【課題】プラズマドーピングプロセス中の所定のドーパント濃度での終点検出のための方法を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバー内で基板を位置決めするステップと、基板の上にプラズマを生成し、プラズマによって生成される光を基板を通って伝送するステップであって、ここで光は、基板の表側に入り、裏側から出る、ステップと、基板の下に位置決めされるセンサーによって光を受け取るステップとを包含する。さらに、センサーによって受け取られる光に比例する信号を生成するステップと、ドーピングプロセス中にドーパントを基板に注入するステップと、ドーピングプロセス中にセンサーによって受け取られる光の減少する量に比例する多重光信号を生成するステップと、いったん基板が最終ドーパント濃度を有するとセンサーによって受け取られる光に比例する終点信号を生成するステップと、ドーピングプロセスを中止する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の形成中にシリコン基板の表面に設けられた不純物の埋込層からのオートドープを抑制することのできるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法は、シリコン基板の主表面にイオン注入法によって不純物を注入して第１素子分離不純物埋込層を形成する第１素子分離不純物注入工程Ｓ２と、前記第１素子分離不純物注入工程Ｓ２を経たシリコン基板にエピタキシャル層を形成させるエピタキシャル層形成工程Ｓ３と、を備え、第１素子分離不純物注入工程Ｓ２におけるイオン注入時のエネルギーが１００〜２００ｋｅＶであり、かつ第１素子分離不純物注入工程Ｓ２とエピタキシャル層形成工程Ｓ３との間に実質的に熱処理を行なわないことを特徴とする。 （もっと読む）

この方法は、プラズマドーピング、プラズマ堆積およびプラズマエッチング技術においてプラズマ組成を調整するために用いられる。開示された方法は、プラズマ中の電子エネルギー分布を改良することによりプラズマ組成を制御する。超高速電圧パルスによりプラズマ中で電子を加速することで、高エネルギー電子がプラズマ中で生成される。パルスは、電子に影響する程度には長時間だが、イオンに大きな影響を与えるには早すぎる。高エネルギー電子およびプラズマ構成物質の衝突の結果、プラズマ組成が変化する。プラズマ組成は、使用される特定目的の要求に適合するように最適化され得る。これはプラズマ中のイオン種の比率の変化を伴い、イオン化対解離の比率を変化させ、またはプラズマの励起状態集団を変化させる。 （もっと読む）

【課題】基板表面におけるSi等の材料から成る対象表面部のみに選択的に薄膜を形成するうえで、CVD法を用いることなく、簡便に基板上に選択的に膜を形成する選択的膜製造方法を提供する。
【解決手段】圧力10〜202kPa(76〜1520Torr)の水素及び希ガスの混合ガスを主体とする反応ガスが充填された反応室内に、比較的高温に保持した基板、及び、比較的低温に保持した、水素化物が揮発性であるターゲットを平行に配置し、基板とターゲットの間に放電を生起させることで、対象表面部上と、他の表面上との間での膜堆積速度の違いを利用して対象表面部上に選択的にターゲットの薄膜を形成する。希ガスとしてはHeやNeを好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】固体から昇華した蒸気流れを制御する新規システムを提供する。
【解決手段】昇華された蒸気５０の定常流れを真空チャンバ１３０へ送達する蒸気送達システムは、固体物質２９の気化器２８、機械式スロットルバルブ１００および圧力ゲージ６０、真空チャンバへの蒸気導管３２を備える。蒸気の流量は、その気化器の温度およびその気化器とその真空チャンバとの間に置かれる機械式スロットルバルブのコンダクタンスの設定の両方により決定される。気化器の温度は閉ループ制御３５により設定点温度に決定される。機械式スロットルバルブは電気制御され、バルブの位置は圧力ゲージの出力に対する閉ループ１２０で制御される。蒸気の流量は圧力ゲージの出力に比例し得る。気化器から真空チャンバへの蒸気に曝露されるすべての表面３７は、凝縮を防ぐために加熱される。ゲートバルブおよび回転式バタフライバルブが、上記スロットルバルブとして作用し得る。 （もっと読む）

プラズマ浸漬イオン注入プロセスにより基板内に材料を注入する方法が提供される。一実施形態では、基板内に材料を注入する方法は、材料層が形成された基板表面を備える基板を処理チャンバに供給するステップと、非ドーパント処理ガスの第１のプラズマを発生させるステップと、非ドーパント処理ガスのプラズマに材料層を露出するステップと、ドーパントイオンを生成するように適合された反応ガスを含むドーパント処理ガスの第２のプラズマを発生させるステップと、プラズマから材料層内にドーパントイオンを注入するステップとを含む。この方法は、洗浄プロセス又はエッチングプロセスを更に含んでもよい。
（もっと読む）

【課題】原子炉炉心に挿入して炉心内の中性子を測定する中性子検出器のカソードに形成される中性子変換層ついて、高真空度下においても安定なプラズマを発生させて、品質（膜質）の高い中性子変換層を得ることのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、放電電極２と、中性子検出器３０のカソード３３として用いられる円筒状の接地電極４と、放電電極２と接地電極４とを電気的に絶縁する筒状あるいはスリーブ状の絶縁体５と、放電電極２と接地電極４との間に電力を供給する電源部６と、放電電極２と絶縁体５とを接地電極４の長手軸方向に移動させる電極移動部７と、電源部６が供給した電力により放電電極２と接地電極４との間に発生した電界へ磁界を加える磁界発生部８と、少なくとも接地電極４内を真空にする真空手段９とから構成される。 （もっと読む）

【課題】金属または半金属のドープ量が調整可能であって、機能性材料としての性質を発現するチタン酸ストロンチウム結晶を安価に提供すること。
【解決手段】 原子番号７９以下の金属元素または半金属元素（ただし、Ｎｂ，Ｉｎ，ランタノイドを除く）をドープしたチタン酸ストロンチウム結晶である。これは、気化または昇華させた金属元素または半金属元素を８００℃〜１３００℃の温度の真空雰囲気下にてチタン酸ストロンチウム結晶に付着ないし拡散させることにより得ることができる。 （もっと読む）

本発明は、基材上にホウ素から作られた少なくとも１つの薄層を真空被着するための方法であって、ホウ素に関して化学的に不活性であるか又は活性である少なくとも１種のアトマイゼーションを選び、工業規模の設備内に配置される少なくとも１つのリニアイオン源を用いて、前記アトマイゼーション種を主として含む平行イオンビームを発生させ、このビームをホウ素から作られた少なくとも１つのターゲットに向けること、前記基材の少なくとも１つの表面部分を、ターゲットのイオン衝撃によってアトマイゼーションされた物質又は当該アトマイゼーションされた物質と前記アトマイゼーション種のうちの少なくとも１種との反応の結果生ずる物質が前記表面部分に被着されるように、前記ターゲットに面して配置することを特徴とする方法に関する。
（もっと読む）

【課題】 埋込イオン注入層を介して複数のエピタキシャル層が積層形成されたエピタキシャルウェーハを極めて能率的に製造でき、形成されるイオン注入層の横方向拡散も少ないシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】 イオン注入後の結晶回復のための熱処理を水素雰囲気中にて行うことで、注入前酸化処理を行わなくともイオン注入層７１，７２への面荒れ発生が極めて効果的に抑制される。その結果、埋込イオン注入層７１’，７２’を有するエピタキシャルウェーハの製造方法において、注入前酸化処理の省略、ひいてはフォトレジスト膜のみをマスク６４として用いたイオン注入が実現される。注入前酸化を含めたエピタキシャル層３への積極的な酸化膜形成処理が排除される結果、埋込イオン注入層７１’，７２’に加わる熱履歴の回数が減って横方向拡散が効果的に抑制される。また、酸化膜の形成／除去が不要となる結果、エピタキシャルウェーハ製造の工程数を劇的に減ずることができる。 （もっと読む）

大気圧より低い圧力でペンタボラン（９）含有流体を収容するための、液体窒素浴（１２８）中の容器（１２６）を含む、流体保管および分配システム（１００）。ペンタボランは液体または合成源（１２４）から供給することができ、窒素は弁（１２０）から供給することができ、これらはガス調整器（Ｒ−１およびＲ−２）によって制御される。流体保管および分配システムは、種々の弁（ＡＶ−１〜ＡＶ−１６およびＭＶ−１〜ＭＶ−４）を介して半導体または液晶製造設備に連通的に接続することができる。ジボランなどの市販の水素化ホウ素化合物の代替物としてペンタボラン（９）が使用される。このシステムは、排出ポンプ（１３０）、洗浄手段（１４０）、および送出されるペンタボラン（９）濃度をサンプリングするための三方弁（１６２）を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】 被照射物に対して目的核種の均一な注入を行なえる質量分離型ドーピング装置を提供する。
【解決手段】 質量分離型ドーピング装置は、イオンの流路を含み、断面形状が円弧状に形成されたケーシング１と、断面形状の円弧状の周りを取り巻くように、ケーシングに巻かれたコイル５と、コイル５に電流を流すための電源とを備える。コイル５が巻かれている領域は、第１密度で巻かれた第１密度巻回領域と、コイルの全体が一定の密度で巻かれたときにビーム電流が最大となる位置を避ける領域において第１密度よりも小さい第２密度で巻かれた第２密度巻回領域とを含む。 （もっと読む）

【課題】 遮蔽板の移動速度制御や位置調整に要求される精度をやみくもに高くすることなく、高い成膜速度を確保することができる成膜装置等を提供すること。
【解決手段】 基板ホルダ２１によって基板Ｗを適当な速度で自転させつつ、ターゲットユニット３３〜３６のうちいずれかを動作させて成膜処理をおこなう。その際にマスク保持装置４６により速度を制御しながら透過性を有する遮蔽マスク４１を動作させる。以上のような、処理は、例えばＭｏ用のターゲットユニット３３と、例えばＳｉ用のターゲットユニット３４とを交互に切り替えて繰り返して行われる。これにより、基板Ｗ上に多層膜ＭＬを形成することができる。 （もっと読む）

固体塊から固体元素のプラズマを生成する方法及び前記方法に使用されるプラズマソースを提供する。本発明の方法は、加速された粒子またはレーザーを内部でスパッタリングが遂行する第１チェンバー内の固体塊と衝突させて前記固体塊から固体原子を取り出すこと、前記固体原子を内部でプラズマ放電が遂行される第2チェンバーに移動させること、前記第２チェンバーに電圧を印加してプラズマ放電によって固体原子のプラズマを生成すること、及び前記固体原子のプラズマを、処理すべきターゲットに接触させることを含む。本発明は固体元素を含むガスを固体元素ソースとして使用する従来システムで発生する不純物とガスの毒性による問題点を解消する。
（もっと読む）