【課題】スパッタリングによるターゲットの消費効率を低下させずに、段差に成膜される薄膜の被覆性を改善する。
【解決手段】基板の端部７１Ｌの表面に段差のある基板２１に薄膜を成膜する場合、まず（Ａ）に示すように基板２１をターゲットに対して傾斜させながら薄膜９１を成膜する。次に、（Ｂ）に示すように基板２１をターゲットに対して傾斜させながら薄膜９１の上に薄膜９２を成膜する。薄膜９１と薄膜９２を順に成膜することで、（Ｃ）に示すように、段差の側面９７Ｌ，９７Ｒ及び底面９８に被覆性の良い薄膜が成膜される。また、ターゲットに対して基板２１の角度を連続的に変化させながら薄膜９６を成膜する。 （もっと読む）

【課題】シート状の有機ＥＬ構造体（基板）の面に真空下で成膜される薄膜の密度が高く、薄膜気孔率および内部応力が低く、成膜プロセス中に基板温度が低下することにより高品質な薄膜及び基板面への薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】作動チャンバ内に基板を固定配置するステップと、当該作動チャンバに窒素とアルゴンとの作動ガス混合物を給送するステップと、少なくとも１つのイオン源からイオンビームを生成するステップと、指向性のあるイオンビームによりシリコンターゲットをスパッタリングするステップと、基板面のスキャンにより被スパッタリング材料を基板に層状に堆積するステップと、基板に対してイオン源をターゲットとともに相互移動させるステップとを含む方法であって、薄膜を２ｎｍから１０ｎｍの範囲内の厚さに生成し、作動ガス混合物中にヘリウムを導入する方法。 （もっと読む）

【課題】
光吸収のなく密着性の良好なフッ素化合物薄膜を基材上に真空蒸着法により高速で、且つ安定した成膜速度で形成するフッ素化合物薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
フィルム基材上にフッ素化合物薄膜を形成するフッ素化合物薄膜の製造方法において、
該フッ素化合物薄膜が、ＭｇＦ₂を含む材料などのフッ素化合物を含む材料を蒸着材料として用い、プラズマ加熱蒸着方法により形成することを特徴とするフッ素化合物薄膜の製造方法を提供する。例えば、ＹＡＧレーザーランプによりターゲット材料を照射して加熱をアシストする。特に、ターゲット材料６の温度を所定の範囲に保ち、成膜速度を一定にするのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】緻密で平滑かつ損傷がない高品質な薄膜を高速に形成できるイオンビームスパッタ成膜装置等を提供する。
【解決手段】成膜装置は、イオンビーム照射手段と、スパッタリングされる成膜物質を含むターゲット１０５と、スパッタリングされた成膜物質が析出する基板１０６を保持する保持手段１１２を有する。イオンビーム照射手段は、ターゲット１０５及び基板１０６のそれぞれにガスクラスターイオンを照射する。また、成膜装置は、ターゲット１０５を保持する保持手段と、基板１０６を保持する保持手段とを有している。成膜装置は、また、ターゲット１０５をスパッタリングするためにイオンビームを照射するイオンビーム発生手段と、イオンビームをターゲット１０５に照射するための偏向手段とを有している。イオンビーム発生手段はガスクラスターイオン源１０１を有しており、これによりクラスターが照射されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】生産性を高めることが可能な二層記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板１１上に非磁性基板１１と平行な面内に磁化容易軸を有する軟磁性層１２を堆積する軟磁性層堆積段階と、軟磁性層１２上に非磁性基板１１に垂直な磁化容易軸を有する記録磁性層１３を堆積する記録磁性層堆積段階とを含む二層記録媒体の製造方法であって、軟磁性層堆積段階が、軟磁性層１２の比透磁率がイオンアシストのない状態の１．２倍以上となるイオンアシストありのスパッタリングにより軟磁性層１２を堆積する。 （もっと読む）

【課題】外観の良好な多層膜光学素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス等の基板１の上にアルミニウム薄膜２を成膜し、さらにその上にSiＯ_２薄膜３を成膜する（ａ）。そして、ＧＣＩＢを使用してラテラルスパッタを行う（ｂ）。これにより、SiＯ_２薄膜３の表面粗さは、１nm以下となる。その上に、多層薄膜４を成膜する（ｃ）。多層薄膜４としては、例えばNb_２Ｏ_５薄膜とSiＯ_２薄膜を交互に積層したものがある。最終的には、SiＯ_２薄膜３も多層膜の一部となる。最後に、アルミニウムエッチング液によりアルミニウム薄膜２を溶解し、多層膜（SiＯ_２薄膜３と多層薄膜４）を基板１から分離する（ｄ）。SiＯ_２薄膜３の表面粗さが、評価長さ１mmのＲＭＳで１nm以下とされているので、分離された多層膜からなる多層膜光学素子は、良好な外観を有する。 （もっと読む）

【課題】スペース効率が良好でコンパクトな基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハにスパッタリングを施すスパッタリング室１２と、スパッタリング室１２内に収納されウエハ１を保持するウエハチャック２０と、ウエハ１を保持したウエハチャック２０を回転させる回転機構２１と、ウエハ１に向けてイオンビーム３６を照射するミリング用イオン源３０とを備えており、ミリング用イオン源３０のミリング用電極３２を短辺側がウエハの外径より小さく長辺側が同外径より大きい矩形形状に形成し、このミリング用電極３２の開口部３３の開口率をウエハの中心側より周辺側が大きくなるように設定する。ミリング加工時にウエハを回転させつつイオンビームをウエハに照射すると、ミリング加工量をウエハ全面で均一化できる。ミリング用イオン源のサイズを小さくできるので、スペース効率を向上させてスパッタリング装置を小型化できる。 （もっと読む）

【課題】従来のウェハ保持装置においては、接地ピンの交換に手間がかかった。
【解決手段】本発明によるボルト３００は、雄ねじ部３１２ａを有する脚部３１２と、頭部３１１とを備えた本体３１０と、基部３３２と端部３３１とを備えた飛出しピン３３０とを具備している。前記頭部には、前記脚部に設けられた中空部３１０ｃと連通し、前記頭部の頭部上面３１１ａに開口した穴３１０ａ、３１０ｂが設けられている。前記基部は、前記中空部を前記本体の軸Ｓの方向に移動可能である。前記端部は、前記穴を前記軸方向に移動可能である。前記飛出しピンは、前記端部が前記頭部上面から突き出すように前記頭部側に付勢されている。前記端部と前記雄ねじ部とが電気的に導通している。接地ピンとしての飛出しピン３３０が六角穴付きボルト３００に組み込まれているため、六角穴付きボルト３００を交換することで接地ピンを容易に交換することができる。 （もっと読む）

【課題】ビームをワーク・ピースに向けずに、荷電粒子ビーム・システムにおいてコーティングをワーク・ピースに加えること。
【解決手段】コーティングは、荷電粒子ビーム真空室内において、または荷電粒子ビーム真空室外において、スパッタリングによって加えられる。一実施形態では、スパッタリングは、気体流入システムから針などのスパッタ材料源に荷電粒子ビームを向けることによって実施される。材料は、ビームをワーク・ピースに向けることを必要とせずに、たとえば、保護コーティングまたは導電コーティングを形成するために、スパッタ材料源からワーク・ピースの上にスパッタリングされ、それによりワーク・ピースに対する損傷を低減または排除する。 （もっと読む）

【課題】異常放電の発生を防止し、イオンガンの長時間にわたる安定動作を可能とする。
【解決手段】イオンガンよりイオンビームをターゲットに照射して絶縁性の薄膜を基板上に成膜するイオンビームスパッタ装置において、イオンビームの一部が照射される位置に導電材ターゲット３１を配置し、その導電材ターゲット３１よりスパッタアウトされた粒子によってイオンガン１３のグリッド２２に導電膜が堆積される構成とする。グリッド２２に絶縁膜が厚く付着するといったことを防止でき、よって絶縁膜のチャージアップを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】基板の電解研磨時間を短縮することで生産性を向上させることができ、さらには、単位面積当たりのクラックの発生を低減させ、且つ水平度に優れている超伝導ケーブル用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による超伝導ケーブル用基板の製造方法は、ハステロイ（登録商標）（Ｈａｓｔｅｌｌｏｙ）Ｃ−２７６またはステンレス鋼を、表面粗さがＲＭＳ（Ｒｏｏｔ Ｍｅａｎ Ｓｑｕａｒｅ）値にて１０ｎｍ以下の圧延ロールで圧延し基板を形成するステップと、圧延された基板を電解研磨液に浸漬して電解研磨するステップと、電解研磨された基板上に超伝導層を蒸着するステップとを含むことを技術的特徴とする。 （もっと読む）

【課題】非磁性部分またはギャップ部分によって互いに分離された一連の同心の磁気トラック部分を有する、データ記録で使用される磁気媒体を提供する。
【解決手段】磁気ディスク２０２は、隣接トラック干渉および隣接トラック書込みを回避する、新規な磁性表面２０４を有する。ディスク２０２は、より薄い非磁性ギャップ４０４によって分離された磁気トラック部分４０２を有する。トラック部分４０２は、したがって、トラック幅（ＴＷ）を規定する幅を有する。磁性部分の幅は、ディスクドライブシステムのトラック幅を規定してもよい。磁性部分４０４は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅなどの材料を包含する。非磁性部分は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、Ｓｉ_３Ｎ_４、Ｓｉ（ＯＮ）_Ｘなどの材料を包含するか、または単に、部分４０４の磁性材料がトラック部分４０２に対して窪んでいるエアギャップであってもよい。 （もっと読む）

【課題】Ｍｏを含むＮｉ基合金からなり、表面の平滑度が極めて小さく、その上に多結晶配向中間薄膜上に酸化物超電導薄膜を成膜した場合に、良好な超電導特性を持つ酸化物超電導導体を製造可能な酸化物超電導導体用金属基材の製造方法及び該金属基材を用いた酸化物超電導導体の製造方法の提供。
【解決手段】Ｍｏを含むＮｉ基合金からなる母材に、１１００℃以上の温度で少なくとも１回の焼鈍しと、少なくとも１回の圧延とを行い、最終圧延の後に電解研磨を行う酸化物超電導導体用金属基材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】イオンビームスパッタ法により光学薄膜を形成するに際し、反射率低下を招く拡散層の形成を抑制し、光吸収の低減化を図ることが可能となる光学薄膜の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】イオンビーム１１６をターゲット１１５に照射し、スパッタリングによって被処理物１１９に多層膜による光学薄膜を成膜する光学薄膜の製造方法を、つぎのように構成する。
前記スパッタリングによって被処理物に光学薄膜を成膜するに際し、前記ターゲットにバイアス印加手段１０５によって正のバイアスを印加して、前記被処理物に光学薄膜を成膜する工程を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】 新しいナノ構造物を創生すること。
【解決手段】 ナノメートルサイズの樹木状構造物の表面にナノメートルサイズの微粒子を付着させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は基材との付着力が強く、磨損と腐食に耐えることができる多層フィルム構造を提供する。
【解決手段】本発明のダイヤモンド状カーボンフィルムは、ｎ層構造を有する多層フィルムであって、前記ｎの値は６〜３０であって、各層の成分は、カーボン、水素及びＸ元素を含むダイヤモンド状カーボンであって、前記Ｘは、クロム、チタニウム、クロムとチタンの合金、又は窒化クロムの一つであって、且つ第一層から第ｎ層まで、各層のＸ成分の原子パーセンテージは次第に減少する。前記ダイヤモンド状カーボンフィルムの第ｍ層の成分は、ａ−Ｃ：Ｈ：（ｎ−ｍ＋１）Ｘであって、ｍの値は、１〜ｎである。前記ダイヤモンド状カーボンフィルムは保護フィルムとして、鋳型、カッター、磁気記録媒体などの領域に用いられる。 （もっと読む）

【課題】 ＥＵＶ光などの短波長域の露光光を使用するリソグラフィー法において用いられる反射型マスク用として好適な、表面平滑性が高く、欠陥の少ない多層反射膜付き基板を提供する。
【解決手段】 基板上に、Ｍｏ／Ｓｉの交互積層膜からなる多層下地膜、光吸収体膜からなる中間層および露光光を反射するＭｏ／Ｓｉの交互積層膜からなる多層反射膜を順次設けてなる多層反射膜付き基板であって、前記光吸収体膜からなる中間層の厚さｄint［単位：ｎｍ］が、式（１）
ｄint≧０．２６９／−ｋ …（１）
（ただし、ｋは光吸収体の光吸収係数であり、マイナスで定義される。）
の関係を満たす多層反射膜付き基板である。 （もっと読む）

【課題】 高精度な面形状を有する多層膜反射鏡を提供する。
【解決手段】 基板４表面にＭｏを含む層とＳｉを含む層を交互に周期的に成膜した構造を有する多層膜６ａ，６ｂを備え、面内で除去量に分布を生じさせて前記多層膜６ａ，６ｂの表面近傍の多層膜６ｂを除去した多層膜反射鏡２において、前記多層膜６ｂの除去による応力開放によって生じた変形を相殺するような面内分布を有するＳｉまたはＳｉを含む単層膜６ｃを前記表面近傍の多層膜６ｂが除去された前記多層膜６ｂの表面に備える。 （もっと読む）

【課題】 ＥＵＶ光などの短波長域の露光光を使用するリソグラフィー法において用いられる反射型マスク用として好適な、表面平滑性が高く、欠陥の少ない多層反射膜付き基板を提供する。
【解決手段】 基板上に、Ｍｏ／Ｓｉの交互積層膜からなる多層下地膜および露光光を反射するＭｏ／Ｓｉの交互積層膜からなる多層反射膜を順次設けてなる多層反射膜付き基板であって、前記多層下地膜が、成膜後１５０〜５００℃の温度で加熱処理されたものである多層反射膜付き基板である。 （もっと読む）

【課題】 ＥＵＶ光などの短波長域の露光光を使用するリソグラフィー法において用いられる反射型マスク用として好適な、反射率が高い上、表面平滑性が高く、欠陥の少ない多層反射膜付き基板を提供する。
【解決手段】 基板上に、Ｍｏ／Ｓｉの交互積層膜からなる多層下地膜、Ｓｉ膜からなる中間層および露光光を反射するＭｏ／Ｓｉの交互積層膜からなる多層反射膜を順次設けてなる多層反射膜付き基板であって、前記多層下地膜の周期長をｄbottom［単位：ｎｍ］、中間層の厚さをｄSi［単位：ｎｍ］、多層反射膜の周期長をｄtop［単位：ｎｍ］とした場合、式（１）および式（２）
ｎ×ｄtop−０．０５≦ｄbottom≦ｎ×ｄtop＋０．０５ …（１）
（ただし、ｎは１以上の自然数である。）
ｍ×ｄtop−１．２≦ｄSi≦ｍ×ｄtop＋１．２ …（２）
（ただし、ｍは０以上の整数である。）
の関係を満たす多層反射膜付き基板である。 （もっと読む）