【課題】
窒化チタン薄膜などの作製に使用されるガス噴出板を用いたＣＶＤ装置において、ガス噴出板に形成される付着物の発生を抑制することができるＣＶＤ装置及び薄膜製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
基体を支持し加熱手段を有する基体ホルダーと、基体ホルダーに対向した位置に複数の穴を有するガス噴出板と、ガス噴出板を固定する支持体との間にガスを導入し、基体に前記ガスを用いて成膜する化学的気相蒸着装置において、主成分が炭素からなるシール材が、ガス噴出板と支持体との間に配置されている構造を有する。 （もっと読む）

【課題】基板に対してプラズマの分布を略均一にすることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ２と、電極フランジ４と、絶縁フランジ８１と、を有する処理室３と、処理室内を原料ガスが導入されるガス導入室３２と、基板が配置される反応室３１と、に区画するシャワープレート５と、を備えたプラズマ処理装置１において、電極フランジに形成されたガス導入口４２から原料ガスをガス導入室内に供給可能に構成されているとともに、ガス導入室を、ガス導入口が配される第１空間５１と、シャワープレートが位置する第２空間５２と、に区画するように圧力調整プレート５５が設けられ、平面視で圧力調整プレートの外周縁より外方へ突出する突出部６５が形成された原料ガス供給配管６０が第１空間に設けられ、突出部に形成されたガス噴出孔６３から原料ガスをシャワープレートに向かって供給可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】流量の時間変化を高精度に制御することにより、複数種類の薄膜が積層された高品質な積層構造を形成することが可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】当該気相成長装置は、処理対象物である基板１５を保持する反応室５０と、反応室５０に反応ガスを供給するためのガス導入部２１とを備えている。ガス導入部２１は、ガス供給管２０と、ガス供給管２０と反応室５０とをつないで反応ガスを流通させるガス流路拡大部とを含んでいる。ガス流路拡大部は、ガス供給管２０から反応室５０まで、基板１５の主表面に沿うとともに反応ガスの流通方向に交差する方向である平面方向での幅が、ガス供給管２０側から反応室５０側に向けて広がるように構成され、ガス流路拡大部の平面方向の幅を規定する側壁では、ガス供給管２０からガス流路拡大部へ導入される反応ガスの吐出方向に対する、側壁の傾斜角度のうちガス供給管２０側に位置する部分の傾斜角度が、側壁のうち反応室５０側に位置する部分の吐出方向に対する傾斜角度より小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】処理室内の温度上昇を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】原料ガスを導入して交流電圧を印加可能に構成された処理室３と、処理室内を原料ガスが導入されるガス導入室３２と、基板１０が配置される反応室３１と、に区画するシャワープレート５と、を備えたプラズマ処理装置１において、ガス導入室内に、冷却装置５０が設けられている。 （もっと読む）

複数のウェーハを支持する塔とチューブ状のライナとの間の縦型炉内の空間に処理ガスを注入するのに使用するためのガスインジェクタは、第１の遠位端と、第１の軸に沿って延在する第１の内腔とを有し、シリコン、石英、及びシリコンカーバイドで構成される群から選択された第１の単一の材料からなる、チューブ状ストローと、ストロー部に離脱可能に接続され、第１の材料とは異なる第２の材料からなるコネクタであって、第１の軸に垂直な第２の軸に沿って延在する第２の内腔を有し、第１の内腔と流体連結し、ガス供給ラインに接続可能な遠位端を有する供給チューブを含むコネクタとを含んでいる。
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堆積処理中に、材料が基板上だけでなく他のチャンバ構成要素の上にも堆積することがある。ＭＯＣＶＤチャンバでは、これらの構成要素の１つはガス分配シャワーヘッドである。シャワーヘッドは、不活性ガスおよび塩素を含むプラズマで発生させたラジカルでシャワーヘッドをボンバードすることによって洗浄することができる。プラズマを発生させるために、シャワーヘッドを基板支持体に対して負にバイアスするか、またはフローティングさせることができる。シャワーヘッドはステンレス鋼を含み、セラミックコーティングでコーティングすることができる。
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本発明は、ガス噴射装置及び該ガス噴射装置を採用した基板処理装置に関する。本発明に係るガス噴射装置は、チャンバーの内部に回転自在に設けられて複数の基板を支持する基板支持部の上部に設けられ、基板支持部の中心点を基準として円周方向に沿って配設されて基板に工程ガスを吹き付ける複数のガス噴射ユニットを備えるものであって、複数のガス噴射ユニットのうちの少なくとも一つのガス噴射ユニットは、工程ガスが導入される導入口が形成されているトッププレートと、トッププレートとの間に基板支持部の半径方向に沿ってガス拡散空間を形成するように、トッププレートの下部に配設され、導入口を介して流入して前記ガス拡散空間に拡散された工程ガスが基板に向かって吹き付けられるように、ガス拡散空間の下側に多数のガス噴射孔が形成されている噴射プレートと、ガス拡散空間を基板支持部の半径方向に沿って互いに隔離された複数の空間に仕切るように、トッププレートと噴射プレートとの間に設けられる隔壁と、を備え、隔離された空間ごとに前記工程ガスが独立して流入するように、導入口は複数設けられて隔離された空間ごとに配設されるところに特徴がある。
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気相蒸着プロセス時にフィルムを支持するためのカセットは第１及び第２のエンドプレートを有する中心シャフトを含む。各エンドプレート上のリブはフィルムの縁端を収容することができる渦巻状の溝を形成する。各リブは、実質的に直線の主縁端と、所定の幅寸法と、所定の平均厚さ寸法と、少なくとも２：１の幅対厚さのアスペクト比とを有する断面形状を有する。リブは自由端部に任意のフロースポイラを有する実質的に矩形又は実質的にくさび形とされうる。エンドプレート間のスポーク間の間隔は少なくとも３００ミリメートル（３００ｍｍ）であり、また、気相堆積温度においてフィルム基材の幅寸法より大きい。各リブの幅寸法はスポーク間の間隔の約０．５％から約２．０％の間である。
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【課題】被処理物の処理箇所のみに対して、安定して効率的にかつ簡単な構成及び制御にて生産性良く、低コストにて処理を行う。
【解決手段】プラズマヘッド１０に設けた反応空間１１に第１の不活性ガス１５を供給するとともに高周波電界を印加して反応空間１１から一次プラズマ１６を吹き出させ、第２の不活性ガスを主とし適量の反応性ガスを混合した混合ガス領域２０をプラズマヘッド１０内又はその近傍に形成するとともにこの混合ガス領域２０に一次プラズマ１６を衝突させて二次プラズマ２１を発生させ、発生した二次プラズマ２１を被処理物５の処理箇所に吹き付けて処理するプラズマ処理方法であって、プラズマヘッド１０と被処理物５を相対移動させて処理箇所を処理するに際して、一次プラズマ１６は連続して発生させ、処理箇所でのみ混合ガス領域２０を形成して二次プラズマ２１を発生させるようにした。 （もっと読む）

本発明は、ガス噴射装置及びこれを用いた基板処理装置に関する。本発明に係るガス噴射装置は、チャンバーの内部に回転自在に設けられて複数枚の基板を支持する基板支持部の上部に設けられるものであって、基板支持部の中心点を基準として円周方向に沿って配設されて基板に工程ガスを吹き付ける複数のガス噴射ユニットを備え、複数のガス噴射ユニットのうちの少なくとも一つのガス噴射ユニットは、工程ガスが導入される導入口が形成されているトッププレートと、トッププレートとの間に基板支持部の半径方向に沿ってガス拡散空間を形成するように、トッププレートの下部に配設され、導入口を介して流入してガス拡散空間に拡散された工程ガスが基板に向かって吹き付けられるようにガス拡散空間の下側に多数のガス噴射孔が形成されている噴射プレートと、を備え、工程ガスは、複数の個所からガス拡散空間に流入することを特徴とする。
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【課題】カーボンナノチューブを大面積の基板上に高速に形成する化学気相成長装置等を提供する。
【解決手段】化学気相成長装置１０１において、ノズル１０２は、炭素源ガスを供給し、ヘッド１０３は、表面に触媒を配置した基板１０６の一部を覆うスカート１２３を有し、ノズル１０２から供給された炭素源ガスを基板１０６の対向する領域に供給し、移動部１０４は、基板１０６に対してヘッド１０３を所定の方向へ所定の速度で相対的に移動させ、加熱部１０５は、基板１０６に対してヘッド１０３が移動される間、基板１０６の表面のうち、ヘッド１０３に対向し、かつ、触媒が配置された導電性部材を加熱する。 （もっと読む）

【課題】ガスを処理室内にある複数の基板の主面全体にわたって均一に接触させ、成膜均一性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】インナチューブ２内に設置され、供給量の多い処理ガスを導入する処理ガス導入ノズル２２ａの水平方向の角度を、基板を複数搭載したボートの回転動作と同期させて、変動させる。また、インナチューブ２内に設置され、供給量の少ない処理ガスを導入する処理ガス導入ノズル２２ｂの水平方向の角度は、基板の中心付近に向けて固定しておく。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の均一性と効率を高める、ガス噴射システム及び方法を提供する。
【解決手段】本システムは、プラズマ処理チャンバ１０、真空ポンプ、基板支持体１２、前記基板支持体に対面する誘電体部材２０、ガス噴射器２２、ＲＦ源１９、アンテナ１８、等で構成される。アンテナはＲＦ源からのエネルギを、前記誘電体部材を通して処理ガスに誘導結合させ、プラズマ状態にして基板を処理する。また、ガス噴射器は、中央領域の軸上排気口と、前記中央領域を取り囲む環状領域の軸外排気口と、を有する。さらに、ガス噴射器は複数のガス噴射口を有し、複数のガス噴射口は独立して変化する流量で処理ガスを供給できる。これにより、チャンバ内の複数領域へのガスの流れを独立に調整が可能であり、多様な要求を満たすガス供給の変更を可能にする。このようなプラズマシステムを用いることで前述の課題が解決できる。 （もっと読む）

【課題】酸化剤である水を噴射弁により直接噴射する際の不具合を解消した成膜方法及びその成膜装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを内部に保持し、ポンプ７１により減圧されている成膜室２内に、有機金属化合物を含む液体原料を噴射弁４１により直接噴射して減圧沸騰現象により前記液体原料を気化させて、基板表面に有機金属化合物を吸着させる吸着工程と、成膜室２内に、酸化剤である水と水よりも気化潜熱の小さい有機溶媒との混合溶液を噴射弁５１により直接噴射して減圧沸騰現象により前記混合溶液を気化させて、基板表面上に吸着した有機金属化合物を酸化する酸化工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスに要する労力を軽減した成膜方法、成膜装置、および、これらの成膜方法または成膜装置で得られたガスバリアフィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、長尺の基板をドラムの表面の所定の領域に巻き掛け、所定の搬送方向に搬送しつつ、この基板の表面に所定の膜を形成する成膜方法である。ドラムに対向して所定の距離離間して成膜電極が配置されており、成膜電極に高周波電圧を印加する高周波電源部、および膜を形成するための原料ガスをドラムと成膜電極との間に供給する原料ガス供給部が設けられている。膜の形成は、成膜電極に高周波電源部により電圧が印加されて形成される電界の範囲を、成膜に十分な量の反応ガスが供給された範囲よりも広くして行う。 （もっと読む）

【課題】動く基板を一定温度に維持したまま、基板上の膜を高温アニール等の熱処理をする、または熱ＣＶＤ膜を基板表面に形成するときに必要な高温のガスを短時間に短い流路で、作り出す流体加熱装置が必要であった。
【解決手段】ガスを多数の小さな流れに分割し、分割した流路を狭めて、流速を早めてビーム状にする。それを加熱された器壁に垂直に当たるように正面に器壁を配置する。再び一つに合流させたガス流をまた多数の小さな流れに分割し、再び器壁と熱交換させる。これを複数回繰り返す構造を加熱された板の二つ表面に作り、その両面に板を押し付けることにより、板の両面に流路を作ることで簡便に作製可能である。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、試料表面上にAu含有層を供するシステム及び方法を供することである。
【解決手段】 本発明は、試料表面上にAu含有層を供する方法を供する。当該方法は、Au(CO)Clを有する堆積流体を供する手順、前記試料表面の少なくとも一部の上に前記流体を堆積させる手順、及び、前記流体の少なくとも一部が上に堆積された前記試料表面に荷電粒子ビームを案内することで、前記試料表面上に前記Au含有層を生成する手順、を有する。
AU(CO)Clを荷電粒子誘起堆積用の前駆体として用いることによって、当技術分野において知られた方法と比較して、非常に高純度の金(Au)層を堆積することが可能となる。 （もっと読む）

ロールツーロールＣＶＤシステムは、ＣＶＤ処理の際、堆積チャンバを通して、ウェブを搬送する、少なくとも２つのローラーを含む。堆積チャンバは、少なくとも２つのローラーによって搬送される間、ウェブを通過させるための通路を画定する。堆積チャンバは、複数の処理チャンバのそれぞれ内に別個の処理化学物質を維持する、障壁によって隔離される、複数の処理チャンバを含む。複数の処理チャンバはそれぞれ、ガス流入ポートおよびガス排出ポートと、複数のＣＶＤガス源とを含む。複数のＣＶＤガス源のうちの少なくとも２つは、複数の処理チャンバのそれぞれのガス流入ポートに連結される。
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【課題】連通路に流すパージガスの流れを制御し、連通路の上壁面に堆積する副生成物を抑制し、半導体ウェーハ上のパーティクルの発生量を低減してＬＰＤの発生量を低減可能なエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの表面にエピタキシャル膜を成膜する反応ガスが反応室の供給口から供給される。反応ガスは、供給口に対向配置された排出口に向かって流される。一方、パージガスは、長さ方向が、この反応ガスの流れと略直交する方向に長い連通路に噴出される。このとき、連通路において、供給口側のパージガスの流量を排出口側のそれよりも多くする。 （もっと読む）

本明細書に開示された実施形態は、一般に、陽極処理されたガス分配シャワーヘッドを有する装置に関する。大面積平行プレートＲＦ処理室では、ＲＦ戻り経路を思い通りに配置することが難題でありうる。アークの発生は、ＲＦ処理室内で頻繁に起こる問題である。ＲＦ処理室内でのアーク発生を減らすためには、サセプタにストラップを結合してＲＦ戻り経路を短くすること、処理中にサセプタに対して、セラミックシャドウフレーム、絶縁シャドウフレームまたは陽極処理されたシャドウフレームを結合すること、および室壁に最も近いシャワーヘッドの端部に、陽極処理されたコーティングを付着させることが可能である。この陽極処理されたコーティングは、シャワーヘッドと室壁の間のアークの発生を減らすことができ、したがって膜の特性を改良し、付着速度を増大させることができる。
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