黒鉛中に１以上の加熱区画を生み出すための電気加熱回路を形成するように加工されると共に、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、高融点硬質金属、遷移金属及び希土類金属からなる群から選択される元素の窒化物、炭化物、炭窒化物又はオキシ窒化物或いはこれらの複合体及び／又は組合せの１種以上からなる連続したオーバーコート層で封入された黒鉛物体を含んでなる黒鉛ヒーターであって、電気加熱回路を形成するための加工に先立ち、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、高融点硬質金属、遷移金属及び希土類金属からなる群から選択される元素の窒化物、炭化物、炭窒化物又はオキシ窒化物或いはこれらの複合体及び／又は組合せの１種以上からなる層で黒鉛物体が被覆される黒鉛ヒーター、並びにかかる黒鉛ヒーターの形成方法。
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【課題】 基板上に形成された膜の特性を向上させることが可能な薄膜材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 超電導線材１は、基板２と、基板上に形成された１層または２層以上の中間薄膜層（中間層３）と、中間薄膜層（中間層３）上に形成された単結晶性薄膜層（超電導層４）とを備える。中間薄膜層（中間層３）のうちの少なくとも１つにおいて単結晶性薄膜層（超電導層４）と対向する上部表面（被研磨面１０）は研磨加工されている。 （もっと読む）

エッジ法線ベクトルが互いに１２０°をなす、第一のシングル作用エッジ（１１ａ）、第二のシングル作用エッジ（１１ｂ）及び第三のシングル作用エッジ（１１ｃ）を有するマスク（１１）と、マスク（１１）を基板（１２）に対して一軸方向（Ａ）に移動させる駆動装置とからなり、同一の基板領域にエッジ毎に蒸着物質を変えて、マスク（１１）を一軸方向（Ａ）に一定速度で移動しながら蒸着することにより、膜厚勾配方向が互いに１２０°をなす三成分薄膜を重畳して三元系相図薄膜（１３）を形成する。
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【課題】 レーザーアブレーションを利用した改質方法であるにも拘らず、改質処理されるべき基材を回転させたり平行移動させることなく固定配置した状態で、その表面を均一に改質させることが可能な基材の表面改質装置を提供すること。
【解決手段】 レーザー光３を発生するレーザー光発生装置２と、
表面に照射されたレーザー光３により飛散粒子を発生させるターゲット６と、
飛散粒子の付着により表面が改質される基材７と、
ターゲット６の表面上のレーザー光照射位置Ｐを支点にして、レーザー光３の入射方向Ｌ_１とターゲット６の表面の垂線方向Ｌ_２との間の角度θ_１を変化させるようにターゲット６を揺動させるターゲット揺動手段１０と、
を備えることを特徴とする基材の表面改質装置。 （もっと読む）

【課題】 処理される流体に含まれる分子や粒子等が効率よく透過可能な無機多孔質膜を有する無機多孔質体、及びそのような多孔質体を製造する方法の提供。
【解決手段】 無機多孔質体は、多孔質基材表面に略膜厚方向に配向した複数の孔を有する無機多孔質膜を備える。その孔の平均孔径は好ましくは２〜２００ｎｍにある。この多孔質体を得る方法は、無機質材料を含むターゲット及び多孔質基材を用意する工程と、１〜２００Ｐａの雰囲気圧下にターゲット及び多孔質基材を配置し、周波数が５〜５００Ｈｚの範囲内にあるパルスレーザを該ターゲットに照射して該無機質材料の蒸気を発生させ、多孔質基材の表面上に該蒸気を堆積させて多孔質膜を形成する工程と、を含む。多孔質膜形成工程は、基材温度が１０００℃以下に設定された略一定の温度条件下において行うことが好ましい。パルスレーザの照射回数は２０００００回以下であることが好ましい。 （もっと読む）

新たな微細構造を有する薄膜タンタルフィルムが提供される。該フィルムは、ナノ結晶、単結晶および非晶質等の微細構造を有する。このようなフィルムは、非常に良好な拡散バリア特性を有し、マイクロエレクトロニクスデバイスにおいて有利である。パルスレーザ沈着法（ＰＬＤ）および分子ビームエピタクシー（ＭＢＥ）沈着法を使用してこのようなフィルムを形成する方法と、このようなフィルムを含むマイクロエレクトロニクスデバイスも提供する。
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基板および基板上に配置されている第１のバッファ膜を含む超電導体物品。第１のバッファ膜は、（ｉ）第１のバッファ膜の面内を延びる第２の方向に有意のテクスチャを有さない第１のバッファ膜の面外を延びる第１の結晶方向のテクスチャ、または（ｉｉ）第１のバッファ膜の面外を延びる第２の方向に有意のテクスチャを有さない第１のバッファ膜の面内を延びる第１の結晶方向のテクスチャを特徴とする単軸結晶テクスチャを有する。２軸方向の結晶テクスチャを有する第２のバッファ膜は、前記第１のバッファ膜上に配置されている。超電導体層は、前記第２のバッファ膜上に配置することができる。前記第２のバッファ膜を堆積するために、イオン・ビーム・アシスト蒸着（ＩＢＡＤ）を使用することができる。
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本発明は、電子ビームによる発生プラズマを用いて基板上に薄膜及び被覆を堆積する手段に関する。プラズマは、スパッタ応用におけるイオン源として用いることができ、イオンは、膜又は被覆を形成するため基板上に縮合できる材料をターゲットから放出させるのに用いられる。代わりに、プラズマは、スパッタ又は蒸着技術に基づくものを含む既存の蒸着源と組合わされ得る。いずれの構成においても、プラズマは、反応性蒸着プロセスにおいて成長する膜表面におけるイオン及びラジカル種の源として機能する。電子ビーム大面積堆積システム（ＥＢＥＬＡＤＳ）は、数ｍ^２まで及び数ｍ^２を含む薄膜又は被覆を生成する新しい方法である。 （もっと読む）

コーティングされるべき基板(１１６)上に照射するイオン源(１３２)或いは(２１８)が、ＭＯＣＶＤ、ＰＶＤ或いは超伝導体素材の調整のためのその他の処理を強化するのに用いられる。
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