【課題】単一のスパッタ装置によって金属材料を凹部に埋め込む際にその埋め込み性を向上させることができるスパッタ方法及び該スパッタ方法に用いられるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】
基板Ｓの凹部内に金属材料を埋め込むスパッタ方法では、基板Ｓにバイアス電圧を印加しつつターゲット１８をスパッタする第１の工程と、基板Ｓにバイアス電圧を印加しない状態でターゲットをスパッタする第２の工程とを有し、第１の工程と第２の工程とは真空槽１１内で順に実行される。第１の工程では、ターゲット１８から放出された金属粒子とプラズマ中の荷電粒子とが衝突する圧力でターゲット１８をスパッタして電荷を帯びた金属粒子を生成し、電荷を帯びた金属粒子を凹部の内部に向けてバイアス電圧により引き込む。第２の工程では、基板Ｓに付着する金属粒子が凹部内に流動するように基板Ｓの温度を第１の工程よりも高くしてターゲット１８をスパッタする。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ基合金、Ｃｏ基合金などの耐熱合金の高速切削条件下で、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、１〜５０ｎｍの層厚の薄層Ａと１〜５０ｎｍの層厚の薄層Ｂとが交互に積層された１００〜５００ｎｍの層厚の複層領域と、１００〜５００ｎｍの層厚の単一層にて構成された単層領域との交互積層構造からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、薄層Ａは、［Ａｌ_１−ｘＣｒ_ｘ］Ｎ（ｘは原子比で０．３０〜０．８０）層、薄層Ｂは、［Ｔｉ_１−ｙＳｉ_ｙ］Ｎ（ｙは原子比で０．０１〜０．３０）層であって、単一層は、前記薄層Ａと同一種の層で構成するとともに、硬質被覆層の表面近傍に前記薄層Ｂと同一組成・成分で０．３〜１μｍの層厚の単一層からなる中間層を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】余分な工程を追加することなく、コンタクト抵抗の増加を抑制する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、Ｃｕ配線上の第２層間絶縁膜内に設けたコンタクトホール内に第1のＴｉ膜、ＴｉＮ膜、第２のＴｉ膜、第1のＡｌ膜、及び第２のＡｌ膜をこの順に形成する。第1のＴｉ膜を成膜する際には、コンタクトホール底面上の第１の部分と第２層間絶縁膜上の第２の部分の膜厚の比（第1の部分）／（第２の部分）を０．０５以下とする。また、第２のＡｌ膜はアルミ・リフロー法を用いて形成し、この際に第２のＴｉ膜及び第1のＡｌ膜をアルミニウム・チタン合金膜とする。 （もっと読む）

【課題】接触応力の大きい用途に用いてもＤＬＣ膜が剥離することなく該ＤＬＣ膜の優れた潤滑特性を長期にわたって確保することができる転がり摺動部材を提供することを目的とするものである。
【解決手段】外面に軌道面を有する内側部材と、該内側部材の軌道面に対向する軌道面を有して前記内側部材の外側に配置された外側部材と、前記両軌道面間に転動自在に配置された転動体とを備え、前記内側部材の軌道面、前記外側部材の軌道面および前記転動体の内の少なくとも一つの母材表面が鋼で形成され、且つ、該母材表面上にダイヤモンドライクカーボン膜が形成された転がり摺動部材であって、前記ダイヤモンドライクカーボン膜は、中間層と炭素層とを備えるとともに、前記ダイヤモンドライクカーボン膜の残留応力が、−３００ＭＰａ〜３００ＭＰａの範囲内になるよう成膜する。 （もっと読む）

【課題】 ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 透明基板、金属膜、ハードマスク膜及びレジスト膜が順次に積層されてなるブランクマスク。ここで、金属膜及びハードマスク膜のうち少なくとも一つは、膜を構成する元素のうち少なくとも一つの元素の組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間である成分変化区間を持つ。これにより、既存の深さ方向に元素の組成比が均一な薄膜と比較する時、光学密度の均一性、反射率の均一性、表面粗度、耐化学性、耐露光性などを向上させ、成長性欠陥と残留応力の問題を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】不純物が混入しない酸化物半導体膜を成膜する成膜装置を提供することを課題とする。不純物が混入しない酸化物半導体膜を含む半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】成膜装置を含む環境から不純物を排除することにより、成膜装置の外部から成膜装置内へ不純物を含む気体が漏洩（リーク）する現象を防げばよい。また、当該装置を用いて成膜した、不純物が低減された酸化物半導体層を半導体装置に適用すればよい。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体の表面に、（Ｔｉ，Ａｌ，Ｍ）Ｎ（但し、Ｍは、ＷまたはＭｏ）からなる硬質被覆層が蒸着形成された表面被覆切削工具において、該硬質被覆層は、粒状晶（Ｔｉ，Ａｌ，Ｍ）Ｎからなる薄層Ａと柱状晶（Ｔｉ，Ａｌ，Ｍ）Ｎからなる薄層Ｂの交互積層構造として構成され、薄層Ａおよび薄層Ｂはそれぞれ０．０５〜２μｍの層厚を有し、さらに、前記粒状晶の結晶粒径は３０ｎｍ以下、また、前記柱状晶の結晶粒径は５０〜５００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】 高硬度鋼の高速切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体の表面に、（Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ）Ｎからなる硬質被覆層が蒸着形成された表面被覆切削工具において、該硬質被覆層は、粒状晶（Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ）Ｎからなる薄層Ａと柱状晶（Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ）Ｎからなる薄層Ｂの交互積層構造として構成され、薄層Ａおよび薄層Ｂはそれぞれ０．０５〜２μｍの層厚を有し、さらに、上記粒状晶の結晶粒径は３０ｎｍ以下、また、上記柱状晶の結晶粒径は５０〜５００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】転がり軸受の内・外輪軌道面などに形成されたＤＬＣ膜の耐剥離性を向上させ、ＤＬＣ膜本来の特性を発揮することで、耐焼き付き性、耐摩耗性、および耐腐食性に優れる転がり軸受を提供する。
【解決手段】転がり軸受１は、外周に内輪軌道面２ａを有する内輪２と、内周に外輪軌道面３ａを有する外輪３と、内輪軌道面２ａと外輪軌道面３ａとの間を転動する複数の転動体４とを備え、曲面である内輪軌道面２ａや外輪軌道面３ａの表面に硬質膜８が成膜されてなり、この硬質膜８は、該表面に直接成膜されるＣｒを主体とする下地層と、該層の上に成膜されるＷＣとＤＬＣとを主体とする混合層と、該混合層の上に成膜されるＤＬＣを主体とする表面層とからなる構造の膜であり、混合層は、下地層側から表面層側へ向けて連続的または段階的に、ＷＣの含有率が小さくなり、ＤＬＣの含有率が高くなる層である。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体の表面に、（Ｃｒ，Ａｌ，Ｖ）Ｎからなる硬質被覆層が蒸着形成された表面被覆切削工具において、該硬質被覆層は、粒状晶（Ｃｒ，Ａｌ，Ｖ）Ｎからなる薄層Ａと柱状晶（Ｃｒ，Ａｌ，Ｖ）Ｎからなる薄層Ｂの交互積層構造として構成され、薄層Ａおよび薄層Ｂはそれぞれ０．０５〜２μｍの層厚を有し、さらに、前記粒状晶の結晶粒径は３０ｎｍ以下、また、前記柱状晶の結晶粒径は５０〜５００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】合金鋼の高速強断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体の表面に、（Ｃｒ，Ａｌ，Ｍ）Ｎ（但し、Ｍは、ＮｂまたはＴａ）からなる硬質被覆層が蒸着形成された表面被覆切削工具において、該硬質被覆層は、粒状晶（Ｃｒ，Ａｌ，Ｍ）Ｎからなる薄層Ａと柱状晶（Ｃｒ，Ａｌ，Ｍ）Ｎからなる薄層Ｂの交互積層構造として構成され、薄層Ａおよび薄層Ｂはそれぞれ０．０５〜２μｍの層厚を有し、さらに、前記粒状晶の結晶粒径は３０ｎｍ以下、また、前記柱状晶の結晶粒径は５０〜５００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】 皮膜密着性に優れた表面被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 母材の表面に物理蒸着によって硬質皮膜が被覆された被覆部材であって、前記硬質皮膜は、ダイヤモンドライクカーボン皮膜と、該ダイヤモンドライクカーボン皮膜と母材との間にあって、母材側から前記ダイヤモンドライクカーボン皮膜に向かってチタンの含有量が減少していくチタンと炭素の混合傾斜皮膜とからなり、該混合傾斜皮膜中のチタン量と炭素量は、膜厚方向のグロー放電発光分光分析によるそれぞれの最大ピーク強度をＩ_Ｔｉ、Ｉ_ｃとした時に、１．２＜Ｉ_ｃ／（Ｉ_Ｔｉ×１０）＜２．０の関係を満たす皮膜密着性に優れた被覆部材である。１．３＜Ｉ_ｃ／（Ｉ_Ｔｉ×１０）＜１．５であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 高硬度鋼の高速断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体の表面に、（Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｂ）Ｎからなる硬質被覆層が蒸着形成された表面被覆切削工具において、該硬質被覆層は、粒状晶（Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｂ）Ｎからなる薄層Ａと柱状晶（Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｂ）Ｎからなる薄層Ｂの交互積層構造として構成され、薄層Ａおよび薄層Ｂはそれぞれ０．０５〜２μｍの層厚を有し、さらに、上記粒状晶の結晶粒径は３０ｎｍ以下、また、上記柱状晶の結晶粒径は５０〜５００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】難削材の高速断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体の表面に、（Ｔｉ，Ａｌ，Ｍ）Ｎ（但し、Ｍは、ＮｂまたはＴａ）からなる硬質被覆層が蒸着形成された表面被覆切削工具において、該硬質被覆層は、粒状晶（Ｔｉ，Ａｌ，Ｍ）Ｎからなる薄層Ａと柱状晶（Ｔｉ，Ａｌ，Ｍ）Ｎからなる薄層Ｂの交互積層構造として構成され、薄層Ａおよび薄層Ｂはそれぞれ０．０５〜２μｍの層厚を有し、さらに、前記粒状晶の結晶粒径は３０ｎｍ以下、また、前記柱状晶の結晶粒径は５０〜５００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】 上層の結晶粒の脱落抑制効果によって中間層と上層との密着性を向上させた硬質皮膜被覆工具、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基体上に物理蒸着法により形成した硬質の下層、中間層及び上層を有し、上層は(Al_xCr_y)_cO_dにより表される組成を有するととにもTC(012)が1.3以上のα型結晶構造を有し、中間層は酸素濃度が下層側から上層側にかけて増加するとともに窒素濃度が下層側から上層側にかけて減少する傾斜組成を有し、その平均組成が(Al_sCr_t)_a(N_vO_w)_bにより表される硬質皮膜被覆工具。 （もっと読む）

【課題】難削材の高送り切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体の表面に、（Ｔｉ，Ａｌ，Ｖ）Ｎからなる硬質被覆層が蒸着形成された表面被覆切削工具において、該硬質被覆層は、粒状晶（Ｔｉ，Ａｌ，Ｖ）Ｎからなる薄層Ａと柱状晶（Ｔｉ，Ａｌ，Ｖ）Ｎからなる薄層Ｂの交互積層構造として構成され、薄層Ａおよび薄層Ｂはそれぞれ０．０５〜２μｍの層厚を有し、さらに、前記粒状晶の結晶粒径は３０ｎｍ以下、また、前記柱状晶の結晶粒径は５０〜５００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速高送り切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体の表面に、（Ｔｉ，Ａｌ，Ｂ）Ｎからなる硬質被覆層が蒸着形成された表面被覆切削工具において、該硬質被覆層は、粒状晶（Ｔｉ，Ａｌ，Ｂ）Ｎからなる薄層Ａと柱状晶（Ｔｉ，Ａｌ，Ｂ）Ｎからなる薄層Ｂの交互積層構造として構成され、薄層Ａおよび薄層Ｂはそれぞれ０．０５〜２μｍの層厚を有し、さらに、前記粒状晶の結晶粒径は３０ｎｍ以下、また、前記柱状晶の結晶粒径は５０〜５００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】優れた耐薬品性およびＡｒＦ照射耐性を有するマスクブランク、転写マスク等を
提供する。
【解決手段】転写用マスクを作製するために用
いられるものであり、透光性基板上１に遮光膜３０を備えるマスクブランクであって、
前記遮光膜３０は、タンタルを主な金属成分として含有する材料からなり、
前記遮光膜３０の透光性基板側とは反対側の表層に層中の酸素含有量が６０ａｔ％以上
である高酸化層４が形成されていることを特徴としたマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体の表面に、（Ｔｉ，Ａｌ，Ｍ）Ｎ（但し、Ｍは、ＺｒまたはＨｆ）からなる硬質被覆層が蒸着形成された表面被覆切削工具において、該硬質被覆層は、粒状晶（Ｔｉ，Ａｌ，Ｍ）Ｎからなる薄層Ａと柱状晶（Ｔｉ，Ａｌ，Ｍ）Ｎからなる薄層Ｂの交互積層構造として構成され、薄層Ａおよび薄層Ｂはそれぞれ０．０５〜２μｍの層厚を有し、さらに、前記粒状晶の結晶粒径は３０ｎｍ以下、また、前記柱状晶の結晶粒径は５０〜５００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】 高硬度鋼の高速断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体の表面に、（Ａｌ，Ｔｉ）Ｎからなる硬質被覆層が蒸着形成された表面被覆切削工具において、該硬質被覆層は、粒状晶（Ａｌ，Ｔｉ）Ｎからなる薄層Ａと柱状晶（Ａｌ，Ｔｉ）Ｎからなる薄層Ｂの交互積層構造として構成され、薄層Ａおよび薄層Ｂはそれぞれ０．０５〜２μｍの層厚を有し、さらに、上記粒状晶の結晶粒径は３０ｎｍ以下、また、上記柱状晶の結晶粒径は５０〜５００ｎｍである。 （もっと読む）