基板上の積層複合材料であって、前記積層複合材料の少なくとも１つの単一層が立方晶窒化ホウ素を含有し、かつ堆積を通じて製造されている。課題は、改善された接着強さを有するそのような積層複合材料を提案することである。前記課題は、立方晶窒化ホウ素が堆積の間に添加される酸素を含有することにより解決される。
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【課題】 熱安定および低電気抵抗の酸化インジウムスズ膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化物誘電層２０を形成し、即ち、基板１０の表面に酸化物薄膜を形成するステップａと、酸化物誘電層２０を表面処理し、即ち、酸素をイオン源設備に送入し、酸素がイオン源を通過した後に発生するイオン束により酸化物誘電層２０に表面処理を実行するステップｂと、透明導電膜を形成し、即ち、イオン処理を通過した後の酸化物誘電層２０の上に酸化インジウムスズ膜３０を積層するステップｃとを含む。基板１０は、プラスチックの本体１１と本体１１の一側面に形成される硬質コーティング１２から構成され、本体１１の他側は基板１０の表面１０ａを形成する。酸化物誘電層２０にイオン処理を予め実行することで、酸化物誘電層２０の安定性および精密度を高める。 （もっと読む）

基板に少なくとも一つの薄膜を堆積する真空蒸着方法であって、スパッターされる物質に対して化学的に不活性又は活性な少なくとも一つの気体スパッタリング物質種が選択されること、主として前記スパッタリング物質種を含むイオンの集束ビームが、工業規模の設備内部に配置された少なくとも一つの直線イオン源を用いて生成されること、前記ビームがスパッターされる物質をベースとする少なくとも一つのターゲットに向けられること、前記基板の少なくとも一つの表面部分が、ターゲットのイオン打撃によってスパッターされる前記物質、又は前記スパッターされる物質と少なくとも一つのスパッタリング物質種との反応から生ずる物質が前記表面部分に堆積されるような仕方で前記ターゲットに向き合うように配置されることを特徴とする方法。
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組成Ａｌ_xＳｉ_yＭｅ_zＮの窒化アルミニウムベースの硬い耐摩耗性コーティングが提案される。ｘ、ｙおよびｚは原子分率を表し、その和は０．９５から１．０５であり、Ｍｅは、ＩＩＩからＶＩＩＩ族およびＩｂ族の遷移金属の金属ドーパントまたはこれらの組合せである。この金属は、コーティングプロセス中に、金属ドーピングのないコーティングよりも高い固有導電率（intrinsic electrical conductivity）を提供する。ケイ素含量は０．０１≦ｙ≦０．４であり、１つまたは複数の金属ドーパントＭｅの含量は、０．００１≦ｚ≦０．０８、好ましくは０．０１≦ｚ≦０．０５、最も好ましくは０．０１５≦ｚ≦０．０４５である。
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ｉＰＶＤのための容量性プラズマ源（２２）が強い局所的な磁界（３１）に埋設され、ｉＰＶＤの誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）源とのドロップイン(drop−in)交換品とすることができる。この源（ソース）は、それの後方に、電極表面にわたって放射状に伸びる磁界を有する電極表面に一様に平行な表面磁石（３３−３５）を含んだ磁石パック（９０）を持つ環状の電極（２３）を含む。内側および外側の環状リング磁石（それぞれ３６および３２）のような磁石は、電極に最も近い極が表面磁石の隣接した極と同じ極性である状態で、電極と交差する極軸を持っている。強磁性のハックプレート（３７）またはバック磁石（３７ａ）は磁石（３２，３６）の後方の極を相互接続する。磁石パック（３０）後方の強磁性シールド（３７ｂ）はｉＰＶＤ材料源（２１）から離れる磁界（３１）を閉じ込める。
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【課題】 従来技術の欠点を回避するべき、表面および表面近傍の固体領域のポリマー化合物である基体材料と他の材料との間の確り接合した複合体の提供。
【解決手段】 この課題は、表面および表面近傍の固体領域に僅かな活性表面エネルギーのポリマー化合物を有する基体材料と他の材料との接合複合体において、接合される物質（１，４）相互の間に、ナノ組織化されたナノ複合材料（５）を有する変移領域（６）が、該変移領域が２０ｎｍ〜２０μｍの層厚を有しそして専らナノ複合材料（５）で形成されており、該ナノ複合体は基体材料（１）と他の材料（４）で構成されそして基体材料（１）と他の材料（４）との割合が基体材料（１）の直ぐ近くの専ら基体材料から他の材料（４）の直ぐ近くの専ら他の材料に亙って変化するように形成されており、その結果基体材料（１）が他の材料（４）中でナノ組織化されて変移することを特徴とする、上記接合複合体によって解決される。
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【課題】 照射波長３００ｎｍ以下でのリトグラフィーにおいて用いる埋め込み型の減衰移相マスクブランク、及び同マスクブランクのイオンビーム蒸着による作製方法を提供する。
【解決手段】 マスクブランクを基板及び薄膜系から構成し、該薄膜系をＭｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の酸化物、窒化物、硼化物及び炭化物、及びこれら金属及び化合物の混合物から選択される１または２以上の金属または金属化合物を含む透過制御下位層と、Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの硼化物、炭化物、酸化物及び／または窒化物あるいはこれらの混合物を含む移相制御下位層から構成する。 （もっと読む）