【課題】絶縁バリア層の形成を不要とする、新規なジョセフソン接合及びジョセフソン接合デバイスを提供する。
【解決手段】ジョセフソン接合１は、超伝導体層２と超伝導体層２の中央部２Ｃ上に積層した強磁性層３とを備える。強磁性層３は導電性又は絶縁性の強磁性層とすることができ、絶縁層を介して積層される導電性強磁性層としてもよい。超伝導体層２を高温超伝導体層とすれば、大きなＩ_ｃＲ_Ｎ積を有するジョセフソン接合１とすることができる。このジョセフソン接合１は、各種のジョセフソンデバイスの接合として使用することができる。 （もっと読む）

【課題】ホールバーによるホール効果測定でホール電圧の磁場依存性から、ｐ型半導体であることが明確に示されるｐ型酸化亜鉛薄膜、同薄膜を再現性良く製造する方法及びその発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型酸化亜鉛半導体薄膜を作製する方法であって、酸化亜鉛のｐ型半導体特性を発現させるために、薄膜中に添加したｐ型ドーパントを活性化する高温アニール工程と、あるいはｐ型ドーパントの活性種を成膜中に照射することでｐ型ドーパントを活性させた状態でドーピングすることと、酸化雰囲気中での低温アニールの工程とを組み合わせることで、ｐ型半導体化を実現することを特徴とする酸化亜鉛のｐ型化の方法と、同方法で実現したｐ型酸化亜鉛薄膜及びその発光素子。
【効果】高信頼性のｐ型酸化亜鉛薄膜、その作製方法及びその青色発光素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体元素を主成分とする原子数個程度以下の厚みを持つ層状物質であって、同一の原子構造で真性半導体だけでなく、ｐ型あるいはｎ型への制御が可能であり、また金属にもなりうる層状物質を得ることを課題とする。
【解決手段】 元素Aによるグラファイト状の６方格子の原子網からなる２つの層と、これら２つの層の中間に、元素Tが上記２つの層への投影位置が６方格子の中心に位置するように配置された層との3層で単位層が構成され、上記単位層が２次元方向に周期的に繰り返す結晶構造を有することを特徴とする層状物質により解決される。 （もっと読む）

【課題】水素透過性基材とプロトン伝導性膜との界面における水の発生を低下し、水素透過性基材とプロトン伝導性膜の界面剥離を抑制した水素透過構造体を提供するとともに、この水素透過構造体を用い、安定してその性能を持続させることができる水素デバイスおよび燃料電池を提供する。
【解決手段】水素透過性基材とプロトン伝導性膜とからなる水素透過構造体であって、該プロトン伝導性膜が酸素欠損型ペロブスカイト構造酸化物で構成され、該酸素欠損型ペロブスカイト構造酸化物が、ｃ軸配向した斜方晶を形成していることを特徴とする水素透過構造体、並びに、この水素透過構造体を用いることを特徴とする水素デバイス及び燃料電池。 （もっと読む）

【課題】 ディスプレイ作製の基礎となる赤色、緑色、青色の３原色の発色が可能な、酸化物蛍光体エピタキシャル薄膜を提供することにある。
【解決手段】 酸化物蛍光材料をターゲット材料としてパルスレーザー堆積法によって、600℃以上800℃以下の温度でエピタキシャル成長により基板上に薄膜が形成し、前記薄膜の形成後、酸素中または大気中で900℃以上1200℃以下の熱処理によって蛍光特性を向上させたことを特徴とする酸化物蛍光体エピタキシャル薄膜である。 （もっと読む）

【課題】単結晶ターゲットを用いたＥＣＲスパッタ法でＬｉＮｂＯ₃薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】ＬｉＮｂＯ₃単結晶ターゲット１００は、矩形の板状に成形された８枚のＬｉＮｂＯ₃単結晶板１０１より８角柱の筒状に形成されたものである。ＬｉＮｂＯ₃単結晶ターゲット１００は、円筒形状の銅製のハウジング１０２に収容され、また、ハウジング１０２の両開放部に配置されるターゲットシールド１０３により覆われて用いられる。ＬｉＮｂＯ₃単結晶板１０１は、各々が互いに当接される接着面１１１において接着されている。ターゲットシールド１０３は、ＬｉＮｂＯ₃単結晶ターゲット１００の両端面，接着面１１１，及びハウジング１０２をプラズマの照射から保護するために配置されるものであり、ＬｉＮｂＯ₃単結晶ターゲット１００の断面形状に合わせて８角形の開口部を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、固体ターゲット材料の超高速パルスレーザ融除を利用して、選択したサイズのナノ粒子を生成し、これを基板表面上に堆積させるためのワンステップ工程を提供する。
【解決手段】このシステムはパルスレーザ、光学系、及び真空室を含む。パルスレーザは数フェムト秒から数十ピコ秒までの多様なパルス時間を有する。光学系は、ビームを適切な平均エネルギー密度および適切なエネルギー密度分布にてターゲット表面上に集束できるようにレーザビームを成形する。真空室の内部にはターゲットと基板が設置され、バックグラウンドガスとその圧力が適切に調整される。 （もっと読む）

【課題】樹脂基材に対する密着強度が高く、高度な屈曲性と引っ張り疲労強度と優れたガスバリア性を発揮することが可能な樹脂成形体を提供する。
【解決手段】樹脂基材と、前記樹脂基材の表面に形成されたガスバリア膜とを備える樹脂成形体であって、前記ガスバリア膜が：（Ａ）クロムの含有量ａが、１０≦ａ≦６０ｍａｓｓ％の範囲；（Ｂ）ニッケルの含有量ｂが、０≦ｂ≦８０ｍａｓｓ％の範囲；（Ｃ）鉄の含有量ｃが、０≦ｃ≦８０ｍａｓｓ％の範囲；（Ｄ）アルミニウムの含有量ｄが、０≦ｄ≦１０ｍａｓｓ％の範囲；（Ｅ）ニッケルの含有量ｂと鉄の含有量ｃとの和が、３０≦ｂ＋ｃ≦８５ｍａｓｓ％の範囲；（Ｆ）ニッケルの含有量ｂとアルミニウムの含有量ｄとの和が、１≦ｂ＋ｄ≦８０ｍａｓｓ％の範囲；で表される条件を全て満たすクロム含有合金からなるものであり、且つ、前記ガスバリア膜の厚みが５ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲にある。 （もっと読む）

【課題】酸化物イオン透過性に優れた電気化学セル用電解質膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式：Ｌａ_１−ＸＳｒ_ＸＧａ_１−ＹＭｇ_ＹＯ_３（式中、Ｘ＝０．０５〜０．３、Ｙ＝０．０２５〜０．３）で表される成分組成を有し、ペロブスカイト型結晶構造を有する酸化物イオン伝導体からなる電気化学セル用電解質膜であって、前記電解質膜は厚さが１〜１０μｍを有し、前記電解質膜は膜面に垂直方向に成長し膜表面まで成長した柱状晶組織を有し、前記膜表面まで成長した柱状晶組織を有する電解質膜のペロブスカイト型結晶構造は１１２方向が膜面に対して垂直方向に配向している結晶構造を有する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットへの熱の伝播を抑止し、かつ、ターゲットホルダからターゲットへの材料の溶出を防止する。
【解決手段】レーザアブレーションを行う際、レーザビームの標的試料となるターゲット１２を保持するターゲット保持部２と、該ターゲット保持部２に連結され、回転移動機構によって回転または直線移動するホルダ支持部３と、を備えたターゲット保持装置１であって、前記ターゲット保持部は２、前記ターゲット１２を収容する凹部２ａと、前記ホルダ支持部を収容する第１の空洞部とを備え、前記ホルダ支持部３は、その内部に形成された第２の空洞部３ａを備え、前記第２の空洞部３ａに冷却媒体４を循環させ、前記ターゲット１２を冷却するための冷却機構を備える。 （もっと読む）

【課題】従来のようなプライマ塗装を施す必要がなく、樹脂ガラス用高分子基板とハードコート層との付着性が十分に高く、しかも樹脂ガラス用高分子基板の紫外線による劣化が十分に防止できる高度な耐候性を発揮できるとともに優れた耐擦傷性を発揮することが可能な樹脂ガラス用積層体、並びに、その樹脂ガラス用積層体を効率よく且つ確実に製造することが可能な樹脂ガラス用積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】樹脂ガラス用高分子基板と、前記樹脂ガラス用高分子基板上にアルミニウム、ケイ素、チタン、アルミニウム化合物、ケイ素化合物及びチタン化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の微粒子を付着してなる無機層と、前記無機層を介して前記樹脂ガラス用高分子基板に積層されたアルコキシシラン含有ハードコート層とを備えることを特徴とする樹脂ガラス用積層体。 （もっと読む）

【課題】長期間一定条件でターゲットを蒸散可能にすること。
【解決手段】蒸散室（３）内に設定された蒸散領域（３ａ）に、被膜原料が含まれる被膜原料溶液により構成された液体ターゲット（Ｔ）を供給する液体ターゲット供給装置（６）と、前記蒸散領域（３ａ）に前記被膜原料を蒸散させるレーザー光（Ｌ）を照射するレーザー光源装置（９）と、前記被膜原料を組成に含む被膜が形成される基板（１２）を前記蒸散領域（３ａ）の近傍に支持する基板支持部材（１１ｂ）と、を備えたことを特徴とする被膜生成装置（１）。 （もっと読む）

【課題】親水性並びに汚染防止、抗菌、消臭作用等の多機能性を増加させた光触媒機能材料を主体とする光触媒コーティング剤及び蒸着加工方法を提供する。
【解決手段】光触媒機能材料に、助触媒として酸化トリウムゲル体又は希有元素類を含む鉱物、或いは酸化トリウムゲル体及び希有元素類を含む鉱物を含有させてなる光触媒作用を増幅させた光触媒コーティング剤を、ガラス、金属、樹脂、セラミック等の基材に蒸着加工した構成とする。 （もっと読む）

【課題】高いＪ_Ｃおよび高いＩ_Ｃ等の優れた特性と、低コスト化の実現とを両立することが可能な超電導薄膜材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】超電導薄膜材料１は、金属配向基板１０と、金属配向基板１０上に形成された酸化物超電導膜３０とを備え、酸化物超電導膜３０は、物理蒸着法により形成された物理蒸着ＨｏＢＣＯ層３１と、物理蒸着ＨｏＢＣＯ層３１上に有機金属堆積法により形成された有機金属堆積ＨｏＢＣＯ層３２とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】高イオン伝導性を有し、かつ、電極材料と反応し難い固体電解質を提供する。
【解決手段】本発明の固体電解質は、リチウム（Li）、リン（P）、イオウ（S）、酸素（O）を含有し、そのＸ線回折像の主なピーク位置はCuのKα線を用いたとき2θで16.7±0.25°、20.4±0.25°、23.8±0.25°、25.9±0.25°、29.4±0.25°、30.4±0.25°、31.7±0.25°、33.5±0.25°、41.5±0.25°、43.7±0.25°、51.2±0.25°であり、半価幅が0.5°以下である。また、本発明の固体電解質は、組成式xLi・yP・zS・wO（x+y+z+w＝1）で表した場合、x、y、z及びwは、0.2≦x≦0.45、0.1≦y≦0.2、0.35≦z≦0.6、0.01≦w≦0.10を満足する。 （もっと読む）

【課題】 禁制帯幅の制御が可能な六方晶構造を有するIII族酸化物半導体を見出し、これを含む半導体素子、光電変換素子、紫外線検出素子、酸化物発光素子、発光素子を提供することにある。
【解決手段】 Ａ_２Ｏ_３なる構成を有するIII族酸化物を含む半導体素子において、薄膜技術を用いてＡの元素がＩｎ、Ｇａ、アルミニウムＡｌ、ボロンＢの少なくとも二つを固溶させた混晶半導体薄膜を有するようにした。バルクでの熱力学的固溶限界域を超えた組成での固溶体薄膜、熱力学的に不安定な六方晶構造を有する混晶薄膜を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板上に結晶性に優れたオキシカルコゲナイド系半導体単結晶薄膜を製膜することができるオキシカルコゲナイド系半導体単結晶薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に非単結晶ＡＭＯＸ系薄膜（Ａはランタノイド元素およびＹからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素、ＭはＣｕおよびＣｄからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素、ＸはＳ、ＳｅおよびＴｅからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素）１２を製膜し、その表面の少なくとも一部をＡ、ＭおよびＸからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素を含む材料からなる粉末で覆い、この粉末に圧力を加えて圧粉体１７とした後、真空または不活性ガス雰囲気中でアニールすることによりこの非単結晶ＡＭＯＸ系薄膜１２を結晶化して単結晶ＡＭＯＸ系薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】 高品位の結晶性を有し、且つ精密にサイズ・位置制御がなされ、デバイスへの集積化の自由度の高められた、均質なβ-FeSi₂又はFeSi₂アモルファスドットアレイ構造体とその効率的な作製方法を提供する。
【解決手段】 β-FeSi₂結晶又はFeSi₂アモルファスをを含有するドットが基板表面に均質に設けられたFeSi₂ドットアレイ構造体。この構造体を、FeSi₂膜を有する透明板の膜面側に基板を対向させ、透明板側からパルスレーザー光を照射し、対向基板上にβ-FeSi₂結晶又はFeSi₂アモルファスを含有するドットを転写することにより作製する。 （もっと読む）

【課題】 光学窓のクリーニング効果を従来よりもさらに高めて、メインテナンス周期を飛躍的に増大させることができる真空処理装置を提供すること。
【解決手段】 真空処理装置は、真空処理室１０と、真空処理室１０の壁部１２に配置された透光性部材２２を有する光学窓２０と、真空処理室の内側にて透光性部材２２の周縁側に配置された、第１開口１４を有する接地電極１２と、真空処理室１０の外側にて透光性部材２２の周縁側に配置された、第１開口１４と対向する第２開口３２を有するＲＦ電極３０とを有する。真空処理室１０内に処理用ガスが導入され、ＲＦ電極３０及び接地電極１２間の電界によってプラズマを生成し、負の自己バイアス電位Ｖｆに帯電された透光性部材２２をプラズマ中のイオンによりスパッタしてクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】
光吸収のなく密着性の良好なフッ素化合物薄膜を基材上に真空蒸着法により高速で、且つ安定した成膜速度で形成するフッ素化合物薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
フィルム基材上にフッ素化合物薄膜を形成するフッ素化合物薄膜の製造方法において、
該フッ素化合物薄膜が、ＭｇＦ₂を含む材料などのフッ素化合物を含む材料を蒸着材料として用い、プラズマ加熱蒸着方法により形成することを特徴とするフッ素化合物薄膜の製造方法を提供する。例えば、ＹＡＧレーザーランプによりターゲット材料を照射して加熱をアシストする。特に、ターゲット材料６の温度を所定の範囲に保ち、成膜速度を一定にするのが好ましい。 （もっと読む）