【課題】搬送対象物の搬送方向及び回転方向の拘束を容易に行い、延いては、高精度かつ複雑な搬送対象物の搬送方法を確立し、信頼性のきわめて高い搬送を可能とするシャワー型気相成長装置及びその気相成長方法を提供する。
【解決手段】カバープレート２６を載置しかつ搬送する搬送フォーク４０と、搬送フォーク４０と対向する側に設けられて、搬送フォーク４０にて搬送されたカバープレート２６を受け取って載置保持する保持部材５０とを備えている。カバープレート２６の外周には２対以上の搬送フォーク側切り欠き２６ａ・２６ａ及び保持部材側切り欠き２６ｂ・２６ｂが形成されており、かつ搬送フォーク４０及び保持部材５０には、対応する位置決め突起４６・４６及び保持部材突起部５２・５２がそれぞれ少なくとも一対設けられている。 （もっと読む）

ガス配送システム内で粒子を削減させるための方法及び装置が、本明細書内に提供される。いくつかの実施形態では、半導体プロセスチャンバ用ガス配気装置（ガス配気プレート又はノズル等）の製造方法は、ガスが貫通して流れるように適合された１以上の開口を有するガス配気装置を提供するステップを含む。スラリーが１以上の開口を通して流され、これによって複数の開口の側壁から損傷面を除去する。いくつかの実施形態では、ガス配気装置は、１以上の開口を通してスラリーを流す前又は後に酸化されてもよい。いくつかの実施形態では、ガス配気装置は、所望の時間の間、ガス配気プレートにＲＦ電力を供給することによってコンディショニングされてもよい。
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【課題】本発明の目的は、成膜時の熱により高周波分割電極に伸び等が生じた場合でも、反応ガスのリークを防止することが可能な薄膜形成装置を提供することである。
【解決手段】本発明では、成膜室２内の基板３の一方の表面側に配置された高周波電極４と、高周波電極４と対向するように配置された接地電極５とを備え、高周波電極４と接地電極５との間にプラズマ放電を行うことにより基板２上に薄膜が形成されるように構成された薄膜形成装置１において、表面電極部は、４分割された分割表面電極部４１から構成され、分割表面電極部４１は、分割表面電極部４１と互いに隣接する内側端部４１ａ，４１ｂに重ね合わせ部４６を有するとともに電極本体部４２上に配置される外側端部４１ｃ，４１ｄに段差部５０を有しており、分割表面電極部４１は、重ね合わせ部４６を互いに固定するとともに段差部５０を電極本体部４２上に移動可能に配置している。 （もっと読む）

【課題】異常放電の発生を抑制可能とするプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】反応室αを有するように、絶縁フランジ８１を挟んでチャンバ２と電極フランジ４から構成される処理室内に、被処理体１０を載置する支持手段１５と、これを上下移動する昇降機構と、被処理体に向けてプロセスガスを供給するシャワープレート５を収容する。チャンバの側壁に、反応室に被処理体の搬出入口１２を設けると共に、支持手段に一端が接続され、チャンバに他端が接続されるプレート部材４０を設ける。該プレート部材は、支持手段の外周縁部に設けた第一部位と、チャンバの側壁部に設けた第二部位、及び支持手段の移動に伴い、第一部位と第二部位とに電気的に接続する導電性の弾性部材からなる第三部位から構成されている。シャワープレートに配置されたガス噴出口６を通して導出されたプロセスガスがプラズマ化するように印加する電圧印加手段３３を備える。 （もっと読む）

【課題】 プラズマが不安定に成らない様にする。
【解決手段】 絶縁性物質で形成された円筒部材２と、プラズマガスを円筒部材２内に供給するためのガスリング３と、粉末材料とキャリアガスを円筒部材２内に供給するためのパイプＱ´が挿入されており、ガスリング３の中心軸に沿って設けられたプローブ１１´と、円筒部材２の外側に巻かれた誘導コイル４を備えており、誘導コイル４に高周波電力を供給することによって円筒部材２内に高周波誘導熱プラズマを発生させる様に成っている。パイプＱ´の少なくとも先端部分とプローブ１１´の中心孔Ｈ内の少なくとも先端部分のそれぞれに係脱可能な係合部を形成している。 （もっと読む）

【課題】 基板上への異物の吸着を抑制する。
【解決手段】 処理室内に基板の積層方向に沿って立設され、複数のガス供給口を有し、液体原料を気化させて得られる第１の処理ガスを処理室内に供給する第１のガス供給ノズルと、液体原料を気化させる気化器と、第１のガス供給ノズルと隣接して立設され、複数のガス供給口を有し、第２の処理ガス及び不活性ガスを処理室内に供給する第２のガス供給ノズルと、を備え、第１の処理ガスと第２の処理ガスとを互いに混合しないよう交互に供給して基板上に所望の膜を形成し、第１の処理ガスを供給する際には、第１の処理ガスの供給流量より多い流量で前記第２のガス供給ノズルから不活性ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】反応ガスノズルの水平軸に対する傾きを調整することができる技術を提供すること。
【解決手段】真空容器内に設けられた基板載置部に対向して水平に伸びるように設けられた反応ガスノズル３１の一端側を前記真空容器の壁部の挿入孔に挿入し、前記反応ガスノズル３１の一端側と真空容器の壁部との間にＯリングｒ１、ｒ２を設けて、このＯリングｒ１、ｒ２により、前記反応ガスノズル３１の一端側を真空容器内部の気密性を維持した状態で固定する。そして反応ノズル３１における前記挿入孔よりも真空容器の内部空間側の部位を下方側から支持する傾き調整機構２５を設け、前記支持位置の高さを調整することにより、前記反応ガスノズル３１の水平軸に対する傾きを調整する。 （もっと読む）

【課題】気相成長チェンバーに使用する気体噴射モジュールの提供。
【解決手段】気体噴射モジュールは、気体進入管路に設けた気相成長チェンバーに用いるものであり、それは最低一つの気体分布体と一つの気体噴射体を備える。前記気体分布体は第一軸方向に沿って最低一つの拡散室を備え、並びにそれぞれが気体進入管路と拡散室に連結する複数の気体進入孔を備える。前記気体噴射体は、第二軸方向に沿って最低一つの噴射管路を備え、拡散室と噴射管路を連結する為の気体流入通路を備え、並びに噴射管路と気相成長チェンバーを連結する為の気体流出通路を備える。前記気体分布体と前記気体噴射体を結合することにより、拡散室は気体流入通路と噴射管路により繋がり、且つ第一軸方向と第二軸方向の相互間は非平行となる。 （もっと読む）

化学気相成長反応器１０用の流入口要素２２は、反応器の上流から下流への方向に対して横切る面において互いに並んで延在する、複数の細長い管状の要素６４、６５から形成される。管状の要素は、ガスを下流方向に放出する入口を有する。ウェハキャリア１４は、上流から下流への軸を中心に回転する。ガス分配要素は、軸を通って延在する中央面１０８に対して非対称であるガス分布パターンを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】インジェクター本体の長さ方向に均一な濃度のガスを供給することの可能なガスインジェクター及びこのガスインジェクターを備えた成膜装置を提供する。
【解決手段】ガスインジェクター３１のインジェクター本体は、ガス導入口を備えると共にガス流路を構成し、ガス流出孔は、インジェクター本体の壁部に、その長さ方向に沿って複数配列されており、案内部材は、前記インジェクター本体の外面との間に、その長さ方向に伸びるスリット状のガス吐出口を形成するように設けられると共に、前記ガス流出孔から流出したガスを前記ガス吐出口に案内する。 （もっと読む）

【課題】酸化剤の供給量や供給時間を増大させることなく酸化膜の被覆性やローディング効果を改善する。
【解決手段】少なくとも１枚の基板を処理室内に搬入する基板搬入工程と、前記基板を加熱しながら第１の反応物質と酸素原子を含む第２の反応物質とを前記処理室内に交互に供給して前記基板上に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、前記基板を前記処理室内から搬出する基板搬出工程と、備え、前記酸化膜形成工程では、基板温度が前記第１の反応物質の自己分解温度以下であり、前記第２の反応物質に紫外領域の光を照射することを特徴とする半導体デバイスの製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】電源が大きくなるのを抑制しながら、成膜速度を大きくするとともに、膜厚および膜質が不均一になるのをより有効に抑制することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】このプラズマ処理装置１は、基板１０を保持することが可能な上部電極３と、上部電極３と対向するように設置され、上部電極３と対向する部分に複数の凸部４ａおよび複数の凹部４ｂが形成される下部電極４とを備えている。また、下部電極４の凸部４ａには、原料ガスを供給するためのガス供給口４ｃが形成されるとともに、下部電極４の凹部４ｂには、未反応ガスや、負イオン、悪性ラジカルおよびフレークを排出するためのガス吸引口４ｅが形成されている。 （もっと読む）

【課題】少ない工程で、水を使用せず、しかも繊維品の風合いや強力を損ねることなく、深色性とその耐洗濯性に優れた繊維品を提供する。
【解決手段】大気圧下の窒素又は空気の雰囲気中でグロー放電或いはアーク放電を行ってプラズマ化ガスを生成した後、このプラズマ化ガスにケイ素化合物をキャリアガスとともに気体状態で混入して複合プラズマ化ガスを生成し、この複合プラズマ化ガスを着色された繊維品２０に対して照射するプラズマ処理を行うことにより上記繊維品の表面にケイ素酸化物Ｂの被膜を形成して、繊維品を深色化する方法。上記ケイ素化合物が１分子中にケイ素を１原子又は２原子含む化合物であり、上記プラズマ処理がプラズマ処理面積１ｍ²当たりケイ素２０ｍモル以上１２０ｍモル以下の量のケイ素化合物を含む。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス周期を延長し、メンテナンス性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様によれば、基板を積層載置して収容する処理室と、前記基板の積層方向に沿って立設され、前記処理室内に処理ガスを供給するガスノズルと、前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、を備える基板処理装置であって、前記ガスノズルは、前記処理室内に処理ガスを導入する複数のガス供給口を有する第１のノズル部と、前記第１のノズル部より外径が細い第２のノズル部とを有し、第１のノズル部及び前記第２のノズル部はノズル接合部にて、前記第１のノズル部が処理ガスの流れの下流側となるよう互いに接合され、前記第２のノズル部の外周に前記ノズル接合部を補強する補強部材を設けることを特徴とする基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】
基板処理装置に於いて、ガスノズルの交換を容易とし、作業時間を短縮し、作業者の負担を軽減し、更にガスノズルの損傷の虞れを軽減する。
【解決手段】
基板７を収納する処理室１と、該処理室の下方に気密に連設されるロードロック室４と、前記処理室に立設され処理ガスを供給するガスノズル１１とを具備し、前記ロードロック室の天板部４ａには前記処理室に開口するガスノズル保持孔が垂直方向に形成され、前記ガスノズルは前記ガスノズル保持孔に下方から貫通し、該ガスノズル保持孔により前記ガスノズルの下端部が前記処理室、前記ロードロック室に対して気密になる様に保持され、前記ガスノズルの下端部に連絡孔が穿設され、前記天板部にはガス供給源と接続されるガス流路１９が形成され、該ガス流路は前記連絡孔を介して前記ガスノズルに連通する。
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【課題】半導体ウェハ等の基板の熱処理を均一に行うことができる基板の熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理炉２の下方にロード空間３を設けた熱処理装置である。ボート４の直下に、半導体ウェハＷの軸線Ｌ１に対して軸対称にノズル６３を配置して、ガス供給管６１から供給されたプロセスガスを、半導体ウェハＷに対して軸対称に供給する。 （もっと読む）

【課題】金属を含む原料ガスの供給量及び供給速度を向上させて効率的に且つ迅速に成膜処理を行ってスループットを向上させることが可能な処理ガス供給系を提供する。
【解決手段】金属を含む原料ガスを用いて被処理体Ｗに成膜処理を施すための処理容器１４に向けて原料ガスを供給するための原料ガス供給手段７０を有する処理ガス供給系５６において、原料ガス供給手段７０は、処理容器１４に向けて原料ガスを流すための原料ガス通路８８と、原料ガス通路の途中に設けられてピストン運動によって原料ガスを昇圧する昇圧器９０と、昇圧器９０よりも下流側に設けられた供給用開閉弁９２とを備える。これにより、原料ガスの供給量及び供給速度を向上させて効率的に且つ迅速に成膜処理を行う。 （もっと読む）

【課題】パージガスがシャワーヘッド内部を経由しないで、成長室に吐出されることにより、シャワーヘッドのカバープレート側の表面に原料ガスが付着することがなく、シャワーヘッド作製にかかる時間、手間、およびコストを低減し、かつメンテナンス性に優れた気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】シャワーヘッド２０とカバープレート３０との間には、パージガスが導入されるパージガス分配室３２ａが設けられ、パージガス分配室３２ａには、シャワーヘッド２０の複数の原料ガス流路２１ｂとカバープレート３０のプレート原料ガス流路３１ｂとを互いに連通する連通管３１ｄが設けられている。カバープレート３０のプレート原料ガス流路３１ｂを除く領域には、パージガス分配室３２ａのパージガスを成長室７に供給するプレートパージガス流路３２ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】フラットパネル処理用のガス分配プレートの大型化に伴う製造コストの増大を抑制した効率的なガス分配プレートを提供する。
【解決手段】ガス分配プレートは、拡散プレート１５８の上流側部２０２と下流側部２０４の間を通る複数のガス通路１６２を有する拡散プレートを含む。少なくとも１つのガス通路は、オリフィス穴２１４によって結合した第１穴と第２穴を含む。第１穴は拡散プレートの上流側部から延び、第２穴は下流側部から延びていおり、オリフィス穴の直径を、第１穴および第２穴の各々の直径よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】不純物が少ない金属膜を低温でかつ良好なステップカバレッジで成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】基板１上に気相状態の所定の金属元素を含む金属原料ガスを吸着させ吸着層２とする工程と、吸着層２に蟻酸を供給し、基板１上に所定の金属元素の蟻酸塩膜３を生成させる工程と、生成された蟻酸塩膜３に対し、還元雰囲気中でエネルギーを与え、蟻酸塩を分解して金属膜４を形成する工程とを有する。 （もっと読む）