【課題】 本願発明は、ＡＩＰ法、ＭＳ法で用いるターゲット材であって、機械的強度が改善されるとともに、ドロップレットの生成が著しく抑制される、品質の高い皮膜を形成するために好適なターゲット材を提供することである。
【解決手段】 本願発明は、ＳｉとＭ成分、但し、Ｍ成分は周期律表４ａ、５ａ、６ａ族金属、Ｂ、Ｓから選択される１種以上の元素を有するターゲット材において、該ターゲット材は、ＳｉとＭ成分及びＳｉの窒化物を有していることを特徴とする窒化物含有ターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】ぎらつき現象を抑え、かつ低コストで効率的な窓貼り用フィルムを提供する。
【解決手段】本発明の窓貼り用フィルムは上記課題を解決するためになされたものであり、反射光を拡散させてある特定方向に反射光が偏らないという発想から考えたものである。それは、基材フィルムの少なくとも片面に金属薄膜層が設けられており、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍにおける垂直反射率が３０％以下であり、かつ、全光線透過率が２０％以上であり、さらに、ヘーズが５０％以上であることを特徴とする窓貼り用フィルムである。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を抑制しつつ、フィルム走行方向に沿って連続成膜が可能なステッピングロール方式の成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る成膜装置（巻取式プラズマＣＶＤ装置）２０は、成膜部２１と、成膜部２１にフィルムＦを供給する巻出しローラ２２と、成膜部２１で成膜したフィルムを巻き取る巻取りローラ２３とを備えたステッピングロール方式の成膜装置であって、成膜部２１は、フィルム走行方向に関して直列的に配置された複数の成膜室２４Ａ，２４Ｂからなり、各成膜室の間には、当該成膜室で成膜されるフィルム長の自然数倍に相当する長さのフィルムを待機させる予備室２５が設けられている。これにより、成膜室２４Ａ，２４Ｂの設置間隔が任意に設定できるようになり、装置の大型化抑制と設計自由度の向上を図れるようになるとともに、製品の使用効率の向上を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 基板ホルダ上の基板に対して真空室の外部から高い電力を安定してかつ高い制御精度で導入することでき、さらにメンテナンス管理を容易化することを可能にする電力導入技術を提供すること。
【解決手段】 電力導入装置は、静電チャックに供給するための電力を外部電源から導入する電力導入機構を備える。電力導入機構は、支柱の端部に固定され、支柱とともに回転が可能な第１の導電性環状部材と、筐体部に固定され、第１の導電性環状部材と面接触する第２の導電性環状部材と、供給された第１電圧を前記第２の導電性環状部材及び第１の導電性環状部材を介して、静電チャックの電極に導入するための第１電力導入部材と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 耐摩耗性が高く、かつ高い耐欠損性を有する表面被覆工具を提供する。
【解決手段】 基体の表面に、Ｔｉ_{１−ａ−ｂ}Ａｌ_ａＭ_ｂ（Ｃ_ｘＮ_１−ｘ）（ただし、ＭはＴｉを除く周期表４、５、６族元素、希土類元素およびＳｉから選ばれる１種以上であり、０．４≦ａ≦０．６５、０≦ｂ≦０．３、０≦ｘ≦１である。）からなる被覆層１を被覆してなり、被覆層１は、前記基体の表面に対して垂直な方向に成長した柱状結晶２を主体として構成されるとともに、内部に粒状結晶３が存在し、粒状結晶３の下側に成長した柱状結晶２ａの本数よりも多い本数の柱状結晶２ｂが粒状結晶３を起点にして上側に成長している表面被覆工具であり、耐摩耗性が高く、かつ高い耐欠損性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも低コストでかつ小型・軽量なマグネトロンスパッタリング装置用磁気回路を提供する。
【解決手段】 非磁性体からなるベース２と、その表面に設置された長方形状の中央磁極片３と、その周囲に設けられた長円形状の外周磁極片４と、中央磁極片３と外周磁極片４との間の長方形状空間に長手方向に沿って連接された複数の直線部用永久磁石５ａ、５ｂと、中央磁極片３と外周磁極片４との間の円弧状空間に設置された複数のコーナー部用永久磁石６ａ、６ｂとを有し、直線部用永久磁石５ａ、５ｂ及びコーナー部用永久磁石６ａ、６ｂは水平方向に磁化されかつ同極性の磁極が中央磁極片３に対向するように配置されているとともに、中央磁極片３及び外周磁極片の高さは直線部用永久磁石５ａ、５ｂ及びコーナー部用永久磁石６ａ、６ｂの高さ以上に形成されている。 （もっと読む）

陰極スパッタリングによって、一定且つ特定の方向に方向性を有する層、例えば、好ましい磁化方向を有する低保磁力層または低保磁力層の支持層を基板表面（４）上に形成するために、ターゲット表面（６）から出てくる複数の微粒子の基板表面（４）の接平面上での投影が、特定の方向を取り囲む好ましい角度範囲内にある状態において、複数の微粒子が支配的に基板表面（４）に衝突することによって、コーティングプロセスが実行される。コーティングプロセスは、例えば、特定の方向に平行な基板表面（４）に対し直角に伸びる複数のプレート（９）を包含するコリメータ（８）を、基板表面（４）の前面に配置することによって達成される。ただし、コリメータ（８）を配置する代わりに、またはコリメータ（８）を配置することに加えて、ターゲット表面（６）に対する基板表面（４）の位置または動きを適切に調整するかまたは制御することも可能である。
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【課題】基板吸着力を正確にモニタすることが可能な基板吸着システム２を提供する。
【解決手段】基板５を吸着するホットプレート１２と、ホットプレート１２の表面に形成されたガス充填室２０と、ガス充填室２０に不活性ガスを供給するガス流路２５と、圧力計２３の測定結果に基づいて、流量制御バルブ２４の開度を調節し、ガス充填室２０内のガス圧力を所定圧力に制御する制御部３０と、流量制御バルブ２４の上流側に配置され、ガス流路２５のガス流量を測定する流量センサ２７と、流量センサ２７の上流側に配置され、ガス流路２５を開閉する遮断弁２８と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サイズの大きなスパッタリングターゲット材を低コストで製造し、かつスパッタリングを均一に行うことを可能にする。
【解決手段】純度が質量比で９９．９９９％以上の高純度アルミニウム材を用いて結晶粒径が１０ｍｍ以下で全面等軸晶のビレットを溶製し、該ビレットを用いて押出加工を施すことで結晶粒径が１００μｍ以下のスパッタリングターゲット材を得る。押出加工において、押出温度３００℃以下、押出比１０以上とするのが望ましい。
【効果】液晶テレビ用ＬＣＤなどに用いられる大型の高純度アルミニウムスパッタリングターゲット材の製造が容易となる。スパッタリングの際の不均一さがなく、スパッタリングにより良好な金属薄膜などを形成することができる （もっと読む）

【課題】デジタルカメラ、デジタルビデオカメラのレンズシャッターなどのシャッター羽根または絞り羽根やプロジェクターの光量調整用絞り装置の絞り羽根などの光学機器部品として用いられ、遮光性、耐熱性、摺動性、低光沢性、導電性に優れた耐熱遮光フィルムとその製造方法、及びそれを用いた絞り又は光量調整装置を提供する。
【解決手段】２００℃以上の耐熱性を有する樹脂フィルム基材（Ａ）と、樹脂フィルム基材（Ａ）の片面もしくは両面にスパッタリング法で形成された５０ｎｍ以上の膜厚を有するＮｉ系金属膜（Ｂ）と、Ｎｉ系金属膜（Ｂ）上に、スパッタリング法で形成された、低反射性のＮｉ系酸化物膜（Ｃ）からなり、かつ表面粗さが０．１〜０．７μm（算術平均高さＲａ）であることを特徴とする耐熱遮光フィルムなどにより提供する。 （もっと読む）

【課題】 本願発明が解決しようとする課題は、ＡＩＰ法、ＭＳ法に用いるターゲット材であって、ドロップレットの生成が抑制され、品質の高い皮膜を形成するのために好適なターゲット材を提供することである。
【解決手段】 本願発明は、ＳｉとＭ成分、但し、Ｍ成分は周期律表４ａ、５ａ、６ａ族金属元素、Ｂ、Ｓから選択される１種以上の元素を有するターゲット材において、該ターゲット材は、Ｍ成分の窒化物又は炭窒化物を、モル％で５％以上、３０％以下含有し、該窒化物又は該炭窒化物がＳｉ相中に含まれる組織を有することを特徴とする窒化物含有ターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】耐環境性に優れた光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜、光情報記録媒体などを提供することを目的とする。
【解決手段】光情報記録媒体に用いられるＡｇ合金反射膜を、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｎｉから選ばれる一種または二種以上の元素を合計で０．１〜５原子％含有するとともに、Ｂｉを０．００５〜１原子％含有し、残部がＡｇおよび不可避的不純物からなるものとし、Ａｇ合金反射膜の、特定光波長における耐光性と特定条件における耐湿熱性との耐環境性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】被移送物を衝撃や振動を起こすことなく円滑にかつ安定して定位置に迅速に移送することができ、しかも移送中の被移送物の落下や位置ずれを防止するようにしたマグネット式移送装置を提供する。
【解決手段】パイプ（１）内外にそれぞれ内部スライダー軸（２）と外部スライダー体（３）を有し、これらの内部スライダー軸（２）と外部スライダー体（３）間をマグネット（４）で連結して移送可能としたマグネット式移送装置であり、上記マグネットは、内部スライダー軸（２）の軸方向に直交する方向に配列した直状配列マグネット（５）と、内部スライダー軸（２）の軸方向に対向して斜状に交叉するようにずらした一対の斜状配列マグネット（６）を備え、内部スライダー軸（２）及び外部スライダー体（３）を衝撃なく円滑に、かつ安定して定位置に移送することができる。 （もっと読む）

【課題】スパッタ蒸発した原子をイオン化することにより、緻密性、結晶性に優れた皮膜を成膜することができるスパッタ装置及びその方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１と、真空チャンバ内に対向して設けられた一対のターゲット２Ａ，２Ｂと、前記ターゲットにスパッタ電力を供給するスパッタ電源５と、前記ターゲットの表面を通り、その垂直方向ないしほぼ垂直方向に磁界を形成するマグネット３Ａ，３Ｂを備え、前記磁界を形成すると共に前記真空チャンバに導入したスパッタリングガス中で前記ターゲット間の空間部の外側に設けた基板Ｗにスパッタ成膜する対向ターゲットスパッタ装置である。前記スパッタ電源５は、スパッタ成膜する際にターゲット２Ａ，２Ｂに投入される瞬時電力のピーク値であるピーク電力を前記空間部の体積で除した最大体積電力密度が８３Ｗ／cm³ 以上となるようにスパッタ電力を前記ターゲットに供給する。 （もっと読む）

真空処理プロセスにおけるガス圧−上昇パターンを制御するための装置において、ガス入口（１）は、マスフローコントローラーＭＦＣ（２）と動作可能に接続され、前記ＭＦＣ（２）も第１の弁（５）を介して真空チャンバ（３）、および並列に第２の弁（６）を介してベント−ライン（４）と動作可能なように接続される。前記ベント−ライン（４）との接続は、前記ベント−ライン（４）のポンプ断面を変化させるための手段をさらに備える。別の実施形態において、真空処理プロセスにおけるガス圧−上昇パターンを制御するための装置は、弁（１１）を介して真空チャンバ（３）と動作可能に接続されたガス入口（１３）を備え、ガス入口（１３）と弁（１１）との接続は、ダイアフラム（１２）をさらに備える。
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【課題】本発明の目的は、配線溝や層間接続路表面に形成されたＴａＮからなるバリア層との密着性が良好なＣｕ配線と、このＣｕ配線を製造できる方法を提供する。本発明の他の目的は、半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝や層間接続路の幅が狭く、深い場合でも、バリア層との密着性が良好で、配線溝や層間接続路の隅々に亘って埋め込まれているＣｕ配線と、このＣｕ配線を製造できる方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝または層間接続路に埋め込まれたＣｕ配線を、（１）配線溝側または層間接続路側に形成されたＴａＮからなるバリア層と、（２）Ｐｔ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｂ、Ｆｅ、Ｖ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｒｕ、ＲｅおよびＯｓよりなる群から選ばれる１種以上の元素を合計で０．０５〜３．０原子％含有するＣｕからなる配線本体部とで構成すればよい。 （もっと読む）

【課題】 耐摩耗性が高く、かつ高い耐欠損性を有する表面被覆工具を提供する。
【解決手段】 基体の表面に、Ｔｉ_{１−ａ−ｂ}Ａｌ_ａＭ_ｂ（Ｃ_ｘＮ_１−ｘ）（ただし、ＭはＴｉを除く周期表４、５、６族元素、希土類元素およびＳｉから選ばれる１種以上であり、０．４≦ａ≦０．６５、０≦ｂ≦０．３、０≦ｘ≦１である。）からなる被覆層１を被覆して、被覆層１は基体１０の表面に対して垂直に伸びる柱状結晶２を主体とした組織からなるとともに、内部に粒状結晶３が分散し、上側に一端が扇状に広がった形状の扇状結晶４が成長してなる表面被覆工具であり、被覆層のクラック対する抵抗力が高くなる結果、耐チッピング性が向上する。 （もっと読む）

【課題】抵抗性メモリ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】抵抗性メモリ素子は、トランジスタのソース２０２またはドレイン２０３上の層間絶縁膜２０６を貫通して形成されたコンタクトプラグ２０７と、コンタクトプラグ２０７に接続された下部電極２１と、下部電極２１上に遷移金属固溶体で形成された固溶層２４と、固溶層２４上に形成された遷移金属酸化物による抵抗層２２と、抵抗層２２上に形成された上部電極２３と、を備える。これにより、電圧及び抵抗特性が安定化した信頼性のあるメモリ素子を具現できる。 （もっと読む）

【課題】 製品の一部に局部的な蒸着等を行う場合のマスク治具として、比較的安価に作製でき、軽量で取り扱いやすく、製品に傷を付けるような不具合がなく、見切り線がシャープに形成できるようにする。
【解決手段】 樹脂シート材料３ｘを加熱軟化させた後、見切り線に対応する箇所ｍ´に沿って吸引スリット１１を有する真空成形型１０を使用して真空成形し、これと同時に、プラグ１５で見切り線に対応するシート部分周辺を押圧することで、見切り線ｍに対応するシート部分の厚みを見切り線に向かって徐々に薄肉にする。また、吸引スリット１１内に多孔質部材１４を設け、多孔質部材１４の上端で、シート材料３ｘに鋭角部ｅが形成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】
熱ＣＶＤ法あるいはＭＯＣＶＤ法で製造される従来の薄膜太陽電池用基板（透明電極）に比べて、安価で、且つ、電気的及び光学的性能が優れている薄膜太陽電池用基板の製造方法として、大面積の製膜が可能で、且つ、安価な有機金属材料を原料に使うことが可能な高周波プラズマＣＶＤ技術を用いた新しい方法及び装置を創出し、それに関する技術を提供すること。
【解決手段】
有機金属材料を原料とする高周波プラズマＣＶＤ装置により、透明性絶縁基板の上に、非晶質酸化チタン膜と結晶質酸化チタン膜と結晶質酸化亜鉛膜の３層構造からなる透明電極膜を積層する。その結果、安価で、且つ、光閉じ込め効果（膜の凹凸構造）を有し、高導電性で高光透過性の薄膜太陽電池用基板が得られる。 （もっと読む）