【課題】放射率を増加させた放射体とその製造方法を提供する。
【解決手段】全体構造のサーマル放射率を増加させるのに役立つ薄膜コーティングを有する放射体１０は、基板１２、アモルファスカーボン層１６、及び前記基板１２と前記アモルファスカーボン層１６の間に挿入された金属化カーバイド形成層１４を備えている。さらに、放射体を製造する方法は、基板上に金属化カーバイド形成層を形成する工程、及び前記金属化カーバイド形成層上にアモルファスカーボン層を形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】処理面近傍に形成する磁場の強度を変更しても処理面近傍に均一な磁場を形成することが可能であり基板上に成膜する磁性薄膜の磁気異方性を良好に揃える。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内で基板を支持する基板支持部と、基板支持部に支持された基板の処理面に磁性薄膜を成膜する成膜機構と、基板支持部に支持された基板の処理面に対して該処理面を側方から挟むように互いに対向して配置される一対の磁気部と、処理室内のガス雰囲気を排気するガス排気部と、を備えている。磁気部は、複数の磁気体がそれぞれ配列してなり、基板の中心部を挟む磁気体の配列間隔が、基板の外縁部を挟む磁気体の配列間隔よりも大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶配向性に優れ、超電導特性に優れた酸化物超電導層を形成するための基となるＩＢＡＤ−ＭｇＯなどの中間層の下地として望ましい層を備え、ＩＢＡＤ−ＭｇＯなどの中間層の結晶配向度を更に高めることができる構造を備えた酸化物超電導導体用基材の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基材２１上に、ＸＯ_２−Ｙ_２Ｏ_３混合酸化物（但し、Ｘは、ＴｉまたはＨｆを示す。）のベッド層２２とイオンビームアシスト法により成膜された中間層２３とが備えられ、酸化物超電導層が積層されて酸化物超電導導体の基材として利用されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フットプリント（占有床面積）を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板を保持する基板ホルダ１８が設置された処理室１２と、該処理室に隣接して配置されたターゲット室２３と、該ターゲット室に挿入された回転軸２９を回転させる回転装置２８と、前記ターゲット室に設置され、前記回転軸が回転軸線に連結された錐形状のターゲットホルダ３０であって、錐面において複数のターゲットを保持するターゲットホルダと、イオンを前記ターゲットホルダに保持された前記ターゲットに照射するイオン源４０と、を有している。 （もっと読む）

本発明は、物理蒸着技術によって金属基材上に貴金属の層を連続蒸着することによる電解用途用の金属電極の製造法に関する。 （もっと読む）

【課題】多層膜ミラーの面内応力分布を簡単な方法で制御する。
【解決手段】成膜室内にスパッタガスを導入し、基板を回転させながらターゲットに対して相対的に走査させて成膜する工程で、基板の走査位置に応じて、スパッタガスに添加する水又は水素ガスの混合比を変化させる。例えば、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の各層を成膜中に、回転する基板上の成膜速度が基板の走査位置によって変化することで膜の内部応力値が変わるため、水又は水素ガスの混合比を変化させると膜の内部応力が変化することを利用して応力分布を均一にする。 （もっと読む）

【課題】多層膜の周方向の膜厚分布誤差を低減する。
【解決手段】成膜基板８を自転させながら、モリブデンとシリコンのターゲット５、７を交互に用いてスパッタ成膜を行い、多層膜の各層を成膜する。成膜中に成膜基板８の周方向に発生する各層の膜厚むらが互いに重なるのを防ぐため、成膜中の成膜基板８の自転速度を一層ごとに段階的に変化させる。複数層の膜厚分布を各層ごとに分散させることで、多層膜全体の周方向の膜厚分布誤差を低減する。 （もっと読む）

【課題】被接合物への付着物を低減し、良好な接合状態を実現することが可能な接合技術を提供する。
【解決手段】両被接合物９１，９２の接合表面のそれぞれに向けてエネルギー波（例えばビーム照射部１１，１２による原子ビーム）を照射することにより、両被接合物９１，９２の接合表面のそれぞれを活性化する。その後、表面活性化処理が施された両被接合物９１，９２の少なくとも一方を移動する。移動後において対向状態を有する両被接合物９１，９２の対向空間の側方から当該対向空間に向けてエネルギー波（例えばビーム照射部３１によるイオンビーム）を照射することにより、両被接合物９１，９２の接合表面を活性化するとともに、両被接合物９１，９２を接近させて当該両被接合物を接合する。 （もっと読む）

【課題】被着体に対して、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合することができる接合膜を備えた接着シート、かかる接着シートと被着体とを、低温下で効率よく接合し得る接合方法、および、接着シートと被着体とが高い寸法精度で強固に接合してなる信頼性の高い接合体を提供すること。
【解決手段】本発明の接着シートは、機能性基板２と、接合膜３とを有しており、被着体４に接着して用いられるものである。この接着シートが備える接合膜３は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、表面３５付近に存在する脱離基が脱離し、これにより接合膜３の表面３５に、被着体４との接着性が発現し得るものである。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の脱気処理を十分に行って高真空にできると共に、高温に耐え得る載置台構造を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して金属を含む薄膜を形成するために被処理体を載置する載置台構造３２において、内部にチャック用電極３４と加熱ヒータ３６とが埋め込まれたセラミック製の載置台３８と、載置台の周辺部の下面に接続された金属製のフランジ部１００と、フランジ部とネジ１２６により接合されると共に内部に冷媒を流すための冷媒通路４０が形成された金属製の基台部４２と、フランジ部と基台部との間に介在された金属シール部材１３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】対象物の被成膜面以外に形成された膜の剥離を十分に抑制することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】所定雰囲気のチャンバー内において材料源から飛来する粒子を対象物に付着させることによって前記対象物に成膜する成膜装置であって、前記チャンバー内には、複数の防着層５１を積層させた防着部が当該チャンバーの壁部に着脱可能に設けられており、複数の前記防着層５１は、それぞれ前記粒子を付着させる付着部５２を有しており、前記付着部５２の分布密度は、複数の前記防着層５１の間で互いに異なっている。 （もっと読む）

【課題】対象物の被成膜面以外に形成された膜の剥離を十分に抑制することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】所定雰囲気のチャンバー内において材料源から飛来する粒子を対象物に対して付着させることによって前記対象物に成膜する成膜装置であって、前記チャンバー内には、複数列に配列されたフィン５２を有する防着板５が設けられており、前記フィン５２のそれぞれは、隣接する列のフィン５２に対して、配列方向にずれた位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】第１部材と第２部材とを締結部材を用いて締結する際にこれらの間に介在された部材（すなわち絶縁フランジ）が破壊されるのを防止する。
【解決手段】真空成膜装置１０の一部を構成する絶縁フランジ構造Ｆ１は、「第１部材」としての中間電極４８と「第２部材」としての第１筒状部２６とを絶縁性を確保しつつ接合するものであり、絶縁性を有し、中間電極４８と第１筒状部２６との間に配設された環状の絶縁フランジ５６と、絶縁フランジ５６よりも弾性が高く、かつ、靭性が高い材料によって形成され、中間電極４８および第１筒状部２６のそれぞれと絶縁フランジ５６との間に隙間Ｇを確保するようにしてこれらの間に配設された環状の弾性フランジ５８ａ，５８ｂと、中間電極４８と第１筒状部２６とを絶縁フランジ５６を介して締結するボルト６２とを備えている。 （もっと読む）

本発明は、保護層、封入層、配向層のような機能層を、低エネルギー粒子ビーム付着プロセスによって電子デバイスの表面に製作する方法、前記方法によって得ることができる機能層、および該機能層を備えている電子デバイスに関する。
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【課題】荷電粒子流輸送用の輸送室の熱損傷、および、この輸送室での荷電粒子流の電力効率低下を簡易かつ適切に抑制できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置１００は、アノードおよびカソード間の放電により、荷電粒子流を形成できる荷電粒子流形成手段４０と、荷電粒子流形成手段４０から放出された荷電粒子流２７を輸送する輸送室２０と、輸送室２０から放出された荷電粒子流２７を用いて真空処理が行われる接地状態の導電性の真空処理室３０と、を備える。そして、輸送室２０が、導電性の第１壁部材２０Ｃおよび第１壁部材２０Ｃの内部に配された絶縁性の第２壁部材２０Ｄを有しており、第２壁部材２０Ｄの内部が、荷電粒子流２７の輸送空間２１になっている。 （もっと読む）

【課題】透過率が９０％以上であり、さらに抵抗値の変動を抑える。
【解決手段】 基板８１の表面８３に透明導電膜８２が積層形成されている。基板８１の表面８３に形成された透明導電膜８２は、ＩＴＯＣ（Indium Tin Oxide Carbon）膜からなる。このＩＴＯＣ膜の基板８１への形成には、プラズマ発生装置を用いた成膜装置１であるＭＰＤ（Multi Plasma deposition）装置が用いられている。 （もっと読む）

【課題】絶縁性の高い、菱面体晶構造を有するペロブスカイト酸化物からなる圧電材料を提供する。
【解決手段】菱面体晶構造を有する、Ｂｉ（Ｍｇ_１／２Ｓｉ_１／２）Ｏ_３で表されるペロブスカイト酸化物からなる圧電材料。互いに異なる結晶相を持つ二つのペロブスカイト酸化物のＢｉ（Ｍｇ_１／２Ｓｉ_１／２）Ｏ_３とＡ（２）Ｍ（２）Ｏ_３とを固溶させて得られた、下記一般式（３）で表される酸化物からなる圧電材料。


（式中、Ａ（２）およびＭ（２）は、それぞれ１種類以上の元素が混晶されている元素を表す。Ｘは０＜Ｘ＜１を表す。） （もっと読む）

【課題】再現性よく安定して製造可能なグラデーション濃度分布を有する吸収型多層膜ＮＤフィルターとその製造装置、製造方法を提供する。
【解決手段】フィルム基板13、16に酸化物誘電体膜層と金属吸収膜層が交互に積層されて成る吸収型多層膜を具備し、この吸収型多層膜がグラデーション濃度分布を有している吸収型多層膜ＮＤフィルターであって、酸化物誘電体膜層はマグネトロンスパッタリングにより成膜され、金属吸収膜層はイオンビームスパッタリングにより成膜されると共に、各金属吸収膜層の成膜中に酸素を含む酸化用イオンビームが部分照射されて照射部位における金属吸収膜層の透過率が非照射部位の透過率より高くなっており、かつ、照射された酸化用イオンビームの周辺部から中心部に向かって金属吸収膜層の消衰係数が連続的に減少して上記照射部位がグラデーション濃度分布を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】無配向である基材上にベッド層を用いることなく、単結晶に近い良好な配向性を有する多結晶薄膜を直接形成することが可能な多結晶薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】被成膜面βが無配向である基材α上に設けられた六方晶系の面内配向を有する多結晶薄膜の製造方法であって、被成膜面β上に多結晶薄膜を成膜する際にイオンビームアシスト法を用い、成膜の温度を１００度から１２００度の範囲とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】構造及び組成を制御することが可能な、イオンビームスパッタ法によるリチウム複合酸化物薄膜の製造方法、及び、当該製造方法によりリチウム複合酸化物薄膜を製造する工程を有する、電極体の製造方法を提供する。
【解決手段】リチウム及び遷移金属を含有するリチウム複合酸化物を有するターゲット2にイオンビーム3を照射し、ターゲットから飛び出したスパッタ粒子を基板４に堆積させることにより、リチウム複合酸化物薄膜５を製造する方法において、イオンビームの正反射方向に基板４’を配置した場合の成膜速度を１とするとき、成膜速度が０．４以下となる位置に基板４が配置される、リチウム複合酸化物薄膜の製造方法とし、当該製造方法によってリチウム複合酸化物薄膜を製造する工程を有する、電極体の製造方法とする。 （もっと読む）