成膜装置、成膜方法、液晶装置、並びにプロジェクタ
【課題】簡素な構成でターゲットに対する基板の姿勢を調整することが可能な成膜装置用の基板搬送系を提供する。
【解決手段】基板搬送系５０は、ターゲット１１から放出された粒子の飛行領域を横切るように、ターゲット１１に対して相対的に基板１５を移動させるものであり、基板１５が搭載されるトレイ５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃと、トレイ５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃにおけるターゲット１１に近い第１位置ＰＴ１とターゲット１１から遠い第２位置ＰＴ２とを支持し、かつ第１位置ＰＴ１と第２位置ＰＴ２とを通る軸線を横切る方向（移動中心軸５１方向）にトレイ５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃを搬送する搬送機構５４と、トレイ５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃの第１位置ＰＴ１及び／又は第２位置ＰＴ２に配設され、搬送機構５４に対するトレイ５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃの高さを規定する高さ規定部材５５Ａ，５５Ｂ，５５Ｃとを有する。
【解決手段】基板搬送系５０は、ターゲット１１から放出された粒子の飛行領域を横切るように、ターゲット１１に対して相対的に基板１５を移動させるものであり、基板１５が搭載されるトレイ５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃと、トレイ５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃにおけるターゲット１１に近い第１位置ＰＴ１とターゲット１１から遠い第２位置ＰＴ２とを支持し、かつ第１位置ＰＴ１と第２位置ＰＴ２とを通る軸線を横切る方向（移動中心軸５１方向）にトレイ５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃを搬送する搬送機構５４と、トレイ５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃの第１位置ＰＴ１及び／又は第２位置ＰＴ２に配設され、搬送機構５４に対するトレイ５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃの高さを規定する高さ規定部材５５Ａ，５５Ｂ，５５Ｃとを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置、成膜方法、液晶装置、並びにプロジェクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ターゲット材から放出された粒子を基板に付着・堆積させる成膜装置が広く用いられており、例えば、真空槽内に基板を配置した状態で成膜材料を放出させ、その放出粒子を基板の被成膜面に到達させると、その被成膜面上にその材料の膜が成長する。こうした成膜技術としては、例えば、蒸着法、スパッタ法等が知られている。
【０００３】
ターゲット材から放出された粒子を被成膜面に斜めに入射させることにより、その被成膜面上に一定の配向性を有する成膜材料の結晶が成長し、その結晶配向性に起因する機能（例えば液晶配向性）を有する膜が得られる（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開昭５７−１５７２１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような成膜装置において、ターゲット材から放出された粒子の飛行領域を横切るように、ターゲット材に対して相対的に基板を移動させることにより、ターゲット材からの粒子を被成膜面の全面に付着させることができる。
【０００５】
ターゲット材からの粒子を基板に斜めに入射させる場合、成膜条件等に応じて、ターゲット材に対する基板の相対的な姿勢の調整が必要である。しかしながら、成膜時に基板が移動する構成では、基板の姿勢を調整する機構が複雑になりやすい。
【０００６】
本発明は、簡素な構成でターゲットに対する基板の姿勢を調整することが可能な基板搬送系、及びそれを備えた成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の基板搬送系は、ターゲットから放出された粒子の飛行領域を横切るように、前記ターゲットに対して相対的に基板を移動させる基板搬送系であって、前記基板が搭載されるトレイと、前記トレイにおける前記ターゲットに近い第１位置と前記ターゲットから遠い第２位置とを支持し、かつ前記第１位置と前記第２位置とを通る軸線を横切る方向に前記トレイを搬送する搬送機構と、前記トレイの前記第１位置及び／又は前記第２位置に配設され、前記搬送機構に対する前記トレイの高さを規定する高さ規定部材と、を有する、ことを特徴とする。
【０００８】
本発明の基板搬送系では、基板用のトレイに配設される高さ規定部材の形状に応じて、ターゲットに対する基板の傾き及び／又はターゲットと基板との距離が変化する。
すなわち、トレイにおけるターゲットに近い第１位置及び／又はターゲットから遠い第２位置について、高さ規定部材によって搬送機構からの高さを変化させることにより、簡素な構成でありながら、ターゲットに対する基板の相対的な姿勢を調整することができる。
さらに、本発明の基板搬送系によれば、ターゲットに対する基板の姿勢を、基板ごとに調整することが可能である。
【０００９】
本発明の基板搬送系において、前記高さ規定部材は、板状部材である構成とすることができる。
あるいは、前記高さ規定部材は、前記トレイの一部である構成とすることができる。
これらにより、構成の簡素化が図られる。
【００１０】
本発明の成膜装置は、ターゲットから放出された粒子を基板の一面に斜めに入射させかつ付着させる成膜装置であって、本発明の基板搬送系を備える、ことを特徴とする。
【００１１】
本発明の成膜装置では、ターゲットから放出された粒子が基板の一面に斜めに入射することから、配向性を有する膜を形成することができる。また、この成膜装置では、本発明の基板搬送系を備えることにより、構成の簡素化が図られるとともに、ターゲットに対する基板の相対的な姿勢に基づく膜構造の制御が容易となる。
【００１２】
本発明の成膜装置において、前記基板の一面に前記粒子が入射するときの入射角度が１５°以下である構成とすることができる。
この構成によれば、水平配向型の液晶配向に適した膜を形成することができる。
【００１３】
また、本発明の成膜装置において、前記ターゲットは、主として無機材料を含む構成とすることができる。
この構成によれば、無機材料を主材料とする膜を形成することができる。
【００１４】
本発明の液晶装置は、本発明の成膜装置で成膜された配向膜を備えることを特徴とする。
本発明の液晶装置によれば、簡素な構成の成膜装置を用いて配向膜が形成されるから、低コスト化が図られる。
【００１５】
本発明の液晶装置において、前記配向膜は、無機材料を主成分とする無機配向膜である構成とすることができる。
一般に、無機材料は、有機材料に比べて、化学的安定性、耐光性に優れている。無機材料を主成分とする無機配向膜は、光劣化が少なく、長期にわたり安定した配向特性を有する。
【００１６】
本発明のプロジェクタは、本発明の液晶装置を備える、ことを特徴とする。
本発明のプロジェクタによれば、本発明の液晶装置を備えることから、低コスト化が図られる。
【００１７】
本発明の成膜方法は、ターゲットから放出された粒子を基板の一面に斜めに入射させかつ付着させる成膜方法であって、前記ターゲットから放出された粒子の飛行領域を横切るように、前記ターゲットに対して相対的に前記基板を移動させるとともに、前記基板の移動時における前記ターゲットに対する前記基板の相対的な姿勢を、前記基板ごとに調整する、ことを特徴とする。
【００１８】
本発明の成膜方法では、ターゲットに対する基板の相対的な姿勢を、基板ごとに調整することから、多品種生産に好ましく利用できる。
【００１９】
本発明の成膜方法において、前記相対的な姿勢は、前記ターゲットに対する前記基板の傾き、及び前記ターゲットと前記基板との距離（ＴＳ距離）、の少なくとも１つを含む構成とすることができる。
こうした姿勢の調整により、膜構造の制御が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図１は、本発明の成膜装置の基本構成を説明するための図であり、図２は、図１の成膜装置の要部構成を示す斜視図である。
【００２１】
図１に示すように、成膜装置ＩＢＳ１は、真空雰囲気内に配置されたターゲット１１に対して高エネルギーに加速したイオンビーム１２を照射し、そのビーム１２の衝突によってターゲット原子を放出させ、その放出粒子を基板１５上に付着・堆積させるイオンビームスパッタリング装置であり、成膜室としての真空槽２０、イオンガン３０、及び搬送系４０等を主体に構成されている。イオンビームスパッタ法を用いた成膜は、高真空中でのスパッタが可能である、イオンや電子による膜の損傷が少ない、高融点物質の薄膜化が可能である、などの利点を有する。
【００２２】
真空槽２０には、真空排気系２１が接続されている。真空排気系２１が稼動すると、真空槽２０の内部が真空排気され、真空槽２０の内部に真空雰囲気が形成される。また、真空槽２０内には、放出源としてのターゲット１１が配置されている。真空排気系２１によって真空槽２０内部が真空排気されると、ターゲット１１は真空雰囲気に置かれる。成膜圧力が高真空圧（例えば５×１０−１Ｐａ以下、より好ましくは５×１０−２以下）であると、イオンビーム１２の直進性が向上するとともに、真空槽２０内におけるスパッタ粒子の散乱（飛行方向性の乱れ）が抑制される。
【００２３】
ターゲット１１は、無機配向膜形成用の材料として、ＳｉＯ２ 、ＳｉＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ２ 、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２ 、Ｓｉ３Ｎ４、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の他、様々な無機材料（無機酸化物、無機窒化膜、金属酸化物、金属窒化膜）が好ましく適用される。１種あるいは２種以上の材料を組み合わせてターゲットに用いることもできる。ＳｉＯ２は、誘電率が特に低く、また、高い光安定性を有する。無機配向膜の上層膜や下層膜、あるいは無機配向膜以外の膜形成用として、上記とは別の材料をターゲット１１に用いることも可能である。
【００２４】
イオンガン３０は、独立したイオン源にスパッタ用のガスを導入し、そのガスをイオン化しかつ加速させて放出口３１からビーム状に引き出すものであり、ターゲット１１の斜め側方であって、ターゲット１１を挟んで基板１５とは反対側に配されている。イオンガン３０の放出口３１は、真空槽２０の内部でターゲット１１の表面であるスパッタ面１１ａに向けられていて、イオンガン３０からのイオンビーム１２は、ターゲット１１のスパッタ面１１ａに斜めに入射する。なお、イオンガン３０とは別に、成膜前または成膜時の基板１５に、アシスト用のイオン照射を行ったり、アシスト用のレーザ照射を行ったりするアシスト手段を備えてもよい。
【００２５】
ここで、スパッタ面１１ａとイオンビーム１２のビーム軸３２との交点（照射点）をＰｔとし、照射点Ｐｔを通るスパッタ面１１ａの法線１６とビーム軸３２とが成す角度（以後、ビーム角（beam angle）と称する。）をθ１とするとき、 θ１＜９０° であり、好ましくは、４５°≦θ１≦７０° であり、例えばθ１＝４５°である。
【００２６】
スパッタ用のガスとしては、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅの他に、ターゲット１１に対して不活性な様々な不活性ガスを適用することができる。例えば、窒素などの分子イオン、中性粒子、クラスターイオン等を用いてもよい。イオンビーム１２は所定のビーム幅を有しており、イオンビーム１２がスパッタ面１１ａに入射すると、そのビーム幅に応じた広さの領域がスパッタリングされ、スパッタ粒子が真空槽２０内部に放出される。
【００２７】
搬送系４０は、基板１５をターゲット１１に対して相対的に移動させる基板搬送系５０を含む。成膜時において、基板１５は、ターゲット１１から離れた位置でありかつターゲット１１の斜め側方であって、ターゲット１１からのスパッタ粒子の放出分布範囲内に配される。基板搬送系５０は、ターゲット１１から放出された粒子の飛行領域を横切るように、ターゲット１１に対して相対的に基板１５を移動させる。これにより、スパッタ粒子が、ターゲット１１から基板１５の移動軸を横切るように放出され、基板１５の被成膜面１５ａに衝突することによりその被成膜面１５ａ上に堆積する。
【００２８】
ここで、ある１点から放出されるスパッタ粒子は、そのエネルギー分布・角度分布を正確に予測することは難しいものの、少なくとも三次元的な広がりを持って飛行する。スパッタ粒子の放出角度分布は、一般に余弦則（law of cosines）に従うことが知られている。放出分布は、軸対称二次元断面が扇状やハート状（蝶ねじ状）とも言われ、イオンビームのパワーなどのスパッタリング条件に応じて変化することがある。また、スパッタ用ビームがターゲット表面に対して斜めに入射されると、スパッタ粒子の分布中心軸もターゲット表面に対して斜めに傾く。
【００２９】
基板１５の被成膜面１５ａにおける任意の位置である成膜点（本例では被成膜面１５ａの中心）をＰｓとするとき、基板１５は、スパッタ粒子の見込み分布中心軸が成膜点Ｐｓを通るように配置される。すなわち、スパッタ粒子の見込み分布中心軸はターゲット１１の表面であるスパッタ面１１ａに対して傾いているから、基板１５は、そのスパッタ面１１ａの法線１６に対して、イオンビーム１２のビーム軸３２とは逆方向に倒れた位置に配される。
【００３０】
照射点Ｐｔと成膜点Ｐｓとを結ぶ線分ＰｔＰｓと、スパッタ面１１ａの法線１６とが成す角度（以後、基板１５の倒れ角（slant angle）と称する。）をθ２とするとき、 θ２＜９０° であり、好ましくは、 ４５°≦θ２＜９０° である。
【００３１】
図２に示すように、基板搬送系５０は、上記倒れ角θ２に基づく移動中心軸５１に沿って、さらに線分ＰｔＰｓと基板１５の被成膜面１５ａとの間に所定の角度が形成された状態を維持しながら、基板１５を移動させる。すなわち、成膜時における基板１５の移動方向は、ビーム軸３２と線分ＰｔＰｓとを含む仮想平面を横切る方向であり、また、基板１５の被成膜面１５ａは、移動中心軸５１を中心に線分ＰｔＰｓに対して傾いている。なお、本例では、移動中心軸５１と線分ＰｔＰｓとは直交し、また、移動中心軸５１は基板１５の被成膜面１５ａの中心の軌跡と一致している。
【００３２】
ここで、図１に戻り、線分ＰｔＰｓと基板１５の被成膜面１５ａとが成す角度、すなわち、移動中心軸５１を中心とした線分ＰｔＰｓに対する基板１５（被成膜面１５ａ）の傾斜角（tilt angle）をθ３とするとき、 θ３＜９０°であり、好ましくは θ３＜４５° であり、より好ましくは θ３≦１５° である。
【００３３】
図３は、基板搬送系５０の構成例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
図３に示すように、基板搬送系５０は、基板１５が搭載されるトレイ５３と、トレイ５３を搬送する搬送機構５４と、トレイ５３に配設された高さ規定部材５５とを有する。トレイ５３には、ターゲット１１からの粒子を基板１５の被成膜面１５ａに向けて通過させるための開口部５３ａが設けられている。トレイ５３に対する基板１５の搭載時において、トレイ５３に対する基板１５の配置角度が決定される。
【００３４】
搬送機構５４は、トレイ５３におけるターゲット１１に近い第１位置ＰＴ１と前記ターゲット１１から遠い第２位置ＰＴ２とを支持し、かつ第１位置ＰＴ１と第２位置ＰＴ２とを通る軸線ＡＴを横切る方向（移動中心軸５１方向）にトレイ５３を搬送するように構成されている。搬送機構５４としては、例えば、リニア駆動機構、ローラコンベア、ベルトコンベア等、様々な形態が適用可能である。
【００３５】
高さ規定部材５５は、搬送機構５４に対するトレイ５３の高さ、すなわち搬送機構５４における支持面とトレイ５３との距離ＬＴを規定するものであり、トレイ５３における第１位置ＰＴ１及び／又は第２位置ＰＴ２に配設される。本例では、高さ規定部材５５は、板状部材からなり、トレイ５３におけるターゲット１１から遠い縁部のみに配設されている。
【００３６】
図４は、ターゲット１１に対する基板１５の相対的な姿勢の変化の様子を模式的に示す図である。
図４の例では、３種類のトレイ５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃを示している。各トレイ５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃにおけるターゲット１１から遠い縁部には、高さ規定部材５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃが配設されている。高さ規定部材５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃは互いに形状が異なり、高さ規定部材５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃの各形状に応じて、ターゲット１１から遠い位置（第２位置ＰＴ２）において、搬送機構５４の支持面からの各トレイ５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃの高さが互いに異なる。すなわち、その第２位置ＰＴ２における搬送機構５４からの各トレイ５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃの距離を、ＬＴ（Ａ）、ＬＴ（Ｂ）、ＬＴ（Ｃ）とするとき、ＬＴ（Ｃ）＜ＬＴ（Ａ）＜ＬＴ（Ｂ）、である。また、ターゲット１１に近い位置（第１位置ＰＴ１）において、搬送機構５４の支持面からの各トレイ５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃの高さは等しい。
【００３７】
この場合、基板１５の倒れ角θ２に関して、トレイ５３Ｂ＜トレイ５３Ａ＜トレイ５３Ｃ、である。また、基板１５の傾斜角θ３に関して、トレイ５３Ｂ＜トレイ５３Ａ＜トレイ５３Ｃ、である。なお、θ２に比べて、θ３の変化量は小さい。さらに、照射点Ｐｔと成膜点Ｐｓとを結ぶ線分ＰｔＰｓの長さ、すなわち照射点Ｐｔと成膜点Ｐｓとの間の距離（ＴＳ距離）に関して、トレイ５３Ｃ＜トレイ５３Ａ＜トレイ５３Ｂ、である。
【００３８】
このように、本例の基板搬送系５０では、基板１５用のトレイ５３に配設される高さ規定部材５５の形状に応じて、ターゲット１１に対する基板１５の傾き（θ２、θ３）やターゲット１１と基板１５との距離（ＴＳ距離）が変化する。すなわち、トレイ５３におけるターゲット１１から遠い第２位置ＰＴ２について、高さ規定部材５５によって搬送機構５４からの高さを変化させることにより、ターゲット１１に対する基板１５の姿勢を調整することができる。
【００３９】
上記の基板１５の姿勢調整に係る基板搬送系５０の構成、すなわち、トレイ５３に任意形状の高さ規定部材５５を取り付ける構成は簡素でありかつ柔軟性が高い。さらに、トレイ５３ごとに高さ規定部材５５の形状を変化させることで、ターゲット１１に対する基板１５の姿勢を、基板１５ごとに調整することが可能である。基板１５ごとにターゲット１１に対する姿勢を調整する成膜方法は、多品種生産に好ましく適用される。
【００４０】
なお、上記の例では、トレイ５３におけるターゲット１１から遠い位置（第２位置ＰＴ２）についてのみ、高さ規定部材５５によって搬送機構５４からの高さを変化させる構成であるが、本発明はこれに限定されない。すなわち、トレイ５３におけるターゲット１１に近い位置（第１位置ＰＴ１）についても、高さ規定部材５５によって搬送機構５４からの高さを変化させる構成としてもよい。トレイ５３におけるターゲット１１に近い第１位置ＰＴ１及び／又はターゲット１１から遠い第２位置ＰＴ２について、高さ規定部材５５によって搬送機構５４からの高さを変化させることにより、簡素な構成でありながら、ターゲット１１に対する基板１５の相対的な姿勢を調整することができる。
【００４１】
また、高さ規定部材５５の形態は、板状部材に限らず、他の形態でもよい。例えば、高さ規定部材５５は、トレイ５３の一部としてトレイ５３と一体的に形成されたものであってもよい。あるいは、高さ規定部材５５は、形状を調整自在な機構を有する形態であってもよい。
【００４２】
図１に戻り、線分ＰｔＰｓに沿って進行するスパッタ粒子は、上記傾斜角θ３に基づき、基板１５の被成膜面１５ａに斜めに入射する。実際には、スパッタ粒子は、三次元的な広がりを持って進行するから、基板１５に対するスパッタ粒子の入射方向は様々である。また、ターゲット１１に近いほど粒子密度が高く、離れるほど粒子密度が低い。
【００４３】
本例では、被成膜面１５ａに対するスパッタ粒子の入射方向を規制することを目的として、照射点Ｐｔと成膜点Ｐｓとの間の距離（ＴＳ距離）が制御されるとともに、ターゲット１１と基板１５との間にコリメータ１１０が配置されている。
【００４４】
ターゲット１１から放出されたスパッタ粒子のうち、分布中心軸に沿って進行する比較的高エネルギーのスパッタ粒子は、比較的遠方の地点に到達する。これに対して、分布中心軸からずれて進行する比較的低エネルギーのスパッタ粒子は、その遠方地点に到達しない。したがって、ＴＳ距離を制御することにより、被成膜面１５ａに対するスパッタ粒子の入射方向を規制することができる。例えば、ＴＳ距離が長いほど、スパッタ粒子の入射方向は、分布中心軸（例えば線分ＰｔＰｓ）に平行な方向に近づく。ＴＳ距離を制御する際には、イオンビーム１２の幅も適切に制御される。
【００４５】
本例では、基板１５の倒れ角θ２が４５°以上９０°未満であり、また、基板１５の傾斜角θ３が４５°未満であることにより、ＴＳ距離が比較的短くても、被成膜面１５ａと非平行な方向、すなわち、被成膜面１５ａに対して傾斜する方向に関して、スパッタ粒子の入射方向が規制される。ただし、被成膜面１５ａと平行な方向、すなわち、被成膜面１５ａと平行な面内でのツイスト方向に関しては、ＴＳ距離が比較的短いと、基板１５の傾斜角θ３を小さくするだけでは、スパッタ粒子の入射方向を規制するのは難しい。本例では、このツイスト方向に関する入射方向の規制を、コリメータ１１０によって行う。
【００４６】
図２に示すように、コリメータ１１０は、基板１５の移動方向（本例では、被成膜面１５ａと平行な方向）に互いに離間して並ぶ複数の規制板１１１を有している。ターゲット１１から放出された粒子のうち、この複数の規制板１１１同士の隙間を通過した粒子は基板１５に向けて飛行を続ける。一方、規制板１１１に衝突した粒子の多くは、規制板１１１に捕捉されるか、エネルギーが減衰して基板１５に到達しない。したがって、このコリメータ１１０を、ターゲット１１と基板１５との間に配置することで、基板１５の移動方向（被成膜面１５ａと平行な方向、ツイスト方向）に関し、スパッタ粒子の入射方向を規制することができる。なお、複数の規制板１１１同士の隙間（スリットの幅）が狭いほど、被成膜面１５ａに対するスパッタ粒子の入射方向が揃うことになる。
【００４７】
上述したビーム角θ１、基板１５の倒れ角θ２、及び基板１５の傾斜角θ３は、目標とする成膜結晶構造に応じて適宜設定される。本例では、θ１、θ２、及びθ３の制御により、基板１５の被成膜面１５ａがターゲット１１の斜め側方位置においてターゲット１１のスパッタ面１１ａに対して斜めになるように配置されるとともに、スパッタ粒子の入射方向と被成膜面１５ａとの成す角度（入射角度）が９０°未満に設定され、その結果、スパッタ粒子が被成膜面１５ａに斜めに入射し、被成膜面１５ａに成膜材料の斜方結晶が成長する。
【００４８】
また本例では、θ２及びθ３の制御によって、被成膜面１５ａに対する傾斜方向に関してスパッタ粒子の入射方向が規制されるとともに、コリメータ１１０によって基板１５の移動方向（被成膜面１５ａと平行な方向、ツイスト方向）に関するスパッタ粒子の入射方向が規制される。その結果、ＴＳ距離の伸長化、すなわち装置の拡大化を招くことなく、結晶配向性に優れた斜方柱状構造を有する膜を形成することができる。
【００４９】
さらに本例では、イオンビームスパッタ法を用いることにより、次に説明するように、被成膜面１５ａに対する成長方位角が小さくかつ緻密質な斜方構造を有する膜を形成することができる。
【００５０】
図５は、基板１５に飛来した粒子によって斜方結晶が成長する様子を示している。
図５に示すように、一般に、蒸着法ではクラスター状態の比較的大きな材料粒子が基板に向けて飛行し、イオンビームスパッタ法では分子状態の比較的小さな材料粒子が基板に向けて飛行する。そのため、蒸着法では、被成膜面に対して結晶成長方位が立つ傾向、すなわち被成膜面に対する粒子の入射角度に比べてその成長方位の角度が大きくなる傾向にある。そして、蒸着法では、特に粒子の入射角度が小さくなると、結晶の影となる部分での結晶成長が抑制され（シャドーイング）、その結果、結晶同士の間隔が比較的大きいポーラス状態の膜が形成される傾向にある。
【００５１】
これに対し、イオンビームスパッタ法では、入射角度と結晶成長方位との相関性が高く、さらに上記のシャドーイングが生じにくいことから、入射角度が小さくても、その入射角度と同程度の成長方位角を有して結晶が成長するとともに、結晶同士の間隔の広がりが比較的小さい。すなわち、イオンビームスパッタ法では、成長方位角が小さくかつ緻密質な斜方柱状構造を有する結晶膜を形成することができる。こうした膜は、水平配向型の液晶の配向膜として好ましく適用される。ここで、配向膜は、液晶分子の配向方向を揃える機能と、液晶分子のプレチルト角を制御する機能とを有しており、水平配向型のプレチルト角は、例えば０°〜２０°である。
【００５２】
図１に戻り、イオンビームスパッタ法を用いて水平配向型液晶の配向膜を形成する場合、被成膜面１５ａ上の任意の点に入射するスパッタ粒子の入射角度の最大値（最大入射角度θ５）は１５°以下に制限されるのが好ましく、入射角度の最大値と最小値の差である入射見込み角度Δθは１０°以下に制限されるのが好ましい。例えば、基板１５の傾斜角θ３が１５°以下にされることで最大入射角度θ５が１５°以下にされ、ＴＳ距離が長くされることで、見込み入射角度Δθも１０°以下と小さくされる。これにより、イオンビームスパッタ法を用いて、水平配向型の液晶配向に適した膜を形成することができる。
【００５３】
結晶の成長過程に応じて、基板１５の傾斜角θ３を変化させてもよい。例えば、水平配向型液晶の配向膜を形成する場合において、成長初期においてはθ３を１５°より大きくし、成長中期あるいは後期以降においてθ３を１５°以下とする。これにより、成長初期段階における膜の成長レート（成膜レート）を高め、処理時間の短縮化を図ることができる。また、他の膜の形成においては、基板１５の傾斜角θ３は、１５°以下に限定されず、最大入射角度θ５も、１５°以下に限定されない。また、イオンビーム１２とは別に、基板１５に対してアシスト用のイオン照射を行ったり、アシスト用のレーザ照射を行ったりすることにより、膜の結晶学的性質などの膜特性を制御することが可能である。
【００５４】
図２に示すように、ターゲット１１と基板１５との間にはさらに、基板１５の被成膜面１５ａに対するスパッタ粒子の入射領域を規制することを目的として、遮蔽板１２０が配置されている。遮蔽板１２０は、粒子の通過を遮る遮蔽部１２１，１２２と、遮蔽部１２１と１２２との間に形成されて粒子を通過させるための開口部１２３とを有する。本例では、遮蔽板１２０は、コリメータ１１０と基板１５との間において基板１５の被成膜面１５ａの隣接位置に配置され、その遮蔽部１２１，１２２は互いに対向する縁部分が間隔を空けて同一平面内に配置され、遮蔽部１２１，１２２を含む平面は基板１５の被成膜面１５ａと平行である。遮蔽板１２０は、遮蔽部１２１と１２２とが一体化された形態であってもよく、遮蔽部１２１と１２２との距離を調整可能な形態であってもよい。
【００５５】
図６は、図１に示す矢視Ａ方向から見た模式的な平面図である。なお、以後の説明において、基板１５の移動方向（走査方向、基板１５の移動中心軸５１と一致する方向）をＹ方向とする。
【００５６】
図６に示すように、遮蔽板１２０の開口部１２３は、ターゲット１１からの距離に応じて基板１５の移動方向（Ｙ方向）に関する幅が異なる。具体的には、遮蔽部１２１，１２２における互いに対向する縁部分の両端のうち、ターゲット１１から遠い方の縁部は曲線を有しており、近い方の縁部の間隔よりも遠い方の縁部の間隔が広がっている。それに伴い、遮蔽板１２０の開口部１２３は、ターゲット１１から離れる方向に沿って曲線を描きながらその幅が徐々に広くなっている。すなわち、遮蔽板１２０の開口部１２３は、ターゲット１１に近い方の幅が狭く（幅狭部１２３ａ）、遠い方の幅が広い（幅広部１２３ｂ）。
【００５７】
なお、遮蔽板１２０の形態は、上記の例に限定されない。例えば、遮蔽板１２０は、ターゲット１１から離れる方向に沿って段階的に広くなる開口部を有する形態であってもよい。あるいは、遮蔽板１２０は、複数の開口部を有する形態であってもよい。
【００５８】
成膜時において、遮蔽板１２０（遮蔽部１２１，１２２）と基板１５の被成膜面１５ａとは平行であり、その平行な状態を維持したまま、基板１５が一定速度で遮蔽板１２０に対して相対的にＹ方向に移動（走査移動）する。この基板１５の移動と同時に、遮蔽板１２０の開口部１２３を通過したスパッタ粒子が、基板１５の被成膜面１５ａに入射する。そして、基板１５の被成膜面１５ａの全領域が遮蔽板１２０の開口部１２３を横切ることにより、その被成膜面１５ａの全領域にスパッタ粒子が付着する。
【００５９】
スパッタ粒子が９０°未満の入射角度で被成膜面１５ａに入射する場合には、被成膜面１５ａにおけるターゲット１１側の端部と反対側の端部との間にターゲット１１からの距離に比較的大きな差が生じ、また、ターゲット１１から近い位置に比べ、遠い位置では、長い距離を飛行する分だけスパッタ粒子が拡散されるので、スパッタ粒子の密度が小さくなる。
【００６０】
前述したように、遮蔽板１２０の開口部１２３は、ターゲット１１に近い方の幅が狭く、遠い方の幅が広い。そのため、被成膜面１５ａにおけるターゲット１１に近い部分ほど、開口部１２３を介してターゲット１１に露出される時間が短い。すなわち、基板１５の被成膜面１５ａのうち、ターゲット１１に近い部分は密度の高い粒子に短時間晒され、遠い部分は密度の低い粒子に長時間晒される。その結果、被成膜面１５ａのターゲット１１に近い部分と遠い部分とに略等しい量の粒子が到達し、被成膜面１５ａに膜厚均一な膜が形成される。
【００６１】
さらに、本例では、遮蔽板１２０の開口部１２３を通過するスパッタ粒子は、コリメータ１１０によって基板１５に対する入射方向が規制されているから、基板１５の被成膜面１５ａに形成される膜は、膜厚均一であることに加え、配向方向が揃った斜方構造を有する。基板１５の被成膜面１５ａの全領域が開口部１２３を複数回繰り返し通過することにより、１回通過することにより形成される膜よりも、膜厚の大きい膜を形成することができる。
【００６２】
なお、遮蔽板１２０の開口部１２３とは別の場所から、基板１５に対してスパッタ粒子が入射することを防止するために、遮蔽板１２０の外周縁の外側には、スパッタ粒子の飛行領域を制限する防着板が適宜配設される。
【００６３】
ここで、コリメータ１１０における複数の規制板１１１の間隙の形状は、照射点Ｐｔと成膜点Ｐｓとの間の距離（ＴＳ距離）、ターゲット１１におけるビーム１２の照射領域３５の大きさ（放出領域の大きさ）、基板１５の配置空間の圧力（成膜圧力）、コリメータ１１０の配設位置、及び遮蔽板１２０の開口部１２３の形状、等に基づいて定められる。本例では、複数の規制板１１１の間隙における幅Ｌａと線分ＰｔＰｓの軸方向に関する深さＬｂとの比（アスペクト比）が遮蔽板１２０の開口部１２３における幅狭部１２３ａの幅Ｌｃと全体の開口長さＬｄの比とほぼ同じであって、例えば、Ｌａ：Ｌｂ＝１：５、である。なお、このアスペクト比は一例であって、本発明はこれに限定されない。アスペクト比Ｌａ／Ｌｂが小さくなるほど、被成膜面１５ａに対するスパッタ粒子の入射方向は揃うものの、コリメータ１１０を通過する粒子の量が少なくなって成膜レートが低下する。成膜レートは、ターゲット１１に対するビーム１２の照射領域３５を変化させることで制御することが可能である。
【００６４】
なお、コリメータ１１０の形状は、特に限定されるものではなく、例えば、基板１５の移動方向に関して、中央部と端部とでスリット幅が異なる形態としてもよい。また、複数の板によって開口断面が格子状となる形態であってもよい。
【００６５】
遮蔽板１２０の形状も特に限定されるものではなく、複数の開口部を有する形態としてもよい。また、遮蔽板１２０の開口部の幅を、ターゲット１１から遠い側からターゲット１１に近い側へ向かって段階的に狭くしてもよい。
【００６６】
基板１５の形状も円盤状に限定されるものではなく、長方形、正方形、楕円等種々の形状の基板を用いることができる。
【００６７】
また、ターゲット１１をスパッタリングする方法は、上述したようなイオンビームスパッタ法に限定されず、真空槽２０内部にスパッタガスを供給しながら真空排気し、真空槽２０内部に所定圧力の真空雰囲気を維持しながら、ターゲット１１に負電圧を印加し、スパッタリングを行ってもよい。
【００６８】
また、成膜材料を収容した容器の開口や、成膜材料の液面（放出源、ターゲット）から真空槽内部に成膜材料の蒸気を放出して成膜を行う蒸着法も本発明に含まれる。
【００６９】
また、本発明は、基板１５だけを移動させながら成膜を行う場合に限定されない。基板１５を固定した状態で、コリメータ１１０、遮蔽板１２０、及びターゲット１１を一緒に移動させながら成膜を行ってもよいし、基板１５、コリメータ１１０、遮蔽板１２０、及びターゲット１１を移動させながら成膜を行ってもよい。なお、イオンビームスパッタリングで成膜を行う場合には、ターゲット１１を固定した状態でイオンビーム１２の照射位置を移動する、又はターゲット１１の移動と一緒にイオンビーム１２の照射位置を移動することでターゲット１１を移動させることができる。
【００７０】
図７及び図８は、図１及び図２の成膜装置ＩＢＳ１の変形例を示している。
図７の例では、真空槽内に、複数のターゲット１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃが配設され、複数のターゲット１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃのうちのいずれかがイオンビーム１２の照射位置に選択的に配置される。複数のターゲット１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃは、同一材料であってもよく、異なる材料であってもよい。
【００７１】
図８の例では、真空槽内において、互いに異なる位置に複数のターゲット１１Ｄ，１１Ｅが配置されており、各配置位置においてターゲット１１Ｄ，１１Ｅから粒子が放出される。１つのイオンガンから各ターゲット１１Ｄ，１１Ｅにイオンビームを照射する構成であってもよく、複数のイオンガンから複数のターゲット１１Ｄ，１１Ｅに対して個別にイオンビームを照射する構成であってもよい。
【００７２】
こうした多元スパッタリングは、成膜される膜構造の制御を行ったり、積層構造の膜を形成したりするのに好ましく用いられる。この場合、必要に応じて、ターゲットに対する基板の姿勢（傾き、ＴＳ距離など）が制御される。積層膜を形成する場合、例えば、配向膜の下地膜として、柱状構造を必要としない膜を形成することができ、イオンビームスパッタ法では、緻密質な構造を有する膜を形成することができるから、例えば、基板からの溶出物質の移動を遮断するイオンバリア膜を形成することができる。なお、膜構造の制御や積層膜の形成に際しては、１つの真空槽（成膜室）で行う方法に限らず、複数の真空槽（成膜室）で行う方法を採用してもよい。
【００７３】
図９及び図１０は、図１及び図２の成膜装置ＩＢＳ１の別の変形例を示している。また、図１１は、図９に示す矢視Ｂ方向から見た模式的な平面図である。なお、上述した成膜装置ＩＢＳ１と同様の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略または簡略化する。
【００７４】
図９、図１０、及び図１１に示すように、成膜装置ＩＢＳ２は、前記の成膜装置ＩＢＳ１と同様に、真空槽２０、イオンガン３０、及び搬送系４０等を主体に構成され、ターゲット１１と基板１５との間には、コリメータ１１０と、遮蔽板１２０とが配置されている。ビーム角θ１は、 θ１＜９０° であり、好ましくは、４５°≦θ１≦７０° であり、例えばθ１＝４５°である。基板１５の倒れ角θ２は、 θ２＜９０° であり、好ましくは、 ４５°≦θ２＜９０° である。基板１５の傾斜角θ３は、 θ３＜９０°であり、好ましくは θ３＜４５° であり、より好ましくは θ３≦１５° である。
【００７５】
また、本例の成膜装置ＩＢＳ２は、前記の成膜装置ＩＢＳ１と異なり、コリメータ１１０と遮蔽板１２０とが一体となって治具（整流治具１００）を構成している。すなわち、コリメータ１１０は、基板１５の移動方向（本例では、被成膜面１５ａと平行な方向）に互いに離間して並ぶ複数の規制板１１１を有しており、遮蔽板１２０は、粒子の通過を遮る遮蔽部１２１，１２２と、遮蔽部１２１と１２２との間に形成されて粒子を通過させるための開口部１２３とを有している。そして、遮蔽板１２０の開口部１２３における開口長さＬｄと同程度の長さを有して複数の規制板１１１が形成され、遮蔽板１２０の前面にコリメータ１１０が配設されている。
【００７６】
本例の成膜装置ＩＢＳ２においても、上記傾斜角θ３に基づき、ターゲット１１から放出されたスパッタ粒子が基板１５の被成膜面１５ａに斜めに入射する。そして、コリメータ１１０によってスパッタ粒子の入射方向が規制されるとともに、遮蔽板１２０によってスパッタ粒子の入射領域が規制され、その結果、配向方向が揃った膜厚均一な斜方構造を有する膜が基板１５上に形成される。
【００７７】
さらに本例では、コリメータ１１０と遮蔽板１２０とが一体となって整流治具１００を構成していることから、洗浄時などにおけるその治具１００の搬送が容易である。例えば、コリメータ１１０及び遮蔽板１２０に堆積した成膜材料を洗浄する際に、整流治具１００の搬送手段によって、コリメータ１１０と遮蔽板１２０とを同時かつ容易に真空槽２０内から外部に搬出することができる。また、形態が異なる複数種類の整流治具１００を用意しておき、目標とする成膜構造に応じて任意の整流治具１００を選択的に使用するといったことも容易に行うことができる。
【００７８】
（液晶装置）
次に、本発明の液晶装置について説明する。
図１２は、本発明の液晶装置の一例を概略的に示す平面図であり、図１３は、その液晶装置の部分断面図である。
【００７９】
図１２及び図１３に示すように、液晶装置５００は、ガラスや石英等の透明な材料からなる互いに対向配置された基板５０２及び基板５０３と、この基板５０２と基板５０３との間に挟持された液晶層５０４と、基板５０２と基板５０３とを貼り合わせるためのシール材５０５（接着剤）とを備えて構成されている。ここで、この液晶装置５００は、液晶を水平配向させる水平配向型であり、また、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）等のスイッチング素子を有するアクティブマトリクス方式の透過型液晶装置である。
【００８０】
図１２に示すように、基板５０２の中央部には画像作製領域５０１が形成され、その画像作製領域５０１の周縁部にシール材５０５が配設されている。画像作製領域５０１内において、基板５０２と基板５０３との間に液晶層５０４（図１３参照）が封止されている。なお、この液晶装置５００では、塗布法により液晶を直接基板上に配置したことから、シール材５０５には液晶の注入口が設けられていない。シール材５０５の外側には、不図示の走査線に走査信号を供給する走査線駆動素子５１０と、不図示のデータ線に画像信号を供給するデータ線駆動素子５１１とが実装されている。その駆動素子５１０，５１１から、基板５０２の端部に形成された接続端子５３０にかけて、配線５３１が引き廻されている。
【００８１】
一方、基板５０３には、共通電極５２１が形成されている。この共通電極５２１は画像作製領域５０１のほぼ全域に形成され、共通電極５２１の四隅には基板間導通部５２５が設けられている。その基板間導通部５２５から接続端子５３０にかけて、配線５３２が引き廻されている。
そして、外部から入力された各種信号が、接続端子５３０を介して画像作製領域５０１に供給されることにより、液晶装置５００が駆動されるようになっている。
【００８２】
図１３に示すように、基板５０２の液晶側の表面には、マトリクス状に配列された複数の画素電極５２０が形成されている。具体的に、その基板５０２の表面には、マトリクス状に配列された画素電極５２０、この画素電極５２０に接続されたスイッチング素子（不図示）、及びこのスイッチング素子に接続された金属配線（不図示）等が設けられ、さらに、画素電極５２０を覆うように配向膜５５０が設けられている。
基板５０３の液晶側の表面には、例えばＩＴＯ等の透明な材料により形成された共通電極５２１が形成されており、さらに、この共通電極５２１を覆うように配向膜５５１が設けられている。
【００８３】
基板５０２と基板５０３との間に挟持された液晶層５０４は、ネマチック液晶からなる。ネマチック液晶分子は、正の誘電率異方性を有するものであり、非選択電圧印加時には基板に沿って水平配向し、選択電圧印加時には電界方向に沿って垂直配向する。またネマチック液晶分子は、正の屈折率異方性を有するものであり、その複屈折と液晶層厚との積（リタデーション）Δｎｄは、例えば約０．４０μｍ（６０℃）である。なお、基板５０２の配向膜５５０による配向規制方向と、基板５０３の配向膜５５１による配向規制方向とは、約９０°ねじれた状態に設定されている。すなわち、この液晶装置５００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードで動作する。
【００８４】
基板５０２及び５０３の液晶と反対側の表面にはそれぞれ、偏光板５６０，５６１が貼り付けられている。偏光板５６０，５６１は、例えばポリビニルアルコール（ＰＶＡ）にヨウ素をドープした材料等からなり、その吸収軸方向の直線偏光を吸収しかつ透過軸方向の直線偏光を透過する機能を有する。基板５０２側の偏光板５６０は、その透過軸が配向膜５５０の配向規制方向と略一致するように配置され、基板５０３側の偏光板５６１は、その透過軸が配向膜５５１の配向規制方向と略一致するように配置されている。放熱性の向上のために、サファイヤガラスや水晶等の高熱伝導率材料からなる支持基板上に偏光板５６０，５６１を装着し、液晶装置５００から離間配置することが望ましい。基板５０３側から入射する光のうちの偏光板５６１の透過軸と一致する直線偏光のみが偏光板５６１を透過して液晶層５０４に入射する。
【００８５】
非選択電圧印加時においては、基板に対して水平配向した液晶分子が液晶層５０４の厚さ方向に沿って約９０°ねじれたらせん状に積層配置され、液晶層５０４に入射した直線偏光は、約９０°旋光されて液晶層５０４から射出する。この直線偏光は、偏光板５６０の透過軸と一致し、偏光板５６０を透過する。
一方、選択電圧印加時においては、液晶分子が基板に対して垂直配向しているから、液晶層５０４に入射した直線偏光は、旋光されることなく液晶層５０４から射出する。この直線偏光は、偏光板５６０の透過軸と直交し、偏光板５６０を透過しない。
【００８６】
上述した液晶装置５００では、配向膜５５０，５５１として、無機材料を主成分とする無機配向膜を採用しており、その無機配向膜が上述した成膜装置及び成膜方法を用いて形成されている。ポリイミド等の有機材料を主成分とする配向膜は、高強度の光や熱によって有機物がダメージを受けやすい。例えば、有機物が光によって分解するとともに、吸収熱でその分解が促進される。これに対して、無機材料を主成分とする無機配向膜は、光劣化が少なく、長期にわたり安定した配向特性を有する。また、上述した成膜装置及び成膜方法を用いて形成された配向膜は、配向性に優れた斜方構造を有しかつ膜厚均一であることから、液晶装置５００は動作安定性に優れる。
【００８７】
無機材料としては、ＳｉＯ２ 、ＳｉＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ２ 、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２ などの他、様々な無機材料（無機酸化物、金属酸化物）が採用される。無機配向膜の平均厚さは、例えば、０．０２〜０．３μｍであるのが好ましく、０．０２〜０．０８μｍであるのがより好ましい。無機配向膜の厚さが薄すぎると、プレチルト角の面内均一性が低下しやすいので好ましくなく、無機配向膜の厚さが厚すぎると、液晶装置５００の駆動電圧が高くなるので好ましくない。
【００８８】
なお、、ＴＮ（Twisted Nematic）モードで機能する液晶装置を例にして説明したが、ＶＡ（Vertical Alignment）モードで機能する液晶装置に本発明を適用することも可能である。
また、スイッチング素子としてＴＦＴを備えた液晶装置を例にして説明したが、スイッチング素子として薄膜ダイオード（Thin Film Diode）等の二端子型素子を備えた液晶装置に本発明を適用することも可能である。
また、透過型液晶装置を例にして説明したが、反射型液晶装置に本発明を適用することも可能である。
また、アクティブ型の液晶装置を例にして説明したが、パッシブ型の液晶装置に本発明を適用することも可能である。
【００８９】
（プロジェクタ）
次に、本発明のプロジェクタについて説明する。
図１４は、本発明のプロジェクタの一例を概略的に示す図である。
このプロジェクタＰＪ１は、本発明の液晶装置を光変調手段（液晶ライトバルブ）として用いており、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の異なる色毎に透過型液晶ライトバルブを備えた３板式の間欠表示型カラー液晶プロジェクタである。
【００９０】
図１４に示すように、プロジェクタＰＪ１は、光源８１０と、ダイクロイックミラー８１３，８１４と、反射ミラー８１５，８１６，８１７と、入射レンズ８１８と、リレーレンズ８１９と、射出レンズ８２０と、液晶ライトバルブ８２２，８２３，８２４と、クロスダイクロイックプリズム８２５と、投射レンズ８２６とを備えて構成されている。
【００９１】
光源８１０は、メタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とを含む。
ダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの白色光に含まれる赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、赤色光用液晶ライトバルブ８２２に入射する。また、ダイクロイックミラー８１３で反射された緑色光は、ダイクロイックミラー８１４によって反射され、緑色光用液晶ライトバルブ８２２に入射する。さらに、ダイクロイックミラー８１３で反射された青色光は、ダイクロイックミラー８１４を透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９および射出レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられている。この導光手段８２１を介して、青色光が青色光用液晶ライトバルブ８２４に入射する。
【００９２】
各液晶ライトバルブ８２２，８２３，８２４により変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このクロスダイクロイックプリズム８２５は４つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、その界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがＸ字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投影され、画像が拡大されて表示される。
【００９３】
上述したプロジェクタＰＪ１によれば、無機配向膜を採用した液晶ライトバルブ８２２，８２３，８２４を備えることから光劣化が少ない。また、無機配向膜の配向性に優れ、高い信頼性を有する。
【００９４】
なお、本例では赤色光用，緑色光用，青色光用の各液晶ライトバルブに本発明の液晶装置を採用したが、係る液晶装置は必ずしも全ての液晶ライトバルブに適用される必要はなく、少なくともＲ，Ｇ，Ｂのうちのいずれかの液晶ライトバルブに適用すれば、その効果を得ることができる。光のエネルギーが高い青色光（Ｂ）用の液晶ライトバルブに本発明の液晶装置を適用すると特に効果的である。
また、３板式の投射型表示装置（プロジェクタ）を例にして説明したが、単板式の投射型表示装置や直視型表示装置に本発明を適用することも可能である。
【００９５】
また、本発明の液晶装置を、プロジェクタ以外の電子機器に適用することも可能である。その具体例として、本発明の液晶装置を表示部に備えた携帯電話を挙げることができる。また、その他の電子機器としては、例えば、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が挙げられる。
【００９６】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明の成膜装置の基本構成を説明するための図。
【図２】図１の成膜装置の要部構成を示す斜視図。
【図３】基板搬送系の構成例を示す図。
【図４】ターゲットに対する基板の相対的な姿勢の変化の様子を模式的に示す図。
【図５】基板に飛来した粒子によって斜方結晶が成長する様子を示す図。
【図６】図１に示す矢視Ａ方向から見た模式的な平面図。
【図７】図１及び図２の成膜装置の変形例を示す図。
【図８】図１及び図２の成膜装置の変形例を示す図。
【図９】図１及び図２の成膜装置の別の変形例を示す図。
【図１０】図１及び図２の成膜装置の別の変形例を示す図。
【図１１】図９に示す矢視Ｂ方向から見た模式的な平面図。
【図１２】本発明の液晶装置の一例を概略的に示す平面図。
【図１３】図１２の液晶装置の部分断面図。
【図１４】本発明のプロジェクタの一例を概略的に示す図。
【符号の説明】
【００９８】
ＩＢＳ１，ＩＢＳ２…成膜装置、Ｐｔ…照射点、Ｐｓ…成膜点、θ１…ビーム角、θ２…基板の倒れ角、θ３…基板の傾斜角、１１…ターゲット、１１ａ…スパッタ面、１２…イオンビーム、１５…基板、１５ａ…被成膜面、１６…法線、２０…真空槽（成膜室）、２１…真空排気系、３０…イオンガン、３１…放出口、３２…ビーム軸、３５…照射領域（放出領域）、４０…搬送系、５０…基板搬送系、５１…移動中心軸、ＰＴ１…第１位置、ＰＴ２…第２位置、５３…トレイ、５４…搬送機構、５５…高さ規定部材、６０…治具搬送系、７０…制御装置、１００…整流治具、１１０…コリメータ、１１１…規制板、１２０…遮蔽板、１２１，１２２…遮蔽部、１２３…開口部、１２３ａ…幅狭部、１２３ｂ…幅広部、１３０，１３１…防着板、５００…液晶装置、５０４…液晶層、５５０，５５１…配向膜、ＰＪ１…プロジェクタ、８２２，８２３，８２４…液晶ライトバルブ（液晶装置）。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置、成膜方法、液晶装置、並びにプロジェクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ターゲット材から放出された粒子を基板に付着・堆積させる成膜装置が広く用いられており、例えば、真空槽内に基板を配置した状態で成膜材料を放出させ、その放出粒子を基板の被成膜面に到達させると、その被成膜面上にその材料の膜が成長する。こうした成膜技術としては、例えば、蒸着法、スパッタ法等が知られている。
【０００３】
ターゲット材から放出された粒子を被成膜面に斜めに入射させることにより、その被成膜面上に一定の配向性を有する成膜材料の結晶が成長し、その結晶配向性に起因する機能（例えば液晶配向性）を有する膜が得られる（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開昭５７−１５７２１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような成膜装置において、ターゲット材から放出された粒子の飛行領域を横切るように、ターゲット材に対して相対的に基板を移動させることにより、ターゲット材からの粒子を被成膜面の全面に付着させることができる。
【０００５】
ターゲット材からの粒子を基板に斜めに入射させる場合、成膜条件等に応じて、ターゲット材に対する基板の相対的な姿勢の調整が必要である。しかしながら、成膜時に基板が移動する構成では、基板の姿勢を調整する機構が複雑になりやすい。
【０００６】
本発明は、簡素な構成でターゲットに対する基板の姿勢を調整することが可能な基板搬送系、及びそれを備えた成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の基板搬送系は、ターゲットから放出された粒子の飛行領域を横切るように、前記ターゲットに対して相対的に基板を移動させる基板搬送系であって、前記基板が搭載されるトレイと、前記トレイにおける前記ターゲットに近い第１位置と前記ターゲットから遠い第２位置とを支持し、かつ前記第１位置と前記第２位置とを通る軸線を横切る方向に前記トレイを搬送する搬送機構と、前記トレイの前記第１位置及び／又は前記第２位置に配設され、前記搬送機構に対する前記トレイの高さを規定する高さ規定部材と、を有する、ことを特徴とする。
【０００８】
本発明の基板搬送系では、基板用のトレイに配設される高さ規定部材の形状に応じて、ターゲットに対する基板の傾き及び／又はターゲットと基板との距離が変化する。
すなわち、トレイにおけるターゲットに近い第１位置及び／又はターゲットから遠い第２位置について、高さ規定部材によって搬送機構からの高さを変化させることにより、簡素な構成でありながら、ターゲットに対する基板の相対的な姿勢を調整することができる。
さらに、本発明の基板搬送系によれば、ターゲットに対する基板の姿勢を、基板ごとに調整することが可能である。
【０００９】
本発明の基板搬送系において、前記高さ規定部材は、板状部材である構成とすることができる。
あるいは、前記高さ規定部材は、前記トレイの一部である構成とすることができる。
これらにより、構成の簡素化が図られる。
【００１０】
本発明の成膜装置は、ターゲットから放出された粒子を基板の一面に斜めに入射させかつ付着させる成膜装置であって、本発明の基板搬送系を備える、ことを特徴とする。
【００１１】
本発明の成膜装置では、ターゲットから放出された粒子が基板の一面に斜めに入射することから、配向性を有する膜を形成することができる。また、この成膜装置では、本発明の基板搬送系を備えることにより、構成の簡素化が図られるとともに、ターゲットに対する基板の相対的な姿勢に基づく膜構造の制御が容易となる。
【００１２】
本発明の成膜装置において、前記基板の一面に前記粒子が入射するときの入射角度が１５°以下である構成とすることができる。
この構成によれば、水平配向型の液晶配向に適した膜を形成することができる。
【００１３】
また、本発明の成膜装置において、前記ターゲットは、主として無機材料を含む構成とすることができる。
この構成によれば、無機材料を主材料とする膜を形成することができる。
【００１４】
本発明の液晶装置は、本発明の成膜装置で成膜された配向膜を備えることを特徴とする。
本発明の液晶装置によれば、簡素な構成の成膜装置を用いて配向膜が形成されるから、低コスト化が図られる。
【００１５】
本発明の液晶装置において、前記配向膜は、無機材料を主成分とする無機配向膜である構成とすることができる。
一般に、無機材料は、有機材料に比べて、化学的安定性、耐光性に優れている。無機材料を主成分とする無機配向膜は、光劣化が少なく、長期にわたり安定した配向特性を有する。
【００１６】
本発明のプロジェクタは、本発明の液晶装置を備える、ことを特徴とする。
本発明のプロジェクタによれば、本発明の液晶装置を備えることから、低コスト化が図られる。
【００１７】
本発明の成膜方法は、ターゲットから放出された粒子を基板の一面に斜めに入射させかつ付着させる成膜方法であって、前記ターゲットから放出された粒子の飛行領域を横切るように、前記ターゲットに対して相対的に前記基板を移動させるとともに、前記基板の移動時における前記ターゲットに対する前記基板の相対的な姿勢を、前記基板ごとに調整する、ことを特徴とする。
【００１８】
本発明の成膜方法では、ターゲットに対する基板の相対的な姿勢を、基板ごとに調整することから、多品種生産に好ましく利用できる。
【００１９】
本発明の成膜方法において、前記相対的な姿勢は、前記ターゲットに対する前記基板の傾き、及び前記ターゲットと前記基板との距離（ＴＳ距離）、の少なくとも１つを含む構成とすることができる。
こうした姿勢の調整により、膜構造の制御が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図１は、本発明の成膜装置の基本構成を説明するための図であり、図２は、図１の成膜装置の要部構成を示す斜視図である。
【００２１】
図１に示すように、成膜装置ＩＢＳ１は、真空雰囲気内に配置されたターゲット１１に対して高エネルギーに加速したイオンビーム１２を照射し、そのビーム１２の衝突によってターゲット原子を放出させ、その放出粒子を基板１５上に付着・堆積させるイオンビームスパッタリング装置であり、成膜室としての真空槽２０、イオンガン３０、及び搬送系４０等を主体に構成されている。イオンビームスパッタ法を用いた成膜は、高真空中でのスパッタが可能である、イオンや電子による膜の損傷が少ない、高融点物質の薄膜化が可能である、などの利点を有する。
【００２２】
真空槽２０には、真空排気系２１が接続されている。真空排気系２１が稼動すると、真空槽２０の内部が真空排気され、真空槽２０の内部に真空雰囲気が形成される。また、真空槽２０内には、放出源としてのターゲット１１が配置されている。真空排気系２１によって真空槽２０内部が真空排気されると、ターゲット１１は真空雰囲気に置かれる。成膜圧力が高真空圧（例えば５×１０−１Ｐａ以下、より好ましくは５×１０−２以下）であると、イオンビーム１２の直進性が向上するとともに、真空槽２０内におけるスパッタ粒子の散乱（飛行方向性の乱れ）が抑制される。
【００２３】
ターゲット１１は、無機配向膜形成用の材料として、ＳｉＯ２ 、ＳｉＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ２ 、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２ 、Ｓｉ３Ｎ４、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の他、様々な無機材料（無機酸化物、無機窒化膜、金属酸化物、金属窒化膜）が好ましく適用される。１種あるいは２種以上の材料を組み合わせてターゲットに用いることもできる。ＳｉＯ２は、誘電率が特に低く、また、高い光安定性を有する。無機配向膜の上層膜や下層膜、あるいは無機配向膜以外の膜形成用として、上記とは別の材料をターゲット１１に用いることも可能である。
【００２４】
イオンガン３０は、独立したイオン源にスパッタ用のガスを導入し、そのガスをイオン化しかつ加速させて放出口３１からビーム状に引き出すものであり、ターゲット１１の斜め側方であって、ターゲット１１を挟んで基板１５とは反対側に配されている。イオンガン３０の放出口３１は、真空槽２０の内部でターゲット１１の表面であるスパッタ面１１ａに向けられていて、イオンガン３０からのイオンビーム１２は、ターゲット１１のスパッタ面１１ａに斜めに入射する。なお、イオンガン３０とは別に、成膜前または成膜時の基板１５に、アシスト用のイオン照射を行ったり、アシスト用のレーザ照射を行ったりするアシスト手段を備えてもよい。
【００２５】
ここで、スパッタ面１１ａとイオンビーム１２のビーム軸３２との交点（照射点）をＰｔとし、照射点Ｐｔを通るスパッタ面１１ａの法線１６とビーム軸３２とが成す角度（以後、ビーム角（beam angle）と称する。）をθ１とするとき、 θ１＜９０° であり、好ましくは、４５°≦θ１≦７０° であり、例えばθ１＝４５°である。
【００２６】
スパッタ用のガスとしては、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅの他に、ターゲット１１に対して不活性な様々な不活性ガスを適用することができる。例えば、窒素などの分子イオン、中性粒子、クラスターイオン等を用いてもよい。イオンビーム１２は所定のビーム幅を有しており、イオンビーム１２がスパッタ面１１ａに入射すると、そのビーム幅に応じた広さの領域がスパッタリングされ、スパッタ粒子が真空槽２０内部に放出される。
【００２７】
搬送系４０は、基板１５をターゲット１１に対して相対的に移動させる基板搬送系５０を含む。成膜時において、基板１５は、ターゲット１１から離れた位置でありかつターゲット１１の斜め側方であって、ターゲット１１からのスパッタ粒子の放出分布範囲内に配される。基板搬送系５０は、ターゲット１１から放出された粒子の飛行領域を横切るように、ターゲット１１に対して相対的に基板１５を移動させる。これにより、スパッタ粒子が、ターゲット１１から基板１５の移動軸を横切るように放出され、基板１５の被成膜面１５ａに衝突することによりその被成膜面１５ａ上に堆積する。
【００２８】
ここで、ある１点から放出されるスパッタ粒子は、そのエネルギー分布・角度分布を正確に予測することは難しいものの、少なくとも三次元的な広がりを持って飛行する。スパッタ粒子の放出角度分布は、一般に余弦則（law of cosines）に従うことが知られている。放出分布は、軸対称二次元断面が扇状やハート状（蝶ねじ状）とも言われ、イオンビームのパワーなどのスパッタリング条件に応じて変化することがある。また、スパッタ用ビームがターゲット表面に対して斜めに入射されると、スパッタ粒子の分布中心軸もターゲット表面に対して斜めに傾く。
【００２９】
基板１５の被成膜面１５ａにおける任意の位置である成膜点（本例では被成膜面１５ａの中心）をＰｓとするとき、基板１５は、スパッタ粒子の見込み分布中心軸が成膜点Ｐｓを通るように配置される。すなわち、スパッタ粒子の見込み分布中心軸はターゲット１１の表面であるスパッタ面１１ａに対して傾いているから、基板１５は、そのスパッタ面１１ａの法線１６に対して、イオンビーム１２のビーム軸３２とは逆方向に倒れた位置に配される。
【００３０】
照射点Ｐｔと成膜点Ｐｓとを結ぶ線分ＰｔＰｓと、スパッタ面１１ａの法線１６とが成す角度（以後、基板１５の倒れ角（slant angle）と称する。）をθ２とするとき、 θ２＜９０° であり、好ましくは、 ４５°≦θ２＜９０° である。
【００３１】
図２に示すように、基板搬送系５０は、上記倒れ角θ２に基づく移動中心軸５１に沿って、さらに線分ＰｔＰｓと基板１５の被成膜面１５ａとの間に所定の角度が形成された状態を維持しながら、基板１５を移動させる。すなわち、成膜時における基板１５の移動方向は、ビーム軸３２と線分ＰｔＰｓとを含む仮想平面を横切る方向であり、また、基板１５の被成膜面１５ａは、移動中心軸５１を中心に線分ＰｔＰｓに対して傾いている。なお、本例では、移動中心軸５１と線分ＰｔＰｓとは直交し、また、移動中心軸５１は基板１５の被成膜面１５ａの中心の軌跡と一致している。
【００３２】
ここで、図１に戻り、線分ＰｔＰｓと基板１５の被成膜面１５ａとが成す角度、すなわち、移動中心軸５１を中心とした線分ＰｔＰｓに対する基板１５（被成膜面１５ａ）の傾斜角（tilt angle）をθ３とするとき、 θ３＜９０°であり、好ましくは θ３＜４５° であり、より好ましくは θ３≦１５° である。
【００３３】
図３は、基板搬送系５０の構成例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
図３に示すように、基板搬送系５０は、基板１５が搭載されるトレイ５３と、トレイ５３を搬送する搬送機構５４と、トレイ５３に配設された高さ規定部材５５とを有する。トレイ５３には、ターゲット１１からの粒子を基板１５の被成膜面１５ａに向けて通過させるための開口部５３ａが設けられている。トレイ５３に対する基板１５の搭載時において、トレイ５３に対する基板１５の配置角度が決定される。
【００３４】
搬送機構５４は、トレイ５３におけるターゲット１１に近い第１位置ＰＴ１と前記ターゲット１１から遠い第２位置ＰＴ２とを支持し、かつ第１位置ＰＴ１と第２位置ＰＴ２とを通る軸線ＡＴを横切る方向（移動中心軸５１方向）にトレイ５３を搬送するように構成されている。搬送機構５４としては、例えば、リニア駆動機構、ローラコンベア、ベルトコンベア等、様々な形態が適用可能である。
【００３５】
高さ規定部材５５は、搬送機構５４に対するトレイ５３の高さ、すなわち搬送機構５４における支持面とトレイ５３との距離ＬＴを規定するものであり、トレイ５３における第１位置ＰＴ１及び／又は第２位置ＰＴ２に配設される。本例では、高さ規定部材５５は、板状部材からなり、トレイ５３におけるターゲット１１から遠い縁部のみに配設されている。
【００３６】
図４は、ターゲット１１に対する基板１５の相対的な姿勢の変化の様子を模式的に示す図である。
図４の例では、３種類のトレイ５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃを示している。各トレイ５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃにおけるターゲット１１から遠い縁部には、高さ規定部材５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃが配設されている。高さ規定部材５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃは互いに形状が異なり、高さ規定部材５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃの各形状に応じて、ターゲット１１から遠い位置（第２位置ＰＴ２）において、搬送機構５４の支持面からの各トレイ５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃの高さが互いに異なる。すなわち、その第２位置ＰＴ２における搬送機構５４からの各トレイ５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃの距離を、ＬＴ（Ａ）、ＬＴ（Ｂ）、ＬＴ（Ｃ）とするとき、ＬＴ（Ｃ）＜ＬＴ（Ａ）＜ＬＴ（Ｂ）、である。また、ターゲット１１に近い位置（第１位置ＰＴ１）において、搬送機構５４の支持面からの各トレイ５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃの高さは等しい。
【００３７】
この場合、基板１５の倒れ角θ２に関して、トレイ５３Ｂ＜トレイ５３Ａ＜トレイ５３Ｃ、である。また、基板１５の傾斜角θ３に関して、トレイ５３Ｂ＜トレイ５３Ａ＜トレイ５３Ｃ、である。なお、θ２に比べて、θ３の変化量は小さい。さらに、照射点Ｐｔと成膜点Ｐｓとを結ぶ線分ＰｔＰｓの長さ、すなわち照射点Ｐｔと成膜点Ｐｓとの間の距離（ＴＳ距離）に関して、トレイ５３Ｃ＜トレイ５３Ａ＜トレイ５３Ｂ、である。
【００３８】
このように、本例の基板搬送系５０では、基板１５用のトレイ５３に配設される高さ規定部材５５の形状に応じて、ターゲット１１に対する基板１５の傾き（θ２、θ３）やターゲット１１と基板１５との距離（ＴＳ距離）が変化する。すなわち、トレイ５３におけるターゲット１１から遠い第２位置ＰＴ２について、高さ規定部材５５によって搬送機構５４からの高さを変化させることにより、ターゲット１１に対する基板１５の姿勢を調整することができる。
【００３９】
上記の基板１５の姿勢調整に係る基板搬送系５０の構成、すなわち、トレイ５３に任意形状の高さ規定部材５５を取り付ける構成は簡素でありかつ柔軟性が高い。さらに、トレイ５３ごとに高さ規定部材５５の形状を変化させることで、ターゲット１１に対する基板１５の姿勢を、基板１５ごとに調整することが可能である。基板１５ごとにターゲット１１に対する姿勢を調整する成膜方法は、多品種生産に好ましく適用される。
【００４０】
なお、上記の例では、トレイ５３におけるターゲット１１から遠い位置（第２位置ＰＴ２）についてのみ、高さ規定部材５５によって搬送機構５４からの高さを変化させる構成であるが、本発明はこれに限定されない。すなわち、トレイ５３におけるターゲット１１に近い位置（第１位置ＰＴ１）についても、高さ規定部材５５によって搬送機構５４からの高さを変化させる構成としてもよい。トレイ５３におけるターゲット１１に近い第１位置ＰＴ１及び／又はターゲット１１から遠い第２位置ＰＴ２について、高さ規定部材５５によって搬送機構５４からの高さを変化させることにより、簡素な構成でありながら、ターゲット１１に対する基板１５の相対的な姿勢を調整することができる。
【００４１】
また、高さ規定部材５５の形態は、板状部材に限らず、他の形態でもよい。例えば、高さ規定部材５５は、トレイ５３の一部としてトレイ５３と一体的に形成されたものであってもよい。あるいは、高さ規定部材５５は、形状を調整自在な機構を有する形態であってもよい。
【００４２】
図１に戻り、線分ＰｔＰｓに沿って進行するスパッタ粒子は、上記傾斜角θ３に基づき、基板１５の被成膜面１５ａに斜めに入射する。実際には、スパッタ粒子は、三次元的な広がりを持って進行するから、基板１５に対するスパッタ粒子の入射方向は様々である。また、ターゲット１１に近いほど粒子密度が高く、離れるほど粒子密度が低い。
【００４３】
本例では、被成膜面１５ａに対するスパッタ粒子の入射方向を規制することを目的として、照射点Ｐｔと成膜点Ｐｓとの間の距離（ＴＳ距離）が制御されるとともに、ターゲット１１と基板１５との間にコリメータ１１０が配置されている。
【００４４】
ターゲット１１から放出されたスパッタ粒子のうち、分布中心軸に沿って進行する比較的高エネルギーのスパッタ粒子は、比較的遠方の地点に到達する。これに対して、分布中心軸からずれて進行する比較的低エネルギーのスパッタ粒子は、その遠方地点に到達しない。したがって、ＴＳ距離を制御することにより、被成膜面１５ａに対するスパッタ粒子の入射方向を規制することができる。例えば、ＴＳ距離が長いほど、スパッタ粒子の入射方向は、分布中心軸（例えば線分ＰｔＰｓ）に平行な方向に近づく。ＴＳ距離を制御する際には、イオンビーム１２の幅も適切に制御される。
【００４５】
本例では、基板１５の倒れ角θ２が４５°以上９０°未満であり、また、基板１５の傾斜角θ３が４５°未満であることにより、ＴＳ距離が比較的短くても、被成膜面１５ａと非平行な方向、すなわち、被成膜面１５ａに対して傾斜する方向に関して、スパッタ粒子の入射方向が規制される。ただし、被成膜面１５ａと平行な方向、すなわち、被成膜面１５ａと平行な面内でのツイスト方向に関しては、ＴＳ距離が比較的短いと、基板１５の傾斜角θ３を小さくするだけでは、スパッタ粒子の入射方向を規制するのは難しい。本例では、このツイスト方向に関する入射方向の規制を、コリメータ１１０によって行う。
【００４６】
図２に示すように、コリメータ１１０は、基板１５の移動方向（本例では、被成膜面１５ａと平行な方向）に互いに離間して並ぶ複数の規制板１１１を有している。ターゲット１１から放出された粒子のうち、この複数の規制板１１１同士の隙間を通過した粒子は基板１５に向けて飛行を続ける。一方、規制板１１１に衝突した粒子の多くは、規制板１１１に捕捉されるか、エネルギーが減衰して基板１５に到達しない。したがって、このコリメータ１１０を、ターゲット１１と基板１５との間に配置することで、基板１５の移動方向（被成膜面１５ａと平行な方向、ツイスト方向）に関し、スパッタ粒子の入射方向を規制することができる。なお、複数の規制板１１１同士の隙間（スリットの幅）が狭いほど、被成膜面１５ａに対するスパッタ粒子の入射方向が揃うことになる。
【００４７】
上述したビーム角θ１、基板１５の倒れ角θ２、及び基板１５の傾斜角θ３は、目標とする成膜結晶構造に応じて適宜設定される。本例では、θ１、θ２、及びθ３の制御により、基板１５の被成膜面１５ａがターゲット１１の斜め側方位置においてターゲット１１のスパッタ面１１ａに対して斜めになるように配置されるとともに、スパッタ粒子の入射方向と被成膜面１５ａとの成す角度（入射角度）が９０°未満に設定され、その結果、スパッタ粒子が被成膜面１５ａに斜めに入射し、被成膜面１５ａに成膜材料の斜方結晶が成長する。
【００４８】
また本例では、θ２及びθ３の制御によって、被成膜面１５ａに対する傾斜方向に関してスパッタ粒子の入射方向が規制されるとともに、コリメータ１１０によって基板１５の移動方向（被成膜面１５ａと平行な方向、ツイスト方向）に関するスパッタ粒子の入射方向が規制される。その結果、ＴＳ距離の伸長化、すなわち装置の拡大化を招くことなく、結晶配向性に優れた斜方柱状構造を有する膜を形成することができる。
【００４９】
さらに本例では、イオンビームスパッタ法を用いることにより、次に説明するように、被成膜面１５ａに対する成長方位角が小さくかつ緻密質な斜方構造を有する膜を形成することができる。
【００５０】
図５は、基板１５に飛来した粒子によって斜方結晶が成長する様子を示している。
図５に示すように、一般に、蒸着法ではクラスター状態の比較的大きな材料粒子が基板に向けて飛行し、イオンビームスパッタ法では分子状態の比較的小さな材料粒子が基板に向けて飛行する。そのため、蒸着法では、被成膜面に対して結晶成長方位が立つ傾向、すなわち被成膜面に対する粒子の入射角度に比べてその成長方位の角度が大きくなる傾向にある。そして、蒸着法では、特に粒子の入射角度が小さくなると、結晶の影となる部分での結晶成長が抑制され（シャドーイング）、その結果、結晶同士の間隔が比較的大きいポーラス状態の膜が形成される傾向にある。
【００５１】
これに対し、イオンビームスパッタ法では、入射角度と結晶成長方位との相関性が高く、さらに上記のシャドーイングが生じにくいことから、入射角度が小さくても、その入射角度と同程度の成長方位角を有して結晶が成長するとともに、結晶同士の間隔の広がりが比較的小さい。すなわち、イオンビームスパッタ法では、成長方位角が小さくかつ緻密質な斜方柱状構造を有する結晶膜を形成することができる。こうした膜は、水平配向型の液晶の配向膜として好ましく適用される。ここで、配向膜は、液晶分子の配向方向を揃える機能と、液晶分子のプレチルト角を制御する機能とを有しており、水平配向型のプレチルト角は、例えば０°〜２０°である。
【００５２】
図１に戻り、イオンビームスパッタ法を用いて水平配向型液晶の配向膜を形成する場合、被成膜面１５ａ上の任意の点に入射するスパッタ粒子の入射角度の最大値（最大入射角度θ５）は１５°以下に制限されるのが好ましく、入射角度の最大値と最小値の差である入射見込み角度Δθは１０°以下に制限されるのが好ましい。例えば、基板１５の傾斜角θ３が１５°以下にされることで最大入射角度θ５が１５°以下にされ、ＴＳ距離が長くされることで、見込み入射角度Δθも１０°以下と小さくされる。これにより、イオンビームスパッタ法を用いて、水平配向型の液晶配向に適した膜を形成することができる。
【００５３】
結晶の成長過程に応じて、基板１５の傾斜角θ３を変化させてもよい。例えば、水平配向型液晶の配向膜を形成する場合において、成長初期においてはθ３を１５°より大きくし、成長中期あるいは後期以降においてθ３を１５°以下とする。これにより、成長初期段階における膜の成長レート（成膜レート）を高め、処理時間の短縮化を図ることができる。また、他の膜の形成においては、基板１５の傾斜角θ３は、１５°以下に限定されず、最大入射角度θ５も、１５°以下に限定されない。また、イオンビーム１２とは別に、基板１５に対してアシスト用のイオン照射を行ったり、アシスト用のレーザ照射を行ったりすることにより、膜の結晶学的性質などの膜特性を制御することが可能である。
【００５４】
図２に示すように、ターゲット１１と基板１５との間にはさらに、基板１５の被成膜面１５ａに対するスパッタ粒子の入射領域を規制することを目的として、遮蔽板１２０が配置されている。遮蔽板１２０は、粒子の通過を遮る遮蔽部１２１，１２２と、遮蔽部１２１と１２２との間に形成されて粒子を通過させるための開口部１２３とを有する。本例では、遮蔽板１２０は、コリメータ１１０と基板１５との間において基板１５の被成膜面１５ａの隣接位置に配置され、その遮蔽部１２１，１２２は互いに対向する縁部分が間隔を空けて同一平面内に配置され、遮蔽部１２１，１２２を含む平面は基板１５の被成膜面１５ａと平行である。遮蔽板１２０は、遮蔽部１２１と１２２とが一体化された形態であってもよく、遮蔽部１２１と１２２との距離を調整可能な形態であってもよい。
【００５５】
図６は、図１に示す矢視Ａ方向から見た模式的な平面図である。なお、以後の説明において、基板１５の移動方向（走査方向、基板１５の移動中心軸５１と一致する方向）をＹ方向とする。
【００５６】
図６に示すように、遮蔽板１２０の開口部１２３は、ターゲット１１からの距離に応じて基板１５の移動方向（Ｙ方向）に関する幅が異なる。具体的には、遮蔽部１２１，１２２における互いに対向する縁部分の両端のうち、ターゲット１１から遠い方の縁部は曲線を有しており、近い方の縁部の間隔よりも遠い方の縁部の間隔が広がっている。それに伴い、遮蔽板１２０の開口部１２３は、ターゲット１１から離れる方向に沿って曲線を描きながらその幅が徐々に広くなっている。すなわち、遮蔽板１２０の開口部１２３は、ターゲット１１に近い方の幅が狭く（幅狭部１２３ａ）、遠い方の幅が広い（幅広部１２３ｂ）。
【００５７】
なお、遮蔽板１２０の形態は、上記の例に限定されない。例えば、遮蔽板１２０は、ターゲット１１から離れる方向に沿って段階的に広くなる開口部を有する形態であってもよい。あるいは、遮蔽板１２０は、複数の開口部を有する形態であってもよい。
【００５８】
成膜時において、遮蔽板１２０（遮蔽部１２１，１２２）と基板１５の被成膜面１５ａとは平行であり、その平行な状態を維持したまま、基板１５が一定速度で遮蔽板１２０に対して相対的にＹ方向に移動（走査移動）する。この基板１５の移動と同時に、遮蔽板１２０の開口部１２３を通過したスパッタ粒子が、基板１５の被成膜面１５ａに入射する。そして、基板１５の被成膜面１５ａの全領域が遮蔽板１２０の開口部１２３を横切ることにより、その被成膜面１５ａの全領域にスパッタ粒子が付着する。
【００５９】
スパッタ粒子が９０°未満の入射角度で被成膜面１５ａに入射する場合には、被成膜面１５ａにおけるターゲット１１側の端部と反対側の端部との間にターゲット１１からの距離に比較的大きな差が生じ、また、ターゲット１１から近い位置に比べ、遠い位置では、長い距離を飛行する分だけスパッタ粒子が拡散されるので、スパッタ粒子の密度が小さくなる。
【００６０】
前述したように、遮蔽板１２０の開口部１２３は、ターゲット１１に近い方の幅が狭く、遠い方の幅が広い。そのため、被成膜面１５ａにおけるターゲット１１に近い部分ほど、開口部１２３を介してターゲット１１に露出される時間が短い。すなわち、基板１５の被成膜面１５ａのうち、ターゲット１１に近い部分は密度の高い粒子に短時間晒され、遠い部分は密度の低い粒子に長時間晒される。その結果、被成膜面１５ａのターゲット１１に近い部分と遠い部分とに略等しい量の粒子が到達し、被成膜面１５ａに膜厚均一な膜が形成される。
【００６１】
さらに、本例では、遮蔽板１２０の開口部１２３を通過するスパッタ粒子は、コリメータ１１０によって基板１５に対する入射方向が規制されているから、基板１５の被成膜面１５ａに形成される膜は、膜厚均一であることに加え、配向方向が揃った斜方構造を有する。基板１５の被成膜面１５ａの全領域が開口部１２３を複数回繰り返し通過することにより、１回通過することにより形成される膜よりも、膜厚の大きい膜を形成することができる。
【００６２】
なお、遮蔽板１２０の開口部１２３とは別の場所から、基板１５に対してスパッタ粒子が入射することを防止するために、遮蔽板１２０の外周縁の外側には、スパッタ粒子の飛行領域を制限する防着板が適宜配設される。
【００６３】
ここで、コリメータ１１０における複数の規制板１１１の間隙の形状は、照射点Ｐｔと成膜点Ｐｓとの間の距離（ＴＳ距離）、ターゲット１１におけるビーム１２の照射領域３５の大きさ（放出領域の大きさ）、基板１５の配置空間の圧力（成膜圧力）、コリメータ１１０の配設位置、及び遮蔽板１２０の開口部１２３の形状、等に基づいて定められる。本例では、複数の規制板１１１の間隙における幅Ｌａと線分ＰｔＰｓの軸方向に関する深さＬｂとの比（アスペクト比）が遮蔽板１２０の開口部１２３における幅狭部１２３ａの幅Ｌｃと全体の開口長さＬｄの比とほぼ同じであって、例えば、Ｌａ：Ｌｂ＝１：５、である。なお、このアスペクト比は一例であって、本発明はこれに限定されない。アスペクト比Ｌａ／Ｌｂが小さくなるほど、被成膜面１５ａに対するスパッタ粒子の入射方向は揃うものの、コリメータ１１０を通過する粒子の量が少なくなって成膜レートが低下する。成膜レートは、ターゲット１１に対するビーム１２の照射領域３５を変化させることで制御することが可能である。
【００６４】
なお、コリメータ１１０の形状は、特に限定されるものではなく、例えば、基板１５の移動方向に関して、中央部と端部とでスリット幅が異なる形態としてもよい。また、複数の板によって開口断面が格子状となる形態であってもよい。
【００６５】
遮蔽板１２０の形状も特に限定されるものではなく、複数の開口部を有する形態としてもよい。また、遮蔽板１２０の開口部の幅を、ターゲット１１から遠い側からターゲット１１に近い側へ向かって段階的に狭くしてもよい。
【００６６】
基板１５の形状も円盤状に限定されるものではなく、長方形、正方形、楕円等種々の形状の基板を用いることができる。
【００６７】
また、ターゲット１１をスパッタリングする方法は、上述したようなイオンビームスパッタ法に限定されず、真空槽２０内部にスパッタガスを供給しながら真空排気し、真空槽２０内部に所定圧力の真空雰囲気を維持しながら、ターゲット１１に負電圧を印加し、スパッタリングを行ってもよい。
【００６８】
また、成膜材料を収容した容器の開口や、成膜材料の液面（放出源、ターゲット）から真空槽内部に成膜材料の蒸気を放出して成膜を行う蒸着法も本発明に含まれる。
【００６９】
また、本発明は、基板１５だけを移動させながら成膜を行う場合に限定されない。基板１５を固定した状態で、コリメータ１１０、遮蔽板１２０、及びターゲット１１を一緒に移動させながら成膜を行ってもよいし、基板１５、コリメータ１１０、遮蔽板１２０、及びターゲット１１を移動させながら成膜を行ってもよい。なお、イオンビームスパッタリングで成膜を行う場合には、ターゲット１１を固定した状態でイオンビーム１２の照射位置を移動する、又はターゲット１１の移動と一緒にイオンビーム１２の照射位置を移動することでターゲット１１を移動させることができる。
【００７０】
図７及び図８は、図１及び図２の成膜装置ＩＢＳ１の変形例を示している。
図７の例では、真空槽内に、複数のターゲット１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃが配設され、複数のターゲット１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃのうちのいずれかがイオンビーム１２の照射位置に選択的に配置される。複数のターゲット１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃは、同一材料であってもよく、異なる材料であってもよい。
【００７１】
図８の例では、真空槽内において、互いに異なる位置に複数のターゲット１１Ｄ，１１Ｅが配置されており、各配置位置においてターゲット１１Ｄ，１１Ｅから粒子が放出される。１つのイオンガンから各ターゲット１１Ｄ，１１Ｅにイオンビームを照射する構成であってもよく、複数のイオンガンから複数のターゲット１１Ｄ，１１Ｅに対して個別にイオンビームを照射する構成であってもよい。
【００７２】
こうした多元スパッタリングは、成膜される膜構造の制御を行ったり、積層構造の膜を形成したりするのに好ましく用いられる。この場合、必要に応じて、ターゲットに対する基板の姿勢（傾き、ＴＳ距離など）が制御される。積層膜を形成する場合、例えば、配向膜の下地膜として、柱状構造を必要としない膜を形成することができ、イオンビームスパッタ法では、緻密質な構造を有する膜を形成することができるから、例えば、基板からの溶出物質の移動を遮断するイオンバリア膜を形成することができる。なお、膜構造の制御や積層膜の形成に際しては、１つの真空槽（成膜室）で行う方法に限らず、複数の真空槽（成膜室）で行う方法を採用してもよい。
【００７３】
図９及び図１０は、図１及び図２の成膜装置ＩＢＳ１の別の変形例を示している。また、図１１は、図９に示す矢視Ｂ方向から見た模式的な平面図である。なお、上述した成膜装置ＩＢＳ１と同様の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略または簡略化する。
【００７４】
図９、図１０、及び図１１に示すように、成膜装置ＩＢＳ２は、前記の成膜装置ＩＢＳ１と同様に、真空槽２０、イオンガン３０、及び搬送系４０等を主体に構成され、ターゲット１１と基板１５との間には、コリメータ１１０と、遮蔽板１２０とが配置されている。ビーム角θ１は、 θ１＜９０° であり、好ましくは、４５°≦θ１≦７０° であり、例えばθ１＝４５°である。基板１５の倒れ角θ２は、 θ２＜９０° であり、好ましくは、 ４５°≦θ２＜９０° である。基板１５の傾斜角θ３は、 θ３＜９０°であり、好ましくは θ３＜４５° であり、より好ましくは θ３≦１５° である。
【００７５】
また、本例の成膜装置ＩＢＳ２は、前記の成膜装置ＩＢＳ１と異なり、コリメータ１１０と遮蔽板１２０とが一体となって治具（整流治具１００）を構成している。すなわち、コリメータ１１０は、基板１５の移動方向（本例では、被成膜面１５ａと平行な方向）に互いに離間して並ぶ複数の規制板１１１を有しており、遮蔽板１２０は、粒子の通過を遮る遮蔽部１２１，１２２と、遮蔽部１２１と１２２との間に形成されて粒子を通過させるための開口部１２３とを有している。そして、遮蔽板１２０の開口部１２３における開口長さＬｄと同程度の長さを有して複数の規制板１１１が形成され、遮蔽板１２０の前面にコリメータ１１０が配設されている。
【００７６】
本例の成膜装置ＩＢＳ２においても、上記傾斜角θ３に基づき、ターゲット１１から放出されたスパッタ粒子が基板１５の被成膜面１５ａに斜めに入射する。そして、コリメータ１１０によってスパッタ粒子の入射方向が規制されるとともに、遮蔽板１２０によってスパッタ粒子の入射領域が規制され、その結果、配向方向が揃った膜厚均一な斜方構造を有する膜が基板１５上に形成される。
【００７７】
さらに本例では、コリメータ１１０と遮蔽板１２０とが一体となって整流治具１００を構成していることから、洗浄時などにおけるその治具１００の搬送が容易である。例えば、コリメータ１１０及び遮蔽板１２０に堆積した成膜材料を洗浄する際に、整流治具１００の搬送手段によって、コリメータ１１０と遮蔽板１２０とを同時かつ容易に真空槽２０内から外部に搬出することができる。また、形態が異なる複数種類の整流治具１００を用意しておき、目標とする成膜構造に応じて任意の整流治具１００を選択的に使用するといったことも容易に行うことができる。
【００７８】
（液晶装置）
次に、本発明の液晶装置について説明する。
図１２は、本発明の液晶装置の一例を概略的に示す平面図であり、図１３は、その液晶装置の部分断面図である。
【００７９】
図１２及び図１３に示すように、液晶装置５００は、ガラスや石英等の透明な材料からなる互いに対向配置された基板５０２及び基板５０３と、この基板５０２と基板５０３との間に挟持された液晶層５０４と、基板５０２と基板５０３とを貼り合わせるためのシール材５０５（接着剤）とを備えて構成されている。ここで、この液晶装置５００は、液晶を水平配向させる水平配向型であり、また、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）等のスイッチング素子を有するアクティブマトリクス方式の透過型液晶装置である。
【００８０】
図１２に示すように、基板５０２の中央部には画像作製領域５０１が形成され、その画像作製領域５０１の周縁部にシール材５０５が配設されている。画像作製領域５０１内において、基板５０２と基板５０３との間に液晶層５０４（図１３参照）が封止されている。なお、この液晶装置５００では、塗布法により液晶を直接基板上に配置したことから、シール材５０５には液晶の注入口が設けられていない。シール材５０５の外側には、不図示の走査線に走査信号を供給する走査線駆動素子５１０と、不図示のデータ線に画像信号を供給するデータ線駆動素子５１１とが実装されている。その駆動素子５１０，５１１から、基板５０２の端部に形成された接続端子５３０にかけて、配線５３１が引き廻されている。
【００８１】
一方、基板５０３には、共通電極５２１が形成されている。この共通電極５２１は画像作製領域５０１のほぼ全域に形成され、共通電極５２１の四隅には基板間導通部５２５が設けられている。その基板間導通部５２５から接続端子５３０にかけて、配線５３２が引き廻されている。
そして、外部から入力された各種信号が、接続端子５３０を介して画像作製領域５０１に供給されることにより、液晶装置５００が駆動されるようになっている。
【００８２】
図１３に示すように、基板５０２の液晶側の表面には、マトリクス状に配列された複数の画素電極５２０が形成されている。具体的に、その基板５０２の表面には、マトリクス状に配列された画素電極５２０、この画素電極５２０に接続されたスイッチング素子（不図示）、及びこのスイッチング素子に接続された金属配線（不図示）等が設けられ、さらに、画素電極５２０を覆うように配向膜５５０が設けられている。
基板５０３の液晶側の表面には、例えばＩＴＯ等の透明な材料により形成された共通電極５２１が形成されており、さらに、この共通電極５２１を覆うように配向膜５５１が設けられている。
【００８３】
基板５０２と基板５０３との間に挟持された液晶層５０４は、ネマチック液晶からなる。ネマチック液晶分子は、正の誘電率異方性を有するものであり、非選択電圧印加時には基板に沿って水平配向し、選択電圧印加時には電界方向に沿って垂直配向する。またネマチック液晶分子は、正の屈折率異方性を有するものであり、その複屈折と液晶層厚との積（リタデーション）Δｎｄは、例えば約０．４０μｍ（６０℃）である。なお、基板５０２の配向膜５５０による配向規制方向と、基板５０３の配向膜５５１による配向規制方向とは、約９０°ねじれた状態に設定されている。すなわち、この液晶装置５００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードで動作する。
【００８４】
基板５０２及び５０３の液晶と反対側の表面にはそれぞれ、偏光板５６０，５６１が貼り付けられている。偏光板５６０，５６１は、例えばポリビニルアルコール（ＰＶＡ）にヨウ素をドープした材料等からなり、その吸収軸方向の直線偏光を吸収しかつ透過軸方向の直線偏光を透過する機能を有する。基板５０２側の偏光板５６０は、その透過軸が配向膜５５０の配向規制方向と略一致するように配置され、基板５０３側の偏光板５６１は、その透過軸が配向膜５５１の配向規制方向と略一致するように配置されている。放熱性の向上のために、サファイヤガラスや水晶等の高熱伝導率材料からなる支持基板上に偏光板５６０，５６１を装着し、液晶装置５００から離間配置することが望ましい。基板５０３側から入射する光のうちの偏光板５６１の透過軸と一致する直線偏光のみが偏光板５６１を透過して液晶層５０４に入射する。
【００８５】
非選択電圧印加時においては、基板に対して水平配向した液晶分子が液晶層５０４の厚さ方向に沿って約９０°ねじれたらせん状に積層配置され、液晶層５０４に入射した直線偏光は、約９０°旋光されて液晶層５０４から射出する。この直線偏光は、偏光板５６０の透過軸と一致し、偏光板５６０を透過する。
一方、選択電圧印加時においては、液晶分子が基板に対して垂直配向しているから、液晶層５０４に入射した直線偏光は、旋光されることなく液晶層５０４から射出する。この直線偏光は、偏光板５６０の透過軸と直交し、偏光板５６０を透過しない。
【００８６】
上述した液晶装置５００では、配向膜５５０，５５１として、無機材料を主成分とする無機配向膜を採用しており、その無機配向膜が上述した成膜装置及び成膜方法を用いて形成されている。ポリイミド等の有機材料を主成分とする配向膜は、高強度の光や熱によって有機物がダメージを受けやすい。例えば、有機物が光によって分解するとともに、吸収熱でその分解が促進される。これに対して、無機材料を主成分とする無機配向膜は、光劣化が少なく、長期にわたり安定した配向特性を有する。また、上述した成膜装置及び成膜方法を用いて形成された配向膜は、配向性に優れた斜方構造を有しかつ膜厚均一であることから、液晶装置５００は動作安定性に優れる。
【００８７】
無機材料としては、ＳｉＯ２ 、ＳｉＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ２ 、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２ などの他、様々な無機材料（無機酸化物、金属酸化物）が採用される。無機配向膜の平均厚さは、例えば、０．０２〜０．３μｍであるのが好ましく、０．０２〜０．０８μｍであるのがより好ましい。無機配向膜の厚さが薄すぎると、プレチルト角の面内均一性が低下しやすいので好ましくなく、無機配向膜の厚さが厚すぎると、液晶装置５００の駆動電圧が高くなるので好ましくない。
【００８８】
なお、、ＴＮ（Twisted Nematic）モードで機能する液晶装置を例にして説明したが、ＶＡ（Vertical Alignment）モードで機能する液晶装置に本発明を適用することも可能である。
また、スイッチング素子としてＴＦＴを備えた液晶装置を例にして説明したが、スイッチング素子として薄膜ダイオード（Thin Film Diode）等の二端子型素子を備えた液晶装置に本発明を適用することも可能である。
また、透過型液晶装置を例にして説明したが、反射型液晶装置に本発明を適用することも可能である。
また、アクティブ型の液晶装置を例にして説明したが、パッシブ型の液晶装置に本発明を適用することも可能である。
【００８９】
（プロジェクタ）
次に、本発明のプロジェクタについて説明する。
図１４は、本発明のプロジェクタの一例を概略的に示す図である。
このプロジェクタＰＪ１は、本発明の液晶装置を光変調手段（液晶ライトバルブ）として用いており、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の異なる色毎に透過型液晶ライトバルブを備えた３板式の間欠表示型カラー液晶プロジェクタである。
【００９０】
図１４に示すように、プロジェクタＰＪ１は、光源８１０と、ダイクロイックミラー８１３，８１４と、反射ミラー８１５，８１６，８１７と、入射レンズ８１８と、リレーレンズ８１９と、射出レンズ８２０と、液晶ライトバルブ８２２，８２３，８２４と、クロスダイクロイックプリズム８２５と、投射レンズ８２６とを備えて構成されている。
【００９１】
光源８１０は、メタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とを含む。
ダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの白色光に含まれる赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、赤色光用液晶ライトバルブ８２２に入射する。また、ダイクロイックミラー８１３で反射された緑色光は、ダイクロイックミラー８１４によって反射され、緑色光用液晶ライトバルブ８２２に入射する。さらに、ダイクロイックミラー８１３で反射された青色光は、ダイクロイックミラー８１４を透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９および射出レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられている。この導光手段８２１を介して、青色光が青色光用液晶ライトバルブ８２４に入射する。
【００９２】
各液晶ライトバルブ８２２，８２３，８２４により変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このクロスダイクロイックプリズム８２５は４つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、その界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがＸ字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投影され、画像が拡大されて表示される。
【００９３】
上述したプロジェクタＰＪ１によれば、無機配向膜を採用した液晶ライトバルブ８２２，８２３，８２４を備えることから光劣化が少ない。また、無機配向膜の配向性に優れ、高い信頼性を有する。
【００９４】
なお、本例では赤色光用，緑色光用，青色光用の各液晶ライトバルブに本発明の液晶装置を採用したが、係る液晶装置は必ずしも全ての液晶ライトバルブに適用される必要はなく、少なくともＲ，Ｇ，Ｂのうちのいずれかの液晶ライトバルブに適用すれば、その効果を得ることができる。光のエネルギーが高い青色光（Ｂ）用の液晶ライトバルブに本発明の液晶装置を適用すると特に効果的である。
また、３板式の投射型表示装置（プロジェクタ）を例にして説明したが、単板式の投射型表示装置や直視型表示装置に本発明を適用することも可能である。
【００９５】
また、本発明の液晶装置を、プロジェクタ以外の電子機器に適用することも可能である。その具体例として、本発明の液晶装置を表示部に備えた携帯電話を挙げることができる。また、その他の電子機器としては、例えば、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が挙げられる。
【００９６】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明の成膜装置の基本構成を説明するための図。
【図２】図１の成膜装置の要部構成を示す斜視図。
【図３】基板搬送系の構成例を示す図。
【図４】ターゲットに対する基板の相対的な姿勢の変化の様子を模式的に示す図。
【図５】基板に飛来した粒子によって斜方結晶が成長する様子を示す図。
【図６】図１に示す矢視Ａ方向から見た模式的な平面図。
【図７】図１及び図２の成膜装置の変形例を示す図。
【図８】図１及び図２の成膜装置の変形例を示す図。
【図９】図１及び図２の成膜装置の別の変形例を示す図。
【図１０】図１及び図２の成膜装置の別の変形例を示す図。
【図１１】図９に示す矢視Ｂ方向から見た模式的な平面図。
【図１２】本発明の液晶装置の一例を概略的に示す平面図。
【図１３】図１２の液晶装置の部分断面図。
【図１４】本発明のプロジェクタの一例を概略的に示す図。
【符号の説明】
【００９８】
ＩＢＳ１，ＩＢＳ２…成膜装置、Ｐｔ…照射点、Ｐｓ…成膜点、θ１…ビーム角、θ２…基板の倒れ角、θ３…基板の傾斜角、１１…ターゲット、１１ａ…スパッタ面、１２…イオンビーム、１５…基板、１５ａ…被成膜面、１６…法線、２０…真空槽（成膜室）、２１…真空排気系、３０…イオンガン、３１…放出口、３２…ビーム軸、３５…照射領域（放出領域）、４０…搬送系、５０…基板搬送系、５１…移動中心軸、ＰＴ１…第１位置、ＰＴ２…第２位置、５３…トレイ、５４…搬送機構、５５…高さ規定部材、６０…治具搬送系、７０…制御装置、１００…整流治具、１１０…コリメータ、１１１…規制板、１２０…遮蔽板、１２１，１２２…遮蔽部、１２３…開口部、１２３ａ…幅狭部、１２３ｂ…幅広部、１３０，１３１…防着板、５００…液晶装置、５０４…液晶層、５５０，５５１…配向膜、ＰＪ１…プロジェクタ、８２２，８２３，８２４…液晶ライトバルブ（液晶装置）。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットから放出された粒子の飛行領域を横切るように、前記ターゲットに対して相対的に基板を移動させる基板搬送系であって、
前記基板が搭載されるトレイと、
前記トレイにおける前記ターゲットに近い第１位置と前記ターゲットから遠い第２位置とを支持し、かつ前記第１位置と前記第２位置とを通る軸線を横切る方向に前記トレイを搬送する搬送機構と、
前記トレイの前記第１位置及び／又は前記第２位置に配設され、前記搬送機構に対する前記トレイの高さを規定する高さ規定部材と、を有する、ことを特徴とする基板搬送系。
【請求項２】
前記高さ規定部材は、板状部材である、ことを特徴とする請求項１に記載の基板搬送系。
【請求項３】
前記高さ規定部材は、前記トレイの一部である、ことを特徴とする請求項１に記載の基板搬送系。
【請求項４】
ターゲットから放出された粒子を基板の一面に斜めに入射させかつ付着させる成膜装置であって、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板搬送系を備える、ことを特徴とする成膜装置。
【請求項５】
前記基板の一面に前記粒子が入射するときの入射角度が１５°以下である、ことを特徴とする請求項４に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記ターゲットは、主として無機材料を含む、ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の成膜装置で成膜された配向膜を備える、ことを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
前記配向膜は、無機材料を主成分とする無機配向膜である、ことを特徴とする請求項７に記載の液晶装置。
【請求項９】
請求項８に記載の液晶装置を備える、ことを特徴とするプロジェクタ。
【請求項１０】
ターゲットから放出された粒子を基板の一面に斜めに入射させかつ付着させる成膜方法であって、
前記ターゲットから放出された粒子の飛行領域を横切るように、前記ターゲットに対して相対的に前記基板を移動させるとともに、
前記基板の移動時における前記ターゲットに対する前記基板の相対的な姿勢を、前記基板ごとに調整する、ことを特徴とする成膜方法。
【請求項１１】
前記相対的な姿勢は、前記ターゲットに対する前記基板の傾き、及び前記ターゲットと前記基板との距離、の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１０に記載の成膜方法。
【請求項１】
ターゲットから放出された粒子の飛行領域を横切るように、前記ターゲットに対して相対的に基板を移動させる基板搬送系であって、
前記基板が搭載されるトレイと、
前記トレイにおける前記ターゲットに近い第１位置と前記ターゲットから遠い第２位置とを支持し、かつ前記第１位置と前記第２位置とを通る軸線を横切る方向に前記トレイを搬送する搬送機構と、
前記トレイの前記第１位置及び／又は前記第２位置に配設され、前記搬送機構に対する前記トレイの高さを規定する高さ規定部材と、を有する、ことを特徴とする基板搬送系。
【請求項２】
前記高さ規定部材は、板状部材である、ことを特徴とする請求項１に記載の基板搬送系。
【請求項３】
前記高さ規定部材は、前記トレイの一部である、ことを特徴とする請求項１に記載の基板搬送系。
【請求項４】
ターゲットから放出された粒子を基板の一面に斜めに入射させかつ付着させる成膜装置であって、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板搬送系を備える、ことを特徴とする成膜装置。
【請求項５】
前記基板の一面に前記粒子が入射するときの入射角度が１５°以下である、ことを特徴とする請求項４に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記ターゲットは、主として無機材料を含む、ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の成膜装置で成膜された配向膜を備える、ことを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
前記配向膜は、無機材料を主成分とする無機配向膜である、ことを特徴とする請求項７に記載の液晶装置。
【請求項９】
請求項８に記載の液晶装置を備える、ことを特徴とするプロジェクタ。
【請求項１０】
ターゲットから放出された粒子を基板の一面に斜めに入射させかつ付着させる成膜方法であって、
前記ターゲットから放出された粒子の飛行領域を横切るように、前記ターゲットに対して相対的に前記基板を移動させるとともに、
前記基板の移動時における前記ターゲットに対する前記基板の相対的な姿勢を、前記基板ごとに調整する、ことを特徴とする成膜方法。
【請求項１１】
前記相対的な姿勢は、前記ターゲットに対する前記基板の傾き、及び前記ターゲットと前記基板との距離、の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１０に記載の成膜方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２００８−２０８２９（Ｐ２００８−２０８２９Ａ）
【公開日】平成２０年１月３１日（２００８．１．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１９４４８２（Ｐ２００６−１９４４８２）
【出願日】平成１８年７月１４日（２００６．７．１４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１月３１日（２００８．１．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年７月１４日（２００６．７．１４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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