中央磁極と電気的アノードとの両方として作用するアノードを備える、クローズドドリフトイオン源を提供する。前記アノードは、前記源の電気インピーダンスをさらに増大させるために、クローズドドリフト領域を生成する絶縁材料キャップを備える。前記イオン源は、宇宙スラスタへの応用のための円形の従来のイオン源、または広範囲の基板を均一に処理するための長い線状のイオン源として構成されることができる。特に有用な実施では、本発明を、マグネトロンスパッタプロセスのためのアノードとして使用する。
（もっと読む）

【課題】基板に対する膜厚分布補正を容易に実現し、膜厚均一性及び液晶配向性に優れた配向膜を得ることのできる成膜装置、成膜方法、液晶装置、並びにプロジェクタを提供する。
【解決手段】基板１５とターゲット１１との間に、基板１５に対する粒子の入射領域を規制する遮蔽板１２０と、基板１５に対する粒子の入射量を規制するコリメータ１１０とを有し、コリメータ１１０はターゲット１１の中心と基板１５の中心とを結ぶ線分ＰｔＰｓに沿って延在し、被成膜面１５ａに対して略垂直であるとともに線分ＰｔＰｓに対して交差した姿勢で配置される規制板１１１を基板１５の搬送方向に複数並設させてなり、規制板１１１はターゲット１１から見て基板１５の被成膜面１５ａと重なるように設けられ、基板１５のターゲット１１に遠い側よりも近い側に入射する粒子の密度を低減させる。 （もっと読む）

荷電粒子ビームを生成する装置であって、ドア（１０６）を有するイオン源プラズマチャンバ（１０４）と、前記イオン源プラズマチャンバから離れた、前記ドアの表面に取り付けられた加速器（１０２）とを備えている装置。
（もっと読む）

【課題】
ターゲットに照射されるイオンビームを収束させる機能を有し、又製作コストの増大を抑制した薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】
イオン源２２からのイオンビーム１７をターゲット６に向けて照射し、イオンビームによりスパッタされた粒子により基板５表面に薄膜を形成する薄膜形成装置に於いて、前記イオン源はプラズマからイオンを引出し加速照射する平板状の加速電極板２６、平板状の減速電極板２７からなる電極を具備し、前記加速電極板、前記減速電極板にはイオンが透過する加速通過孔、減速通過孔がそれぞれ対向して多数穿設され、前記加速通過孔と前記減速通過孔とは通過するイオンビームが収束する様に偏心している。
（もっと読む）

【課題】材料源からの粒子を対象物に付着させることによって対象物に成膜する成膜装置において、対象物の被成膜面以外に形成された膜の剥離を十分に抑制する。
【解決手段】チャンバー１内に設置されるとともに、粒子の飛来方向に対して垂直状態より小さな角度方向に設置される複数のフィン５２が配列されてなる防着板５を備える。 （もっと読む）

【課題】臨界電流密度Ｉcが高く、ケーブル、マグネット等の超電導機器や、ＮＭＲ、核融合、加速器、リニア等の高磁界発生装置として広汎に用いることが可能な超電導線材を提供する。また、そのような超電導線材を安価かつ容易に製造することが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】超電導線材は、Ｎｉ基合金テープからなる基材１上に、Ｇｄ_２Ｚｒ_２Ｏ_７からなる中間層２、ＣｅＯ_２からなるキャップ層３、ＹＢＣＯからなる超電導層４、Ａｇからなる保護層５を積層することによって形成されている。また、超電導層４のｃ軸配向度（Δω）が０°以上３°未満となるように調整されている。 （もっと読む）

【課題】母材の表面に形成した被膜の表面に微小凹凸の生じない光学素子成形用金型の製造方法を提供する。
【解決手段】光学素子成形用金型１の製造方法であって、ターゲット５のスパッタ面６の表面粗さＲａを５μｍ以下に加工する工程と、前記ターゲット５を用いて、スパッタ法により母材２の表面に被膜４を形成する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の成膜領域に非成膜部分が発生するのを回避することができる成膜基板の製造方法及び成膜基板の製造装置を提供すること。
【解決手段】基板１０のうち成膜粒子の照射方向に対する基板保持部材４の影Ｓがこの非成膜領域１０ｂに重なると共に成膜領域１０ａには重ならないように基板保持部材４を配置して当該基板保持部材４によって基板の非成膜領域１０ｂを保持した状態で成膜粒子を照射するので、成膜粒子の照射時に、基板１０の成膜領域１０ａが基板保持部材４の影になるのを防止することができ、成膜粒子が基板保持部材４によって遮られるのを回避することができる。これにより、基板の成膜領域１０ａに非成膜部分が発生するのを回避することができる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング装置のスペース効率とスループットを向上させる。
【解決手段】ウエハにスパッタリングを施すスパッタリング室４２に、ウエハ１を保持するウエハチャック５０と、ウエハ１を保持したウエハチャック５０を回転させる回転機構５１と、その回転機構５１をチルトさせるチルト機構５２と、ウエハ１に向けてイオンビーム７８を照射するミリング部６０と、ターゲット４７Ａ、４７Ｂを保持するターゲット保持機構４６と、ターゲットにイオンビームを照射するスパッタリング部８０とを設ける。スパッタリング室にスパッタリング部とミリング部とを連結することにより、同一のスパッタリング室内でウエハ上の自然酸化膜や汚染物質を除去後に、直ちにスパッタリングを施すことができるので、スパッタリング装置のスループットの向上を図りつつスペース効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 高倍率でも明瞭なＳＥＭ像を得るための、非導電性試料の導電性付与方法、及び非導電性試料の観察方法の提供。
【解決手段】 一次粒子の直径が３ｎｍ以下であり、好ましくは白金、金、タングステンから選ばれる少なくとも１種以上の材料からなる導電性粒子を５ｎｍ以下の厚さでコーティングする、非導電性試料の導電性付与方法。前記方法により処理された非導電性試料を走査型電子顕微鏡で観察する、非導電性試料の観察方法。 （もっと読む）

【課題】基板上に配向膜を形成する際に、異物の発生を抑制し、配向膜を良好に形成できる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置は、基板を収容可能であり、収容した基板上に配向膜を形成可能な第１室と、第１室に配置され、基板上に配向膜を形成するための材料を供給可能な材料供給部と、第１室に配置され、材料供給部と基板との間に所定部材が配置されるように所定部材を着脱可能に保持する保持装置と、第１室と別の位置に配置され、所定部材をクリーニング可能なクリーニングシステムと、第１室の保持装置とクリーニングシステムとの間で所定部材を搬送する搬送システムとを備えている。 （もっと読む）

【課題】１５００ｎｍ帯の波長帯域で入射角７０°〜７４°のＰ／Ｓ両偏光成分の反射率を１％以下とする。
【解決手段】高屈折率膜Ｈと低屈折率膜Ｌとを基板２００側の第１層を高屈折率膜Ｈとして交互に合計２９層積層する。高屈折率膜Ｈの屈折率ｎ_Ｈ及び低屈折率膜Ｌの屈折率ｎ_Ｌは２．０≦ｎ_Ｈ≦２．２，１．４≦ｎ_Ｌ≦１．５とし、リファレンス波長をλとした時、各層の光学的膜厚ｎｄ_ｉ（１≦ｉ≦２９）が所定の関係（３．５１９λ≦ｎｄ_１≦３．５５３λ，４．８７０λ≦ｎｄ_２≦５．０４９λ，３．４６０λ≦ｎｄ_３≦３．５９４λ，…，０．４４１λ≦ｎｄ₂₉≦０．４８３λ）を満たすものとする。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、アノードの清掃を容易に行うことができるプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】容器１０１と、容器１０１の内部にプラズマを発生させるプラズマガン１と、容器１０１の内部においてプラズマを受けるアノード５０と、プラズマガン１で発生したプラズマをアノード５０の側へ流動させるプラズマ流動機構２１と、容器１０１の一部を成すように形成された成膜室４と、容器１０１にプラズマが通過するように設けられたプラズマ通過口５４と、プラズマ通過口５４を開閉するための開閉部材４８と、開閉部材４８がプラズマ通過口５４を容器１０１の外側から開閉することが可能なように開閉部材４８を支持する支持機構５１と、を備え、アノード５０が開閉部材４８のプラズマ通過口５４に面する面に設けられている、プラズマ成膜装置。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布が均一な膜を成膜可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】基板２０とターゲットとの間の位置には膜厚制御用遮蔽部１６が配置されており、膜厚制御用遮蔽部１６に設けられた膜厚制御用透過部１７はターゲット側の幅が狭く、ターゲットとは反対側の幅が広くなっている。ターゲットから遠い程、スパッタ粒子の密度は小さくなるので、基板２０のターゲットから遠い部分は密度の低いスパッタ粒子に長時間晒され、基板２０のターゲットから近い部分は密度の高いスパッタ粒子に短時間晒されることになり、結局、成膜面上には膜厚分布が均一な膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】結晶化温度よりも低い熱処理温度においても緻密な複合酸化物の結晶微粒子膜が得られる製造方法を提供する。
【解決手段】本複合酸化物の結晶微粒子膜の製造方法は、基板１上に少なくとも１種類のアルカリ土類金属元素とチタンとを含む複合酸化物の結晶微粒子膜２を形成する工程と、結晶微粒子膜２上に貴金属膜３を形成する工程と、貴金属膜３が形成された結晶微粒子膜２を４００℃以上６００℃未満で熱処理する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】軟Ｘ線用の多層膜反射鏡の膜応力を低減する。
【解決手段】Ｍｏ薄膜１２とＳｉ薄膜１３の交互多層膜からなる多層膜反射鏡において、Ｍｏ薄膜１２に重元素を添加することによって非晶質状態で成膜し、その非晶質薄膜にイオンビームを照射することで、Ｍｏ薄膜１２の引張応力を強化する。その上にＳｉ薄膜１３を積層した膜構成により、Ｓｉ薄膜１３の膜応力（圧縮応力）をＭｏ薄膜１２の膜応力（引張応力）によって相殺し、交互多層膜全体の膜応力を低減する。 （もっと読む）

【課題】成膜装置の小型化が容易で、膜質の良い薄膜を成膜可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明に用いられる成膜装置１では、基板２０の成膜面２２が、ターゲット１１のスパッタ面１２に対して斜めにされており、スパッタ粒子は成膜面２２に斜めに入射する。成膜面２２に入射するスパッタ粒子の入射角度は、遮蔽部材２５又はＴＳ距離の長さによって制限され、最大入射角度θ５が１５°以下、最大入射角度θ５と最小入射角度の差である見込み入射角度Δθが１０°以下になっている。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成でターゲットに対する基板の姿勢を調整することが可能な成膜装置用の基板搬送系を提供する。
【解決手段】基板搬送系５０は、ターゲット１１から放出された粒子の飛行領域を横切るように、ターゲット１１に対して相対的に基板１５を移動させるものであり、基板１５が搭載されるトレイ５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃと、トレイ５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃにおけるターゲット１１に近い第１位置ＰＴ１とターゲット１１から遠い第２位置ＰＴ２とを支持し、かつ第１位置ＰＴ１と第２位置ＰＴ２とを通る軸線を横切る方向（移動中心軸５１方向）にトレイ５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃを搬送する搬送機構５４と、トレイ５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃの第１位置ＰＴ１及び／又は第２位置ＰＴ２に配設され、搬送機構５４に対するトレイ５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃの高さを規定する高さ規定部材５５Ａ，５５Ｂ，５５Ｃとを有する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットと基板との間に配置される部材への成膜材料の堆積を起因とする膜品質の低下を防止するとともに、装置稼働率の向上を図ることが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置は、ターゲット１１から放出された粒子の飛行領域を横切るように、ターゲット１１に対して相対的に基板１５を移動させる基板搬送系５０と、粒子の飛行領域に配置され、基板１５に対する粒子の入射方向及び／又は入射領域を規制する整流治具１００と、粒子の飛行領域に対して整流治具１００を搬出入する治具搬送系６０とを備える。 （もっと読む）

本発明は、イオン源１０１、ターゲット１０２、傾斜角可変基板テーブル１０３および補助ポートを有するブロードビームイオン装置に関する。ターゲットは、複数のターゲットを運ぶ回転体の形であり、イオン源１０１は、ほぼ長方形状の断面をもつビーム１０５を生成するように構成される。
（もっと読む）