【課題】キャリア電子の移動度が高く、光電変換素子の入射光側電極として好適に用いられるフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法の提供。
【解決手段】膜厚６００ｎｍ以上のフッ素ドープ酸化スズ膜の基体上に形成するフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法であって、成膜開始時の基体温度をＴ₁とし、成膜終了時の基体温度をＴ₂とするとき、下記（１）〜（３）の条件を満たすように、基体温度を下降させつつ、ＣＶＤ法を用いて、２００Ｐａ以下の圧力下で、フッ素ドープ酸化スズ膜を基体上に形成した後、非酸化雰囲気で基体温度３００〜６５０℃で熱処理することを特徴とするフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法。
（１）Ｔ₂＝３６０〜３８０℃
（２）ΔＴ（Ｔ₁−Ｔ₂）＝４５〜６５℃
（３）少なくともフッ素ドープ酸化スズ膜の膜厚２００ｎｍが達するまでに基体温度の下降を開始する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基材の割れおよび反りの発生を抑制して高品質の膜を成膜する。
【解決手段】３００℃以上かつガラスの歪点より低い第１加熱温度下で、ガラス基材上に酸化物前駆体を溶質として含む水溶液を噴霧して１層目の膜を形成する第１成膜工程と、第１加熱温度より高い第２加熱温度下で、ガラス基材上に酸化物前駆体を溶質として含む水溶液を噴霧して２層目の膜を形成する第２成膜工程とを備える。また、第２成膜工程後に、ガラス基材をガラスの徐冷点以上の温度下で保持する歪取工程と、歪取工程後に、ガラス基材を室温まで徐冷する徐冷工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】大気中で熱処理を実施することにより、トンネル炉等の気密性の低い簡易な設備を用いて行うことができるフッ素ドープ酸化錫膜の形成方法の提供。
【解決手段】フッ素ドープ酸化錫膜を形成する基体表面の温度（成膜面温度）が５００℃以上となる条件で、ＣＶＤ法を用いてフッ素ドープ酸化錫膜を該基体上に形成し、該成膜面温度が２８０℃以下になるまで冷却した後、該成膜面温度を２８０〜５４０℃の温度域に大気中で加熱した後、該成膜面温度を２８０℃以下に冷却するフッ素ドープ酸化錫膜の形成方法であって、大気中での加熱時において、フッ素ドープ酸化錫膜から酸素の脱離が起こり、かつ、該フッ素ドープ酸化錫膜への酸素の再吸着が起こらないように、２８０℃と該成膜面の最高到達温度との間の温度域における積分温度値を設定することを特徴とするフッ素ドープ酸化錫膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜される膜の膜厚の均一性を向上する。
【解決手段】基板２００を搬送経路に沿って搬送する搬送コンベアと、搬送経路中に位置する成膜室１００と、搬送経路に沿ってトンネル状に位置し、成膜室１００を通過する基板２００を取り囲んで加熱する加熱炉１２０とを備える。成膜室１００は、筐体１５０と、この筐体１５０内に成膜材料を微粒子化した成膜ガスを噴霧する噴霧機構と、筐体１５０の１つの側壁に位置して成膜ガスを排気するための排気口とを有する。筐体１５０は、成膜室１００を通過する基板２００と対向する開放部を加熱炉１２０内に有する。成膜ガスは、成膜室１００において、噴霧機構から開放部を通過して排気口に向けて流動する。開放部は、対向して通過する基板２００の搬送方向と直交する方向において、基板２００の幅に対して１．１５倍以上１．４倍以下の幅を有する。 （もっと読む）

【課題】ガラス板とその上に形成された酸化錫膜とを備えた透明導電膜付きガラス板を改良し、可視域から近赤外域にかけての広い波長域において光を効果的に散乱させるに適した構造とする。
【解決手段】本発明による透明導電膜付きガラス板においては、ガラス板１の上に形成された透明導電膜３が、酸化錫を主成分とする層３１と、層３１の表面上に配置された酸化亜鉛または酸化インジウムを主成分とする島部３２とを有し、透明導電膜３の表面に、島部からなる第１凸部３２とともに、層の表面に存在する第２凸部３３が露出している。 （もっと読む）

【課題】走行するパネル端部近傍で均一な蒸着方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの支持体２上に配置された、少なくとも１つのパネル１の表面を処理する方法に関し、ガス、液体または微粉固体材料を吹き付けることにあり、この場合、上記支持体はパネル端部を超えて突き出し、吹付け材料の障壁として作用する。吹付け材料は、パネルに平行で、パネルの全端部の近傍で外側の方向に付勢される。このようにして、エッジ効果は打ち消され、この処理によって、パネル中心における効果と同一効果を端部に沿って生成する。この処理はさらに、例えば、ＳｎＯ_２：ＦなどのＣＶＤ蒸着の形態を取ることもできる。 （もっと読む）

【課題】キャリア電子の移動度が高く、光電変換素子の入射光側電極として好適に用いられるフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法の提供。
【解決手段】ＣＶＤ法を用いて、１０ｋＰａ以下の圧力下で、基体温度が５００℃以下、かつ、形成される膜におけるキャリア電子の移動度が極大値となる成膜温度にて、フッ素ドープ酸化スズ膜を基体上に形成した後、圧力１０ｋＰａ以下の非酸化性雰囲気下にて、該成膜温度よりも２０〜３０℃高い温度で１分以上保持し、その後、圧力１０ｋＰａ以下の非酸化性雰囲気下にて、少なくとも基体温度が３００℃以下となるまで、平均冷却速度１０℃／ｍｉｎ以下で徐冷することを特徴とするフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】基板に製膜処理を継続するときの膜のヘイズ率分布の悪化を抑制することが可能なＣＶＤ製膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板に製膜される膜の原料ガスを含む供給ガスを供給するノズル３９を有するインジェクタ３５と、インジェクタを３５挟んで対向する一対の面３４の間に形成され、供給された供給ガスが基板とインジェクタ３５との間から排気される排気流路３７と、一対の面の各面３４の基板近傍に形成される排気入口部３４ａと、を有し、排気流路３７の幅方向の中央部における排気入口部３４ａとインジェクタ３５との間の距離は、幅方向の両端部における排気入口部３４ａとインジェクタ３５との間の距離よりも大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜のヘイズ率を高くしても、その表面の表面粗さの上昇を抑制できる透明導電膜付きガラス板を提供する。
【解決手段】ガラス板１１と、ガラス板１１上に形成された透明導電膜１５と、を備え、透明導電膜１５が透明導電層（透明導電層Ａ）１３と透明導電層（透明導電層Ｂ）１４を有し、透明導電層Ｂ１４が透明導電層Ａ１３の上に形成され、透明導電膜１５が複数の空孔１３ａ（１３ｂ）を含み、複数の空孔１３ａ（１３ｂ）の各々が、透明導電層Ａ１３の表面における凹部１３ｈを透明導電層Ｂ１４塞いだものである、透明導電膜付きガラス板１０、を提供する。透明導電膜ガラス板１０は、透明導電層Ａ１３の表面の一部の領域をエッチングによって膜厚方向に後退させるとともに、当該一部の領域を塞ぐように透明導電層Ａ１３の上に透明導電層Ｂ１４を形成することで得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗でかつ高透過率な透明電極膜を簡易な工程で製造する方法を提供すること。
【解決手段】 基体上に透明導電膜を形成する熱ＣＶＤ（化学気相成長）法であって、固体原料（Ｒ）を直接加熱により気化させる工程（Ｓ１）と発生した原料ガスを加熱基体に堆積させる工程（Ｓ２）により透明導電性酸化スズ（ＳｎＯ_２）膜（Ｐ）を得ることができる。この方法は、スプレーノズルや真空設備等を必要とせず大気下で成膜可能であり、簡易設備での高品位な導電性酸化スズ膜の製造を可能にする。 （もっと読む）

【課題】誘電体被覆電極及びプラズマ放電処理装置を提供する。
【解決手段】導電性母材（中空のステンレスパイプ）３６ｂ，３６Ｂを誘電体３６ａ，３６Ａで被覆した角柱型の誘電体被覆電極３６ｃ，３６Ｃであって、誘電体３６ａ，３６Ａの空隙率が１０体積％以下である。具体的には、セラミックスの溶射を空隙率１０体積％以下まで緻密に行い、更にゾルゲル反応により硬化する無機質の材料にて封孔処理を行う。ここでゾルゲル反応の促進には、熱硬化やＵＶ硬化が良く、更に封孔液を希釈し、コーティングと硬化を逐次で数回繰り返すと、よりいっそう無機質化が向上し、劣化の無い緻密な電極が出来る。 （もっと読む）

【課題】疎水性基板上に良好な酸化膜を形成する成膜方法を提供する。
【解決手段】室温以上且つ水の沸点未満の第１の基板温度Ｔ１で、水の過飽和状態にした疎水性の基板１１の基板表面１１０上に下地酸化膜１２を原子層堆積法を用いて形成するステップと、第２の基板温度Ｔ２で、下地酸化膜１２上に上部酸化膜１３を原子層堆積法を用いて形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】高い可視光透過率、低い抵抗率、高いヘイズを同時に満足する透明電極膜を製膜可能な透明電極膜の製膜方法を提供することを目的とする。また、高い可視光透過率、低い抵抗率、高いヘイズを同時に満足する透明電極膜を用いた高効率な太陽電池を製造可能な太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】（ａ）ＳｉＨ_４とＯ_２とをＯ／Ｓｉ第１比で含む第４原料ガスを供給し、基板上にアルカリバリア膜を形成する工程を具備し、Ｏ／Ｓｉ第１比は、４０以上２００以下であり、アルカリバリア膜の膜厚は、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である透明導電膜及びアルカリバリア膜から構成される透明電極膜の製膜方法である。 （もっと読む）

【課題】基体温度が高温（例えば、５９０℃以上）のみならず低温（例えば、４５０〜５５０℃）であっても膜中に残留する塩素濃度を効率よく低減することができ、かつ、酸化錫の結晶粒が大きく成長した膜を成膜することができる酸化錫膜付き基体の製造方法の提供。
【解決手段】加熱した基体上に、気化した塩化錫、酸化ガスおよび気化したアンモニア類を含有する原料ガスを吹き付けて酸化錫を成膜する、酸化錫膜付き基体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】耐屈曲性に優れた複合フィルムを提供する。
【解決手段】基材フィルムと、該基材フィルム上に設けられた、少なくとも１層の有機層と、少なくとも１層の無機層を有する第一のガスバリアフィルムと、基材フィルムと、該基材フィルム上に設けられた、少なくとも１層の有機層と、少なくとも１層の無機層を有する第二のガスバリアフィルムと、前記第一のガスバリアフィルムと第二のガスバリアフィルムの間に設けられた接着層とを有し、該接着層が、ドライラミネート用の接着剤と金属アルコキシドを含んでいる、複合フィルム。 （もっと読む）

第１材料／第２材料のナノコンポジットを製造するための方法が開示される。本方法は、電気化学的に活性な及び電気化学的に不活性な材料を含有する前駆体を用意する工程を含むことができる。その後、前駆体は、エアロゾルガス中に懸濁されてエアロゾルを生成することができ、高磁場領域を有するプラズマを提供することができる。エアロゾルはプラズマの高磁場領域を通過することができ、エアロゾル中の前駆体の少なくとも一部が気化する。続いて、高磁場領域において気化した前駆体は、高磁場領域から取り出され、そして少なくとも１つの電気化学的に活性な材料を含有する第１材料／第２材料のナノコンポジットに凝縮される。
（もっと読む）

【課題手段】長期にわたって優れた転写性およびクリーニング性を維持できる中間転写体およびその製造方法、ならびに画像形成装置を提供すること。
【解決手段】ポリフェニレンスルフィドおよびポリアミドを含有する基材１７５上に、体積固有抵抗１×１０^７〜１×１０^１３Ωｃｍの半導電性無機層１７６を有する中間転写体１７０。ポリフェニレンスルフィドおよびポリアミドを含有する基材１７５上に無機層１７６をプラズマＣＶＤ法により形成する中間転写体の製造方法。上記中間転写体を備えた画像形成装置。 （もっと読む）

【解決課題】 粉末材料の安定供給とプラズマ中での速やかな加熱・溶融・蒸発とを、同時に満たすことができるプラズマスプレーＰＶＤ用粉末、かかる粉末を用いた堆積膜の製造方法、ならびに、堆積膜を提供する。
【解決手段】 １次粒子の少なくとも一部の粒子が融着してなる２次粒子を含むプラズマスプレーＰＶＤ用粉末であって、該プラズマスプレーＰＶＤ用粉末のＢＥＴ比表面積が、前記２次粒子の平均粒子径から算出した外部比表面積の１００倍以上１５０００倍以下であるプラズマスプレーＰＶＤ用粉末。 （もっと読む）

【課題】窒素のような安価な放電ガスを用いても、高密度プラズマが達成出来、良質な薄膜を高速で製膜出来る、誘電体被覆電極及びそれを用いたプラズマ放電処理装置の提供、そして、これにより良質で緻密な薄膜を有する基材を安価に提供する。
【解決手段】本発明の誘電体被覆電極、すなわち、導電性の金属質母材を誘電体で被覆した角筒型の誘電体被覆電極であって、前記誘電体の空隙率が１０体積％以下であることを特徴とする誘電体被覆電極及びそれを用いたプラズマ放電処理装置を用いて薄膜を形成させる。 （もっと読む）

【課題】基板に製膜される膜の厚さを効果的かつ効率的に均一にすることができる製膜装置の膜厚調整方法を提供することを目的とする。
【解決手段】コンベア７によって搬送される基板３に製膜される膜の原料ガスを吹き付けるノズル３９を有するインジェクタ３５と、外側に形成される前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７に案内されて吹き付けられた原料ガスを基板３とインジェクタ３５との間から排気する前後一対の排気流路３７と、前後一対の排気流路３７を流れる流体間のバランスを測定する圧力差測定部５３と、圧力差測定部５３が測定したバランスが所定の範囲に収まるように前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７の流量を調整する制御部４９と、が備えられている。 （もっと読む）