【課題】一つの試料を作製するだけで、フェライトの組成変化に伴う磁気特性の変化を連続して測定することができるフェライトの特性評価方法を提供する。
【解決手段】透光性を有する単結晶基板上に、薄膜形成法を用いて、成分組成を水平方向に傾斜させて製膜した複数層の組成傾斜フェライト層からなる組成傾斜フェライト薄膜を形成し、該フェライト薄膜の組成傾斜方向に沿い連続して磁気光学効果を測定することにより、該フェライトの組成変化に伴う磁気特性の変化を連続して測定する。 （もっと読む）

本発明は、パルスレーザ堆積のための装置に関し、この装置は、−基板が載せられる基板マウントと、−この基板マウントに対向し,ターゲット材料が載せられるターゲットマウントと、−ターゲット材料にレーザ光を照射するレーザ装置と、−基板の上方に配置されるシャドーマスクを備え、シャドーマスクは、移動可能なディスクに載せられ、この移動可能なディスクは、上記基板マウントに対して接離するように軸方向に移動できる。さらに、本発明は、この装置を操作する方法に関する。
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【課題】所望の基体上の任意の位置及び形状に、所望の色彩を放つ発光素子を形成する手法を確立する。
【解決手段】固体有機ポリシロキサン１に、波長１９０ｎｍ以上２６６ｎｍ未満のレーザー光２を照射することにより発光改質層を形成し、レーザーアブレーションにより発光改質層を所望の基体７上に薄膜化することにより、所望の基体７上の任意の位置及び形状に、所望の色彩を放つ発光素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】混合層を被成膜基板上に均一な濃度になるように成膜することを課題とする。
【解決手段】第１の基板の第１の面上に、光吸収層と、昇華温度の異なる２種類以上のホスト及びゲスト材料を含む材料層と、前記材料層より昇華温度の高い材料のキャップ層を形成し、第２の基板の第１の面を、前記第１の基板の第１の面と対向させ、前記第１の基板の第１の面と反対の面である第２の面から光を照射し、前記材料層を昇華させることにより、前記第２の基板の第１の面上に、前記２種類以上のホスト及びゲスト材料が混合された混合層を成膜する成膜用基板、成膜方法、及び、前記成膜方法を利用した発光装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】強誘電特性及び圧電特性の劣化が抑制され、リーク特性が改善された強誘電体及び圧電体を提供する。
【解決手段】ＢｉＦｅＯ₃を主成分とする強誘電体及び圧電体１３は、ＢｉＦｅＯ₃の複数のＦｅサイトが、Ｔｉと、Ｍｎ、Ｎｉ及びＣｕのいずれかとに元素置換されている。ＢｉとＦｅとＴｉとＭｎ、Ｎｉ及びＣｕのいずれかとからなるターゲットにパルスレーザを照射することで、基板１１上に、ＢｉとＦｅとＴｉとＭｎ、Ｎｉ及びＣｕのいずれかとを堆積させることにより、ＢｉＦｅＯ3を主成分とする強誘電体又は圧電体１３の製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れた酸化物超伝導薄膜を形成可能とするとともに、当該酸化物超伝導薄膜を含んで高い超伝導転移温度を有する超伝導薄膜積層体を形成可能で、製造工程中に有毒元素を含まない酸化物超伝導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板上にＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_ｘで構成されるバッファー薄膜を形成する第１の工程と、バッファー薄膜上に連続してＢａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超伝導薄膜を形成する第２の工程とを備え、第１の工程は、前記バッファー薄膜をパルスレーザーデポジション法によりエピタキシャル成長させるバッファー薄膜成長工程を含み、第２の工程は、バッファー薄膜上に酸化物超伝導薄膜をパルスレーザーデポジション法によりエピタキシャル成長させる超伝導薄膜成長工程と、超伝導薄膜成長工程に連続し、基板温度を徐冷させる徐冷工程と、徐冷工程に連続し、基板温度を急冷させる急冷工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】電子キャリア濃度が低い、アモルファス酸化物薄膜とそれを用いた薄膜トランジスタの提供。
【解決手段】気相成膜法で成膜され、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ及びＯの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜であって、該酸化物の組成は、結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは６未満の自然数）であり、不純物イオンを添加することなしに、電子移動度が１ｃｍ^２／（Ｖ・秒）超、かつ電子キャリヤ濃度が１０^１６／ｃｍ^３以下である半絶縁性であることを特徴とする透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜。この透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜をチャネル層としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】電子キャリア濃度が低い、アモルファス酸化物薄膜の成膜方法の提供。
【解決手段】組成が、式［Ｓｎ_１−ｘＭ４_ｘＯ_２］ａ・［（Ｉｎ_１−ｙＭ３_ｙ）_２Ｏ_３］ｂ・［Ｚｎ_１−ｚＭ２_ｚＯ］ｃ(ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、かつｘ、ｙ、ｚは同時に１ではなく、０≦ａ≦１、０＜ｂ≦１、０≦ｃ≦１、かつａ＋ｂ＋ｃ＝１）、で示される酸化物の多結晶をターゲットとして、基板の温度は意図的に加温しない状態で、酸素ガスを含む雰囲気中の酸素分圧を制御して、基板上に薄膜を堆積させることによって、室温での電子移動度が０．１ｃｍ^２／（Ｖ・秒）以上、かつ電子キャリヤ濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である半絶縁性である透明アモルファス酸化物薄膜を気相成膜する。 （もっと読む）

【課題】ガス供給量が低減されたガスデポジション装置を提供すること
【解決手段】
上記課題を解決するための、本発明の一形態に係るガスデポジション装置１は、搬送管４に嵌合する位置と嵌合しない位置のいずれかをとる可動部材１５を有するガス規制機構と、微粒子流ｆの流路上の位置とそれ以外の位置をとる吸引口１８を有する吸引機構７とを具備する。
成膜停止時において、可動部材１５が搬送管４と嵌合することで、搬送管４の第１の開口４ｃに流入するガスの流量が規制される。同時に吸引口１８が上記規制されたガス流量を微粒子流ｆの経路上において吸引する。成膜時に搬送管４を流通して微粒子を搬送するガス流量の一部を、成膜停止時において微粒子の排出に流用することにより必要なガス供給量が低減される。 （もっと読む）

【課題】短時間化、低コスト化が可能な一次元ナノ構造体の製造方法、一次元ナノ構造体の製造装置及び電子デバイスの製造方法並びにこの方法によって製造された電子デバイスを提供すること。
【解決手段】厚さが５００ｎｍ以下のアモルファス酸化バナジウム薄膜を基板上に形成し、酸素、窒素、希ガスの単独又は混合ガスを用い、減圧又は常圧の雰囲気において、室温で薄膜にエネルギー密度が１Ｊ／ｃｍ²以下のパルスレーザを照射して二酸化バナジウムを母材とし単斜晶型又はルチル型の結晶構造を有する一次元ナノ構造体としてナノワイヤを形成し、基板をエッチング処理して基板にナノワイヤを残存させる。一次元ナノ構造体の製造方法は、二酸化バナジウムの金属−絶縁体相転移を利用した各種の電子デバイスの製造に適用される。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、欠陥のない有機分子膜被覆ナノ結晶粒子を提供するのみならず、これを含む有機分子膜被覆ナノ粒子の製造工程を極めて簡便にすることができた製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、ナノ結晶粒子の表面が有機分子膜にて被覆されてなる有機分子膜被覆ナノ結晶粒子であって、前記ナノ結晶粒子の表面全体が有機分子膜にて被覆されていることを特徴とし、有機分子膜被覆ナノ粒子の製造方法であって、ナノ粒子の母材となるターゲット材料を表面修飾用の有機分子液中に浸漬した状態でレーザー照射し、前記ターゲット材料から前記有機分子液中にナノ粒子を放散させ、その表面に前記有機分子を結合させることを特徴とする。
本発明は、上記の製造方法において、前記ターゲット材料が、前記レーザー照射によって放散されたナノ粒子の表面に酸化膜が生じない性質を有することを特徴とし、前記ターゲット材料が、予め表面を水素終端化されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜速度を向上させることが可能な薄膜の製造方法および薄膜の製造装置を提供する。
【解決手段】薄膜の製造方法は、基材上に原料粉末を供給する工程（Ｓ１０）と、原料粉末に対してパルスレーザを照射して原料粉末を昇華させる工程（Ｓ３０）と、昇華した原料粉末を構成する材料を、基材に対向して配置された基板上に堆積させる工程（Ｓ４０）とを備えている。このとき、基材において原料粉末を載置する表面は、原料粉末と同一材料からなっていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高温用伝導性の接着剤を使用せずに、大面積金属・絶縁体転移（ＭＩＴ）物質であるＶＯ₂薄膜をインシチュ（in-situ）で蒸着できる成長装置及び大面積酸化物薄膜の成長方法を提供する。
【解決手段】高温でＰＬＤ（pulsed laser deposition）、スパッタ（sputter）などによって、金属・絶縁体転移物質であるＶＯ₂を成長させるとき、熱伝導を良好にするために、固定装置１２０ｂにより基板１１０とヒータ１００ｂ表面との接着を改善することによって、特性が優秀な大面積ＶＯ₂薄膜を、既存方式より簡単に成長させることができる大面積バナジウム酸化物薄膜の成長装置、及びその成長装置での大面積酸化物薄膜の成長方法。 （もっと読む）

【課題】α−ＮａＦｅＯ_２構造を有するＬｉＭｎＯ_２の安定構造、安定結晶の製造方法、ＬｉＭｎＯ_２の結晶安定化方法、電池及び電子機器を提供する。
【解決手段】α−ＮａＦｅＯ_２構造を有するＬｉＭｎＯ_２の結晶が、結晶よりも格子定数の小さい担持体３によって担持される。結晶は、担持体３の結晶表面を覆うように薄膜２として形成される。担持体３は、Ａｌ_２Ｏ_３又はＬｉＣｏＯ_２からなる。薄膜２は、パルスレーザ堆積法を用いて室温下で成長させ、大気中でアニールする。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも一つの電気伝導性があるフィルム20を基板30上に蒸着するための方法に関する。当該方法は − フィルム材料の層10であって、当該層10はマスク部40を前面11に有し、当該層10と当該マスク部40とは一つの部分である、フィルム材料の層10を選択するステップと、 − 前記層10の前面11を基板30上に位置決めするステップと、 − 溶解液滴110が前記基板30の方へと推進され、当該基板30上に蒸着されて前記フィルム20を形成し、前記マスク部40にある少なくとも一つの溝45が前記溶解液滴110の飛散を制限するよう前記層10の少なくとも一部を溶解し蒸発させるために、少なくとも1回のレーザパルス120を前記層10の背面12上へ印加するステップと、を含んでいる。
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【課題】取り扱い性に関して好ましい易滑性を有しつつ、必要な透明性又はヘーズ特性を達成する透明導電性積層体を提供する。また、このような透明導電性積層体を有する透明タッチパネルを提供する。
【解決手段】透明有機高分子基板１、透明有機高分子基板の一方の面上の透明導電層２、及び透明有機高分子基板の他方の面上の、凹凸表面を有する硬化樹脂層３を有する透明導電性積層体１０、並びにこのような透明導電性積層体を有する透明タッチパネルとする。ここで、硬化樹脂層３が、物性の差に基づいて互いに相分離する２種の重合性成分を含有するコーティング組成物から形成されることによって凹凸表面を有しており、硬化樹脂層３が、平均一次粒子径２００ｎｍ以上の無機及び／又は有機微粒子を含有しておらず、硬化樹脂層３が、平均一次粒子径２００ｎｍ未満の金属酸化物及び／又は金属フッ化物超微粒子を含有している。 （もっと読む）

本発明は、面上に像を投影するための装置であって、光線を生成するための光源と、上記光線の進路に配置されたマスクと、上記マスクの上記像の焦点を面上に合わせるために、上記マスクの後に配置され、上記面に平行ではないレンズとを備え、上記マスクのエッジに沿ったほぼ全ての位置の各々における上記レンズに対する距離ｖ、および、上記マスクの上記像の上記エッジにおける上記レンズに対する対応する位置の距離ｂは、式１／ｖ＋１／ｂ＝１／ｆに略対応し、ｆが上記レンズの焦点の長さであることを特徴とする装置に関する。また、本発明は、面上の像を移動するための装置に関する。
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【課題】蒸発源で形成した超微粒子を効率的にノズルへと搬送することができる構造物形成装置を提供する。
【解決手段】金属材料またはセラミックス材料を含む蒸発源となるターゲット１０７と、前記ターゲット表面から放出粒子を放出させるためのレーザー光線１１２と、前記放出粒子にガスを導入するためのガス噴射手段と、前記ターゲットの前記表面近傍において、前記放出粒子と前記ガスとを混合し冷却して混合相を形成するナノ粒子発生室１０３と、室内を大気圧未満に減圧するための減圧手段１１７と、構造物形成用の基板１１５が配置される成膜室１０５と、前記混合相を前記基板に向けて噴射するノズル１０と、を備え、前記ナノ粒子発生室１０３と前記成膜室１０５との圧力差により、前記ナノ粒子を前記ノズル１０より前記基板１１５に向けて高速で噴射して前記基板１１５上に構造物を形成する構造物形成装置。 （もっと読む）

【課題】ペロブスカイト型の酸素イオン伝導体から構成されて酸素イオン伝導性がより一層向上し得るセラミック膜材を提供すること。
【解決手段】本発明により提供される酸素イオン伝導性セラミック膜材の製造方法は、所定の結晶面に配向した基板を用意する工程と、一般式：Ａ_１−ｘＡｅ_ｘＢＯ_３−δ（ただし、Ａは、Ｌｎ（ランタノイド）から選択される少なくとも１種の元素であり、Ａｅは、Ｓｒ、ＢａおよびＣａからなる群から選択される１種または２種以上の元素であり、Ｂは、ペロブスカイト型構造を構成し得る１種または２種以上の金属元素であり、０≦ｘ≦１であり、δは電荷中性条件を満たすように定まる値である。）で表わされるペロブスカイト型のセラミック膜を構成するための原料を用意する工程と、蒸着法により上記基板の結晶面上にセラミック膜を結晶配向させた状態で形成する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】帯状の基材の幅方向において膜厚や特性が均一な薄膜を効率良く成膜することができ、構成粒子の収率及び生産性の向上を図ることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜方法は、レーザ光Ｌをターゲット６の表面に照射して、このターゲット６の構成粒子６Ａを叩き出し若しくは蒸発させ、この構成粒子６Ａを帯状の基材上に堆積させることにより薄膜を形成する成膜方法であって、前記レーザ光Ｌが前記ターゲット６の表面に照射する位置を、前記基材の幅方向と同じ方向に振幅させ、前記基材を、転向部材に該基材の裏面が接しつつ長手方向に移動する状態として、前記構成粒子６Ａの堆積領域内を通過させることにより、前記基材の表面上に前記構成粒子６Ａを堆積させ、前記基材の表面上に薄膜を形成する。 （もっと読む）