【課題】フッ素系ガス、フッ素プラズマ、フッ素ラジカルや酸素ガス、プラズマ、ラジカルなどの腐食性ガスや反応性ガスに対する耐食蝕性に優れ、かつ、十分な機械的強度を有する複合体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の複合体は、基体と、該基体上に形成されたアルミニウム薄膜と、該アルミニウム薄膜上に形成されたバリア型陽極酸化被膜とを備えてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】抵抗変化型メモリ素子の抵抗変化の安定性と抵抗変化比を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１を酸化物チャンバＦ３に搬入し、チタンを主成分とする第一ターゲットを酸素雰囲気の下でスパッタさせてチタン酸化物からなる酸化物層を形成し、酸化物層を有する基板１１を照射チャンバＦ４に搬入し、酸化物層の表面にさらに酸素ラジカルを照射して可変抵抗体を形成した。 （もっと読む）

【課題】陽極に形成された反応生成物を取り除くことができるシートプラズマ装置を提供する。
【解決手段】本発明のシートプラズマ装置１００は、内部を減圧可能な減圧容器６０と、プラズマガン１０と、減圧容器の内部においてプラズマを受ける平板状の陽極５１と、減圧容器の一部を成すように形成され、その内部に円柱状のプラズマ２２を流動させかつこの円柱状のプラズマをシート状のプラズマ２７に変形させるシートプラズマ変形槽２０と、減圧容器の一部を成すように形成された成膜槽３０と、陽極を回転させる回転機構７５と、陽極の背後にかつ円柱状のプラズマの中心軸２２Ａ上に配置された永久磁石５２と、シート状のプラズマと離れた位置に陽極の前面に対向するように配置された清掃部材７６と、清掃部材を陽極に押し付ける押付機構８１と、清掃部材とシート状のプラズマとの間に配置された遮蔽板８２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】非磁性酸化物：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、素地中に絶対最大長５μｍを超えるクロム酸化物凝集体が５００個/ｍｍ^２以下であって、絶対最大長１０μｍを超えるクロム酸化物凝集体が存在しない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】インジウム、錫、亜鉛の量を適正化することにより、リン酸系エッチング液に不溶であり、かつ、蓚酸系エッチング液に可溶な非晶質酸化物半導体薄膜や、その製造方法などの提供を目的とする。
【解決手段】画像表示装置１は、ガラス基板１０、光制御素子としての液晶４０、この液晶４０を駆動するためのボトムゲート型薄膜トランジスタ１、画素電極３０及び対向電極５０を備えており、ボトムゲート型薄膜トランジスタ１の非晶質酸化物半導体薄膜２は、キャリア密度が１０^＋１８ｃｍ^−３未満であり、さらに、リン酸系エッチング液に対して不溶であり、かつ、蓚酸系エッチング液に対して可溶である。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ外周部のスルーホールやトレンチ内における被覆性を向上できるマグネトロンスパッタ装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】サセプタ３に接続された高周波電源８と、スパッタ室２の外側であって、ターゲットの中心軸Ｃ１と同軸のプレート９と、中心軸を中心Ｃにプレートを回転させる回転移動手段と、プレートの一面においてＳ極端をターゲットに向けたＳ極マグネット１０Ｓと、プレートの一面においてＮ極端をターゲットに向けた第１及び第２のＮ極マグネット１０Ｎと、を備え、第１のＮ極マグネットと第２のＮ極マグネットとの磁束密度がＳ極マグネットの磁束密度より大きい。 （もっと読む）

スパッタリングターゲット集合体を製造する方法において、粉末形態の金属及び合金を用いてターゲット材料を支持板に接合し、真空ホットプレス中で達成される温度で、実質的に１００％の接合を達成することによる、上記方法。
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【課題】プラズマの状態を乱すことなく、粒子密度を正確に測定できる光源を実現すること。
【解決手段】本光源は、管状の筐体１２と、筐体の内壁に沿って設けられた、冷却媒体を流通させる冷却媒体流通路３０と、筐体の先端に配設されたレンズ５０と、レンズの手前であって、筐体内部において、その筐体の軸に垂直に、相互に平行に、配設された第１電極４４及び第２電極４６と、その間に配設された絶縁スペーサ４６とを有する。第１電極、絶縁スペーサ及び第２電極の中央部を軸の方向に貫通する孔４７を有する。冷却媒体流通路の内壁に沿って、放電ガスを、レンズの裏面に向かって導入し、レンズで反射させて、孔を通して、流通させる放電ガス流通路を設けた。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの使用効率の高いマグネトロンスパッタ装置及びマグネトロンスパッタ方法を実現する。
【解決手段】カソード電極が設けられた真空チャンバー内において、カソード電極の表面にターゲットを、カソード電極に対向する位置に基板を配置する。そして、カソード電極の裏面に中央部を囲むように環状に第１環状磁石３０５を配置し、第１環状磁石３０５を囲むように環状に第２環状磁石３０７を配置し、第２環状磁石３０７を囲むように環状に第３環状磁石３０９を配置する。第１環状磁石３０５は、ターゲットに対して垂直に磁界を発生させる。第２環状磁石３０７はターゲットに対して第１環状磁石３０５と同一方向に、第３環状磁石３０９は第２環状磁石３０７と逆方向に磁界を発生させる。そして、ターゲットと基板との間に高電圧を印加すると、ターゲットの外縁部が最も深いエロージョンが形成される。 （もっと読む）

【課題】従来の光学特性を維持するとともに、耐擦傷性および耐熱性に優れた光学物品とその製造方法を提供すること。
【解決手段】メガネレンズ１Ａは、レンズ基材１０の表面に、ハードコート層１１、低屈折率層である第１の層と高屈折率層である第２の層とが交互に積層された反射防止層１２Ａおよび防汚層１３が順に積層される。反射防止層１２Ａは、低屈折率層である第１の層と高屈折率層である第２の層とが交互に積層され、ハードコート層１１の側から、第１層１２１、第２層１２２、第３層１２３、第４層１２４および第５層１２５が順に積層されている。第２層１２２および第４層１２４が四窒化三珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）からなる高屈折率層で、第２層１２２は第４層１２４よりも厚く形成され、設計波長λに対して２．５λ〜３．０λの範囲内の厚みを有している。 （もっと読む）

【課題】衝撃による傷が発生しない高硬度、高耐傷性でかつ腐蝕が発生しない高耐蝕性の金色色調の装飾部品を提供すること。
【解決手段】軟質基材からなる装飾部品の表面に初期層としてＨｆ、Ｔｉ、Ｚｒのうちから１種類以上の金属からなる金属層と第１の合金層を形成させ、次いで第１の変調構造層としてＨｆ、Ｔｉ、Ｚｒのうちから１種類以上の金属からなり第１の合金層とは異なる第２の合金層と、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｚｒのうちから１種類以上の金属からなり第２の合金層とは異なる第３の合金層とを交互に積層させた後に、さらに第２の変調構造層としてＡｕ合金層と、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｚｒのうちから１種類以上の金属からなる第４の合金層とを交互に積層させて最表層がＡｕ合金層である多層積層構造の硬化層をを形成させることにより衝撃によるキズが発生しない高硬度、高耐傷性で腐蝕が発生しない高耐蝕性で金色色調の装飾部品が達成される。 （もっと読む）

【課題】 ＯＬＥＤ装置（または他の種類の装置）の密封に利用可能な新しい、改良されたシーリング材およびシーリング技術を提供する。
【解決手段】 装置２００への酸素および水分の透過を抑制する方法であって、少なくとも装置２００の一部分を覆うようにＳｎ^２＋含有無機材料２０２で蒸着し、装置２００の少なくとも一部分を覆うように蒸着したＳｎ^２＋含有無機材料２０２を加熱処理する各工程を有してなる。Ｓｎ^２＋含有無機材料２０２は、例えば、ＳｎＯ、ＳｎＯとＰ_２Ｏ_５の混合粉末、およびＳｎＯとＢＰＯ_４の混合粉末などでありうる。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】非磁性酸化物：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有する板状焼結スパッタリングターゲットであって、面内方向比透磁率が５０以下、かつ面内方向比透磁率が厚み方向比透磁率より小さい漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】構造制御が容易で、高周波域で優れた磁気特性を有すると共に長時間に亘って優れた磁気特性の熱的安定性を有する磁性材料を提供する。
【解決手段】Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉのうち少なくとも１種類を含む磁性元素と難還元性金属酸化物とを含むアモルファス複合酸化物を熱処理して難還元性金属を含む酸化物の内部および表面に磁性元素を含む金属粒子を析出させてなる磁性材料。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法によって基板上に透明導電膜を成膜するとき、二次電子が基板に入射することによるダメージを抑制し、且つ成膜時間を短くすることが可能な製造方法及び製造装置を提供すること。プラズマによるダメージを低減した有機ＥＬ素子及び液晶法事装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】開口部を有する磁気シールドをターゲットと基板との間に挿入し、前記ターゲットをスパッタリングすることにより第１の透明導電膜を前記基板上に形成し、前記磁気シールドを前記ターゲットと基板との間から除去し、前記ターゲットをスパッタリングすることにより前記第１の透明導電膜上に第２の透明導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折による最強回折強度を制御して、皮膜の密着特性を犠牲にすることなく、硼化物皮膜の高硬度化への性能改善をすることである。
【解決手段】基体表面にＡｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒから選択される１種以上の金属元素からなる硼化物皮膜を被覆した被覆工具において、該硼化物皮膜は六方晶の結晶構造を有し、Ｘ線回折において最強回折強度を（００１）面に有し、残留圧縮応力が０．１ＧＰａ以上であること、を特徴とする被覆工具である。 （もっと読む）

【課題】４００℃〜６００℃の作動温度においても、原子の透過性を向上させることができる金属薄膜を提供する。
【解決手段】金属組成物と、前記金属組成物の結晶粒界に分散させた酸化物とを含有する。前記金属組成物を構成する金属ターゲットと、前記酸化物を構成する酸化物ターゲットとを同時にスパッタリングして形成した。前記酸化物が、ジルコニア、ランタンガレート、セリアのうちいずれか一つの元素で構成した。前記金属組成物が、銅、銀、白金、パラジウム及び金のうちいずれか一種、又は二種以上を主体とした合金で構成した。 （もっと読む）

【課題】 光学薄膜を成膜する際の真空排気に時間をかけることなく、基材から生じるガスを抑え、高品位な光学薄膜を成膜できる方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバー内において、基材上に金属薄膜を成膜する工程と、前記金属薄膜を酸化源により酸化する工程とを繰り返し、酸化された前記金属薄膜を積層することにより光学薄膜を成膜する方法であって、前記基材は樹脂から形成されたものとし、前記金属薄膜を成膜する工程の前に、前記基材の融点以下の温度で前記基材をプラズマ又は高周波により加熱する工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に、少なくとも位相シフト膜とメタル含有膜を有する位相シフトマスクブランクであって、該位相シフト膜と該メタル含有膜の密着性を向上した位相シフトマスクブランクを提供する。
【解決手段】位相シフトマスクブランクであって、少なくとも、基板上に、金属シリサイド化合物を主成分とする１層以上の位相シフト膜と、１層以上のメタル含有膜を具備し、前記位相シフト膜とメタル含有膜との界面にＳｉＯ_ｘ層を具備し、前記位相シフト膜と前記ＳｉＯ_ｘ層の界面に、膜の組成が連続的に変化した層を有するものであることを特徴とする位相シフトマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】個々の処理対象物に適した張力を付与することができるとともに、複数の処理対象物に適用した場合の作業が容易である引張機構部及び処理装置を提供する。
【解決手段】部材保持装置２は、処理対象物としての細長材２０の一端を把持する固定部１１と、細長材２０の他端を把持し、基端部側が一体に構成されるとともに先端部側が分割されて夫々独立して変位可能な複数の変位部３４ａを構成する変形部材３１と、複数の変位部３４ａに夫々設けられ、一端が固定された前記処理対象物の他端を把持可能な複数のつかみ部３２と、を備える引張機構部３０と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）