【課題】不純物が少ない金属膜を低温でかつ良好なステップカバレッジで成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】基板１上に気相状態の所定の金属元素を含む金属原料ガスを吸着させ吸着層２とする工程と、吸着層２に蟻酸を供給し、基板１上に所定の金属元素の蟻酸塩膜３を生成させる工程と、生成された蟻酸塩膜３に対し、還元雰囲気中でエネルギーを与え、蟻酸塩を分解して金属膜４を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】成膜中にプリコート膜とシャワーヘッドやサセプタとの反応等の不都合を生じさせずに、プロセス膜厚の面間ばらつきを抑制することができるＴｉ系膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】サセプタ２にウエハＷが存在しない状態でサセプタ２を加熱し、Ｔｉを含む処理ガスにより少なくともシャワーヘッド１０の表面にプリコート膜を形成する工程と、その後、所定温度に加熱したサセプタ２上にウエハＷを載置し、チャンバ１内に処理ガスを供給してウエハＷに対してＴｉ膜を成膜する工程と、サセプタ２にウエハＷが存在しない状態でチャンバ１内にクリーニングガスを導入してチャンバ１内をクリーニングする工程とを繰り返す。プリコート膜形成工程においては、サセプタ２の温度をＴｉ膜成膜工程の際の温度よりも低い温度で低温プリコート膜７１を成膜した後、Ｔｉ膜成膜の際の温度で高温プリコート膜７２を形成する。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を低コストで形成することができる堆積膜形成装置および堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】堆積膜形成装置１００は、反応容器１０１の円筒状基体１２０に対面する一方向に形成された主排気部１０９と、反応容器１０１の主排気部１０９とは異なる方向で、円筒状基体１２０に対面しない領域に形成された端部排気部１１１、１１２とを有している。主排気部１０９と端部排気部１１１、１１２から排気し、その排気バランスを調整することで、円筒状基体１２０の特に長手方向端部でのプラズマの均一性が向上し、堆積膜の均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】流体前駆物質をバーポライサに送出し、前駆物質を効率的に気化し、気化前駆物質を基板の表面に送出し、チャンバ内の上昇温度を維持しながら装置を排気し、パスウエイ（通路）に沿って前駆物質の不要な凝固または分解を阻止し、装置中の温度傾斜を回避する。
【解決手段】本発明は流体前駆物質の気化およびフィルムを適当な基板上に堆積する装置および方法に関する。特に、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化チタン（ＢＳＴ）フィルムのような金属酸化物フィルムをシリコン・ウエハ上に堆積して、高容量ダイナミック・メモリ・モジュールに有用な集積回路コンデンサを製作する装置および方法を企図している。 （もっと読む）

【課題】 成膜処理を繰り返しても、温度再現性が悪化し難い石英ヒーターを提供すること。
【解決手段】 発熱体２３が埋設され、被処理基板載置面２１ａ上に被処理基板Ｗが載置される有色石英ヒーター本体２１を備え、有色石英ヒーター本体２１の熱放射率を、被処理基板Ｗ上に成膜される薄膜の熱放射率以上とする。 （もっと読む）

【課題】シャワープレートの熱による変形を回避して、被処理基板に対して均一な処理を施す。
【解決手段】下段シャワー管の配置を、長いシャワー管３１と、短いシャワー管３２を、その底面から見て、行方向では上部の最初の一段目に真空容器1内の横軸方向に平行し、横軸の中心から割り振って、長いプロセス用ガス供給シャワー管３１を、隣接する誘電体の窓１９の中間の位置の間に一つおきにガス導入用の金属管２２が位置するように、隣り同士を離した状態で直列に配列する。真空容器1内の両端には、その位置に合致するように短い処理用ガス供給シャワー管３２を配設する。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッドのガス吐出孔の塞がりを防止することにより、供給される反応ガス流のばらつきの発生を抑制し、被処理基板上での膜均一性及び膜の再現性を確保し得る気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ装置１０は、複数のガス吐出孔Ｈ３・Ｈ５を配設したシャワーヘッド２０と、シャワープレート３０に対向して設けられ、かつ複数のプレート孔３１を配設したシャワープレート３０とを備え、シャワーヘッド２０からガス吐出孔Ｈ３・Ｈ５及びシャワープレート３０のプレート孔３１を通して反応室１内にガスを供給して被処理基板３に成膜する。シャワーヘッド２０のガス吐出孔Ｈ３・Ｈ５と、シャワーヘッド２０のガス吐出孔Ｈ３・Ｈ５に対向するシャワープレート３０のプレート孔３１におけるヘッド側表面孔３１ａとのいずれか一方が他方よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】膜厚及び膜特性の均一性を改善するガスディフューザを提供する。
【解決手段】ガス分散プレートは、ディフューザプレートの上流側と下流側との間の複数のガス流路とを含み、ガス流路は、上流面に第１の径を有し、第１の径よりも大きい第２の径を下流面に有する。プラズマのイオン化を強めるために、下流側に第２の径を有する中空カソードキャビティを含む。下流端部まで伸びるガス流路の中空カソードキャビティ（円錐体形状の孔）の深さ、径、表面積及び密度はディフューザプレートの中心部から縁部に向かって徐々に増加させて、基板全域での膜厚及び特性の均一性を改善することができる。 （もっと読む）

本明細書において、窒化アルミニウム製バッフルに関する方法及び装置が提供される。幾つかの実施形態において、半導体プロセス・チャンバで用いるためのバッフルが、窒化アルミニウムと金属酸化物結合剤とを含む本体を含むことができ、本体の表面上における金属酸化物に対する窒化アルミニウムの比は、該本体内における該比より大きいか又はこれと等しい。幾つかの実施形態において、本体は、中央ステムと、該中央ステムの下部に結合され、そこから半径方向外方に延びる外側環とを有することができる。幾つかの実施形態において、バッフルを製造する方法は、アルミニウム、窒素、及び金属酸化物結合剤を焼結して、その表面上に過剰な金属酸化物結合剤が配置されたバッフルの本体を形成し、表面から過剰な金属酸化物結合剤のバルクを除去するステップを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】低コストで短時間に均一な膜厚のエピタキシャル膜を得ることを可能とする。
【解決手段】チャンバと、ガス流を横断する方向に設けられた開度調節可能な複数のバッフル孔を有するバッフルと、各バッフル孔の開度を調節する開度調節手段と、チャンバ内に投入されたウェーハの温度を検出する温度検出手段と、開度調節手段におけるバッフル孔の開度から算出されたチャンバ内のガス流量と温度検出手段により検出されたウェーハ温度とをパラメータとして入力し、予め定められたシミュレーションモデルにしたがってエピタキシャル膜が最も均一となるときのバッフル孔の開度の最適状態を求め、これを開度調節手段に出力する制御手段と、を有してなる。 （もっと読む）

【課題】冷媒をシャワープレートの全域に流れるようにすることにより、シャワープレートの冷却を均一に行い、ガスのシャワープレートでの反応によるシャワープレートにおけるガス吐出孔の目詰まりを回避し得る気相成長装置を提供する。
【解決手段】冷媒バッファエリア２２ｂの周囲には、冷媒用リング状壁２２ｄを介して環状の冷媒外環室２７が設けられる。冷媒外環室２７は、冷媒導入口３８ａから冷媒が導入される冷媒外環導入室２７ａと、冷媒導入口３８ａの対向位置に設けられた冷媒排出口３９ａから冷媒が排出される冷媒外環排出室２７ｂと、冷媒外環導入室２７ａと冷媒外環排出室２７ｂとを区画する冷媒外環室隔壁２８とを備えている。冷媒外環室隔壁２８の一部には、冷媒外環導入室２７ａと冷媒外環排出室２７ｂとを連通する隔壁連通開口２８ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】目的とする場所以外での反応を抑制した、複数の原料ガスを使用する気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】第１原料ガスと、前記第１原料ガスと異なる第２原料ガスと、を用いて基板の上に成膜する気相成長装置であって、前記基板が設置される反応室と、前記反応室に連通し、前記第１原料ガスを導入する第１原料ガス導入路と、前記反応室に連通し、前記第２原料ガスを導入する第２原料ガス導入路と、前記第１原料ガス導入路と前記第２原料ガス導入路との間において前記反応室に連通し、前記第１原料ガスとの反応速度及び前記第２原料ガスとの反応速度が、前記第１原料ガスと前記第２原料ガスとの反応速度よりも遅い分離ガスを導入する分離ガス導入路と、を備えたことを特徴とする気相成長装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】長寿命化を実現することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１１は、その内部で被処理基板Ｗにプラズマ処理を行う処理容器１２と、処理容器１２内に配置され、その上に被処理基板Ｗを保持する保持台１４と、保持台１４と対向する位置に設けられ、マイクロ波を処理容器１２内に導入する誘電体板１６と、保持台１４に保持された被処理基板Ｗの中央領域に向かってプラズマ処理用の反応ガスを供給する反応ガス供給部１３とを備える。ここで、反応ガス供給部１３は、保持台１４と対向する対向面となる誘電体板１６の下面６３よりも誘電体板１６の内方側の後退した位置に配置されるインジェクターベース６１を含む。インジェクターベース６１には、プラズマ処理用の反応ガスを処理容器１２内に供給する供給孔６６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】精密かつ高速に温度を制御して、温度調節機構に接する部分の温度の偏差を小さく保つことができる温度調節機構および温度調節機構を用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】冷却ジャケット６は、冷却流路６１と、ヒートレーン６２とを備える。ヒートレーン６２は、受熱部６３と、放熱部６４と、その間を折り返しながら往復する環状の細管に２相凝縮性作動流体（以下、作動液と称する）を封入して構成される。放熱部６４は冷却流路６１で冷却される部分、受熱部６３は放熱部６４より温度が高い部分である。受熱部６３では熱を受け作動液が核沸騰により自励振動し、循環しながら顕熱を輸送する。また、受熱部６３では液相が熱を吸収し気相へ相が転移し、放熱部６４では気相が熱を放し冷却され凝縮し液相へ相が転移し、気液の相転移により潜熱を輸送する。受熱部６３と放熱部６４の間で熱の輸送が行われ、短時間で温度を均一にする。 （もっと読む）

【課題】プロセスチャンバ内においてガス分配プレートを支持するための装置および方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１００内においてガス分配プレート２０を支持するための装置であって、チャンバと、中央領域と中央領域に存在する少なくとも１つの開口とを有するチャンバ内におけるバッキングプレート２８と、中央領域を有するチャンバ内におけるガス分配プレートと、バッキングプレートにおける少なくとも１つの開口内に存在しかつガス分配プレートの中央領域に係合する少なくとも１つの支持部材１５であって、ガス分配プレートが、少なくとも１つの支持部材によって吊り下げられる、少なくとも１つの支持部材と、を備える装置。 （もっと読む）

【課題】多重シール構造の内部微小リークを検出することができる基板処理装置の提供。
【解決手段】基板処理装置は、基板を処理する処理容器４７と、処理容器４７を閉塞する蓋部４６と、蓋部４６に設けられ処理容器４７内にガスを供給する第１ガス流路７２が形成された第１マニホールド７１と、処理容器４７に設けられ第１ガス流路７２に接続される第２ガス流路７４が形成された第２マニホールド７３と、第１マニホールド７１と第２マニホールド７３との間に第１ガス流路７２と第２ガス流路７４との接続部を囲むように設けられてシールする内側シール部材７６および外側シール部材７８と、内側シール部材７６と外側シール部材７８との間に不活性ガスを導入するガス導入路８０と、内側シール部材７６と外側シール部材７８との間に導入された不活性ガスを排気するガス排出路８１と、ガス排出路８１における排気圧を測定する圧力計８４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】フィラメントを使用せずに薄膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、チャンバー１と、前記チャンバー内に配置されたリング状のＩＣＰ電極１７，１８と、前記ＩＣＰ電極に電気的に接続された第１の高周波電源７，８と、前記チャンバー内に原料ガスを供給するガス供給機構と、前記チャンバー内を排気する排気機構と、前記チャンバー内に配置され、前記ＩＣＰ電極に対向するように配置されたディスク基板２と、前記ディスク基板に接続された第２の高周波電源６と、前記チャンバー内に配置され、前記ＩＣＰ電極に対向し且つ前記ディスク基板とは逆側に配置されたアース電極と、前記チャンバー内に配置され、前記ＩＣＰ電極と前記ディスク基板との間の空間を囲むように設けられたプラズマウォール２４，２５と、を具備し、前記プラズマウォールがフロート電位とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
特定の反応ガスの加熱不足によるウェーハ面内、ウェーハ間の膜厚不均一、及び膜質悪化を改善し、省スペースで安価な基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板５を収納し処理する反応室と、該反応室を画成する反応管２，３と、該反応管を収納するヒータ１と、前記反応室内にガスを導入するガス導入管８と、基板を前記反応室内で保持する基板保持具４と、前記ガス導入管に接続されて前記反応室内に設けられたノズル３３とを具備し、該ノズルは、内部流路と該内部流路の周囲に形成された外部流路を有する二重構造となっており、前記内部流路と前記外部流路は最上部で連通し、前記内部流路より導入されたガスは、該内部流路を上昇して最上部で折返し、前記外部流路を下降し、該外部流路の下部に設けられた排出口よりガスを前記反応室内に供給する。
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本発明の実施形態は、原子層堆積（ＡＬＤ）、例えばプラズマ支援ＡＬＤ（ＰＥ−ＡＬＤ）のための装置を提供する。一実施形態において、シャワーヘッドアセンブリが提供され、このシャワーヘッドアセンブリは、上面、底面及び中心から外縁部にかけての半径を有するシャワーヘッドプレートと、上面及び底面と流体連通している、シャワーヘッドプレートの中心からシャワーヘッドプレートの半径の約２５％までを占める第１ゾーン内に位置決めされた第１の複数の孔（各孔は、０．１インチ未満の直径を有する）と、上面及び底面と流体連通している、シャワーヘッドプレートの半径の約２５％からシャワーヘッドプレートのおよそ外縁部までを占める第２ゾーン内に位置決めされた第２の複数の孔（各孔は、０．１インチより大きい直径を有する）とを含む。
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【課題】大型の基材表面にも緻密で膜厚の厚い金属酸化物膜を形成できる大気開放型ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】大気開放型ＣＶＤ装置のノズル７のガス噴出部分に、不規則な位置に多数の孔を開けた多孔板２０を配置し、回転機構１７によりノズル７とともに多孔板自身も基材上部でその基板に対向する所定の高さで回転するよう構成する。これにより、基材表面に均一に原料混合ガスが吹き付けられ、基材表面に金属酸化物膜が均一に堆積する。 （もっと読む）