【課題】低誘電率膜を基板上に堆積し、その膜を後処理する方法を提供する。
【解決手段】後処理には、低誘電率膜を所望の高温まで急速に加熱し、その所望の高温に膜が露出される時間が約５秒以内になるように急速に冷却することを含む。一態様において、後処理は低誘電率膜を電子ビーム処理及び/又は紫外線処理に露出することも含む。

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【課題】 ドライクリーニングプロセスのプラズマ処理システムからチャンバ残渣を除去するシステム及び方法を提供することである。
【解決手段】 ドライクリーニングプロセスのプラズマ処理システムからチャンバ残渣を除去するためのシステム及び方法は、提供される。ドライクリーニングプロセスは、カーボンおよび酸素を含んでいるプロセスガスをプラズマ処理システムの処理チャンバに導入することと、プロセスガスからプラズマを生成することと、揮発性の反応生成物を形成するためにチャンバ残渣をドライクリーニングプロセスのプラズマにさらすことと、処理チャンバから反応生成物を排気することとを含む。 （もっと読む）

【課題】 原子層堆積を実行するための方法およびシステムを提供することである。
【解決手段】 原子層堆積（ＡＬＤ）を実行するためのプラズマ処理システムは、処理チャンバと、処理チャンバ内で提供される基板ホルダと、処理チャンバに第１のガスおよび第２のガスを供給するように構成されたガス注入システムとを具備する。システムは、処理チャンバに連続的に第１のガス流れを流し、第１の時間に処理チャンバに第２のガス流れをパルス化して流すガス注入システムを制御するコントローラを含む。コントローラは、第２の時間に基板ホルダにＲＦ電力をパルス化する。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、低誘電率コーティングが無機及び有機成分を含み、これらの成分のための前駆体が、化学蒸気相のプラズマ活性化沈積のための少なくとも二つのプラズマ源において活性化され、かつ該複数の活性化された前駆体が、それらが基体上に化学蒸気相から沈積されてコーティングを形成する前に一緒にされるところの、低誘電率コーティングを製造するための方法を開示し、該無機成分が多孔性ナノ粒子を含むことを特徴とする。本発明はまた、低誘電率コーティングの製造のための装置を開示する。 （もっと読む）

本発明は、本体と単層膜または多層膜とからなる工具または耐摩耗性部品であって、膜の少なくとも１層がホウ酸アルミニウムからなり、またはホウ酸アルミニウム相成分を含有しているものに関する。本発明により被覆された工具または耐摩耗性部品は著しく改善された耐摩耗性と、高い靭性および耐酸化性と、摩耗体と接触して低い摩擦係数とを有し、そのことから工具寿命挙動が著しく改善される。
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本発明に従った実施形態は、化学気相堆積された低誘電率材料の多段階硬化プロセスに関する。特定の実施形態では、電子ビーム放射および熱暴露ステップの組合せが、膜に組み込まれているポロゲンの選択的脱ガス化をコントロールするために採用されてもよく、ナノ細孔の形成をもたらす。一具体的な実施形態によると、シリコン含有成分と、不安定基を特徴付ける非シリコン含有成分との反応に起因する低誘電率層は、電子ビーム形態の放射印加が続く熱エネルギーの初期印加によって硬化されてもよい。 （もっと読む）

プラズマ堆積を使用して、プロセスチャンバ内で基板を覆う膜を処理する方法及びシステムが提供される。プラズマは、該プロセスチャンバ内に形成され、該膜を処理するのに適切なプロセスガス混合物が、プロセス条件のセットの下で、該プロセスチャンバ内に流される。該プロセスガス混合物は、ケイ酸塩ガラスを堆積させるために、シリコン含有ガス及び酸素含有ガスを含んでもよく、該ガスは、場合により、具体的に所望される光特性を得るためにドープすることもできる。該プロセス条件を、パラメータの値、該膜の光特性及び該プロセス条件の間の相関関係に従って変更できるように、膜の処理中にパラメータがモニタされる。 （もっと読む）

炭素を含まないシリコン源（たとえば、（ＳｉＨ₃）₃Ｎ）、一般式ＭＸ_nをもつ金属前駆体（たとえば、Ｈｆ（ＮＥｔ₂）₄）、および酸化剤（たとえばＯ₂）をＣＶＤチャンバーへ導入し、基板の表面でこれらを反応させることによって、金属シリコン（オキシ）ナイトライドを製造する方法。ＭＳｉＮ、ＭＳｉＯおよび／またはＭＳｉＯＮ膜を得ることができる。これらの膜はｈｉｇｈ−ｋ絶縁膜として有用である。 （もっと読む）

【課題】類似の方法を、低スループット等の弱点が十分に回避されかつそれにもかかわらず原子層成膜が可能なように、さらに改良することである。
【解決手段】本発明は、プロセスチャンバ内で少なくとも１つの膜を少なくとも１つの基板上に堆積する方法であって、膜が少なくとも１つの成分からなり、少なくとも第１の金属成分が、液体の又は液体に溶解した第１の原料を不連続に吐出する使用のもと、特に温度調節されたキャリアガス内で蒸発し、少なくとも第２の成分の化学反応原料が供給される方法に関する。原料が切換えられてプロセスチャンバ内に供給され、２番目の原料が化学反応ガス又は化学反応溶液であることが、本質的である。 （もっと読む）

本発明は、金属加工物上に防錆性の機能表面を形成する方法において、前記加工物に複数の層を提供し、少なくとも一層が防錆層であるようにする方法に関する。これらの層はプラズマコーティングにより単一工程で提供し、プラズマは化学物質の混合物を含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、有機材料で形成された基材上に真空製膜法で形成された蒸着層を形成された場合でも、高度な密着性を有する積層体を提供することを主目的とする。
【解決手段】 本発明は、有機材料で形成された基材と、上記基材の片面または両面に真空製膜法で形成された中間層と、上記中間層上に無機酸化物を真空製膜法で製膜した蒸着層とを有し、上記中間層が有機成分と無機成分とを有する蒸着膜であることを特徴とする積層体を提供することにより上記目的を達成するものである。 （もっと読む）

非平面状物品は、実質的に均一な厚さ及び実質的に均一な耐摩耗性を有し、ほぼ平均値の±０．２５の間の範囲にある△曇り（％）を有する、プラズマ蒸着した耐摩耗性被覆を含む。
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本発明による実施形態は、半導体被加工物（８８２）の傾斜上の材料の堆積を低減する、またはなくすために単独または組み合わせて用いることができる種々の技術に関連する。一アプローチでは、傾斜領域へのガスの流れを妨げるためにシャドーリング（８８０）が基板（８８２）のエッジを覆っている。エッジをシャドーする間にウエハー全域で厚さの均一性を維持するために、シャドーリングのエッジ（８８０ａ）での形体がガスの流れをウエハーに向けて方向付ける。別のアプローチでは、基板ヒータ／支持部がパージガスを支持されている基板のエッジに流すように構成されている。これらのパージガスは、プロセスガスが基板エッジに達して傾斜領域上に材料が堆積するのを防ぐ。 （もっと読む）

本発明のアルコキシド化合物は、下記一般式（I）で表されるものであり、ＣＶＤ法等の化合物を気化させて薄膜を形成する方法に用いられる薄膜形成用原料に適するものである。また、本発明の薄膜形成用原料は、該アルコキシド化合物を含有してなるものであり、本発明の薄膜の製造方法は、該薄膜形成用原料を気化させて得たアルコキシド化合物を含有する蒸気を基体上に導入し、これを分解及び／又は化学反応させて基体上に薄膜を形成するものである。
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MOCVD装置及び方法は、増大した電流容量を持つ多層のHTSコートテープを製造するためのものであり、多数液体前駆体ソースを含み、その各々は、関連するポンプ及び蒸気化器を持ち、その出口は、MOCVD反応炉内の多数区画シャワーヘッド装置を供給する。多数区画シャワーヘッド装置は、堆積ゾーン内にともに多数の堆積セクターを定義する関連する基板ヒータに最も近接して位置している。
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原子層堆積を用いて基板上にバリア層を形成する方法及び装置が記載されている。被覆基板は、酸素及び水蒸気に対する透過性が減少する。
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【課題】 本発明の目的は、見た目に美しい金色の外観を有するコーティングされたガラス製品を提供することである。
【解決手段】 本発明は、ガラス製品上に酸化鉄コーティングを施す方法を定める。製品は、建築用グレイジングとして用いられるのが好ましい。上記方法には、コーティングが蒸着される表面を有する加熱ガラス基材を供給する過程が含まれる。コーティングされる表面に向けてかつその表面に沿って、フェロセン及びオキシダントが送り出され、フェロセン及びオキシダントはガラス基材の表面またはその付近で反応して酸化鉄コーティングを形成する。 （もっと読む）

金属原子とシリコン原子を含む膜中の窒素濃度分布を容易に制御でき、高品質な半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。 基板３０上に金属原子とシリコン原子を含む膜を反応室４で成膜するステップと、前記膜に対して窒化処理を行うステップとを有し、前記成膜ステップでは、少なくとも２段階でシリコン濃度を変化させて成膜するようにした。 （もっと読む）

本発明は、半導体材料の選択的体積のための方法を含む。基板が反応室内に置かれる。基板は第１の面と第２の面とを有する。第１の面と第２の面は半導体材料先駆物質に対して露出されるが、それは、先駆物質からの半導体材料の成長が成長段階の前に誘導期を有し、且つ、成長段階の開始が第１の面におけるよりも第２の面における方が長い時間を要するという条件の下で行われる。第１の面と第２の面の露出は、成長段階が第１の面で生じるのには十分であるが成長段階が第２の面で生じるに足るほどには長くない時間にわたって行われる。
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本発明の金属化合物は、下記一般式（I）で表されるもので、融点が低く液体の状態で輸送が可能であり且つ蒸気圧が大きく気化させやすく、しかも他の金属化合物と混合しても配位子交換や化学反応により変質せず、金属化合物を気化させて薄膜を形成するＣＶＤ法等の薄膜製造方法に用いられる原料に適している。
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