プロセスチャンバはクラスタツールとして操作される。例えば、それらは第2搬送チャンバから交互に積み込まれる。
【0019】
実際、第1搬送チャンバは、第1及び第2プロセスチャンバ及び/又はロックイン/ロックアウトチャンバのうちの少なくとも2つの間に基板を移動するために提供される。第2搬送チャンバは、第1、第2、第3、及び/又は第4プロセスチャンバのうちの少なくとも2つの間に基板を移動するために提供される。第1及び/又は第2搬送チャンバは、真空搬送チャンバであってもよい。
【0020】
通常のプロセスにおいて、第1基板は、ロックインチャンバから、第1基板ホルダーに沿った第1搬送チャンバを通って、その内部で第1コーティングを得るための第1プロセスチャンバ内までフォワードパスに沿って輸送される。そして、第1は、第2搬送チャンバ内まで、及びその内部で第2コーティングを得るための第3プロセスチャンバと第4プロセスチャンバのどちらか一方の中まで輸送される。その後、第1基板は、その内部で第3コーティングを得るための第2プロセスチャンバ内まで、第2搬送チャンバを通ってリターンパス上を戻って輸送される。そして、第1基板は、第1搬送チャンバを通ってコーティングシステムからコーティングされた基板を取り去るためのロックアウトチャンバ内まで輸送される。
【0021】
あるいは、例えば第1コーティングチャンバが稼働していないとき、フォワードパス上を輸送される基板は、第1コーティングを得るために、代わりに第2プロセスチャンバへ移動されてもよい。あるいはまた、第1搬送チャンバへ戻る途中で、リターンパス上を輸送される基板は、例えば、第2コーティングチャンバが稼働していないとき、第3コーティングを得るために、第2コーティングチャンバの代わりに第1プロセスチャンバへ移動されてもよい。
【0022】
第1プロセスチャンバ及び第2プロセスチャンバが稼動しているときはいつでも、組み合わされたインラインクラスタシステムは高効率に備えている。もしも1以上のチャンバが使用できないならば、システムは依然として効率を下げて動作するかもしれないが、コーティングシステムの利用可能性はほぼ連続的に保証されているかもしれない。
【0023】
第3プロセスチャンバ及び第4プロセスチャンバが、第2コーティングプロセスを使用することで基板上に層を堆積するためのコーティングツールを含んでいるのは好ましい。第2コーティングプロセスは、例えばAl金属化プロセスのような金属化プロセスであってもよい。第2コーティングプロセスはスパッタリングプロセスであってもよい。
【0024】
第1プロセスチャンバ及び第2プロセスチャンバは、第1コーティングプロセスを提供するために構成され、第3プロセスチャンバ及び第4プロセスチャンバは、第2コーティングプロセスを提供するために構成される。例えば、TFTコーティングシステムにおいて、第1プロセスは第1金属化プロセスであってもよく、第2プロセスは第2金属化プロセスであってもよい。一方又は両方のプロセスが、スパッタリング法を使用することで実行されてもよい。
【0025】
特に、ロックイン/ロックアウトステーションは、ロックインチャンバとロックアウトチャンバを含んでいる。ロックインチャンバは、コーティングシステム内で処理される基板のフォワードパスの始まりを画定し、ロックアウトチャンバは、基板のリターンパスの終わりを画定する。例えば、フォワードパスはロックインチャンバと第2搬送チャンバの間で画定され、リターンパスは第2搬送チャンバとロックアウトチャンバの間で画定される。パス上に配置されたチャンバが、例えばメンテナンス目的により稼動していないとき、フォワードパス又はリターンパスは中断してもよい。しかしながら、第1搬送チャンバ及び第2搬送チャンバアレンジメントによって、基板はリターンパス及びフォワードパス上のプロセスチャンバをそれぞれ迂回することができる。それは、第1及び第2搬送チャンバが、コーティングシステムのフォワードパスからリターンパスまで、及びその逆に基板を移動させるように構成されているからである。
【0026】
第1搬送チャンバは、第1プロセスチャンバ及び第2プロセスチャンバに接続され、第1プロセスチャンバ及び第2プロセスチャンバは、第2搬送チャンバに接続され、第3プロセスチャンバ及び第4プロセスチャンバは、第2搬送チャンバに接続されるのが好ましい。
【0027】
第1搬送チャンバは、基板を保持するための少なくとも1つの基板ホルダーを有する第1可回転モジュールを含んでもよい。第1可回転モジュールは、そこから基板を受け取るための第1プロセスチャンバ、第2プロセスチャンバ、ロックインチャンバ及び/又はロックアウトチャンバに対して基板ホルダーを揃えるために構成されるか、又は搬送チャンバ内で受け取った基板をそれぞれのチャンバへ送るために構成される。
【0028】
第2搬送チャンバは、基板を保持するための少なくとも1つの基板ホルダーを有する第2可回転モジュールを含んでもよい。第2可回転モジュールは、そこから基板を受け取るための第1プロセスチャンバ、第2プロセスチャンバ、第3プロセスチャンバ及び/又は第4プロセスチャンバに対して基板ホルダーを揃えるために構成されるか、又は搬送チャンバ内で受け取った基板をそれぞれのチャンバへ送るために構成される。
【0029】
特に、第1及び/又は第2可回転モジュールは、第1基板及び/又は第2基板を保持するために少なくとも第1基板ホルダー及び第2基板ホルダーを有している。第1基板ホルダーがある特定のチャンバから第1基板を受け取るか、又はある特定のチャンバへ基板を送るために揃えられるとき、第2基板ホルダーは別のチャンバから第2基板を受け取るか、又は第2基板を別のチャンバへ送るために揃えられるように、第1基板ホルダー及び第2基板ホルダーは配置される。基板キャリアを回転させるとき、可回転モジュールは輸送パスに対して基板のアライメントを変更する。アライメントの変更の角度は、可回転モジュールの回転角に対応している。特に、第1輸送パスから第2輸送パスまで基板を移動させるために、モジュールは180°回転する。
【0030】
上述のように本発明に係るコーティングシステム内で基板をコーティングするための方法は、以下のステップを含む。
a)ロックインチャンバを通ってコーティングシステム内に基板を閉じ込め、
b)第1搬送チャンバ内へ基板を輸送し、
c)第1プロセスを用いて基板を処理するために、第1又は第2プロセスチャンバのどちらか一方の中へ基板を輸送し、
d)第2搬送チャンバ内へ基板を輸送し、
e)第2プロセスを用いて基板を処理するために、第3又は第4プロセスチャンバのどちらか一方の中へ基板を輸送する。
【0031】
この方法は更に以下のステップを含むのが好ましい。
f)第3プロセスチャンバ又は第4プロセスチャンバから第2搬送チャンバ内へ基板を輸送し、
g)第3プロセスを用いて基板を処理するために、第1プロセスチャンバ又は第2プロセスチャンバの中へ基板を輸送する。第3プロセスは、第1プロセスと同じ又は異なっていてもよい。
【0032】
ステップg)は、第3プロセスを用いて基板を処理するためのステップc)と同じプロセスチャンバ内へ基板を輸送することを含んでもよい。このプロセスは、第1又は第2プロセスチャンバのうちの1つが、例えばメンテナンス目的のために稼動を停止しているときに適用される。
【0033】
この方法は、h)第1搬送チャンバ内へ基板を輸送し、i)ロックアウトチャンバ内へ基板を輸送するステップを更に含んでもよい。
【0034】
この方法は、TFT薄膜トランジスタを生産するために提供されることが好ましい。
【0035】
上述の方法は、第2の及び更なる基板を処理することによって連続して繰り返される。基板はプロセスステーションを連続して通過する。コーティングシステムのクラスタ構成では、2以上の基板(ある特定のプロセスのためのコーティングチャンバ数に依存する)が、同時に、すなわち一時的に重なりながら処理されてもよい。コーティングシステムの構成のインライン部では、基板はそれぞれのプロセスチャンバ内で連続して処理される。
【0036】
本発明によって、システム全体の中断時間が実質的に避けられるので、コーティングシステムの高いスループットが達成されるかもしれない。
【0037】
上述の構成は、それらのどんな組み合わせにおいてもそれ自体で権利請求される。
【図面の簡単な説明】
【0038】
本発明の更なる構成と利点は、添付図面を参照して以下の好ましい実施形態の説明から明らかとなる。図面は以下を示している。
【0039】
【図1】本発明に係るコーティングシステムの概略図を示す。
【図2】本発明に係るコーティングシステムの異なる動作モードを示す。
【好ましい実施形態の詳細な説明】
【0040】
図1に示されるように、本発明に係るコーティングシステム1は、ロックインチャンバ3及びロックアウトチャンバ4を含むロックイン/ロックアウトステーションを含む。基板送り及び受け取り部2は、システム1内へ基板を送る及び/又はシステム1内で処理された基板を受け取るためのスイングモジュール(大気圧)及び大気中の回転モジュールを含む。更に、コーティングシステム1は、ロックインチャンバ3及びロックアウトチャンバ4に接続した第1搬送チャンバ5を含む。
【0041】
第1可回転搬送モジュール6は、搬送チャンバ5内に配置されている。可回転搬送モジュール6は、可回転プラットホーム上に配置される2つの基板ホルダー7a、7bを有している。基板ホルダー7a及び7bが、ロックインチャンバ3とロックアウトチャンバ4とそれぞれ整列して配置されるように、基板ホルダー7a、7bは中心軸周りに回転してもよい。
【0042】
コーティングステーション1は、第1プロセスチャンバ8及び第2プロセスチャンバ9を更に含んでおり、それらの両方は、例えばMo金属化層のような第1金属層を基板上に堆積させるために備わっている。第1プロセスチャンバ8及び第2プロセスチャンバ9は、第1搬送チャンバ5に接続されている。第1基板ホルダー7aが、ロックインチャンバ3及び第1プロセスチャンバ8と整列するように、そして第2基板ホルダー7bが、ロックアウトチャンバ4及び第2プロセスチャンバ9と整列するように、及びその逆となるように、可回転搬送モジュール6は回転してもよい。
【0043】
更に、コーティングシステム1は、第3基板ホルダー12a及び第4基板ホルダー12bを含む第2可回転搬送モジュール11を有する第2搬送チャンバ10を含んでいる。第2搬送チャンバ10は、第1搬送チャンバ5と類似又は同様に構成される。
【0044】
第2搬送チャンバは、第3プロセスチャンバ13及び第4プロセスチャンバ14のみならず、第1プロセスチャンバ8及び第2プロセスチャンバ9とも接続されている。第3プロセスチャンバ13及び第4プロセスチャンバ14は、並列に、すなわち、クラスタ配置のように第2搬送チャンバにおいて配置されている。第3プロセスチャンバ13及び第4プロセスチャンバ14は、例えばAl金属化層のような第2金属層を基板上に堆積させるために備わっている。第3基板ホルダー12aが、第1プロセスチャンバ8及び第3プロセスチャンバ13と整列するように、そして第4基板ホルダー12bが、第2プロセスチャンバ9及び第4プロセスチャンバ14と整列するように、及びその逆となるように、可回転搬送モジュール11は回転してもよい。
【0045】
ロックインチャンバ3、第1基板ホルダー7a、及び第1プロセスチャンバ8は、基板生産ラインのインラインフォワードパスFを画定する。第2プロセスチャンバ9、第2基板ホルダー7b、及びロックアウトチャンバ4は、生産ラインのインラインリターンパスRを画定する。第2搬送チャンバ10、第3プロセスチャンバ13、及び第4プロセスチャンバ14は、第2搬送チャンバ10に配置される並列のプロセスチャンバ13及び14をもつクラスタツールを画定する。第3及び第4プロセスチャンバと同じ又は異なる種類のコーティングチャンバが更にあってもよい。
【0046】
通常のコーティングプロセスにおいて、すなわち、第1、第2、第3、及び第4プロセスチャンバ8、9、13、14が稼働中であるときに、ロックインチャンバ3を通って第1搬送チャンバ5内へと第1基板はシステム内に閉じ込められる。第1搬送チャンバ5に入る第1基板は、例えばMo層のような第1金属化層をスパッタリングプロセスによって得るために第1プロセスチャンバ内へ、第1基板ホルダー7aの上を輸送される。その後、第1基板は第2搬送チャンバ10内へ輸送される。次に第1基板は、例えばAl層のような第2金属化層を第2スパッタリングプロセスによって得るために第3プロセスチャンバ13又は第4プロセスチャンバ14のどちらか一方の中へ輸送される。第2層は第1層よりも厚いので、第3プロセスチャンバ13又は第4プロセスチャンバ14内で第2層を提供するためのサイクルタイムは、第1プロセスチャンバ8又は第2プロセスチャンバ9内で層を提供するためのサイクルタイムよりもかなり長い。
【0047】
一方、第2基板は、ロックインチャンバ3、第1搬送チャンバ5、及び第1プロセスチャンバ8を通って第2搬送チャンバ10に入ったかもしれない。第2基板は、プロセスチャンバ13又は14のどちらが第1基板によって占められていなくても、第3プロセスチャンバ13又は第4プロセスチャンバ14のいずれか一方の中へ輸送される。その後、第1基板は、例えばMo層のような第3金属化層を第1スパッタリングプロセスで得るために、第2搬送チャンバ10及び第2プロセスチャンバ9内へ戻って輸送される。
【0048】
一方、第3基板は、第2搬送チャンバ10に入ったかもしれない。そして、プロセスチャンバ13、14のどちらが第2基板によって占められていなくても、第3プロセスチャンバ13又は第4プロセスチャンバ14のいずれか一方の中へ輸送されるかもしれない。第1基板が第1搬送チャンバ5及びロックアウトチャンバ4を通って輸送されるとき、第2基板は第3金属化層を得るために第2プロセスチャンバ9内へ輸送される。更なる基板は、その上にTFTレイヤスタックを堆積させるためのコーティングシステム1を通って第3基板に続いてもよい。
【0049】
この(通常の)動作モードでは、基板はフォワードパスFとリターンパスRの間に移動されない。第1搬送チャンバ5は、ロックインチャンバ3から第1コーティングチャンバ8まで、及び第2コーティングチャンバ9とロックアウトチャンバ4の間に基板を直接移動するための搬送チャンバとして機能する。回転モジュール6は所定の位置に維持される。
【0050】
図に示される別の状況において、第2プロセスチャンバ9は、例えばスパッタリングターゲットを交換するためのようなメンテナンスのために、稼動を停止している。このようなことが発生すると、第1プロセスチャンバ8は、第1金属化層及び第3金属化層をコーティングシステム1内で処理されるそれぞれの基板上に堆積するためのプロセスチャンバとして機能する。
【0051】
特に、第1基板はロックインチャンバ3を通ってコーティングシステム1に入り、例えばMo層のような第1金属化層を第1スパッタリングプロセスによって得るために、第1搬送チャンバ5を通って、第1基板ホルダー7aに沿って、第1プロセスチャンバ8内へ輸送される。その後、第1基板は、例えばAl層のような第2金属化層を第2スパッタリングプロセスによって得るために、第2搬送チャンバ10内へ、及び第3プロセスチャンバ13又は第4プロセスチャンバ14のどちらか一方の中へ輸送される。その後、第2基板が第1プロセスチャンバ8から第2搬送チャンバ10に入る間に、第1基板は第2搬送チャンバ10内へ戻って輸送される。その後、第2基板が第3又は第4プロセスチャンバ13又は14のいずれか一方の中に輸送される間に、第1基板は第1プロセスチャンバ8と整列し、第3金属化層を得るために第1プロセスチャンバ8へ戻って輸送される。その後、第1基板は第1搬送チャンバ5に入る。第1基板がロックアウトチャンバ4と整列するように、可回転搬送モジュール6を回転する。可回転搬送モジュール6のこの位置において、別の基板がロックインチャンバ3を通って第1搬送チャンバ5に入ってもよい。その後、第3基板が第1プロセスチャンバ8で処理される。
【0052】
新しい基板がコーティングシステム1に入り、コーティングシステム1を出る別の基板と取り替えるこの手順が、連続して繰り返される。もちろん、(第3又は第4コーティングチャンバ13又は14のみならず)第1又は第2コーティングチャンバ8又は9の休止時間において、決められた数の基板を処理するためのサイクルタイムは増加する。しかしながら、コーティングシステム1全体の稼動を止める必要は無く、すなわちシステムの利用可能性を保証している。コーティングシステム1を通して輸送する間、基板は通常、実質的に垂直な位置に揃えられる。チャンバの間には、チャンバをきつく真空密閉するためのゲートバルブが取り付けられる。
【0053】
第2動作モードにおいて、例えば、第2チャンバ9が稼動を停止しているとき、第3又は第4コーティングチャンバ13又は14から戻る基板は、第2コーティングチャンバ9を迂回する。第1トランスポートチャンバ5及び第2搬送チャンバ10によって、基板はリターンパスRを離れ、フォワードパスF上の第2プロセスチャンバ9を迂回することができる。
【0054】
図2は、本発明に係るコーティングシステムの異なる動作モードを示している。
【0055】
第1動作モードa.では、第1、第2、第3及び第4プロセスチャンバ8、9、13、及び14のすべてが稼働している。従って、上述のような通常のコーティングプロセスが実行されるかもしれない。この動作モードにおいて、基板はシステム内においてチャンバ8(Mo)、13又は14(Al;交互に)、9(Mo)内で連続して処理される。すなわち、第1、第3、第5などの基板は第3チャンバで処理され、第2、第4、第6などの基板は第4チャンバ14で処理される。サイクルタイムはそれに従って増加するだろう。
【0056】
第2動作モードb.では、Mo及びAl層に対して同じ成膜速度をもち、しかしながら第4プロセスチャンバ14は稼動を停止しており、サイクルタイムは増加している。従って、ボトルネックは、それぞれ第3及び第4プロセスチャンバ13及び14内におけるAlコーティングプロセスである。
【0057】
第3動作モードc.では、第2プロセスチャンバ9が稼動を停止している。Mo層が全ての基板に対して第1プロセスチャンバ8内でのみ堆積されるかもしれないので、サイクルタイムは増加する。この動作モードにおけるボトルネックは、搬送チャンバ内での基板の移動と回転、すなわち基板のハンドリングである。
【0058】
第4動作モードd.では、第1プロセスチャンバ8及び第4プロセスチャンバ14が稼動を停止している。第3プロセスチャンバ13内におけるAlコーティングのみならず、搬送チャンバ5及び10内におけるハンドリングがボトルネックとなっているので、サイクルタイムは増加する。
【0059】
一般に、本発明は、2つの並列なコーティングチャンバのサンドイッチアレンジメントによってシステムの利便性を向上させる可能性を提供し、フォワードパスFからリターンパスRまで、及びその逆に、基板を移動するために構成された2つの搬送チャンバ間において、2つのコーティングチャンバのうちの一方がフォワードパスFに属し、もう一方がリターンパスRに属している。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を処理するためのコーティングシステム(1)であって、
第1プロセスチャンバ(5)及び第2プロセスチャンバ(9)を含むチャンバアレンジメントを含み、
前記第1プロセスチャンバ(8)は、前記コーティングシステム(1)のインライン部のフォワードパス(F)上に配置され、前記第2プロセスチャンバ(9)は、前記コーティングシステム(1)のインライン部のリターンパス(R)上に配置され、
前記第1プロセスチャンバ(8)及び前記第2プロセスチャンバ(9)は共に、前記第1インライン部の前記フォワードパス(F)から前記第2インライン部の前記リターンパス(R)まで及びその逆に基板を輸送するために構成される第1搬送チャンバ(5)と第2搬送チャンバ(10)の間に配置されることを特徴とするコーティングシステム(1)。
【請求項2】
前記チャンバアレンジメントは、前記コーティングシステム(1)内に基板を閉じ込めるための、及び/又は、前記コーティングシステム(1)から基板を締め出すためのロックイン/ロックアウトステーション(2)をそれぞれ含み、
前記第1プロセスチャンバ(8)及び前記第2プロセスチャンバ(9)は、前記ロックイン/ロックアウトステーション(2)と、前記第1搬送チャンバ(5)と、前記第2搬送チャンバ(10)とインラインに配置されていることを特徴とする請求項1記載のコーティングシステム(1)。
【請求項3】
前記第1プロセスチャンバ(8)及び前記第2プロセスチャンバ(9)は、第1コーティングプロセスによって基板上に層を堆積させるためのコーティングツールを含むことを特徴とする請求項1又は2記載のコーティングシステム(1)。
【請求項4】
前記チャンバアレンジメントは、少なくとも基板を処理するための第3プロセスチャンバ(13)を含み、前記第3プロセスチャンバ(13)は前記第2搬送チャンバ(10)に連結していることを特徴とする前記請求項のいずれか1項記載のコーティングシステム(1)。
【請求項5】
前記チャンバアレンジメントは、前記第2搬送チャンバ(10)に連結する前記第3プロセスチャンバ(13)と並列に配置された第4プロセスチャンバ(14)を含むことを特徴とする前記請求項のいずれか1項記載のコーティングシステム(1)。
【請求項6】
前記第3プロセスチャンバ(13)及び前記第4プロセスチャンバ(14)は、第2コーティングプロセス内で基板上に層を堆積させるためのコーティングツールを含むことを特徴とする前記請求項のいずれか1項記載のコーティングシステム(1)。
【請求項7】
前記ロックイン/ロックアウトステーション(2)は、ロックインチャンバ(3)及びロックアウトチャンバ(4)を含むことを特徴とする前記請求項のいずれか1項記載のコーティングシステム(1)。
【請求項8】
前記第1搬送チャンバ(5)は前記第1プロセス(3)チャンバ(前記第1プロセスチャンバ(3)?)及び前記第2プロセスチャンバ(4)と接続され、前記第1プロセスチャンバ(3)及び前記第2プロセスチャンバ(4)は前記第2搬送チャンバ(10)と接続され、前記第3プロセスチャンバ(13)及び前記第4プロセスチャンバ(14)は前記第2搬送チャンバ(10)と接続されることを特徴とする前記請求項のいずれか1項記載のコーティングシステム(1)。
【請求項9】
前記第1搬送チャンバ(5)は、基板を保持するための少なくとも1つの基板ホルダー(7a、7b)を有する第1可回転モジュール(6)を含むことを特徴とする前記請求項のいずれか1項記載のコーティングシステム(1)。
【請求項10】
前記第2搬送チャンバ(10)は、基板を保持するための少なくとも1つの基板ホルダー(12a、12b)を有する第2可回転モジュール(11)を含むことを特徴とする前記請求項のいずれか1項記載のコーティングシステム(1)。
【請求項11】
前請求項のいずれか1項記載のコーティングシステム内で基板をコーティングするための方法であって、
a)ロックインチャンバを通って前記コーティングシステム内に基板を閉じ込め、
b)第1搬送チャンバ内へ前記基板を輸送し、
c)第1プロセスを用いて前記基板を処理するために、第1又は第2プロセスチャンバのどちらか一方の中へ前記基板を輸送し、
d)第2搬送チャンバ内へ前記基板を輸送し、
e)第2プロセスを用いて前記基板を処理するために、第3又は第4プロセスチャンバのどちらか一方の中へ前記基板を輸送するステップを含む方法。
【請求項12】
f)前記第3プロセスチャンバ又は前記第4プロセスチャンバから前記第2搬送チャンバ内へ前記基板を輸送し、
g)第3プロセスを用いて前記基板を処理するために、前記第1プロセスチャンバ又は前記第2プロセスチャンバ内へ前記基板を輸送するステップを更に含むことを特徴とする請求項11記載の方法。
【請求項13】
ステップg)は、第3プロセスを用いて前記基板を処理するためのステップc)内と同じプロセスチャンバ内へ前記基板を輸送することを含むことを特徴とする請求項11又は12に記載の方法。
【請求項14】
前記方法は、h)前記第1搬送チャンバ内へ前記基板を輸送し、及びi)ロックアウトチャンバ内へ前記基板を輸送するステップを更に含むことを特徴とする請求項11、12又は13に記載の方法。
【請求項15】
TFT薄膜トランジスタを生産するために提供されることを特徴とする請求項11〜14のいずれか1項記載の方法。

【図1】
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【図2】
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【公表番号】特表2011−522968(P2011−522968A)
【公表日】平成23年8月4日(2011.8.4)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−512906(P2011−512906)
【出願日】平成21年3月16日(2009.3.16)
【国際出願番号】PCT/EP2009/053105
【国際公開番号】WO2010/000503
【国際公開日】平成22年1月7日(2010.1.7)
【出願人】(390040660)アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド (1,346)
【氏名又は名称原語表記】APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
【Fターム(参考)】