【課題】真空処理中に基板付近で発生するＨ₂Ｏなどの吸着ガスを効率的に捕捉することで、真空処理条件を安定させ基板の品質の向上を図ることが可能な真空処理装置を提供すること。
【解決手段】真空容器とターゲットと基板と真空排気ポンプと着脱可能でターゲットと対向して配置され、裏面がゲッターである複数のパンチングメタルからなる防着板を有し、防着板裏面のゲッターにて真空処理装置内のＨ₂Ｏなどの吸着ガスを捕捉することで、効率的な排気が可能となる。 （もっと読む）

【目的】 形成すべき合金薄膜の種類に拘わらず、また合金薄膜を構成する各金属の成分比に拘わらず、高価な合金材料からなるターゲットを予め用意する必要を無くし、低コストで合金薄膜を形成することができるようにした合金薄膜の製造装置及び方法を提供する。
【構成】 第１の種類の金属ターゲットを含む第１のスパッタ部から第１の種類のスパッタ粒子を基板の方向に飛散させると共に、第２の種類の金属ターゲットを含む第２のスパッタ部から第１の種類のスパッタ粒子を基板の方向に飛散させることにより、前記互いに異なる種類の金属スパッタ粒子を混合させながら前記基板上に堆積させて所望の合金薄膜を形成する方法及びそのための装置である。 （もっと読む）

【課題】 形成する膜の物性を容易に制御でき、また、生産性良く膜の形成が可能な制御性の良い成膜装置を提供する。
【解決手段】 膜を形成すべき基板５をアノード電極３に載置し、反応室１中に原料ガスを供給し、前記アノード電極３と、該アノード電極３に対向して配置してあるカソード電極４との間に高周波電圧を印加して原料ガスのプラズマを発生させ、制御部９を用いて駆動部８を制御することによって、成膜中にカソード電極４をアノード電極３に接近又は離隔させる。 （もっと読む）

【課題】酸化スズ濃度が高いにも関わらず、焼結密度が６．４０ｇ／ｃｍ³ 以上であり、かつ、残留応力が残らず、焼結後において割れの生ずることのない高濃度酸化スズＩＴＯ焼結体を提供する。
【解決手段】酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末を混合し、仮焼することにより、Ｉｎ₄Ｓｎ₃Ｏ₁₂相が形成された仮焼粉末を得て、該仮焼粉末に、酸化スズの含有量が４０〜６０質量％となるように、酸化インジウム粉末を混合して原料粉末とし、該原料粉末を加圧成形し、焼成することにより、ＩＴＯ焼結体を得る。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の材質としてフッ素添加カーボン（ＣＦ膜）を用いた半導体装置において、低誘電率であるフッ素添加カーボン膜の利点を生かすこと。
【解決手段】直鎖構造のＣ_５Ｆ_８ガスを用いてＣＦ膜を成膜し、その表面にハードマスクになる金属を直接形成する。このＣＦ膜は、耐熱性が大きいので金属膜の膜剥れがなく、また機械的強度が大きいのでＣＭＰ加工にも耐えられ、またＣＭＰ加工の後処理を有機酸などで行うことによりＣＦ膜の損傷もなくなる。その結果下層側のＣＦ膜と上層側のＣＦ膜との間にＳｉＣＮなどからなる比誘電率の高いキャップ膜が存在しなくなる。 （もっと読む）

【課題】高い反射率を有しており、高温高湿環境下に保持したときの耐環境性に優れていることは勿論のこと、高強度光照射環境下に保持したときの耐光性、および繰り返し再生試験に対する繰り返し再生耐久性にも優れた反射膜を備えた読み出し専用光情報記録媒体を提供する。
【解決手段】基板上に反射膜および光透過層が少なくとも１層ずつ順次積層された読み出し専用の光情報記録媒であって、反射膜は、Ｂｉを０．０１〜１．０原子％およびＣｕを０．１〜１３．０原子％含有するＡｇ基合金からなる。 （もっと読む）

【課題】内部チャンバ構成材と基板の張り出し縁部上への処理堆積物の堆積を軽減させる処理キットを提供する。
【解決手段】処理キット２００は処理チャンバ内において基板支持体の周囲に位置されるシールド２０１とリングアセンブリ２０２を備え、シールド２０１はスパッタリングターゲットを取り囲む上壁部と、基板支持体、支持出っ張り部、傾斜段差部、ガスコンダクタンス穴部を有するＵ型チャネルを取り囲む底壁部とを有する円筒状バンド２１４を備える。リングアセンブリ１２０は堆積リング２０８とカバーリング２１２を備え、カバーリングはバルブ型突起部をリングの周縁に有する。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体に用いられる軟磁性膜形成用のＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材の機械加工性を向上させるとともに、軟磁性膜を安定してスパッタリング可能なＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｆｅ_Ｘ−Ｃｏ_{１００−Ｘ}）、２０≦Ｘ≦７０で表されるＦｅＣｏ合金に、Ｆｅに対する共晶点以上の（Ｎｂ、Ｔａ）から選ばれる１種または２種の元素Ｍ１を含有する焼結ターゲット材であって、ショア硬さが３７ＨＳ以下であるＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】 密着性の確保と抵抗値の上昇を抑制した下地膜あるいはカバ−膜を有する金属薄膜配線を提供する。
【解決手段】 Ａｇ膜、Ｃｕ膜、Ａｕ膜あるいはこれらを主体とする合金膜の下地膜として、Ｔｉを２〜５０原子％含有し、残部Ｍｏおよび不可避的不純物からなるＭｏ合金膜が積層されてなる金属薄膜配線である。また、Ａｇ膜、Ｃｕ膜、Ａｕ膜あるいはこれらを主体とする合金膜のカバー膜として、Ｔｉを２〜５０原子％含有し、残部Ｍｏおよび不可避的不純物からなるＭｏ合金膜が積層されてなる金属薄膜配線である。 （もっと読む）

【課題】耐久性の高いタッチパネル１を提供する。
【解決手段】基板２２上に透明電極膜１８を形成し、透明電極膜１８の表面に第一の金属薄膜３１を形成してから、第一の金属薄膜３１表面にスパッタリング法で第二の金属薄膜３２を形成して下部電極層３０とする。第二の金属薄膜３２を成膜する際には、スパッタリング雰囲気中に酸素ガス又は窒素ガスを導入し、導入量を増大しながら金属ターゲット６１をスパッタリングするので、第二の金属薄膜３２は表面側程酸素又は窒素の含有量が多くなり、下部電極層３０の表面の耐摩耗性が高くなる。 （もっと読む）

【課題】１以上のアスペクト比を有する多層集積回路のビア、スルーホール又はトレンチにＡｌ電気コンタクトを形成する。
【解決手段】スパッタチャンバと、堆積チャンバと、移送チャンバと、を備え、半導体基板上における薄膜層のアパーチャを充填する充填装置において、スパッタチャンバは、スパッタ堆積材料の供給源となるターゲットカソードと、半導体基板を支持するための基板位置決め部材と、ＤＣ電源装置を具備し、ターゲットカソードからスパッタされた種を生成するために使用される第１のプラズマ発生ユニットと、基板位置決め部材に接続された基板バイアスＲＦ電源装置と、ＲＦ電源装置を具備し、ターゲットカソードと基板位置決め部材との間に位置して、ターゲットカソードから前もってスパッタされた種をイオン化又は再イオン化するために使用される第２のプラズマ発生ユニットと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】生成するクラスター量を増大しかつ大きなクラスターを生成することのできるマグネトロンスパッタ法による方法と装置を提供すること。
【解決手段】スパッタリング後のスパッタガスの少なくとも一部を、クラスター生成室のクラスター取出口よりもガス流に対して上流側で排出することにより、該取出口から排出されるガス中に含まれるスパッタガスの量を、クラスター生成室に導入した量より少なくする。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＹとＢ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素を含み、ＹがＢ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素よりも含有割合が高く、Ｙの含有割合が０．１〜１４．９質量％、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素の含有割合が０．１〜１０質量％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】使用効率が高く、ノジュールが形成されない成膜源を提供する。
【解決手段】ターゲット２２の裏面に複数の磁気回路２５₁、２５₂が配置され、ターゲット２２の表面では、各磁気回路２５₁、２５₂に対応する位置に、磁場の垂直成分のゼロ点ｐがリング状に形成されている。マグネトロン磁石装置２４の片道移動距離Ｌを、ゼロ点ｐのリングの往復移動方向に沿った径Ｄ₁以上にし、また、隣接する磁気回路２５₁、２５₂のリング間の距離Ｄ₂以上にすると、リング内周の領域や、隣接する磁気回路２５₁、２５₂の領域上をゼロ点ｐが通過し、スパッタされる。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＣｅとＡｌの双方の元素を含み、ＣｅがＡｌよりも含有割合が高く、Ｃｅの含有割合が０．１〜１４．９質量％、Ａｌの含有割合が０．１〜１０質量％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】青色波長領域（３５０〜５００ｎｍ）のレーザ光、特に４０５ｎｍ近傍の波長のレーザ光で良好な記録再生特性を示し、高密度記録可能で、記録感度が従来品に比べて高い記録層を有する追記型光記録媒体、及び該記録層を形成するためのスパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】（１）基板上に、少なくとも、Ｂｉの酸化物と、記録再生レーザ光に対する光吸収機能を増強する１種以上の元素Ｍ（但し、Ｂｉ、Ｃ、Ｎを除く）の単体とを主成分として含有する記録層を有し、青色波長領域のレーザ光で記録再生可能である追記型光記録媒体。
（２）基板上に、少なくとも、Ｂｉの酸化物と、記録再生レーザ光に対する光吸収機能を増強する１種以上の元素Ｍ（但し、Ｂｉ、Ｃ、Ｎを除く）の単体と、該元素Ｍの酸化物とを主成分として含有する記録層を有し、青色波長領域のレーザ光で記録再生可能である追記型光記録媒体。 （もっと読む）

【課題】圧電セラミックスの薄膜、厚膜に関わらず、圧電セラミックスと基板との間で強い密着性が得られる圧電素子と、結晶質セラミックスの成膜方法を提供する。
【解決手段】基板２と、基板２の上に積層された下部電極４と、下部電極４の上に積層されたセラミックスからなる圧電体６と、圧電体６の上に積層された上部電極７を有する圧電素子において、基板２と下部電極４との間に第１の金属層３が設けられ、下部電極４と圧電体６との間に第２の金属層５が設けられ、第１の金属層３と第２の金属層５とが、イオン化傾向がＣｕ以上の金属、イオン化傾向がＣｕ以上の金属の酸化物およびイオン化傾向がＣｕ以上の金属の合金から選択された金属からなる。 （もっと読む）

【課題】３００℃以上の温度でのプレス加工するプリント配線基板の製造に用いても、キャリアと銅箔層との引き剥がし可能なキャリアシート付銅箔の提供を目的とする。
【解決手段】前記課題を解決するために、キャリアシートの表面に接合界面層を介して銅箔層を有し、当該キャリアシートが物理的に引き剥がし可能なキャリアシート付銅箔であって、当該接合界面層は、金属層と炭素層とからなることを特徴とするキャリアシート付銅箔を採用する。そして、前記接合界面層は、厚さ１ｎｍ〜５０ｎｍの金属層と、厚さ１ｎｍ〜２０ｎｍの炭素層とで構成されたものとすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】グラニュラー磁性層における磁性粒子が基板円周方向にも半径方向にも均一に形成され、磁気特性のより一層の向上を実現することにより、高情報記録密度化に資することができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも軟磁性層と配向調整層と磁気記録層とを順に備え、垂直磁気記録に用いる磁気記録媒体の製造方法であって、配向調整層及び磁気記録層のそれぞれの成膜時に、ターゲット１から放出されるスパッタ粒子を、電位調整可能な多段から成るコリメータ板２，３を通して基板７表面に堆積させる。上記多段のコリメータ板２，３の各々に−３００Ｖ〜３００Ｖの範囲内で直流バイアスを印加する。 （もっと読む）

【課題】従来のバッキングプレートは、冷却能力が十分であるとはいえず、構造上、冷却能力を高めることが難しいといえる。また、通路内の冷媒の入口部分と出口部分の温度差が大きく、冷却能力が不均一となり、冷却ムラが生じやすいという問題がある。
【解決手段】平板状の本体内部に夫々平行に延びると共にその両側において合流される複数本の冷媒通路となる溝を形成し、これらの溝を一枚の蓋によって一括して塞ぐと共に、これら溝の幅（Ｗ）と、溝と溝との間の畝の幅（Ｗ１）とが、Ｗ＞Ｗ１であり、前記蓋の周縁部を連続する接続線をもって前記本体に一体に接合すると共に、前記蓋の前記畝に対応する位置を夫々平行に延びる複数本の接合線をもって前記畝に一体に接合してなることを特徴とする冷却板。 （もっと読む）