【課題】かじり防止の為の貴金属の被覆を形成されたボルトやナット等の締結具を真空中で用いる場合、脱脂洗浄した締結具とは同程度のガス放出量がある為、より良い真空雰囲気を得るにはガス放出量の低減、特に水素のガス放出量の低減が求められていた。
【解決手段】脱脂洗浄したステンレス鋼のボルト部品１の雄ネジ部４の表面に１μｍ程度貴金属である金の被覆５を施し、１５０℃以上３００℃以下で、３０分以上真空加熱、又は窒素雰囲気中加熱を行う。これにより、低ガス放出量、特に水素のガス放出量の少ないボルト部品１にすることができる。このようにして製造されたボルト部品１は、真空処理装置の組立てや真空配管の接続に好適である。また、本発明はボルトに限らず、ナットや雌ネジ部を有する板材等の締結具にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】 透明基材上に、高屈折率及び高アッベ数を有し、かつ無色透明な有機膜が形成された積層体を提供すること。
【解決手段】 透明基材の少なくとも片面に、下記一般式（１）で表される環状化合物よりなる膜（Ａ）が形成されていることを特徴とする積層体。
【化１】


〔ここで、ａ、ｂ、ｃ、ｄはそれぞれ０〜２の整数である（但し、ａ〜ｄが同時に０とはならない。）。Ｘ、Ｙは、同じでも異なってもよく、ハロゲン、チオール基、ＣＨ₂ＳＨ
、フェニル基、もしくはベンジル基である。ｍ、ｎは、０〜２の整数である。ｚは、１〜１０の整数である。〕 （もっと読む）

【課題】ヒロックおよびボイドなどの熱欠陥の発生がなくかつ表面状態の良好な銅合金薄膜からなるＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにそれらを形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．００１〜０．５原子％を含有し、さらにＡｇ：０．００２〜１．０原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生が少なくかつ表面状態の良好なＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイの配線および電極を形成するための銅合金薄膜並びにその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｇ：０．０１〜０．５原子％を含有し、さらにＭｇ、ＡｌおよびＬｉのうちの１種または２種以上を合計で０．０１〜２．５原子％を含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れたＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 従来より低コスト、小型で、筒状治具を自転させながら蒸着原料の周りを公転させつつ移動させる装置が必要なく、また試料の一部分に成膜の不要な箇所がある場合にその箇所にマスキング等が不要な、膜厚の均一性が高い薄膜を成膜する薄膜の成膜装置を提供すること。
【解決手段】 真空の炉体２内でターゲット８（蒸着原料）をプラズマ化させ、試料４の表面に膜を形成する薄膜の成膜装置１で、試料４の表面に窒素ガス（不活性ガス）を供給するガス供給装置６を備える。 （もっと読む）

【課題】微細な回路パターンを十分良好に形成可能であり、かつ、金属層を形成する際にポリイミドフィルムを用いる必要のない樹脂付き金属薄膜を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明は、支持体１と、該支持体１上に蒸着法により形成された第１の金属層２と、該第１の金属層２上に形成された第２の金属層３と、該第２の金属層３上に形成された絶縁性の樹脂組成物からなる樹脂層４とを備える樹脂付き金属薄膜１００を提供する。 （もっと読む）

【課題】段差被覆性に優れた銅シード層の製造方法を提供する。
【解決手段】同じスパッタチャンバ内で実行される堆積された銅のスパッタエッチング１６２が、銅のスパッタ堆積１６０の後に続いて実行される。これにより、特に銅の電気めっきの前に、狭いビア内に銅シード層を形成するのに有用な銅堆積プロセスとなる。該堆積は、高い銅イオン化割合及び銅イオンを該ビア内に引き付ける強力なウェーハバイアスを促進する条件下で実行される。該エッチングは、好ましくは、該チャンバの周りのＲＦコイルによって誘導励起されたアルゴンイオンによって、又は、高いターゲット電力及び極めて強いマグネトロンで形成することができる銅イオンによって、あるいは、ＲＦコイルの使用によって行うことができる。堆積／エッチングの２つ以上のサイクルを実行することができる。最後の瞬時堆積１６８は、高い銅イオン化及び低いウェーハバイアスで実行することができる。 （もっと読む）

【課題】情報端末入力に利用されているタッチパネルの上部（可動）透明電極やＬＣＤや有機ＥＬ素子を用いたフィルムディスプレイなどにおける透明電極を構成する、摺動耐久性に富む透明導電性フィルムの提供を目的とする。
【解決手段】透明なプラスチックフィルム基材の少なくとも一方の面に、プラズマイオン注入法によってイオン注入層が形成されており、そのイオン注入層の上には非結晶性の酸化物薄膜からなる透明導電性薄膜が積層されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成で効果的にチャンバを冷却する。
【解決手段】内部にてプラズマが発生させられるチャンバ２０が備えられ、略密閉型のシールド４０は所定の隙間を隔ててチャンバ２０を外側から囲む。シールド４０の内側と外側とを連通させる開口部４１，４１，４１・・・がシールド４０に形成される。さらに、シロッコファン５０が備えられ、シロッコファン５０がシールド４０の内側から吸気し、シールド４０の外側に排気する。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタリング法により成膜を行った場合に荷電粒子の衝突に起因して被堆積面が受けるダメージを小さくする。
【解決手段】本発明の成膜方法は、スパッタリングターゲット１６と基板１７との間に、前記スパッタリングターゲット１６が含んでいる元素からなる主面を備えると共に前記主面で開口した貫通孔が設けられた第１トラップ１５ｂを、前記主面が前記スパッタリングターゲット１６を向くように設置し、この状態でマグネトロンスパッタリング法により前記スパッタリングターゲット１６が含んでいる材料を前記基板１７上に堆積させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い強度を有するＩＴＯ燒結体、スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】酸化スズを８〜１２重量％、並びに元素の周期表の２ａ族及び４ａ族元素のうちの少なくとも１種の元素の酸化物を０．００１〜０．１重量％含み、残部が酸化インジウムからなる。このＩＴＯ燒結体からなるターゲット。これらの酸化物を上記量で配合し、成形した後焼成してＩＴＯスパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】銅系金属層の密着性に優れ、微細エッチングが可能で、信頼性の高いフレキシブル回路基板を提供する。
【解決手段】樹脂フィルム１の表面に、シリコンに対して窒素が当量で０．５〜１．３３含まれるスパッタ法による窒化シリコン層２を形成し、さらに銅系金属層３を形成したことにより、銅系金属層３の密着性が良好となる。さらに、上記窒化シリコン層２は絶縁物であることからエッチングの必要が無く、銅系金属層だけをエッチングすればよいため、サイドエッチングがあまり起こらずに微細エッチングが可能となる。しかも、高温下で仮に樹脂フィルム１側からの水分や酸素が浸透したとしても窒化シリコン層２によってブロックされ、銅系金属層３の酸化や密着力の低下が生じず、信頼性にも優れたフレキシブル回路基板６となる。 （もっと読む）

【課題】 輸送にも便利で、かつ、コンパクトで前処理工程に適する真空チャンバを提供する。また、前記真空チャンバを備えたロードロックチャンバ及び処理装置を提供する。
【解決手段】 貫通穴１０ａ〜１０ｃが形成された略直方体のチャンバ部材１１ａ〜１１ｃを２以上備え、前記チャンバ部材１１ａ〜１１ｃのうち、少なくとも１のチャンバ部材の貫通穴の一方の口が形成されている面に、シール部材の装着を可能とする溝が形成され、この溝にシール部材を装着して、隣接するチャンバ部材の各貫通穴が連通するように、チャンバ部材を２以上接合してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系透明薄膜の成膜工程において、パーティクルおよび異常放電の発生を抑制しうる酸化亜鉛系焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ピロ燐酸亜鉛または燐酸亜鉛水和物と酸化亜鉛とからなる比表面積が３〜２０ｍ²／ｇの原料粉末を混合しつつ粉砕した後に、急速乾燥造粒を行い、得られた造粒物を成形し、得られた成形体を、６００〜１０００℃の温度範囲を０．５〜１０℃／ｍｉｎで昇温し、１０００〜１２００℃にて１０〜３０時間、焼成することにより、リンと亜鉛の元素比Ｐ／Ｚｎが０．００６〜０．０６であり、焼結密度が５．４ｇ／ｃｍ³以上であって、リン化合物の径が５μｍ以下である酸化亜鉛系焼結体を得る。 （もっと読む）

【課題】処理効率が高く、高品質の半導体装置が製造できる処理装置及び移載装置を提供する。
【解決手段】複数の被処理基体を収容する基体容器を載置する基体容器載置台と、前記基体容器載置台に隣設され、内部を所定の気圧に維持し得る移載室と、前記移載室の周囲に複数配設され、被処理基体を処理する処理ユニットと、前記移載室内に配設され、被処理基体を移載する複数の移載アームとを具備し、複数の前記移載アームは、伸縮および旋回が可能であり、かつ、前記移載アーム同士で前記被処理基体の受け渡しを行う少なくとも一方の前記移載アームは、前記伸縮の方向線に対して非対称の形状の被処理基体支持部材を有することを特徴とする処理装置。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体に用いられるＣｏ−Ｆｅ系合金の軟磁性膜を成膜するためのＣｏ−Ｆｅ系合金ターゲット材に関して、良好なスパッタリング特性を有する低透磁率のＣｏ−Ｆｅ系合金ターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｃｏ_Ｘ−Ｆｅ_{１００−Ｘ}）_{１００−（Ｙ＋Ｚ）}−Ｚｒ_Ｙ−Ｍ_Ｚ、２０≦Ｘ≦７０、２≦Ｙ≦１５、２≦Ｚ≦１０で表され、前記組成式のＭ元素が（Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ）から選ばれる１種または２種以上の元素であるスパッタリングターゲット材であって、該スパッタリングターゲット材のミクロ組織がＣｏを主体とする合金相とＦｅを主体とする合金相とからなる焼結組織を有し、前記Ｆｅを主体とする合金相中にＦｅ_２Ｍの非磁性ラーベス相金属間化合物が存在するＣｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の配線および電極を形成するための銅合金薄膜を提供する。
【解決手段】Ａｇ、Ｃａ、ＭｇおよびＺｎの内の１種または２種以上を合計で０．０１〜１原子％含有し、さらに酸素：０．１〜２原子％を含み、さらに必要に応じて希土類元素の内の１種または２種以上を合計で０．０１〜１原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用配線および電極。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの予備加熱による真空度の低下や基板温度の上昇を抑制することのできるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】本発明のスパッタリング装置１は、ターゲット１１に所定の電力を印加して、基板１０上に成膜を行うスパッタリング装置１であって、前記ターゲット１１を支持固定するバッキングプレート４と、前記基板１０を前記バッキングプレート４に支持固定された前記ターゲット１１に対向させて支持する基板ホルダ３と、前記基板ホルダ３と前記バッキングプレート４との間に退避可能に設けられ、前記ターゲット１１を予備加熱する加熱部５と、前記加熱部５の前記基板ホルダ３に対向する面を覆うように設けられた反射板６と、前記基板ホルダ３と前記反射板６との間に設けられたシャッター７とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】摺動部分に高い加重が加わる２５０〜３００℃の環境下でも使用が可能であり、且つ、高い真空環境を悪化させることが無く、更に、発塵を高度に低減させた摺動部材、摺動部品、及びそれらの製造方法、並びにそれらを用いた磁気記録媒体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の摺動部材は、摺動面の表面１１に開口したピット１２を形成し、このピット１２に固体潤滑剤を保持することを特徴とする。前記摺動面は、ステンレス鋼またはアルミニウム合金からなることを特徴とすることができる。 （もっと読む）

【課題】欠陥孔内を被覆して厚さが均一で表面性状に優れる金属層を形成することが可能な金属化フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁体１の表面に金属層４が形成された金属化フィルムの製造方法であって、絶縁体１の表面に乾式めっき法により下地金属膜４を形成する工程と、絶縁体の１下地金属膜４を形成した面に有機モノマー含有液を接触させ、下地金属膜４の欠陥孔内の絶縁体１表面に導電性有機ポリマー皮膜を選択的に形成することにより、欠陥孔内を被覆する工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）