【課題】主ガス流路と複数の枝ガス流路とのガスコンダクタンスの比を大きくしても、均一な処理が行えなえるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】処理容器１００と、所望のガスを供給するガス供給源９０５と、ガス供給源９０５から供給されたガスを分流させる主ガス流路３３０と、主ガス流路３３０の下流側に接続される複数の枝ガス流路（螺子３２５）と、複数の枝ガス流路（螺子３２５）に設けられ、枝ガス流路を狭める複数の絞り部（細管３３５）と、複数の枝ガス流路（螺子３２５）に設けられた複数の絞り部（細管３３５）を通過したガスを処理容器１００の内部に放出する、枝ガス流路あたり１または２以上のガス放出穴３４５とを有する。 （もっと読む）

【課題】大きな表面積を覆い、薄く、一様な厚さの重合パラキシリレンの膜を堆積させる。
【解決手段】本発明の堆積装置は、固体または液体の出発原料を蒸発させるための蒸発器（１）を備える。搬送ガスのためのガスライン（１１）が蒸発器（１）に延びる。搬送ガスは、蒸発した出発原料を分解チャンバー（２）に運び、その中で出発原料が分解される。この堆積装置は、更に、プロセスチャンバー（８）を備える。プロセスチャンバー（８）は、搬送ガスによって運ばれる分解生成物が入るガス注入部（３）と、重合させられる分解生成物で覆われることになる基板（７）を支持するためにガス注入部（３）に対向して支持面（４’）を持つサセプタ（４）と、ガス排出口（５）とを有する。ガス注入部（３）は、支持面（４’）と平行に広がるガス放出面（３’）を有する平面ガス分配器を形成し、ガス放出面（３’）全体に渡って複数のガス放出ポート（６）が分布する。 （もっと読む）

【課題】噴霧法を用いて膜原料を溶解した溶液を噴霧させる薄膜作製炉である。溶媒を使用するので噴霧直後に溶媒は気化し膜原料の微細な粒子は基材に接近させるとき過熱された基材に気体状態で基材表面への常温常圧の表面蒸着および浸透蒸着方法を提供する。
【解決手段】薄膜の製法については多種の製法、イオン、スパッタリング、真空等の製法が用いられている。原点に返り室温下での製法を用いる。このことは炉３の構造、加熱温度、空圧、溶媒の質量、基材の軟化点、蒸着に用いる先端ノズル５の改良および過熱温度、空圧、溶液量、噴霧距離等を勘案して炉３の開閉と噴霧時の温度と溶液量のおよび温度、空圧、軟化点の確認との一致、噴霧時の距離。以上の技術的一致点にて蒸着することにより既存の表面蒸着ではなく、浸透蒸着を可能にする。 （もっと読む）

【課題】万が一シャワープレートが割れても、毒性ガスが装置外部に放出するのを防止することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１とスペーサ１ｂとアッパープレート１ａとから構成される処理容器の上部開口を閉鎖するようにシャワープレート７を配置し、シャワープレート７の開口部９からチャンバー１内にプラズマ励起用ガスを放射する。シャワープレート７の外側に配置されたスロットアンテナ１２にマイクロ波を供給してプラズマを発生し、スペーサ１ｂの内壁と、シャワープレート７の外周面との間の第１の隙間１６、スロットアンテナ１２の放射面と誘電体カバープレート６との間の第２の隙間１９の大気をガス排気口１８，２２からガス吸引装置２８により吸引し、ガス除害装置２９により毒性ガスを除害することにより、シャワープレート７が割れても有毒な毒性ガスがプラズマ処理装置５０の周辺に放出されることがない。 （もっと読む）

【課題】クリーニングレートの低下を防止したシャワープレートを提供する。
【解決手段】シャワープレートの空隙部内全面における陽極酸化皮膜表面での腐食ガス等のガスと陽極酸化皮膜との酸化膜等の反応生成物の発生を防止するため、アルミニウムまたはアルミニウム合金の表面に陽極酸化皮膜が形成されたシャワープレートの陽極酸化皮膜の細孔を水和物で封孔処理し、ＪＩＳ−Ｈ８６８３−３の封孔度試験方法によるアドミッタンス値が２０μＳ以下となるように構成する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上に膜を効率よく形成することができる加熱装置およびこれを具備した膜形成装置を提供する。
【解決手段】支持台２６上に載置されたガラス基板２４の表面２５に、このガラス基板の軟化点温度よりも高い高温ガスを垂直に吹き付ける加熱装置を有し、高温ガスとともに加熱分解して膜堆積を発生する堆積用ガス４３を前記ガラス基板の表面に同時に吹き付ける膜形成装置である。 （もっと読む）

【課題】容器の内面成膜の不均一性を改善することを課題とし、とりわけ、真空成膜装置におけるガスの供給管の工夫により、成膜ガスの流動分布のムラを減らして、容器内面の膜質と膜厚を均一化することで、成膜される容器の品質向上に役立つガス供給管を提供する。
【解決手段】ガス供給系主配管のプラズマ処理側に先端配管部を有し、該先端配管部内には、主管と主管から分岐した複数の枝管と各枝管の先端に取り付けた側壁部ノズルがあって、該側壁部ノズルは主管の中心軸の回りの先端配管部外径を超えない円周上に配置され、各側壁部ノズルからの噴出ガスが、該円周上の略接線方向に回転対称の方向で噴き出すように設置する。 （もっと読む）

【課題】キャリアガス供給管の出口圧力を緩和することにより、液面の激しい動揺を常時抑制する。
【解決手段】液体原料を収容するタンク２６０と、前記タンク２６０内の液体原料中にキャリアガスを吹き込んで液体原料を気体化するキャリアガス供給管３００と、前記キャリアガス供給管３００のガス吹込口に取り付けられ、多孔化且つ細分化された複数の出口流路によりキャリアガス供給管３００の出口圧力の上昇を緩和する圧力緩和機構と、前記タンク２６０に接続され、前記液体原料の気体と前記キャリアガスとの混合ガスを、基板を処理する処理室に供給する原料ガス供給管２３２ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】筒状の放電空間を有するプラズマ処理装置において、処理空間の圧力に関わらず、放電空間より基端側の部分で異常放電が生じるのを防止する。
【解決手段】筒状の隔壁２１の先端部に放電生成部３０を設け、基端側空間２１ａと処理空間１０ａを隔壁２１で仕切る。第１電極３１を収容する筒状の誘電部材３３の基端部３３ｂの外周に環状閉塞部３６を一体に接合する。第２電極３２の基端部に設けた環状の連結部３５を隔壁２１の取り付け穴２４ａの周辺に連結する。環状閉塞部３６と環状連結部３５の間に第１シール部材９１を挟み、これら環状閉塞部３６及び環状連結部３５を第１ボルト８１で連結する。 （もっと読む）

【課題】プラズマビームにより基体を被覆及び表面処理する。
【解決手段】プラズマトーチ（４）を具えた加工室（２）を利用できるようにし、プラズマガスを前記プラズマトーチ（４）を通って送り、その中で電気ガス放電、電磁気誘導又はマイクロ波により加熱して、プラズマビーム（５）を生成させ、前記プラズマビーム（５）を、加工室中に導入した基体（３）上に送り、前記利用できるようにしたプラズマトーチ（４）が固体材料粒子をプラズマ溶射するための電力を有し、前記被覆及び／又は表面処理の間、前記加工室（２）中の圧力が０．０１〜１０ｍｂになり、液状又はガス状の少なくとも一種類の反応性成分を前記プラズマビーム（５）中に注入し、前記基体（３）の表面を被覆し又はそれを処理する。 （もっと読む）

【課題】カソード電極を最適化して高密度なプラズマを生成する。
【解決手段】アノード電極を凹凸形状とすることによって、ホローカソードを形成し、カソード面へのイオン入射により放出さる電子を凸部と凹部からなるカソード電極間に閉じ込め、高密度電子の空間を形成することができる。この高密度電子空間に反応ガスを噴出させることで高密度のプラズマを生成する。カソード電極において、凸部を形成する全ての突出部は、アノード電極側の端部の高さレベルを同一とする。また、凹部を形成する底面は、突出部の端部の高さレベルからの距離を異にする複数の底面部分を含む構成とする。 （もっと読む）

【課題】ロール状回転電極を用いたプラズマ放電処理装置による成膜において、ロール回転電極の回転精度による膜厚のばらつきを極小化することを提供する。
【解決手段】回転するロール電極１０Ａ，１０Ｂと対向する電極間に電圧を印加してプラズマ放電を発生させる放電空間１００と、該放電空間１００を搬送・通過する基材Ｆと、該放電空間に処理ガスＧ′を供給する処理ガス供給手段３０を有するプラズマ放電処理装置１を用い、搬送・通過する基材上に、少なくとも２回以上（２パス以上）成膜を繰り返し、層状に積層する際に、基材の搬送を一旦停止させ、ロール電極を所定量回転させて、基材とロール電極の相対位置をずらすことを特徴とする薄膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】腐食ガスを用いた処理を行う際の、シャワープレートとの反応生成物の形成量を抑制する。
【解決手段】シャワープレート１００は、アルミニウム板１０２の表面にアルマイト皮膜１１０が形成された構成を有する。アルマイト皮膜１１０は、細孔が形成された多孔質層を有さず、膜厚が０．３μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】基板支持体および該基板支持体を製造する為の方法が提供される。
【解決手段】本発明の一実施形態において、基板支持体は、電気的絶縁性被膜により覆われている基板支持面を有する伝導体を含む。基板支持面の中心にある被膜の少なくとも一部は、約８０から約２００ミクロインチ間の表面仕上げを有する。他の実施形態において、基板支持体は、メッキ処理されたアルミニウム本体を含み、そのアルミニウム本体は、上部に基板を支持するように適合された本体の一部に、約８０から約２００ミクロインチの表面仕上げ処理部を有する。 （もっと読む）

【課題】欠陥が低く、高次シランの混入のない高品質なアモルファスシリコン薄膜を得ることができるプラズマＣＶＤ装置、及びプラズマＣＶＤ法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置は、真空容器２と、該真空容器２内の真空度を保持する排気系と、被成膜基板５を置くための接地電極４と、該被成膜基板５を加熱するための加熱機構７と、原料ガスを供給可能な放電電極３と、該原料ガスにプラズマを発生させるために該放電電極３に高周波電力を印加する高周波電源９と、を備えた平行平板型プラズマＣＶＤ装置１において、該放電電極３には該真空容器２内に原料ガスを供給するための凹部８が設けられており、該凹部８の壁面には原料ガスを凹部内に供給するための原料ガス供給孔が設けられており、該原料ガス供給孔は原料ガスを該凹部８内に凹部の壁面の方向に向けて放出するように形成する。 （もっと読む）

【課題】 材料貯留槽内で発生させた原料ガスを、ほとんど圧力損失を生ぜしめることなく処理装置内へ供給することが可能な処理システムを提供する。
【解決手段】 被処理体Ｗに対して所定の処理を施すために処理容器２６内に蒸気圧の低い金属化合物材料Ｍよりなる所定の原料ガスを噴射するガス噴射手段４２を設けた処理装置２２と、前記ガス噴射手段に前記所定の原料ガスを供給するガス供給系２４とを有する処理システムにおいて、前記ガス噴射手段はシャワーヘッド部であり、前記ガス供給系は、前記シャワーヘッド部より上方に延びるガス通路５６と、前記ガス通路の上端部に取り付けられて内部に前記金属化合物材料を収容する材料貯留槽５８と、前記ガス通路を開閉する開閉弁６０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】金属ブロック同士の間に形成される流路にろう材をはみ出させずに、複数の金属ブロックを密着させて接合させることにより、高品質のガス供給部材を製造する。
【解決手段】複数の金属ブロック６０〜６２同士の接合面において、接合面の外縁よりも内側に離れた領域にろうペースト７５を塗布し、複数の金属ブロック６０〜６２同士を圧接させ、加熱することにより、複数の金属ブロック６０〜６２同士をろう付けさせてガス供給部材４０を製造する。 （もっと読む）

【課題】構造が単純で製作が容易であり、また例えばＡＬＤなどのプロセスを適用した場合におけるガスの置換性が良好で、スループットの向上に寄与できるガス供給装置等を提供する。
【解決手段】処理容器２内の載置台３上の基板Ｗに処理ガスを供給するガス供給装置４において、天板部材４２は載置台３と対向する位置に、ガスの拡散空間４０を構成するためにこの載置台３に向かって末広がりの形状に形成された凹部４２２を有し、ガス供給ノズル４１は凹部４２２の頂部から当該凹部４２２内に突出すると共に、この凹部４２２の周方向に沿って複数のガス供給孔４１１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】
保守時のガスノズルの取外しを容易に、且つ安全に行える様にした基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板を処理する処理室２４と、該処理室にガスを供給するガスノズル３と、該ガスノズルを覆い支持するノズル支持部２３と、該ノズル支持部に固定され、前記ガスノズルを保持するノズル保持具２と、該ノズル保持具に保持された前記ガスノズルを前記ノズル支持部からずらす為の位置ずらし治具とを有する。
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【課題】中空容器成膜装置のプラズマが不安定になったり成膜が不均一になるという欠点を無くするために、複数のガスの混合や切り換えの安定化を図るように、ガス供給管を改良した中空容器成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマ成膜を行う筐体とプラズマを発生させる為の高周波電源、ガス供給管及び真空排気装置を少なくとも備えて中空容器に成膜を行う装置において、ガス供給管内部に１本以上の別のガス供給管が同軸配置される形で、複数本のガス供給管を有する。 （もっと読む）