説明

Fターム[4K030AA14]の内容

CVD (106,390) | 原料ガス (20,169) | 主反応ガス (14,743) | O2系、CO系、CO2系主反応ガス (2,057)

Fターム[4K030AA14]に分類される特許

2,041 - 2,057 / 2,057


【課題】 調整可能な光学的性質およびエッチング特性を有する材料を堆積させる方法と装置の提供。
【解決手段】 プラズマ増強化学蒸着によって基板に調整可能な光学的およびエッチング耐性特性を有する膜を堆積させる方法およびシステムに関するものである。チャンバは、プラズマソースと、RF電源に結合された基板ホルダとを有する。基板は、基板ホルダに配置される。TERA層は、基板に堆積される。TERA層の少なくとも一部分の堆積速度が、ホルダの基板にRF電力が印加されていないときより早くなるように、RF電源によって提供されるRF電力は、選択される。 (もっと読む)


酸化物薄膜の酸素欠損の低下とエピタキシャル成長との促進を図ることにより、優れた特性を有する酸化物薄膜を製造する薄膜製造方法であって、原料ガス、キャリアガス及び酸化ガスを混合して得た混合ガスを、加熱手段により原料の液化、析出、成膜が起こらない温度に維持されたガス活性化手段を通してシャワープレートから反応室内の加熱基板上に供給して反応させ、基板上に酸化物薄膜を製造する。その際、酸化ガスの割合を混合ガス基準で60%以上とする。また、核形成による初期層を形成する場合、その成膜プロセスにおける酸化ガス流量割合を60%未満とし、その後の成膜プロセスにおける酸化ガス流量割合を60%以上として行う。また、酸化物薄膜製造装置において、混合器とシャワープレートとの間に加熱手段を備えてなる。 (もっと読む)


後の堆積、特に原子層堆積(ALD)によるゲート絶縁体堆積のための調製において、ゲルマニウム表面(200)を処理するための方法が提供される。堆積の前に、該ゲルマニウム表面(200)は、プラズマプロダクトを用いて反応されるか、又は気相反応物を用いて熱的に反応される。表面処理の例は、ALD反応物により容易の吸着する酸素ブリッジ、窒素ブリッジ、−OH、−NH、及び/又は−NH末端を残す。該表面処理は、該反応物の該ゲルマニウムバルクへの深い浸透を回避するが、核形成を改良する。

(もっと読む)


閉成状態の複数の部品からなるマンドレル(10,30,40)の内面上へのニッケル蒸着を使用して、ニッケル成形品、即ちシェルを成形するための方法と装置。閉成状態の複数の部品からなるマンドレル(10,30,40)は、別の蒸着チャンバの必要性を省き、ニッケル蒸着が、中空、若しくは部分的に中空のニッケル成形品(12,32,33,34)を得るように、複数の部品からなる完全な、若しくは部分的なマンドレルの内面の形状に、ニッケルシェル(12,32,33,34)を成形する。
(もっと読む)


集積回路デバイス製造のための半導体基板のような基板上への、超臨界流体を利用した物質の蒸着。蒸着は、基板表面に蒸着される物質の前駆体を含む、超臨界流体をベースとする組成物を使用して行われる。そのようなアプローチにより、気相蒸着工程に必要な揮発性および搬送性がないために、蒸着への適用には全く不適切であった前駆体の使用が可能になる。 (もっと読む)


本発明はリンでドープした二酸化ケイ素含有層の形成方法及び集積回路の作製におけるトレンチ分離の形成方法を含む。一実施において、リンでドープした二酸化ケイ素含有層の形成方法は堆積チャンバー中で基板の位置決めをすることを含む。第1及び第2気相反応物をリンでドープした二酸化ケイ素含有層を該基板上に堆積するために有効な条件下で交互の且つ時間を置いたパルスで複数の堆積サイクルで該チャンバー中の該基板へ導入する。該第1及び第2気相反応物の一つはRがヒドロカルビルであるPO(OR)3であり、そして該第1及び第2気相反応物の他の反応物はRがヒドロカルビルであるSi(OR)3OHである。 (もっと読む)


コーティングされるべき基板(116)上に照射するイオン源(132)或いは(218)が、MOCVD、PVD或いは超伝導体素材の調整のためのその他の処理を強化するのに用いられる。
(もっと読む)


高速蒸着方法は生成物流体から粉体コーティングを蒸着する工程を備えている。生成物の流れは流体中の化学反応から得られる。粉体コーティングのいくつかは適切な条件下で光学コーティングに固化する。基板は第1の光学コーティングを持つことができ、この上に粉体コーティングが設けられる。固化の後に得られる光学コーティングは下に存在する第1の光学コーティングとは大きく異なる屈折率を持つことができ、基板全体にわたって厚みおよび屈折率の均一性が高く、また等しい条件下で異なる基板上に形成されたコーティング同士で厚みおよび屈折率の均一性が高い。いくつかの実施態様では、表面積が少なくとも約25平方センチメートルの基板を使って蒸着によりわずか約30分で少なくとも約100nmの粉体コーティングが得られる。 (もっと読む)


気体透過バリアを原子層蒸着(ALD)によってプラスチックまたはガラス基板上に蒸着することができる。ALDコーティングの使用によって、コーティング欠陥を減らすと共に数十ナノメートルの厚さにおいて桁違いに透過を低減させることができる。これらの薄いコーティングが、プラスチック基板の可撓性および透過性を保持する。かかる物品が、容器、電気および電子用途において有用である。

(もっと読む)


【課題】半導体用途における誘電体膜を形成するためのシステム及び方法、特に、混合気化前駆体を用いて基板上に多成分誘電体膜を作製するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】本発明は、気化した前駆体の混合物が、原子層堆積(ALD)処理における単一パルス段階中にチャンバ内に一緒に存在して多成分膜を形成するような気化前駆体の混合をもたらすためのシステム及び方法を提供する。気化前駆体は、少なくとも1つの異なる化学成分から成り、そのような異なる成分が単層を形成して多成分膜を生成することになる。本発明の更に別の態様では、組成勾配を有する誘電体膜が提供される。 (もっと読む)


保護層(208)が、原子層堆積(ALD)又は化学気相成長(CVD)リアクタ100の表面上に形成される。ALD又はCVDのリアクタ(100)のための反応スペース(200)を明確にする部分は、反応スペース表面(210)上の反応性部位(210)を不活性化する化学物質(206)を用いてインサイチュ又はエクスサイチュで処理され得る。前処理ステップ(502)は、処理ステップ(504)の前に、存在する反応性部位(210)を最大限にすることができる。吸着した処理反応物(208)によって反応性部位(210)が不活性化されると、後のプロセシング時に反応物ガス(214)は、これらの処理された表面上の反応性又は堆積を低減した。従って、パージステップ(310,314)が非常に短縮され、そしてより多くの数のラン(run)が、リアクタの壁上に蓄積した堆積を除去するためのクリーニングステップの間に実施され得る。

(もっと読む)


【課題】 半導体装置の層間絶縁膜などとして有用な低誘電率の膜を形成する方法と、この方法により形成される膜を提供すること。
【解決手段】 基材上に膜を成長させるのに十分な化学気相成長条件下で、シリルエーテル、シリルエーテルオリゴマー又は1以上の反応性基を有する有機ケイ素化合物を含む、有機ケイ素前駆物質を反応させて、約3.5以下の誘電率を有する層間絶縁膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】 水晶単結晶薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の水晶エピタキシャル薄膜の製造方法は、大気圧下において、桂素源として珪素のアルコキシドを気化し、反応促進剤である塩化水素とともに基板上に導入する工程と、珪酸エチルと酸素を反応させて基板上に水晶を堆積させる工程を含むものである。前記薄膜は結晶性、光学特性の優れた単結晶水晶薄膜である。 (もっと読む)


[課題] ガスバリヤ性の優れたトレイ、カップを提供する事にある。
[解決手段] 開放口を有するトレイ、カップなどの容器の内部を真空にして、ガスを吹き込み高周波を照射する事によりガスをプラズマ化し、容器の内面にSiOx、Al、MgOなどの金属酸化物または、DLC(ダイアモンドライクカーボン)などの蒸着皮膜を形成させた、内容物が酸化され難く、添加剤などが内容物に移行し難いハイバリヤ性トレイ、カップ。 (もっと読む)


【課題】 マイクロ波の放射特性をより精密に制御することにより、被処理体の半径方向及び周方向における処理の制御性を高める。
【解決手段】 マイクロ波を放射する為の複数のスロット33が設けられた面23を有する環状導波路13を有するマイクロ波供給器及びそれを用いたプラズマ処理装置において、環状導波路13の中心C1に対してスロット3の中心C2、C5が前記面に沿った方向に偏って配置されていることを特徴とする。 (もっと読む)


コロナ放電によって支持体上にプラズマ重合堆積を生成する方法を記載する。コロナ放電は電極と支持体を支持する対電極との間に発生される。バランスガスと作動ガスとの混合物は、電極を速やかに貫流し、コロナ放電によってプラズマ重合し、光学的に透明な被覆として支持体上に堆積する。この方法は、大気圧下又はその近くで実施するのが好ましく、表面改質、耐薬品性及び気体遮断性のような性質を支持体に与える、光学的に透明な粉体を含まない又は粉体をほとんど含まない堆積層を生成するように設計することができる。 (もっと読む)


グロー放電を用いて、基体上にプラズマ重合された付着を生成させる方法を記載する。グロー放電は電極と対電極との間に発生させる。バランスガス及びテトラアルキルオルトシリケートの混合物がグロー放電を通って基体上に流れ、基体上に、光学的に透明な被膜として、被膜を付着させるか、又は表面改質を生じさせる。この、好ましくは大気圧又はその近傍で実施する方法は光学的に透明で、粉末を含まないか又は事実上粉末を含まない被膜を生成するように設計することができる。
(もっと読む)


2,041 - 2,057 / 2,057