【課題】膜質の良い有機薄膜を効率良く成膜する。
【解決手段】第一、第二の薄膜を形成するために、第一、第二の蒸着装置１０ａ、１０ｂの蒸発室２１内部に配置する有機材料３９ａ、３９ｂの必要量を予め求めておく。求めた必要量の有機材料３９ａ、３９ｂを蒸発室２１に配置して蒸気を発生させ、基板８１を放出装置５０の放出口５５上に配置してから、蒸気を放出口５５から放出させる。蒸発室２１に配置された有機材料３９ａ、３９ｂが消費されると、予め決められた膜厚の第一、第二の薄膜が基板８１表面上に形成される。 （もっと読む）

【課題】現在使用されているタービン要素を回復する方法の欠点を克服する。
【解決手段】本発明は、要素の本体を形成する基材と、基材に接着した保護コーティングとから構成されたタービン要素を回復する方法に関する。方法は、保護コーティングと基材との間の接着不良を有するゾーンを特定するためのタービン要素の制御と、保護コーティングと基材との間の接着不良の除去とを備える。接着不良は、保護コーティングと下にある基材との局所的な溶融を引き起こし、レーザビームの停止後に保護コーティングと基材との間の上記ゾーンの高さにおける適切な接着を可能とするために、接着不良を有する各ゾーン上に向けられたレーザビームを用いて除去される。 （もっと読む）

【課題】高速ミーリング切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、Ｔｉ化合物層あるいは（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層からなる下部層を形成し、その上に、ダイナミックオーロラＰＬＤ法により、（００１）面配向のＹＳＺからなる密着層を形成し、さらに、該密着層上に、（０００１）面配向の（Ｃｒ，Ａｌ）_２Ｏ_３あるいはＣｒ_２Ｏ_３からなる上部層を形成した表面被覆切削工具。
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【課題】高速ミーリング切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、Ｔｉ化合物層あるいは（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層を下部層として形成し、その上に、ダイナミックオーロラＰＬＤ法により、（００１）面配向のＹＳＺからなる密着層、（０００１）面配向の（Ｃｒ，Ａｌ）_２Ｏ_３あるいはＣｒ_２Ｏ_３からなる中間層、（０００１）面配向の（Ｃｒ，Ａｌ）_２Ｏ_３あるいはα−Ａｌ_２Ｏ_３からなる上部層、をそれぞれ形成した表面被覆切削工具。
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【課題】（１１１）、（００１）もしくは（１１０）のいずれかに配向したペロブスカイト型酸化物薄膜を容易に得る方法を提供する。さらに、このペロブスカイト型酸化物薄膜を下部電極として、その上に強誘電体薄膜等を積層することにより、優れた特性の強誘電体層等を得、これを有する半導体装置を提供しうる。
【解決手段】基板の（００１）面に蛍石型構造のバッファー層、ついで結晶方位制御バッファー層を形成した後に、ペロブスカイト型酸化物薄膜を該結晶方位制御バッファー層上に積層して（１１１）、（００１）もしくは（１１０）のいずれかに配向したペロブスカイト型酸化物薄膜を得る。 （もっと読む）

【課題】
酸化亜鉛、および、酸化亜鉛固溶体からなる電子素子、光素子を製造する上で、酸化亜鉛、および酸化亜鉛固溶体の結晶構造に由来する自発分極の方向を考慮した結晶成長が求められる。これらを実現するには、結晶成長に際しての基板材質の選択、および、結晶成長時の成長条件、あるいは、結晶成長後の後処理等を検討し、所望の自発分極方向、すなわち、所望の結晶成長方向に対して結晶を成長する技術が得られなければならない。かつ、製造コストなどの経済性を考慮した場合、より流通量の多い、安定した供給の得られる基板材質をも使用できる、自発分極方向、すなわち、結晶成長方向を制御した酸化亜鉛を提供することが求められる。
【解決手段】
本発明の素子基板は、基板と酸化亜鉛薄膜との間にスピネル型構造の緩衝層を有し、前記酸化亜鉛薄膜は、ウルツ鉱型の結晶構造を有し、その表面が亜鉛（０００１）面であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高価な貴金属であるＰｔ、Ｒｕの使用量を抑制しつつ、燃料電池に用いるのに好適な高活性かつ高安定性を有する触媒、この触媒の製造方法、この触媒を用いた膜電極複合体および燃料電池を提供する。
【解決手段】導電性担体と、前記導電性担体に担持され、下記（１）式で表される組成を有する触媒粒子であって、Ｐｔ_ｕＲｕ_ｘＭｇ_ｙＴ_ｚ （１）（式中、ｕは３０〜６０ａｔｍ％、ｘは２０〜５０ａｔｍ％、ｙは０．５〜２０ａｔｍ％、ｚは０．５〜４０ａｔｍ％である）Ｔ元素がＳｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒおよびそれらの組み合わせからなる群より選ばれてなり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によるスペクトルにおける酸素結合を有するＴ元素の量が、金属結合を有するＴ元素の量の４倍以下である触媒粒子を含む。 （もっと読む）

【課題】 ＺｎＯ系化合物半導体層のｎ型層とｎ側電極とのオーミックコンタクトを改良し、動作電圧を下げる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 基板１上に設けられ、少なくともｎ型層４を有するＺｎＯ系化合物半導体の積層により発光層を形成する発光層形成部１１を有するＺｎＯ系化合物半導体素子であって、ＺｎＯ系化合物半導体のｎ型層４に接触して設けられるｎ側電極９は、ｎ型層４に接する部分がＡｌを含まないＴｉまたはＣｒにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】粉末状基材に十分に均一に飛散粒子を付着させて、粉末状基材の表面を均一に改質させることを可能とする粉末状基材の表面改質方法を提供すること。
【解決手段】ターゲットの表面にレーザー光を照射して飛散粒子を発生させ、粉末状基材に前記飛散粒子を付着させる粉末状基材の表面改質方法であって、
前記粉末状基材を転動させつつ前記ターゲットの表面にレーザー光を照射し、転動している前記粉末状基材に前記飛散粒子を付着させることを特徴とする粉末状基材の表面改質方法。 （もっと読む）

【課題】材料の表面平坦化並びに内部構造の均一化により、物理的あるいは化学的に高品質の材料を形成できる処理法の確立を課題とする。
【解決手段】ビーカー５内にトルエン４を入れ、カバー６で封じる。このカバー６の裏面には、材料としてＳｉ基体２上に形成したポリシラン薄膜１が設置されている。そして、このポリシラン薄膜１は、ビーカー５内において溶解雰囲気であるトルエン蒸気３に暴露されることで、ポリシラン薄膜１の表面平坦化並びに内部構造均一化が化学的に誘起される。 （もっと読む）

【課題】貴金属ナノ粒子が高密度で分散しており、貴金属ナノ粒子間の距離が短く、及び／又は、貴金属ナノ粒子の径が小さい貴金属ナノ粒子分散薄膜及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】貴金属を含む貴金属ナノ粒子と、前記貴金属ナノ粒子より電気比抵抗が高い無機材料とを備え、前記貴金属ナノ粒子の面内数密度は、４．０×１０⁴個／μｍ²以上３．０×１０⁶個／μｍ²以下である貴金属ナノ粒子分散薄膜、及び、パルスレーザーアブレーションを用いて基板上に貴金属ナノ粒子と無機材料からなる薄膜を形成するアブレーション工程を備えた貴金属ナノ粒子分散薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 内部抵抗を低減した全固相薄膜電池、その製造方法およびその製造装置を提供する。
【解決手段】 固体電解質層３を気相プロセスにより形成する工程、正極層２を気相プロセスにより形成する工程、および負極層４を気相プロセスにより形成する工程を備え、気相プロセスの間の各非処理時間中、全固体薄膜電池の中間品を、真空引きの雰囲気中に保持することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】亜鉛酸化物半導体を形成するための方法、およびこれによって製造される亜鉛酸化物半導体を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体の電気的特性を有する亜鉛酸化物薄膜上に金属触媒層を導入し、これを熱処理してｐ型半導体の電気的特性を有する亜鉛酸化物薄膜に改質する。熱処理過程により、亜鉛酸化物薄膜内に存在する水素原子は、金属触媒によって除去される。したがって、金属触媒および熱処理によって薄膜内の水素原子が除去され、キャリアである正孔の濃度は増加する。すなわち、ｎ型の亜鉛酸化物薄膜は、高濃度のｐ型亜鉛酸化物半導体に改質されるのである。 （もっと読む）

【課題】 全体が直線状の原子ステップ及び表面に凹凸のない平坦なテラス部を表面に有する二硼化物単結晶から成る基板を用いた窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法、及び二硼化物単結晶から成る基板の表面処理方法を提供すること。
【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法は、成膜装置内において、化学式ＸＢ₂（ただし、ＸはＴｉ及びＺｒの少なくとも１種を含む。）で表される二硼化物単結晶から成るとともに表面に自然酸化膜が形成された基板に、真空中での加熱処理を施すことによって、自然酸化膜を除去するとともに基板の表面に原子ステップ構造を表出させる工程と、引続き成膜装置内において、基板の表面が大気に触れない状態で基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 水素分離膜と電解質膜との界面における酸素不足を抑制することができる成膜装置、成膜方法、および、燃料電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 成膜装置（１００）は、水素透過性を有する水素分離膜（２１）の一面にプロトン伝導性を有する電解質膜（２４）を気相成膜法により成膜する成膜手段（２０）と、水素分離膜の他面がさらされる雰囲気の酸素分圧が水素分離膜の一面がさらされる雰囲気の酸素分圧よりも大きくなるような酸素分圧差を生じさせる分圧差発生手段（２２，３０）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
真空内で基板上にコーティングを形成するためのアセンブリを提供する。
【解決手段】
本発明は、真空内で基板にコーティングを形成するアセンブリに関する。当該アセンブリによると、カソードとして接続されている１つのターゲット上で少なくとも、電気アーク放電を発生させることによってプラズマが生成される。アーク放電は、アノードとターゲットとの間において、窓を通してターゲット表面に方向づけられている偏向可能な集束レーザビームによって発生させられる。本発明は、真空チャンバの窓領域に形成される望ましくないコーティングを大幅に低減するための技術的解決法を提供することを目的とする。本発明によると、このような構成とすることによって、永久磁石または電磁石が、窓と、少なくとも１つのターゲットとの間において、レーザビームの光軸に対して隣接して、上方、または、下方に配設され、レーザビームは、永久磁石または電磁石によって発生させられる磁界によって誘導される。 （もっと読む）

【課題】蒸着材の加熱時に熱歪みの逃げ場がなく発生する蒸着材中の熱応力により蒸着材にクラックが生じ、このクラックを起点に蒸着材の一部が破損して破損微粒子が飛び散り、スプラッシュが発生する。該スプラッシュの発生しない蒸着材を提供する。
【解決手段】多孔質焼結体からなる円板状のＺｎＯ蒸着材１０で、この蒸着材１０には、中央に断面円形の貫通孔が形成される。この貫通孔１１の直径は蒸着材１０の外径の１０〜５０％である。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で容易且つ確実に触媒材料を均一で高密度の微粒子状態に形成し、直径が均一に制御されたムラのない高密度の炭素元素からなる線状構造体の成長を可能とする。
【解決手段】下地材料をＴｉＮとし、シリコン基板１１上に、例えばレーザーアブレーション法によりＴｉＮ微粒子１２を、直径３ｎｍ程度に設定して堆積した後、ＴｉＮ微粒子１２が堆積されたシリコン基板１１上に、例えばレーザーアブレーション法によりＣｏ微粒子１３を、ＴｉＮ微粒子１２と同等或いは小さい大きさ、ここでは直径１ｎｍ程度に設定して堆積する。 （もっと読む）

【課題】 ＯＬＥＤ装置（または他の種類の装置）の密封に利用可能な新しい、改良されたシーリング材およびシーリング技術を提供する。
【解決手段】 装置２００への酸素および水分の透過を抑制する方法であって、少なくとも装置２００の一部分を覆うようにＳｎ^２＋含有無機材料２０２で蒸着し、装置２００の少なくとも一部分を覆うように蒸着したＳｎ^２＋含有無機材料２０２を加熱処理する各工程を有してなる。Ｓｎ^２＋含有無機材料２０２は、例えば、ＳｎＯ、ＳｎＯとＰ_２Ｏ_５の混合粉末、およびＳｎＯとＢＰＯ_４の混合粉末などでありうる。 （もっと読む）

【課題】従来の透明導電膜に比し、その抵抗率が、実用上、十分に低い透明導電膜を得ることのできる透明導電膜用材料を提供する。
【解決手段】Ｚｎ、ＳｎおよびＯを主成分として含有する複合金属酸化物であって、さらにドーピング元素として、Ｓｃ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｌａ、ＡｇおよびＡｕからなる群より選ばれる１種以上の元素を含有する複合金属酸化物からなる透明導電膜用材料。前記の透明導電膜用材料からなる焼結体。前記焼結体をターゲットとして用いて成膜する透明導電膜の製造方法。前記の透明導電膜用材料からなる透明導電膜。 （もっと読む）