【課題】蒸着（スパッタリング）金属による形成成膜の接着力が強く、形成速度の速い電子ビーム蒸着装置を提供する。
【解決手段】プラズマ電子銃から発射される電子ビームパルスは、大きい断面積であってエネルギ密度が低いと言う特徴がある。スパッタリングに利用する場合には面積の大きなターゲットを使用できることと、スパッタ粒子が微細であるという利点がある反面、ターゲットと基板は近接しなければならないと言う制約がある。そこで、基板の周囲にターゲットを配置し、プラズマ電子銃からの電子ビームをターゲットに照射してスパッタ粒子を発生させるとき、基板表面に並行する磁力線を作っておくと、電荷を持つ金属イオンの運動との相互作用（ローレンツの力）により方向が偏向させられ、基板面に誘導されて薄膜が堆積される。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高い精度でc軸が薄膜の面内の一方向に配向したウルツ鉱薄膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】イオンビームを、少なくともその一部が基板２１の表面に対して10°以下の角度でその基板表面に入射するように照射しつつ、薄膜の原料を基板表面に堆積させる。その際、イオンビームのうち基板表面に入射しない一部のイオンビームを薄膜の原料から成るターゲット２２に入射させることによりターゲット２２をスパッタし、スパッタされた薄膜原料を基板２１の表面に堆積させることもできる。このようなイオンビーム照射により、基板表面へのイオンビームの正射影に沿ってc軸が配向したに薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性および密着性に優れたガスバリアフィルムおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】フィルム基材上にガスバリア層が積層された構成を有し、該ガスバリア層は、該フィルム基材に高周波電力を印加して該フィルム基材の周辺でプラズマ生成ガスをプラズマ化させ、更に、該フィルム基材に負の直流高電圧のパルスを印加しつつターゲット材料をスパッタすることにより積層されていることを特徴とするガスバリアフィルム。 （もっと読む）

【課題】表面平滑性、ガスバリア性および密着性に優れた高平滑ガスバリアフィルムおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】フィルム基材上に高平滑化層、中間層及びガスバリア層がこの順に積層された構成を有し、該中間層は、該フィルム基材に高周波電力を印加して該フィルム基材の周辺でプラズマ生成ガスをプラズマ化させ、更に、該フィルム基材に負の直流高電圧のパルスを印加しつつターゲット材料をスパッタすることにより積層されていることを特徴とする高平滑ガスバリアフィルム。 （もっと読む）

【課題】
半導体構造の微細化に対応でき、しかも基板上に形成した被覆膜におけるビアホールやトレンチの開口部におけるオーバーハングや非対称性を改善できる成膜方法及び装置を提供する。
【解決手段】
スパッタリング法又はALD又はCVD法で上記基板上に金属配線を形成するための被覆膜を形成し、この被覆膜形成中又は形成後に、アルゴン、ネオンなどの希ガスのイオンを３００~１００００ｅＶのイオンエネルギーで基板に対してほぼ平行に照射して上記基板上に形成された被覆膜の形状を適切に変更する。 （もっと読む）

【課題】 カソード近傍に発生する異常放電を防止してパーティクルやスプラッシュの発生を抑制するためのイオンビーム源及びこれを備えた成膜装置を提供する。
【解決手段】 金属製の筐体に、カソードと、磁気ギャップと、前記筐体内に磁場を生じさせる磁場発生手段と、前記筐体内に反応性ガスを導入するための反応性ガス導入手段と、前記磁気ギャップの近傍に配置されるアノードとを備えるイオンビーム源であって、前記カソード表面に膜厚が１００μｍ〜２００μｍとなるように絶縁被膜を形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 カソード近傍に発生する異常放電を防止してパーティクルやスプラッシュの発生を抑制するためのイオンビーム源及びこれを備えた成膜装置を提供する。
【解決手段】 金属製の筐体に、カソードと、磁気ギャップと、前記筐体内に磁場を生じさせる磁場発生手段と、前記筐体内に反応性ガスを導入するための反応性ガス導入手段と、前記磁気ギャップの近傍に配置されるアノードとを備えるイオンビーム源であって、前記カソードを接地電位から電気的に絶縁したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より高圧の真空領域での使用を可能とし、用途の拡大が図られた、イオンガン、及び成膜装置を提供する。
【解決手段】スリット状の開口部１１が形成された陰極２と、開口部１１の幅方向に磁場を発生させる磁石３と、磁場に対し略垂直方向に電界を生じさせるように陰極２の裏面から離間配置された陽極５とを備え、陰極２の表面の開口部１１からイオンビームが引き出されるイオンガン１である。磁石３は、ＳｍＣｏ合金を主成分として構成され、開口部１１は、陰極２の裏面から内部に向かって垂直に延びる隙間が略一定の垂直部と、垂直部に連続し、陰極２の表面に向かって隙間が漸次拡がる傾斜部とから構成され、垂直部の隙間が、０．７ｍｍ以上２．５ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】窒化反応が良好で窒化物薄膜の生成に適し、かつ、スパッタリングイールドが高く成膜速度が高い成膜を行う。
【解決手段】ＥＣＲスパッタにおいて、スパッタターゲットのプラズマを基板に照射するとともに、窒素ガス等の反応性ガスをイオン化し、このイオン化した反応性ガスイオンを基板に照射することによって、窒化反応を良好なものとするとともに、高いスパッタリングイールドを得る。ＥＣＲスパッタ装置１は、電子サイクロトロン共鳴によってスパッタターゲットのプラズマを発生し、発生したプラズマを基板１０に照射するＥＣＲスパッタ源２と、反応性ガス等の供給ガスをイオン化し、イオン化したガスを基板１０に照射するイオンビーム源３を備える。基板１０には、スパッタターゲットのプラズマとイオン化されたガスが照射される。 （もっと読む）

【課題】軟Ｘ線用の多層膜反射鏡の膜応力を低減する。
【解決手段】Ｍｏ薄膜１２とＳｉ薄膜１３の交互多層膜からなる多層膜反射鏡において、Ｍｏ薄膜１２に重元素を添加することによって非晶質状態で成膜し、その非晶質薄膜にイオンビームを照射することで、Ｍｏ薄膜１２の引張応力を強化する。その上にＳｉ薄膜１３を積層した膜構成により、Ｓｉ薄膜１３の膜応力（圧縮応力）をＭｏ薄膜１２の膜応力（引張応力）によって相殺し、交互多層膜全体の膜応力を低減する。 （もっと読む）

本発明は、高温耐腐食性向上のためのセラミックコーティング及びイオンビームミキシング装置及びそれを使用した薄膜の界面を改質する方法に関し、本発明によって前記コーティング及びイオンビームミキシング装置を使用する工程を経た試片は、接合性が向上して母材を強化させて高温での熱応力に対する抵抗性のみならず、水素生産のための硫酸分解器に使用される素材の高温耐腐食性を大きく向上させることができる。
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【課題】緻密で平滑かつ損傷がない高品質な薄膜を高速に形成できるイオンビームスパッタ成膜装置等を提供する。
【解決手段】成膜装置は、イオンビーム照射手段と、スパッタリングされる成膜物質を含むターゲット１０５と、スパッタリングされた成膜物質が析出する基板１０６を保持する保持手段１１２を有する。イオンビーム照射手段は、ターゲット１０５及び基板１０６のそれぞれにガスクラスターイオンを照射する。また、成膜装置は、ターゲット１０５を保持する保持手段と、基板１０６を保持する保持手段とを有している。成膜装置は、また、ターゲット１０５をスパッタリングするためにイオンビームを照射するイオンビーム発生手段と、イオンビームをターゲット１０５に照射するための偏向手段とを有している。イオンビーム発生手段はガスクラスターイオン源１０１を有しており、これによりクラスターが照射されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】熱膨張係数が酸化物超電導体に近い値であり、Ｍｏに富む化合物の析出の少ない基材を用い、優れた超電導特性を有する酸化物超電導導体を提供する。
【解決手段】Ｍｏ含有量が２〜１３質量％であるＮｉ−Ｃｒ−Ｍｏ系合金からなる金属基材上に多結晶中間薄膜が設けられ、該多結晶中間薄膜上に酸化物超電導体薄膜が設けられてなることを特徴とする酸化物超電導導体。 （もっと読む）

【課題】面積の大きな基材に対して、均一に、スパッタリングによる成膜と、プラズマイオン注入による表面改質とを行うことが可能な基材表面処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の基材表面処理装置１００は、成膜槽３０と、該成膜槽３０の内部にシート状プラズマ２７を発生させるシート状プラズマ発生装置と、前記成膜槽３０の内部に配置されたスパッタリングターゲット３３Ａと、該スパッタリングターゲット３３Ａに対向するよう前記成膜槽３０の内部に配置された基材３４Ａを保持可能な基材ホルダ３４と、前記スパッタリングターゲット３３Ａに、前記シート状プラズマ２７の電位に対して負の直流バイアス電圧を印加するためのバイアス電圧印加装置Ｖ_２と、前記基材ホルダ３４を介して前記基材３４Ａに、前記シート状プラズマ２７の電位に対して負のパルス電圧を印加するためのパルス電圧印加装置Ｐと、を備える。 （もっと読む）

【課題】離型性と耐久性が高いコーティング膜を提供する
【解決手段】成膜対象物４ａ、４ｂの表面にクロムを注入し、クロム膜を形成した後、クロム膜の表面に白金イオンを注入し、その表面に白金薄膜を形成し、その表面に白金イオンを注入する。本発明ではクロムイオンと白金イオンの注入は、トリガ電圧によって注入装置３２₁、３２₂内でトリガ放電を発生させ、アーク放電を誘起させ、カソード電極からクロムや白金のイオンを放出させると共に、成膜対象物４ａ、４ｂにはアーク放電と同期して負のバイアス電圧をパルス的に印加する。注入層と薄膜との間の密着性が向上する。 （もっと読む）

【課題】遷移金属酸化膜の形成装置、それを利用した不揮発性メモリ素子の製造方法、及びその方法により製造された不揮発性メモリ素子を提供する。
【解決手段】本発明は、チャンバと、チャンバ内部に設置される遷移金属酸化膜が形成される基板と、チャンバ内部に設置される遷移金属酸化膜の第１ソース物質である遷移金属粒子を基板に向って放出させるターゲットと、遷移金属酸化膜の第２ソース物質である酸素イオンを加速して基板に向って照射する酸素イオンガンとを備えることを特徴とする遷移金属酸化膜の形成装置を提供する。また、ターゲットから遷移金属粒子を放出させ、酸素イオンガンで酸素イオンを加速し基板に向って照射して基板上で遷移金属粒子と酸素イオンとを反応させて基板上に付着させることにより基板上に遷移金属酸化膜を形成することを特徴とする不揮発性メモリ素子の製造方法、及びその方法により製造された不揮発性メモリ素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】化合物薄膜を高い効率で形成する。
【解決手段】真空槽３内の成膜ステージには、ＰＥＴフィルム４上に金属薄膜を形成するスパッタリング装置１０と、酸素イオンを放出するイオン銃１１とが配されている。スパッタリング装置１０は、流量コントローラ１３でスパッタガスと酸素ガスの導入比率を変化させることにより、酸素ガスを含む雰囲気で高速にスパッタリングを行う遷移領域モードで動作させる。ＰＥＴフィルム４が連続的に搬送されている間に、スパッタリング装置１０で金属薄膜の形成が行われ、その直後にイオン源１１にからの酸素イオンで金属薄膜が酸化される。 （もっと読む）

【課題】Ｍｏを含むＮｉ基合金からなり、表面の平滑度が極めて小さく、その上に多結晶配向中間薄膜上に酸化物超電導薄膜を成膜した場合に、良好な超電導特性を持つ酸化物超電導導体を製造可能な酸化物超電導導体用金属基材の製造方法及び該金属基材を用いた酸化物超電導導体の製造方法の提供。
【解決手段】Ｍｏを含むＮｉ基合金からなる母材に、１１００℃以上の温度で少なくとも１回の焼鈍しと、少なくとも１回の圧延とを行い、最終圧延の後に電解研磨を行う酸化物超電導導体用金属基材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】軟質難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する被覆切削工具を提供する。
【解決手段】被覆切削工具が、超硬基体の表面に、（ａ）Ｃｒ硼化物層の表面層、（ｂ）組成式：（Ｔｉ_1-X Ａｌ_X ）Ｎ（ただし、原子比で、Ｘは０．４０〜０．７５を示す）、を満足するＴｉとＡｌの複合窒化物層の耐摩耗硬質層、からなる硬質被覆層を形成してなり、さらに、前記表面層の少なくとも切刃稜線部を含むすくい面部分および逃げ面部分の表面粗さを、前記表面層全面に、Ｃｒ窒化物層で構成された研磨材層を蒸着形成した状態で、ウエットブラストにて、噴射研磨材として、酸化アルミニウム微粒を配合した研磨液を噴射し、前記の研磨材層のウエットブラストによる粉砕化Ｃｒ窒化物微粒と、噴射研磨材としての酸化アルミニウム微粒の共存下で研磨して、Ｒａ：０．２μｍ以下としてなる。 （もっと読む）

【課題】パターン位置精度の比較的よい膜堆積による薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】被成膜基板１の上にだれ防止用貫通孔３が形成されたベースマスク２を配し、その上にだれ防止用貫通孔３と同一形状で孔が小さいパターン用貫通孔４が形成された成膜用マスク５を、だれ防止用貫通孔３とパターン用貫通孔４の中心を一致させて重ね、成膜用マスク５側から堆積法により薄膜を形成する方法であって、成膜用マスクのパターン用貫通孔４の平面積がベースマスクのだれ防止用孔３の平面積よりも小さい。 （もっと読む）