【課題】珪化タングステンの欠損を抑制すること。
【解決手段】本発明は、半導体層１０上に、半導体層１０の表面が露出するような開口部を有し酸化シリコンを含む絶縁膜１４を形成する工程と、絶縁膜１４及び開口部内に庇を有するショットキ電極３０を形成する工程であって、少なくとも絶縁膜１４が接触する領域に酸素含有量が２．６％以上の部分を有する珪化タングステンからなる接触層２０を形成する工程を含むショットキ電極３０を形成する工程と、絶縁膜１４を弗酸を含む溶液で除去する工程と、を有する電界効果トランジスタの製造方法及び電界効果トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】耐凝集性および耐硫化性に優れると共に、保護膜が略無色透明である反射膜を提供する。
【解決手段】Ａｇ薄膜、または、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｂｉ、及び希土類元素から選ばれる１種類以上の元素を含有するＡｇ合金薄膜で形成された膜厚７０ｎｍ以上の第１層と、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉから選ばれる１種以上の金属の酸化膜或いは酸窒化膜で形成され、その膜厚が、５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下の第２層と、プラズマ重合膜で形成され、その膜厚が、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下の第３層を積層して成る。 （もっと読む）

【課題】波長板を構成する圧電基板に開口フィルタを成膜しても反りが生じないようにすることを目的とする。
【解決手段】波長板を形成する第１の水晶基板３の一方の表面上には、位相調整膜６と波長選択膜７とからなる開口フィルタ５が成膜されている。また、第１の水晶基板３の他方の面には、第１の水晶基板３の一方の面に成膜された開口フィルタ５により生ずる圧縮応力を打ち消すために所定の材質の矯正用光学薄膜８を成膜するようにした。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体に用いられるＣｏ−Ｆｅ系合金の軟磁性膜を成膜するためのＣｏ−Ｆｅ系合金ターゲット材に関して、良好なスパッタリング特性を有する低透磁率のＣｏ−Ｆｅ系合金ターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｃｏ_Ｘ−Ｆｅ_{１００−Ｘ}）_{１００−（Ｙ＋Ｚ）}−Ｚｒ_Ｙ−Ｍ_Ｚ、２０≦Ｘ≦７０、２≦Ｙ≦１５、２≦Ｚ≦１０で表され、前記組成式のＭ元素が（Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ）から選ばれる１種または２種以上の元素であるスパッタリングターゲット材であって、該スパッタリングターゲット材のミクロ組織がＣｏを主体とする合金相とＦｅを主体とする合金相とからなる焼結組織を有し、前記Ｆｅを主体とする合金相中にＦｅ_２Ｍの非磁性ラーベス相金属間化合物が存在するＣｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の配線および電極を形成するための銅合金薄膜を提供する。
【解決手段】Ａｇ、Ｃａ、ＭｇおよびＺｎの内の１種または２種以上を合計で０．０１〜１原子％含有し、さらに酸素：０．１〜２原子％を含み、さらに必要に応じて希土類元素の内の１種または２種以上を合計で０．０１〜１原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用配線および電極。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの予備加熱による真空度の低下や基板温度の上昇を抑制することのできるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】本発明のスパッタリング装置１は、ターゲット１１に所定の電力を印加して、基板１０上に成膜を行うスパッタリング装置１であって、前記ターゲット１１を支持固定するバッキングプレート４と、前記基板１０を前記バッキングプレート４に支持固定された前記ターゲット１１に対向させて支持する基板ホルダ３と、前記基板ホルダ３と前記バッキングプレート４との間に退避可能に設けられ、前記ターゲット１１を予備加熱する加熱部５と、前記加熱部５の前記基板ホルダ３に対向する面を覆うように設けられた反射板６と、前記基板ホルダ３と前記反射板６との間に設けられたシャッター７とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】摺動部分に高い加重が加わる２５０〜３００℃の環境下でも使用が可能であり、且つ、高い真空環境を悪化させることが無く、更に、発塵を高度に低減させた摺動部材、摺動部品、及びそれらの製造方法、並びにそれらを用いた磁気記録媒体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の摺動部材は、摺動面の表面１１に開口したピット１２を形成し、このピット１２に固体潤滑剤を保持することを特徴とする。前記摺動面は、ステンレス鋼またはアルミニウム合金からなることを特徴とすることができる。 （もっと読む）

【課題】欠陥孔内を被覆して厚さが均一で表面性状に優れる金属層を形成することが可能な金属化フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁体１の表面に金属層４が形成された金属化フィルムの製造方法であって、絶縁体１の表面に乾式めっき法により下地金属膜４を形成する工程と、絶縁体の１下地金属膜４を形成した面に有機モノマー含有液を接触させ、下地金属膜４の欠陥孔内の絶縁体１表面に導電性有機ポリマー皮膜を選択的に形成することにより、欠陥孔内を被覆する工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 有機高分子フィルム基材上に、ＺｎＯ系薄膜を形成した透明導電フィルムであって、ＺｎＯ系薄膜の膜厚が薄くなった場合（特に膜厚が１５０ｎｍ程度以下の場合）にも、低抵抗値であり、かつ湿熱環境下においても抵抗値の変化率が小さい、透明導電フィルムを提供すること。
【解決手段】 有機高分子フィルム基材上に、Ａｌ_２０_３薄膜が形成されており、その上にＡｌをドープしたＺｎＯであるＡＺＯ薄膜が形成されていることを特徴とする透明導電フィルム。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板表面に対する密着性に優れ、さらにヒロックおよびボイドなどの熱欠陥が発生することのない銅薄膜からなる液晶表示装置用配線および電極の形成方法を提供する。
【解決手段】酸素：０．０４〜１質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅ターゲットを用い、不活性ガス雰囲気中または酸素：３体積％以下含んだ不活性ガス雰囲気中でスパッタリングする熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用配線または電極の形成方法。 （もっと読む）

【課題】配向性の高いＰＺＴ薄膜を容易に製造することが可能なＰＺＴ薄膜の製造方法、配向性の高いＰＺＴ薄膜を圧電薄膜として備えた低コストのＢＡＷ共振器およびそれを用いたＵＷＢ用フィルタを提供する。
【解決手段】ＰＺＴ薄膜３０ａの製造にあたっては、結晶成長用基板１の主表面側の成長表面である最表面Ｓｕｒに電子銃２から電子ビームを照射しながらスパッタ法によりＰＺＴ薄膜３０ａを結晶成長させるので、結晶成長時の最表面Ｓｕｒ付近の電子４に起因した電場と最表面Ｓｕｒに向かって飛来するＰＺＴ粒子３の自発分極との相互作用により、自発分極の方向が厚み方向に揃った配向性の高いＰＺＴ薄膜３０ａを結晶成長させることができる。ＢＡＷ共振器における圧電薄膜の形成方法としてＰＺＴ薄膜３０ａの製造方法を利用すれば、ＢＡＷ共振器およびＵＷＢ用フィルタの低コスト化を図れる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成でありながら、低温・低ダメージ成膜が可能であり、且つ生産性の高いスパッタ方法及びスパッタ装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係るスパッタ方法及びスパッタ装置は、前記一対のターゲットの対向面のなす角を所定の角度にしてスパッタリングし、基板に所定の厚さまで成膜した後、前記対向面をそれぞれ基板側に方向転換させて対向面のなす角を前記所定の角度より大きくして成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高価で資源枯渇の懸念のあるＩｎ原料を有しないＩＴＯ代替材料としての酸化亜鉛系透明導電体の開発において、最適ドーパントの探索や成膜方法の選択若しくは改良だけでは、低抵抗率化の実現には充分でない。そこで、低抵抗率の酸化亜鉛系透明導電膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成される初期成膜の平均結晶粒径が３０ｎｍ以上であり、基板から膜の上表面に向かって柱状に成長した膜構造を備えていることを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜及び基板上に酸化亜鉛系透明導電膜を形成する際に、成膜初期から膜に電圧を印加し、電流を流しながら成膜することを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】大電力によるスパッタ時においても、ターゲット材の割れや剥離が発生せず、溶射法やＨＩＰ法によるものと異なり、あらゆる材質のターゲットに適用可能で、かつ、低コストの円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】円筒形基材の外側面に円筒形状のセラミックス焼結体からなる円筒形ターゲット材を複数接合してなる円筒形スパッタリングターゲットとするとともに、前記円筒形ターゲット材同士の接続部に所定量の間隙を有する円筒形スパッタリングターゲットとする。 （もっと読む）

【課題】セラミックス焼結体をターゲット材とする円筒形スパッタリングターゲットであって、スパッタ中にターゲット材に割れが発生することのない円筒形スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】円筒形基材の外周面に円筒形状のセラミックス焼結体からなるターゲット材を接合してなる円筒形スパッタリングターゲットにおいて、円筒形基材の外周面と円筒形ターゲット材の内周面との間に、スパッタ中に円筒形基材と円筒形ターゲット材の熱膨張率の相違に起因して発生し円筒形ターゲット材に作用する内圧を吸収するための空隙を有し、かつ、十分な熱伝導性と接合強度を有する接合層を設ける。 （もっと読む）

本発明の主題の一つは、基材の第１の側上に堆積された少なくとも１層の薄い連続的な膜の処理のための方法であって、薄膜を連続に保ちながら、そしてこの薄膜を溶融するステップ無しで該薄膜の結晶化度を高めるように、この少なくとも１つの薄膜が少なくとも３００℃に昇温され、該第１の側とは反対側上の温度が１５０℃以下ように保ちたれることを特徴とする、方法。
発明の別の主題は、この方法によって得ることができる材料である。 （もっと読む）

【課題】処理装置に異常が生じていることを精度良く検出することができる半導体製造装置の管理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体製造装置の管理方法は、互いに同一の処理を行う第１処理装置及び第２処理装置を管理する半導体製造装置の管理方法であって、前記第１処理装置を用いて第１の半導体基板に処理を行い、かつ前記第２処理装置を用いて前記第１の半導体基板と同一ロットの第２の半導体基板に処理を行う工程と、前記第１の半導体基板及び前記第２の半導体基板それぞれにおいて、前記処理の結果を示す寸法を測定する工程と、前記第１の半導体基板の寸法値に対する前記第２の半導体基板の寸法値の差を算出する工程と、前記差が基準範囲外である場合に前記第１処理装置又は前記第２処理装置のいずれかが異常であると判断する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ターゲット交換を容易、且つ迅速に行えるスパッタ装置のターゲット固定構造を提供する。
【解決手段】固定部材３０にターゲット５が固定される。固定部材３０に対して着脱自在に設けられる保持部材３５を有し、ターゲット５が、固定部材３０と保持部材３５との間で挟持して保持される。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時のアーキングやスプラッシュの発生を効果的に防止することができ、とくにアーキングについては事実上皆無とすることができるスパッタリングターゲット材を提供すること。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲット材は、（Ａ）少なくともＣｏを含有する金属相、（Ｂ）長軸粒径１０μｍ以下の粒子を形成してなるセラミックス相、および（Ｃ）少なくともＣｏを含有してなるセラミックス−金属反応相を有し、前記（Ｂ）セラミックス相が前記（Ａ）金属相内に散在されてなり、かつ、前記（Ｂ）セラミックス相と前記（Ａ）金属相との間に、前記（Ｃ）セラミックス−金属反応相により形成される層が介在してなることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】タービン部品の改良補修プロセス及び補修した部品を提供する。
【解決手段】修復又は再生した物品であり、特に、第一の材料を含む損傷部品を準備する段階８０と、残存基板の壁厚を評価する段階８４と、残存基板の少なくとも一部の上に第二の材料の層を堆積させる段階８６Ａ、８６Ｂとを含む方法で修復又は再生したガスタービンエンジン用の部品。第二の材料は、第一の材料と実質的に同じ組成である。被覆段階９２で、部品上に環境皮膜を堆積させる。本方法は、８１６℃〜１２６０℃の温度で２〜２４時間の熱処理段階８８を含んでよい。修復又は再生された物品は、供用に戻すことができる９８。 （もっと読む）