【課題】ランニングコストや生産性を向上した高温媒体ＣＶＤ法を行う化学蒸着装置を提供する。
【解決手段】減圧状態の処理チャンバー内のガス導入ヘッド３１から導入された原料ガスが、エネルギー印加機構５により所定の高温に維持された高温媒体４の表面に接触するか表面付近を通過する際に生じた生成物が、基板ホルダーにより保持された基板９の表面に到達して薄膜が作成される化学蒸着装置において、複数のガス導入ヘッド３１を介して処理チャンバー内に原料ガスを導入すると共に、各ガス導入ヘッド３１からの原料ガスの導入量を独立して制御する。 （もっと読む）

【課題】ランニングコストや生産性を向上した高温媒体ＣＶＤ法を行う化学蒸着装置を提供する。
【解決手段】減圧状態の処理チャンバー内のガス導入ヘッド３１から導入された原料ガスが、エネルギー印加機構５により所定の高温に維持された高温媒体４の表面に接触するか表面付近を通過する際に生じた生成物が、基板ホルダーにより保持された基板９の表面に到達して薄膜が作成される化学蒸着装置において、ガス導入ヘッド３１を高温媒体４に沿って配置することで、原料ガスの使用効率を向上させる。 （もっと読む）

本発明は、静止第１電極（３）及び第２可動性電極（１８）を備えたコーティング装置のための電極構成を含み、コーティング中、これらの電極の主表面は互いに対向し、第２電極（１８）は対向する主表面に平行な平面に沿って移動し、主表面を横断して走る電極の少なくとも１つの端面には電気シールド（１２、１９、１３）が設置され、電気シールドは１つの電極の端面に対して少なくとも部分的に平行に延び、シールドの少なくとも一部分（１４）は可動性に形成される。
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【課題】原料ガスを周辺部から導入した場合に、成長室の被成膜基板面上のガス濃度分布を均一化することができ、成膜厚や組成比を向上させることができる気相成長装置及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シャワーヘッド２０は、外周において環状に設けられて原料ガスが導入されるIII 族系ガス外環流路２３ａ・Ｖ族系ガス外環流路２４ａと、この内側で原料ガスを通す開口を有する開口付き仕切りと、さらに内側に位置する原料ガスのIII 族系ガスバッファエリア２３ｂ・Ｖ族系ガスバッファエリア２４ｂと、複数のIII 族系ガス吐出孔Ｈ３・Ｖ族系ガス吐出孔Ｈ５を有するシャワープレート２１とを備えている。III 族系ガスバッファエリア２３ｂ・Ｖ族系ガスバッファエリア２４ｂは、中心部の方が周辺部よりも高さが高い。 （もっと読む）

【課題】作業性良く迅速にシート体に所定の処理ガスによる表面処理を実施でき、前記処理ガスが装置本体の外部周囲に漏出することも防止できる画期的なシート処理装置。
【解決手段】装置本体Ａの処理室２の搬入口４及び搬出口５を夫々覆う搬入側補助室６及び搬出側補助室７を設け、搬送手段によりシート体３を前記搬入側補助室６を通過して処理室２内に順次搬入しつつこの処理室２内から前記搬出側補助室７を通過して順次搬出して装置本体Ａ内にシート体３を連続的に搬送通過させ得る構成とし、前記処理室２には、この処理室２内を搬送通過するシート体３の少なくとも一面側に、このシート体３の幅方向に噴出領域を有しこのシート体３に向けて所定の処理ガスを噴出する噴出ノズル部９と、この噴出ノズル部９に対して前記シート体３の搬送方向前方側若しくは後方側の近傍位置に吸入口10とを設け、前記搬入側補助室６と搬出側補助室７とには夫々排気部８を設ける。 （もっと読む）

【課題】 基板の金属汚染を抑制するとともに、構成部品の破損を抑制することが可能な基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ガス供給ノズルが挿入される開口部が設けられた反応容器と、反応容器外にてガス供給ノズルに接続され反応容器内にガスを供給するガス供給体と、ガス供給体と反応容器との間に設けられガス供給ノズルを保持する継手部と、継手部が開口部を気密に塞ぐように継手部を反応容器側に押し付ける押付け部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板に対向するガス供給面から３種類の処理ガスを基板に供給して成膜処理を行うにあたり、膜厚及び膜質について高い面内均一性を得ることのできる成膜装置等を提供する。
【解決手段】
成膜装置の処理容器内に設けられた基板に対し、この基板に対向するガスシャワーヘッドのガス供給面４０ａから互いに異なる第１の処理ガス、第２の処理ガス及び第３の処理ガスを供給してこれらの処理ガスを反応させ、前記基板の表面に薄膜を成膜する。このガス供給面４０ａは、互いに同一の大きさの正三角形からなる単位区画４０１に分割され、当該単位区画４０１を構成する各正三角形の３つの頂点に、第１の処理ガスを供給する第１のガス供給孔５１ｂ、第２の処理ガスを供給する第２のガス供給孔５２ｂ及び第３の処理ガスを供給する第３のガス供給孔５３ｂが割り当てられている。 （もっと読む）

【課題】高温であっても耐摩耗性を発揮することができる耐摩耗性皮膜およびこれを備えた工具、並びに、高温での耐摩耗性に優れた皮膜を製造するための装置を提供する。
【解決手段】基材上に形成され、金属窒化物とされた表層を備えた耐摩耗性皮膜であって、前記表層上に該表層を皮膜する最表層が設けられ、該最表層が、炭素が固溶された少なくともＬｉとＡｌとを含む複合酸化物であることを特徴とする耐摩耗性皮膜。 （もっと読む）

【課題】
基板処理装置に於いて、保守時等の蓋部の開閉が配管の切離し、接続作業なしに、行える様にし、作業の簡略化、作業時間の短縮を図り、保守時間を短縮して稼働率の向上を図る。
【解決手段】
開口部を有し、内部に基板を収納して処理する反応容器２と、該反応容器の前記開口部を気密に閉塞する蓋体５と、該蓋体に設けられ、前記反応容器内にガスを供給するガス供給部７と、前記反応容器に固定され複数のガス流路を有する第１ブロック５２と、該第１ブロックと対向する様前記蓋体に固定され、該蓋体の閉塞状態で前記第１ブロックの前記複数のガス流路のそれぞれに連通する複数のガス流路を有する第２ブロック５４と、該第２ブロックの前記複数のガス流路と前記蓋体の前記ガス供給部とを連結する複数の配管６５とを有する。
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【課題】基板に対してガスシャワーヘッドから原料ガスを供給し、Ｈｆ原子とＳｉ原子とを含む酸化膜を連続的に成膜するにあたり、基板上の成膜レートの低下を抑えること。
【解決手段】ガスシャワーヘッドの下面に冷媒を通流させ、ガスシャワーヘッドを冷却することによって、原料ガスから副生成ガスの生成する温度境界層を薄くして、副生成ガスの生成量を抑えると共に、ガスシャワーヘッドの下面への副生成ガスの付着速度を抑える。これにより、連続成膜時においても、副生成ガスのガスシャワーヘッドの下面への付着量が抑えられて、従って長期に亘って成膜レートの低下を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】処理室に処理ガスを導入する２重のガス導入部を有する基板処理炉であって、パージが困難な領域を少なくでき、効率的な基板処理を行うことができる基板処理炉を備える基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置は、処理室２０１と、処理室２０１内に処理ガスを導入するバッファ室２３７であって、複数のガス供給孔２４８ａが垂直方向に並んで設けられたバッファ室２３７と、バッファ室２３７の内部に配置され、バッファ室２３７内に処理ガスを導入するノズル２３３であって、複数のガス供給孔２４８ｂが垂直方向に並んで設けられたノズル２３３とを有し、上から平面図的に見た場合に、ガス供給孔２４８ｂの開口が、ガス供給孔２４８ａとガス供給孔２４８ｂの間の距離よりも、ガス供給孔２４８ａから離れているバッファ室２３７の壁２５１に対して向けられている。 （もっと読む）

【課題】 プラスチック製容器本体の内面の全面にプラズマを加速度を持って衝突させて、全面に十分なガスバリア性の薄膜を有するプラスチック製容器の製造法を提供する。
【解決手段】 外部電極と内部電極を備え、該外部電極は、プラスチック製容器本体の主要部よりやや大きめの相似形の空間を有する反応室を備え、また、該内部電極は、反応室内に配置され、かつ、内部電極は、複数の原料ガス吹き出し孔を備え、また、内部電極には原料ガス供給管が連設され、更に、反応室には真空源が排気管を介して接続され、外部電極には整合器を介して高周波電源が接続され、内部電極には原料ガス供給管を介して接地され、外部電極の周りには磁石が配置されている高周波ブラズマＣＶＤ装置を用いてプラスチック製容器本体の内面に十分なガスバリア性の薄膜を有するプラスチック製容器の製造法に関するものである。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生のために誘導結合型の電極を用いることにより、プラズマ形成ボックス内の壁面がエッチングされることを防止することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた筒体状の処理容器１４と、複数の被処理体Ｗを保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段２２と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段３８と、前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段６０とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記活性化手段は、前記処理容器の長手方向に沿って設けられるプラズマ形成ボックス６４と、前記プラズマ形成ボックスに沿って設けられる誘導結合型の電極６６と、前記誘導結合型の電極に接続された高周波電源６８とよりなる。 （もっと読む）

【課題】 水素化物気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）プロセスによってＩＩＩ-Ｖ族の材料を形成する方法を提供する。
【解決手段】 一実施形態において、処理チャンバ内の基板上に窒化ガリウム材料を形成する方法であって、金属源を加熱して、加熱された金属源を形成するステップであって、加熱された金属源が、ガリウム、アルミニウム、インジウム、その合金、又はこれらの組み合わせを含む、前記ステップと、加熱された金属源を塩素ガスにさらして、金属塩化物ガスを形成するステップと、基板を金属塩化物ガスと窒素前駆ガスにさらして、ＨＶＰＥプロセス中、基板上に金属窒化物層を形成するステップとを含む、前記方法が提供される。前記方法は、更に、金属窒化物層を形成する前の前処理プロセス中、基板を塩素ガスにさらすステップを提供する。一例において、処理チャンバの排気コンジットは、前処理プロセス中、約２００℃以下に加熱される。 （もっと読む）

【課題】透明基材に配したＩＴＯ透明導電層の抵抗値を低減し、導電性の向上を図ったＩＴＯ透明導電層を備える透明電極基材を提供すること。
【解決手段】透明基材１１及びこの一面に配した透明導電層１２を少なくとも備えた透明電極基材１０であって、前記透明基材１１と前記透明導電層１２との間には、遷移元素及び／又はＧａを含む酸化インジウムからなる少なくとも１層の中間層１３を有することを特徴とする透明電極基材を提供する。 （もっと読む）

基板上に薄膜材料を堆積するための方法を開示し、その方法は一連のガスフローを同時に薄膜堆積装置の配送ヘッドのアウトプット面から基板の表面に向けることを含み、この一連のガスフローは第一の反応性気相材料、不活性パージガス及び第二の反応性気相材料を少なくとも含み、第一の反応性気相材料は第二の反応体気相材料で処理された基板の表面と反応することができる。このような方法を実施することができる装置も開示される。
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ALD装置内において少なくとも２つのコーティングモジュールの間のアラインメント又は位置関係を維持するための装置であって、
コーティングセクションにある複数のコーティングモジュール、コーティングモジュールを支持するための少なくとも第一のバー及び第二のバー、及び、バーを支持するための少なくとも第一のバー取り付け構造及び第二のバー取り付け構造、を含み、
コーティングモジュールの各々は第一のバー及び第二のバーによって支持されており、少なくとも２つのコーティングモジュールと第一のバー及び第二のバーとの組み合わせはコーティングモジュールのアウトプット面についてのコーティングセクション形状を画定する、装置。このような装置の製造方法も開示される。
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【課題】常圧プラズマ膜蒸着プロセスと高品質膜を有し、大気環境において薄膜蒸着を行う膜コーティングシステムとその隔離装置を提供する。
【解決手段】第１電力を発生する本体、第１作動流体、第２作動流体、前記第１作動流体をガイドして前記本体を通過し、第１作動領域を形成する第１ガイド部、及び前記第２作動流体をガイドして前記本体を通過する第２ガイド部を含み、前記第２作動流体が前記本体より発生された前記第１電力によって励起され、第２作動領域を形成して前記第１作動領域を隔離する隔離装置。 （もっと読む）

基板上に薄膜材料を堆積させるための方法を開示し、その方法は、一連のガスフローを同時に薄膜堆積装置の配送ヘッドのアウトプット面から基板の表面に向けることを含み、前記一連のガスフローは第一の反応性気相材料、不活性パージガス及び第二の反応性気相材料を少なくとも含み、前記第一の反応性気相材料は前記第二の反応性気相材料で処理した基板表面と反応することができ、１つ以上のガスフローは前記基板の表面を前記配送ヘッドの前記面から分離することに少なくとも寄与する圧力を提供する。このような方法を実施することができる装置も開示される。
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光学膜又は光学アレイを製造する方法であって、第１薄膜を基板上に形成するために、実質的に平行な細長チャネルに沿って一連のガス流を同時に方向付けする工程、ここで該一連のガス流は、順番に、少なくとも第１反応ガス材料と、不活性パージガスと、第２反応ガス材料とを含み、該第１反応ガス材料は、該第１薄膜を形成するために、該第２反応ガス材料で処理された基板表面と反応することができる；第１光学特性を有する第１膜層の第１厚を生成するように、第１工程を複数回繰り返す工程、ここで該方法は大気圧で、又は大気圧を上回る圧力で行われる；第２膜層を生成するように、第１工程及び第２工程を繰り返す工程を含み；そして、該方法が実質的に大気圧で、又は大気圧を上回る圧力で行われる、光学膜又は光学アレイを製造する方法。
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