【課題】クラックの発生を抑制するとともに、加工性の容易なＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材およびエピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材１０ａの製造方法は、以下の工程を備えている。まず、Ｓｉ基板１１が準備される。そして、Ｓｉ基板上にＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層（０＜ｖ＜１、０＜ｗ＜１、０＜ｘ＜１、０＜ｖ＋ｗ＋ｘ＜１）１２を５５０℃未満の温度で成長される。 （もっと読む）

【課題】均一な膜を成膜することを目的とする。また、成膜に要する時間を短縮し、生産性を向上させることを目的とする。
【解決手段】一方の面に、光吸収層と、光吸収層に接して形成された材料層と、を有する第１の基板を用い、第１の基板の材料層が形成された面と、第２の基板の被成膜面とを対向させ、第１の基板の他方の面側から周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光を照射し、光吸収層と重なる位置にある材料層の一部を選択的に加熱し、材料層の一部を第２の基板の被成膜面に成膜する成膜方法において、式（１）または式（２）を満たす条件で成膜する。


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【課題】高い結晶性を維持し、かつ低いコストを維持するＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材、エピタキシャルウエハ、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材の製造方法は、異種基板１１を準備する工程と、異種基板１１上に、主表面を有するＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層を成長させる工程とを備えている。Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層における主表面に位置する組成比ｘ＋ｖは、０＜ｘ＋ｖ＜１である。Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層において、異種基板１１との界面から主表面に向けて組成比ｘ＋ｖが単調増加または単調減少する。Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層において、異種基板１１との界面の組成比ｘ＋ｖは、主表面の組成比ｘ＋ｖよりも異種基板１１の材料に近い。 （もっと読む）

【課題】電子伝導度が低く、全固体型リチウム二次電池の固体電解質に用いた場合に、電池の自己放電を抑制することができるLi₂S‐P₂S₅系固体電解質、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第一のLi₂S‐P₂S₅系固体電解質は、気相法により形成されており、そして、次の式を満足する。式…Li₂S‐P₂S_5-αO_βN_γ（α＝β＋(3γ/2)、但しβ又はγは0を含む）。また、第二のLi₂S‐P₂S₅系固体電解質は、気相法により形成されており、そして、化学量論組成より硫黄を0モル％超10モル％以下の範囲で過剰に含有しており、次の式を満足する。式…Li₂S‐P₂S₅‐S。これら第一及び第二のLi₂S‐P₂S₅系固体電解質は、電子伝導度が1×10^-10S/cm以下である。 （もっと読む）

【課題】所望の領域の材料のみが成膜されることを可能にし、微細パターンの形成を可能にすることを目的とする。また、成膜に要する時間を短縮し、生産性を向上させることを目的とする。
【解決手段】一方の面に、金属窒化物を含む光吸収層と、光吸収層に接して形成された材料層と、を有する第１の基板を用い、第１の基板の材料層が形成された面と、第２の基板の被成膜面とを対向させ、第１の基板の他方の面側から周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光を照射し、光吸収層と重なる位置にある材料層の一部を選択的に加熱し、材料層の一部を第２の基板の被成膜面に成膜する。 （もっと読む）

【課題】４００℃まで加熱しても、非晶質状態を維持することができる新しい組成の透明酸化物半導体薄膜用組成物を提供する。
【解決手段】本発明による酸化物半導体薄膜用組成物は、アルミニウム含有酸化物、亜鉛含有酸化物及びスズ含有酸化物を含み、４００℃以下で非晶質状態である。前記組成物で形成された活性層を備えた電界効果トランジスタは、電気的特性の改善だけでなく、低温工程も可能であり、インジウムやガリウムのような高価の原料物質を使用しないので、経済的である。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高いＲＰ相を有する層状のチタン酸ストロンチウム薄膜を得る方法を提供する。
【解決手段】所定の第１温度において、チャンバー内に配置されたターゲットにレーザー光をパルス状に照射し、前記ターゲットと対向する位置に配置した基板上にＳｒＯ層を形成する工程と、所定の第２温度において、チャンバー内に配置されたターゲットにレーザー光をパルス状に照射し、前記ターゲットと対向する位置に配置した基板上に形成されたＳｒＯ層上にＳｒＴｉＯ₃層を形成する工程と、を含み、前記第１温度がＳｒＯ層のみで結晶成長可能な上限温度よりも低く、前記第２温度がＳｒＴｉＯ₃層の結晶化に必要な下限温度よりも高く、前記第１温度が前記第２温度よりも低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 潮解が抑制されたプロトン伝導体の製造方法および燃料電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 プロトン伝導体（３０）の製造方法は、物理蒸着法を用いて、ＡサイトがＳｎを含みかつＢサイトがＰであるＡＢ_２Ｏ_７型の電解質からなるプロトン伝導体を成膜する工程、を含む。燃料電池（１００）の製造方法は、物理蒸着法を用いて、ＡサイトがＳｎを含みかつＢサイトがＰであるＡＢ_２Ｏ_７型の電解質からなるプロトン伝導体（１３０）を第１電極（１１０）上に成膜する成膜工程と、成膜工程後にプロトン伝導体のアノードと反対側の面に第２電極（１４０）を配置する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】材料の無駄を減らし利用効率を向上させ、かつ被成膜基板に微細なパターンの薄膜を形成する成膜方法を提供することを課題の一とする。また、このような成膜方法を用いて発光素子を形成し、高精細な発光装置を低コストで作製することを課題の一とする。
【解決手段】基板上に光吸収層及び材料層が形成された成膜用基板に、基板を透過させて光吸収層に光を照射することによって、選択的に材料層に含まれる材料を、対向して配置された被成膜基板へ成膜する。光吸収層を選択的に形成することによって、被成膜基板に成膜される膜は、光吸収層のパターンを反映した微細なパターンで選択的に成膜することができる。材料層の形成は、基板及び光吸収層上に、有機化合物材料を含む粉体を散布し、加熱処理によって固定させて行う。 （もっと読む）

【課題】導電性が良好であるとともに、耐熱性に優れた導電体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｗ、Ｎ、Ｆ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｐ及びＢｉからなる群から選ばれる１又は２以上のドーパントが添加された酸化チタンからなる層（Ｚ）が２層以上設けられており、該２層以上のうち少なくとも１層は、チタンとドーパントの原子数合計に対するドーパントの原子数の割合が０．０１〜４原子％である第２層（Ｚ２）１２であり、該第２層（Ｚ２）１２と基板１０との間に、該第２層（Ｚ２）よりも、前記チタンとドーパントの原子数合計に対するドーパントの原子数の割合が多い第１層（Ｚ１）１１が設けられていることを特徴とする導電体。 （もっと読む）

【課題】所望の領域の材料のみが成膜されることを可能にし、微細パターンの形成を可能にすることを目的とする。また、成膜に要する時間を短縮し、生産性を向上させることを目的とする。
【解決手段】一方の面に、光吸収層と、光吸収層に接して形成された材料層と、を有する第１の基板を用い、第１の基板の材料層が形成された面と、第２の基板の被成膜面とを対向させ、第１の基板の他方の面側から周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光を照射し、光吸収層と重なる位置にある材料層の一部を選択的に加熱し、材料層の一部を第２の基板の被成膜面に成膜する。 （もっと読む）

【課題】実質的なクラスター生成効率を高めたクラスター生成装置を提供する。
【解決手段】エネルギー照射を受けてクラスター構成物質を放出する放出源を減圧室内に配置し、該放出されたクラスター構成物質のイオンを冷却ガスとの接触下でクラスター化させてイオンクラスターとし、生成した該イオンクラスターを該減圧室のクラスター出口から室外へ供給するクラスター生成装置において、
上記放出源から上記クラスター出口に至る軸線を取り巻く環状の電極、および
上記イオンクラスターの帯電極性と同じ極性の電位を上記電極に印加する直流電源
を備えたことを特徴とするクラスター生成装置。 （もっと読む）

【課題】強誘電特性の劣化を引き起こすことなく、効率的にリーク電流を抑制する新たな強誘電体材料を提供する。
【解決手段】薄膜化させるターゲット材料として、Bi：Nd：Fe：Mn＝1.0：0.05：0.97：0.03組成を有する焼結ターゲットを用い、パルスレーザ照射によりターゲットから射出されたアブレーション粒子を、STO基板(1d)上にPt(1c)をPLA堆積させたPt/STO基板上に堆積することにより、BFOのBiサイト及びFeサイトの両方のサイトを元素置換したBNFM(1b)の強誘電体材料の薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】材料と被成膜基板との間にマスクを設けることなく、被成膜基板に微細なパターンの薄膜を形成する成膜方法を提供することを課題の一とする。また、このような成膜方法を用いて発光素子を形成し、高精細な発光装置を作製することを課題の一とする。
【解決手段】反射層、光吸収層及び材料層が形成された成膜用基板を透過して、光吸収層にレーザ光を照射することによって材料層に含まれる材料を、対向して配置された被成膜基板へ成膜する。反射層を選択的に形成することによって、被成膜基板に成膜される膜は、反射層のパターンを反映した微細なパターンで選択的に成膜することができる。材料層の形成は、湿式法を用いて行う。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高いプロトン伝導性を示すペロブスカイト型複合酸化物薄膜を提供すること。
【解決手段】一般式：Ａ(Ｂ_1-YＭ_Y)Ｏ_3-Zで表される組成を有するプロトン伝導性ペロブスカイト型複合酸化物を含むペロブスカイト型複合酸化物薄膜。但し、Ａは、アルカリ土類金属元素から選ばれる２種以上の元素。Ｂは、Ｚｒ及びＣｅから選ばれる１種以上の元素。Ｍは、Ｓｃ、Ｙ、Ｉｎ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、及び、Ｙｂから選ばれる１種以上の元素。０＜Ｙ＜０．２、０＜Ｚ。 （もっと読む）

【課題】平坦で薄いＡｌＮ薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ薄膜２は、ＩＩＩ族元素、ＩＶ族元素およびＶ族元素から選ばれた１種以上の添加元素を０．００１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下含む。該ＡｌＮ薄膜２は、ＩＩＩ族元素、ＩＶ族元素およびＶ族元素から選ばれた１種以上の添加元素を０．００１ｗｔ以上１０ｗｔ％以下含むＡｌＮ焼結体を真空チャンバ内にセットし、基材１を真空チャンバ内にセットした状態で、ＡｌＮ焼結体にレーザを照射することで発生したプラズマを用いて基材１上に形成可能である。 （もっと読む）

【課題】材料利用効率よく、または作業効率よく発光層などの有機薄膜を成膜し、発光装置を作製する製造装置を提供する。
【解決手段】ロード室、該ロード室に連結された共通室、および該共通室に連結された複数の処理室と、レーザ光源とを有し、予め処理室で第２の基板に材料層を形成しておき、共通室で第２の基板と第１の基板の位置合わせを行った後、第２の基板にレーザ光の走査を行い、第１の基板に選択的に成膜を行う。本製造装置は、共通室内で第１の基板に選択的な成膜を複数回行う。 （もっと読む）

【課題】非晶質炭素膜と基材との密着性に優れるとともに耐摩耗性に優れた非晶質炭素被覆工具を提供することを目的とする。
【解決手段】基材と非晶質炭素膜とを備え、非晶質炭素膜は基材側の内層部と表面側の外層部とからなり、非晶質炭素膜の内層部に含まれる水素量は０．５原子％以上３原子％以下であり、非晶質炭素膜の外層部に含まれる水素量は０．５原子％未満であり、非晶質炭素膜の内層部の水素量は、基材側から表面側に向かって水素量が徐々に減少するという濃度勾配を持つ非晶質炭素被覆工具。 （もっと読む）

【課題】バッキングプレートを用いないでレーザが照射された場合でも、クラックが入り難く、且つ、適用可能な酸化物超電導焼結体の組成範囲が広いレーザ蒸着用ターゲットを提供する。
【解決手段】酸化物超電導焼結体を含むレーザ蒸着用のターゲットであって、当該ターゲット使用面に垂直な向きにおける線熱膨張率の値が、当該ターゲット使用面に平行な向きにおける線熱膨張率の値より１０％以上大きいことを特徴とするレーザ蒸着用ターゲットを提供する。 （もっと読む）

【課題】反応容器内で成長結晶が昇華することを効果的に抑制可能であり、また成長結晶の冷却後に該成長結晶にクラック等が生じることをも効果的に抑制可能な化合物半導体単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体単結晶の製造装置１は、原料４にレーザ光を照射することで原料を昇華させることが可能なレーザ光源６と、レーザ光源６から出射されるレーザ光を透過させて容器内部に導入可能なレーザ導入窓５を有し、昇華した原料を再結晶化させる下地基板３を保持可能な反応容器２と、下地基板３を加熱することが可能なヒータ７とを備える。反応容器２内の原料４にレーザ光を照射して加熱することで昇華させ、昇華した原料を下地基板３上で再結晶化させて化合物半導体単結晶を成長させ、その後にレーザ光を利用して化合物半導体単結晶を下地基板３から分離する。 （もっと読む）