【課題】幅方向に複数のレーンを成すように配列した基材または幅広の基材に対しても、膜厚や特性が均一な薄膜を効率良く成膜することが可能であり、また、良好な生産性で厚い膜の成膜が可能な成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】レーザー光Ｌによってターゲット６から叩き出され若しくは蒸発した構成粒子を帯状の基材３４の表面上に堆積させ、基材３４の表面上に薄膜を形成するにあたり、基材３４の移動方向を転向させる転向部材１１を囲んで加熱ボックス２０を設けるとともに、転向部材１１に接した状態にある基材３４の表面に対向するようにターゲット６を配し、転向部材１１に基材３４の裏面が接しつつ、基材３４を長手方向に移動させた状態で、加熱ボックス２０の中を均等加熱するヒーター２５により、基材３４を加熱し、ターゲット６にレーザー光Ｌを照射する位置を、基材３４の幅方向と同じ方向に振幅させる。 （もっと読む）

【課題】駆動の際にもターゲットがずれ動くのを抑制でき、かつターゲットの熱膨張にも対応して、ターゲットを確実に保持することが可能なターゲット保持装置、ならびにこれを用いた成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】板状のターゲット２から叩き出され若しくは蒸発した粒子を使用して薄膜を形成する成膜装置に用いられるターゲット保持装置１０であって、ターゲット２を保持するホルダ１１が、ターゲット２から粒子が叩き出され若しくは蒸発する面である表面２ａとは反対側の裏面２ｂに接する底部１１ｂと、ターゲット２の外周面２ｃを取り囲んで設けられた側壁部１１ｃとを有し、側壁部１１ｃには、ターゲット２の外周面２ｃに接触する位置がターゲット２の内側に向かって変位可能に設けられたバネ機構１３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】種々の部材の高性能化に寄与できる積層体を提供する。
【解決手段】ニッケル源である硝酸ニッケルを含有し、かつ、溶媒としてニッケル酸化物の単結晶２を形成可能な単結晶形成可能溶媒である水、メタノール、エタノールまたはアセトンとジケトン類またはケトエステル類とを含有するニッケル酸化物膜３形成用溶液を、ニッケル酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材１に接触させることにより、前記基材上にニッケル酸化物膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】帯電防止性、反射防止性および耐久性に優れ、むくみの発生しない光学物品およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】眼鏡レンズは、レンズ基材１１０と、このレンズ基材１１０の表面に設けられたハードコート層１２０と、このハードコート層１２０の上に設けられた反射防止層１３０とを備えて構成されている。反射防止層１３０は、屈折率が１．３〜１．５である低屈折率層と、屈折率が１．８〜２．４５である高屈折率層とを順に積層したものである。この反射防止層１３０は、レンズ基材１１０側から外側に向けて順に配置された第１層１３１、第２層１３２、第３層１３３、第４層１３４、第５層１３５、第６層１３６、第７層である透明導電層１３７及び第８層１３８から構成される。 （もっと読む）

作動波長域を軟Ｘ線領域又は極紫外線領域とする、特にＥＵＶリソグラフィにおいての使用のための応力軽減型反射光学素子を製造するために、基材と作動波長域においての高反射率のために最適化された多層系との間に応力軽減型多層系を４０ｅＶ以上の、好適には９０ｅＶ以上の、エネルギーを有する層形成粒子によって蒸着することが提案される。得られる反射光学素子はその低い界面粗さ、応力軽減型多層系における周期数の少なさ及び応力軽減型多層系におけるΓ値の高さにより特徴付けられる。
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【課題】 結晶性に優れ、パターン化されたＢｉＴｅ系薄膜、その作製方法、および赤外線センサを提供する。
【解決手段】 本発明のＢｉＴｅ系薄膜は、基板と、基板上に位置するＢｉＴｅ系薄膜とを備える。そのＢｉＴｅ系薄膜は、パターニングされており、かつ、Ｘ線回折における（００１）面のピーク値と（０１５）面のピーク値との比であるｃ軸配向度が、１．０以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明はロールツーロールタイプの薄膜パターン形成装置に関する。
【解決手段】薄膜パターン形成装置は、シートを走行させる巻出ロール及び巻取ロールと、弾性体層が形成された周面を有し、上記巻出ロールと巻取ロールとの間に配置され上記シートをその周面に沿って走行させる回転ドラムと、蒸着ソースを収容し、蒸発した蒸着ソースが上記回転ドラム上に位置した上記シートに薄膜を形成するよう装着されたソース載置部と、上記ソース載置部から上記回転ドラムに向かう蒸着ソースの進行を選択的に遮蔽させるシャッタと、上記シート上に蒸着しようとする薄膜のパターンを定義するパターンを有し、薄膜蒸着時に上記回転ドラム上に位置したシートに密着したマスクと、薄膜蒸着後に上記弾性体層の厚さの減少により上記マスクから上記シートが離隔されるよう上記シートを上記回転ドラム方向に加圧させる張力印加部とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明はロールツーロールタイプの薄膜形成装置に関する。
【解決手段】薄膜パターン形成装置は、マスク積載部と、上記マスク積載部と開閉可能な開放口が設けられた成膜空間部を有する真空チャンバと、上記成膜空間部に配置され、シートを走行させる巻出ロール及び巻取ロールと、蒸着ソースを収容して蒸着ソースを蒸発させ蒸着領域上に位置した上記シート上に薄膜を蒸着させるように装着されたソース載置部と、上記シート上に蒸着しようとする薄膜のパターンを定義するパターンを有し、上記マスク積載部に備えられた少なくとも一つのマスクと、上記マスク積載部において備えられた少なくとも一つのマスクを上記成膜空間部の蒸着位置にまたはその反対に搬送させることができるよう構成されたマスク移動部と、上記ソース載置部において上記マスクに蒸発される蒸着ソースの進行を選択的に遮蔽させるシャッタ部とを含む。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブネットワークとインジウムスズ酸化物との複合体を含み得る透明導電性フィルム及びその製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブネットワークとインジウムスズ酸化物との複合体は、カーボンナノチューブネットワーク層と、カーボンナノチューブネットワーク層上に配置されたインジウムスズ酸化物層とを含み得る。透明導電性フィルムの製造方法は、透明基板を提供する工程、金属タイプカーボンナノチューブ溶液を透明基板上に配置する工程、金属性カーボンナノチューブネットワーク層を金属性カーボンナノチューブ溶液から形成する工程、およびインジウムスズ酸化物層を金属性カーボンナノチューブネットワーク層上全体に配置する工程を含み得る。 （もっと読む）

本発明は、サンプル（２）の表面にターゲット（３）の材料を蒸着する方法に関するものであり、ターゲットの表面にレーザービーム又は電子ビーム（７）を照射して、ターゲット材料粒子のプルーム（９）を生成させるステップと、ターゲット材料粒子がサンプルの表面に蒸着されるように、プルーム近傍にサンプル（２）を位置させるステップと、粒子が蒸着されるサンプルの表面に対して垂直な回転軸（１）回りに、サンプルを回転させるステップと、プルームが前記回転軸に対して半径方向に移動するように、ターゲットの表面に沿ってレーザービームを移動させるステップと、可変周波数で、レーザービームのパルスを発するステップと、を有している。
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【課題】強誘電性能に優れた新規組成のペロブスカイト型酸化物を提供する。
【解決手段】ペロブスカイト型酸化物は、下記一般式で表されるものである。（Ａ_ａ，Ｂ_ｂ）（Ｃ_ｃ，Ｄ_ｄ，Ｘ_ｘ）Ｏ_３（Ａ：Ａサイト元素である。Ａ＝Ｂｉ、０＜ａ。Ｂ：１種又は複数種のＡサイト元素である。０≦ｂ＜１．０。Ｃ：Ｂサイト元素である。Ｃ＝Ｆｅ、０＜ｃ＜１．０。Ｄ：１種又は複数種のＢサイト元素である。０≦ｄ＜１．０。０＜ｂ＋ｄ。Ｘ：１種又は複数種のＢサイト元素である。ＣとＤの化学式上の平均価数よりも化学式上の平均価数が大きい元素である。０＜ｘ＜１．０。（Ａサイトの化学式上の平均価数）＋（Ｂサイトの化学式上の平均価数）＞６．０。Ｏ：酸素。Ａサイト元素とＢサイト元素と酸素のモル比は１：１：３が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】均質な薄膜を長時間に渡って形成することが可能な薄膜の製造方法および薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】この発明に従った薄膜の製造方法は、基板準備工程と、基板と対向する位置にターゲット材を準備する工程と、ターゲット材にエネルギー線としてのレーザ光を照射することにより、ターゲット材から放出される原子を含むプルームを形成し、プルームに含まれる原子を基板表面上に供給することにより薄膜を形成する成膜工程とを備える。成膜工程では、工程（Ｓ２１）〜工程（Ｓ２４）に示すようにプルームの発光強度に応じて基板とターゲット材との間の距離が調整される。 （もっと読む）

【課題】圧電性能に優れた強誘電性酸化物を提供する。
【解決手段】特定構造の結晶対称性を有する下記一般式（ａ１）で表される組成を有する強誘電性酸化物においてＡサイト元素となり得るイオン半径及びイオン価数を有するＡサイト元素Ａと、Ｂサイト元素となりうるイオン半径及びイオン価数を有するＢサイト元素Ｂを選択して構成元素を決定し、特定構造の結晶対称性を有する強誘電性酸化物に対して、自発分極方向に電界を印加して自発分極方向へ変位させた時のＢｉ元素のＢｏｒｎ有効電荷が、同じ特定構造のＢｉＦｅＯ_３のＢｉ元素のＢｏｒｎ有効電荷より大きくなるように組成を決定し、この組成の強誘電性酸化物を製造する。
ＡＢＯ_３・・・（ａ１）
（式（ａ１）中、ＡはＢｉを主成分とする1種又は複数種のＡサイト元素、Ｂは１種又は複数種のＢサイト元素、Ｏは酸素。） （もっと読む）

【課題】十分な特性を備えたフッ化物材料の薄膜を効率的に基板上に形成することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、蒸着処理領域３０Ａ及びプラズマ処理領域６０Ａの各領域間で、基板Ｓを繰り返し移動させる回転ドラム４及び基板保持板４ａと、フッ化物材料を含む蒸着原料の蒸発物を蒸着処理領域３０Ａに導入された基板Ｓに付着させる蒸着手段３０と、反応性ガスのプラズマをプラズマ処理領域６０Ａに導入された基板Ｓに接触させることにより、基板Ｓに付着した蒸着原料の蒸発物を処理するプラズマ処理手段６０とを真空チャンバ２内に少なくとも有する。この成膜装置１を用いて基板Ｓ上にフッ化物材料の薄膜を形成する。
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【課題】最終、ＧａＮＬＥＤなどに形成されるナノコラムをカタリスト材料膜を用いて成長させるにあたって、前記カタリスト材料膜を短時間で形成する。
【解決手段】カタリスト材料膜１２を蒸着・フォトで形成するのではなく、成長基板１１を真空容器２に収容し、ガス供給源４から材料ガスを供給し、その雰囲気７中で、ビーム源５から、イオンビーム６をナノコラムの柱径に収束させて成長基板１１上に照射することで、前記カタリスト材料膜１２をパターニングされた状態で直接薄膜形成する。したがって、該カタリスト材料膜１２の形成後、成長基板１１を大気に暴露することなく、ＭＯＣＶＤ装置やＭＢＥ装置などに搬入して、ナノコラムを成長させることができる。これによって、ナノコラムの位置や柱径を制御可能であるというカタリストを用いる利点を生かしながら、高品質なナノコラムを、高いスループットで安価に成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】固体酸化物燃料電池の緻密な電解質と多孔質の空気極を一回の製膜プロセスで作成が可能な製造方法を提供する。
【解決手段】レーザー堆積法においては、結晶成長が２次元であるため、結晶の成長エネルギーが小さくて済むことから、従来の方法より低い６００〜８００℃での作製が可能であり、基板を真空チャンバーに入れた状態において、少なくとも一つの成膜条件を変更することにより、固体酸化物燃料電池の多孔質/緻密/多孔質構造の積み分けが一回の製膜プロセスで作製することを可能とした。 （もっと読む）

形成されたフィルム形態をナノ粒子塊のものから粒子およびドロップレットの無い平滑な薄膜に連続的に調整することが可能なパルスレーザー蒸着（ＰＬＤ）の方法。発明の様々な実施形態を使って合成されることができる材料は、金属、合金、酸化金属および半導体を含むが、それらに限定はされない。様々な実施形態において、超短パルスレーザーアブレーションおよび蒸着の「バースト」モードが提供される。フィルム形態の調整は、各バースト内のパルス数およびパルス間の時間間隔、バースト繰り返しレート、およびレーザーフルエンスのようなバーストモードパラメータを制御することによって達成される。システムは、超短パルスレーザーと、適切なエネルギー密度でターゲット表面上にフォーカスされたレーザーを配送するための光学システムと、その中にターゲットおよび基板が設置され背景ガスとそれらの圧力が適切に調節された真空チェンバーと、を含む。
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【課題】通常ペロブスカイト型構造をとりにくい、または結晶性が悪化するＢｉ系ペロブスカイト型酸化物を含み、強誘電性能（圧電性能）に優れたペロブスカイト型酸化物膜を提供する。
【解決手段】本発明のペロブスカイト型酸化物膜は、下記一般式（Ｐ１）で表されるペロブスカイト型酸化物を含むことを特徴とするものである。
（Ａ_１−ｘ，Ｂ_ｘ）（Ｃ_ｙ，Ｄ_１−ｙ）Ｏ_３ ・・・（Ｐ１）
（式中、０＜ｘ＜１−ｙ、０＜ｙ＜１．０、ＡはＢｉを主成分とするＡサイト元素、ＢはＤとペロブスカイト構造を取る、Ａとは異なる少なくとも１種のＡサイト元素、ＣはＡとペロブスカイト構造をとる元素を主成分とするＢサイト元素、ＤはＡとペロブスカイト構造を取り得ない、又は取りにくい少なくとも１種のＢサイト元素。Ｂ〜Ｄは各々平均イオン価数３価の金属元素であるが，ペロブスカイト構造を取り得る範囲内でずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】均一な膜を成膜することを目的とする。また、成膜に要する時間を短縮し、生産性を向上させることを目的とする。
【解決手段】一方の面に、光吸収層と、光吸収層に接して形成された材料層と、を有する第１の基板を用い、第１の基板の材料層が形成された面と、第２の基板の被成膜面とを対向させ、第１の基板の他方の面側から周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光を照射し、光吸収層と重なる位置にある材料層の一部を選択的に加熱し、材料層の一部を第２の基板の被成膜面に成膜する成膜方法において、式（１）または式（２）を満たす条件で成膜する。


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【課題】高い結晶性を維持し、かつ低いコストを維持するＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材、エピタキシャルウエハ、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材の製造方法は、異種基板１１を準備する工程と、異種基板１１上に、主表面を有するＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層を成長させる工程とを備えている。Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層における主表面に位置する組成比ｘ＋ｖは、０＜ｘ＋ｖ＜１である。Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層において、異種基板１１との界面から主表面に向けて組成比ｘ＋ｖが単調増加または単調減少する。Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層において、異種基板１１との界面の組成比ｘ＋ｖは、主表面の組成比ｘ＋ｖよりも異種基板１１の材料に近い。 （もっと読む）