【課題】低い温度でシリコン薄膜を形成しつつ、不純物の濃度を低く抑えることのできるシリコン薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン薄膜の製造方法は、基板１をチャンバ１０内に配置するステップと、イオンビーム蒸着を２５０℃以下の温度条件で行うことによって前記基板１上にシリコン薄膜を形成するステップと、を含むことを特徴とする。前記イオンビーム蒸着が行われるチャンバ１０の基本気圧を１０^−１２Ｔｏｒｒ以上１０^−７Ｔｏｒｒ以下に調節するのがよい。 （もっと読む）

【課題】 簡単な装置によって試料の表面の角度を自由に変化させることができる試料台を提供する。
【解決手段】 試料台は、試料を保持するテーブルと、該テーブルを回転自在に支持する支持装置と、上記テーブルに係合しているカムと、該カムを回転させる回転駆動装置と、を有し、上記カムが回転すると、上記テーブルは中心軸線周りに回転すると同時に水平面に対して傾斜するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、凹凸のある試料に均一なコーティングができ、真空を汚したり、グリース切れによる動作不良がなく、しかも、スパッタリングに費やす時間が長くかからないイオンスパッタ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、試料を載置する回転自在なる試料台が備わるイオンスパッタ装置において、前記試料台の回転移動に伴い試料台を傾斜させる傾斜支持台を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 膜が非常に薄いときに発生する膜界面での電子散乱などによる高抵抗化効果を抑制することで、低い抵抗値の紫外線から可視光の範囲で透明なことを特徴とする薄い電極膜の作製を可能とする。
【解決手段】 ３０ｎｍ以下の層状構造をもつ金属層とその金属のバルク値の平均自由行程に近い厚みの層状構造の導電性透明酸化物半導体を積層する構造によって、電導電子の散乱と連続的な層状部分の厚みの減少による膜の抵抗値の上昇効果を抑制することで低抵抗化を図るとともに、金属膜の光の反射を抑え紫外線から可視光の範囲で高い透明度の電極膜を提供する。 （もっと読む）

基板上の積層複合材料であって、前記積層複合材料の少なくとも１つの単一層が立方晶窒化ホウ素を含有し、かつ堆積を通じて製造されている。課題は、改善された接着強さを有するそのような積層複合材料を提案することである。前記課題は、立方晶窒化ホウ素が堆積の間に添加される酸素を含有することにより解決される。
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本発明は、基板の真空コーティング用の設備に関し、当該設備は、真空室と、少なくとも１つの基板を保持する装置と、基板をコーティング領域に搬送する搬送装置とを備えており、真空室の少なくとも１つの第１のコーティング領域に、少なくとも１つのプラズマインパルス化学蒸着用の装置が設けてあり、真空室の少なくとも１つの第２のコーティング領域に、少なくとも１つのスパッタコーティング用の装置が設けてある。
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【課題】小さな又は微細な構造を備えたフォトマスクの製造に適した極紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィー用マスクブランクの作製方法及びそのマスクブランクを提供する。
【解決手段】表面と裏面を有する基板１１を設ける工程と、フォトリソグラフィープロセスに使用されるＥＵＶ光を吸収するために、基板の表面にイオンビームスパッタリングにより窒化タンタル（ＴａＮ）からなる膜１５を沈積する工程と、基板の裏面にイオンビームスパッタリングにより導電膜１６を沈積する工程とを有する。 （もっと読む）

本発明のコーティング装置は、プロセス・チャンバを含み、カソード・スパッタリングにより基板を被覆する。プロセス・チャンバは、ガス雰囲気を調整・維持するプロセス・ガス注入口及び排出口と、アノードと、スパッタリングされるべきターゲットを有するカソードと、アノードとカソードの間に電圧を発生させる電力源とを有し、電力源は、カソードのターゲット材料をスパッタリングして蒸気に変える電気的スパッタリング源を含む。イオン化電圧を発生させるイオン化手段が、スパッタリングされたターゲット材料の少なくとも一部をイオン化するように設けられる。磁気案内要素を有するフィルタ装置が設けられ、スパッタリングされイオン化されたターゲット材料が磁気案内要素を通って、基板表面に供給され、スパッタリングされたイオン化されていないターゲット材料が、基板の表面に到達する前にフィルタ装置によって取り除かれる。
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【課題】基材との密着性に優れ、精密金型としての寸法精度、離型性に優れた含フッ素薄膜撥が得られる。
【解決手段】 基材表面に形成され、該含フッ素薄膜は基材表面に蒸着法によって堆積できる含フッ素有機物質と、イオンビームスパッタ法によって堆積できる物質とが同時に堆積されてなり、上記含フッ素有機物質がパーフルオロ系高分子であり、該高分子は、少なくとも１個の二重結合もしくは三重結合炭素、−ＣＯＯＨ基、または、−Ｓｉ（ＯＲ）₃基（Ｒはアルキル基を表す）を分子内に含み、上記含フッ素有機物質が非晶質パーフルオロ樹脂である。 （もっと読む）

基板に少なくとも一つの薄膜を堆積する真空蒸着方法であって、スパッターされる物質に対して化学的に不活性又は活性な少なくとも一つの気体スパッタリング物質種が選択されること、主として前記スパッタリング物質種を含むイオンの集束ビームが、工業規模の設備内部に配置された少なくとも一つの直線イオン源を用いて生成されること、前記ビームがスパッターされる物質をベースとする少なくとも一つのターゲットに向けられること、前記基板の少なくとも一つの表面部分が、ターゲットのイオン打撃によってスパッターされる前記物質、又は前記スパッターされる物質と少なくとも一つのスパッタリング物質種との反応から生ずる物質が前記表面部分に堆積されるような仕方で前記ターゲットに向き合うように配置されることを特徴とする方法。
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本発明は、回転炉または舟形炉（boat furnace）中で還元剤として水素を使用することにより、モリブデン酸アンモニウムまたは三酸化モリブデンを還元することによる高純度なＭｏＯ_２粉末に関する。加圧／焼結、ホットプレスおよび／またはＨＩＰによる粉末の圧密は、スパッタリングターゲットとして使用されるディスク、スラブまたは板を製造するために使用される。ＭｏＯ_２のディスク、スラブまたは板の形状物は、適当なスパッタリング方法または他の物理的手段を用いて支持体上にスパッタリングされ、望ましい膜厚を有する薄膜を提供する。薄膜は、透明度、導電率、仕事関数、均一性および表面粗さに関連してインジウム−酸化錫（ＩＴＯ）および亜鉛がドープされたＩＴＯの性質と比較可能かまたは前記性質よりも優れている性質、例えば電気的性質、光学的性質、表面粗さおよび均一性を有する。ＭｏＯ_２およびＭｏＯ_２を含有する薄膜は、有機発光ダイオード（OLED）、液晶ディスプレイ（LCD）、プラズマディスプレイパネル（PDP）、電界放出ディスプレイ（FED）、薄膜ソーラーセル、低抵抗オーミック接触ならびに他の電子デバイスおよび半導体デバイスに使用されてよい。 （もっと読む）

【課題】 照射波長３００ｎｍ以下でのリトグラフィーにおいて用いる埋め込み型の減衰移相マスクブランク、及び同マスクブランクのイオンビーム蒸着による作製方法を提供する。
【解決手段】 マスクブランクを基板及び薄膜系から構成し、該薄膜系をＭｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の酸化物、窒化物、硼化物及び炭化物、及びこれら金属及び化合物の混合物から選択される１または２以上の金属または金属化合物を含む透過制御下位層と、Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの硼化物、炭化物、酸化物及び／または窒化物あるいはこれらの混合物を含む移相制御下位層から構成する。 （もっと読む）

露光ビームでマスクを照明し、投影光学系を介して前記マスクのパターンを基板上に転写するための露光装置であって、前記基板の表面と前記投影光学系との間に所定の液体を介在させた前記露光装置に使用される光学素子において、 前記投影光学系の前記基板側の透過光学素子の表面に第１の溶解防止部材を備えている光学素子。 （もっと読む）

本発明は、電子ビームによる発生プラズマを用いて基板上に薄膜及び被覆を堆積する手段に関する。プラズマは、スパッタ応用におけるイオン源として用いることができ、イオンは、膜又は被覆を形成するため基板上に縮合できる材料をターゲットから放出させるのに用いられる。代わりに、プラズマは、スパッタ又は蒸着技術に基づくものを含む既存の蒸着源と組合わされ得る。いずれの構成においても、プラズマは、反応性蒸着プロセスにおいて成長する膜表面におけるイオン及びラジカル種の源として機能する。電子ビーム大面積堆積システム（ＥＢＥＬＡＤＳ）は、数ｍ^２まで及び数ｍ^２を含む薄膜又は被覆を生成する新しい方法である。 （もっと読む）