【課題】複数種の原料ガスを、複数の隔絶空間に同等のガス供給量で導入できて、同等のガス流量で基板に供給できるようにした簡単な構成の真空処理装置用のガス供給装置を提供する。
【解決手段】反応室１ａ内を臨むガス導入部４を備え、このガス導入部は複数の隔絶空間４ａ、４ｂを有し、各隔絶空間に、原料ガスを供給する、流量制御手段５１を介設したガス供給管５_１、５_２が夫々接続されると共に、各隔絶空間から夫々反応室に通じるガス導入口４２ａ、４２ｂが設けられている。また、各ガス供給管に、他の流量制御手段７１を介設した１本のガス管７を分岐した分岐管が７_１、７_２夫々接続され、このガス管を流れるガスの流量を、ガス供給管を流れる原料ガスの流量差より多くなるように制御する。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッド部の表面に不要な付着膜が堆積しても、その輻射率の変動を抑えて被処理体毎の温度変化を抑制することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】排気可能になされた処理容器４と、前記処理容器内に設けられて被処理体Ｗを載置するための載置台２４と、前記被処理体を加熱するための加熱手段３０と、前記載置台と対向するように前記処理容器の天井部に設けられて成膜用の原料ガスを供給するシャワーヘッド部６と、を有して前記被処理体の表面に所定の薄膜を堆積する成膜装置において、前記シャワーヘッド部の表面を、表面処理により輻射率が０．５以上になるように設定する。これにより、シャワーヘッド部の表面に不要な付着膜が堆積しても、その輻射率の変動を抑えるようにする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理で被処理基体上の層を、例えば窒化又は酸化するＡＬＤ法で、パージに要する時間を短縮できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ヘッド１６が、第１の空間Ｓ１内の第１の領域で第１のプロセスガスをステージ１４に向けて供給する。ヘッド１６は、第２の領域Ｒ２に退避可能である。ヘッド１６は、第１の空間Ｓ１内の第１の領域の上方の上部領域Ｒａと第１の領域の下方の下部領域Ｒｂとを画成する。供給源１８は、上部領域Ｒａに電磁界エネルギーを供給する。上部領域Ｒａには、第２のプロセスガスが供給される。ヘッド１６は、ステージ１４を覆い、且つ、下部領域Ｒｂに面する連通路Ｐの開口を覆う大きさを有する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの濃度の低下を抑制する。
【解決手段】原料ガス発生装置１０１は、容器１１１内の固体原料１０２を加熱し、ＣＶＤ加工用の原料ガスを発生させる。通気管１１３を介して容器１１１内に導入されたキャリアガスは、ガス拡散部材１１５の拡散体１３１により拡散され、開口部１１５Ａから鉛直下方向に噴出される。固体原料１０２から発生した原料ガスは、キャリアガスとともに固体原料１０２の上方から、通気管１１６を介して容器１１１の外に排出される。本発明は、例えば、ＣＶＤ加工用の原料ガスを発生する原料ガス発生装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】温度むらを生じることなく材料ガスの冷却を行うことができる冷却機構を備えた材料ガス供給用ノズル、該ノズルを備えた気相成長装置および該気相成長装置を用いた半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
材料ガス流通層は、材料ガスの吹き出し口と、吹き出し口に連通するガス流通通路とを有する。冷却媒体循環層は、ガス流通通路を覆う冷却媒体の循環通路を有する。材料ガス流通層は、吹き出し口側の端部において材料ガス流の上流側に凹んだ第１の凹部を有し、吹き出し口は、第１の凹部の端面に沿って設けられている。冷却媒体循環層は、第１の凹部と外縁が重なる第２の凹部と、第２の凹部を挟む両側の第２の凹部の周辺部にガス流通通路よりも外側に張り出した拡張部と、を有する。冷却媒体の循環通路は、第２の凹部の材料ガス流の上流側端部よりも下流側であって拡張部内に冷却媒体の循環の折り返し点を有する。 （もっと読む）

【課題】走行するパネル端部近傍で均一な蒸着方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの支持体２上に配置された、少なくとも１つのパネル１の表面を処理する方法に関し、ガス、液体または微粉固体材料を吹き付けることにあり、この場合、上記支持体はパネル端部を超えて突き出し、吹付け材料の障壁として作用する。吹付け材料は、パネルに平行で、パネルの全端部の近傍で外側の方向に付勢される。このようにして、エッジ効果は打ち消され、この処理によって、パネル中心における効果と同一効果を端部に沿って生成する。この処理はさらに、例えば、ＳｎＯ_２：ＦなどのＣＶＤ蒸着の形態を取ることもできる。 （もっと読む）

【課題】 シャワープレートの熱膨張による反りと温度上昇を防止し、シャワープレート上での生成物の成長を抑制して、被処理基板上に品質の安定した化合物半導体結晶を成膜できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 シャワーヘッドを保護するためのシャワープレートを備えた気相成長装置であって、シャワープレートは、複数のプレート孔を有する中央プレートと、中央プレートを保持する周辺プレートからなり、中央プレートの端面と、中央プレートの端面と向かい合う周辺プレートの側面との間に空間部を設け、空間部は中央プレートの熱膨張による伸長以上の空間を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】長尺基材の表面にプラズマＣＶＤ法によって薄膜を形成するにあたり、活性種をできる限り多く基材表面に供給して、高品質の薄膜を生産性高く形成できるプラズマＣＶＤ装置およびプラズマＣＶＤ方法を提供すること。
【解決手段】真空容器内に、冷却ドラムと、該冷却ドラムに対向して配置したプラズマ発生電極とを備え、長尺基材を前記冷却ドラム表面に沿わせて搬送しながら前記基材表面に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置であって、前記冷却ドラムと前記プラズマ発生電極とで挟まれる成膜空間を前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側から挟み込み、前記長尺基材の幅方向に延在する２枚の側壁を設け、前記側壁は前記プラズマ発生電極とは電気的に絶縁されており、前記２枚の側壁のうちいずれか一方の側壁に、プラズマの発生を抑制しながらガスを供給するプラズマ発生抑制型ガス供給口と、プラズマの発生を促進させながらガスを供給するプラズマ発生促進型ガス供給口とを有する。 （もっと読む）

【課題】欠陥が低く、高次シランの混入のない高品質なアモルファスシリコン薄膜を得ることができるプラズマＣＶＤ装置、及シリコン系薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】平行平板型プラズマＣＶＤ装置１には，放電電極３に凹部７が設けられ，該放電電極と接地電極１０との間に，アースカバー８が設けられ，このアースカバーには放電電極に設けられている凹部に相対向するように，貫通孔９が設けられている。また、薄膜の製造に当たっては、前述の装置で、真空容器を減圧下に保持し、真空容器内に該放電電極に設けられている該凹部の壁面より少なくとも珪素を含む原料ガスを凹部内に供給し、該放電電極に高周波電力を印加して、該凹部中において該原料ガスをプラズマ化し、該凹部中にプラズマを局在化させ，該プラズマ化した原料ガス中に含まれるＳｉＨ３ラジカルを基板上に到達させ、成膜する事により、前記課題を解決出来る。 （もっと読む）

【課題】ガス流出部の昇降時に、精度良くガス流出部の表面高さを維持しつつ、重量物であるガス流出部の落下を防止する停止機構を備えた気相成長装置を提供する
【解決手段】ガス流出部１０５を昇降するボールねじ２２の回転を強制的停止し、ガス流出部１０５の落下機構を備えた気相成長装置であって、ガス流出部１０５にシャフト２１を介して複数のボールねじ２２を相互に連結した上、それぞれのボールねじ２２とモータ２６とを連結するタイミングベルト２７の全てに複数のベルト破断検知センサ２８、２９、３０、３１を設置している。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチングによるクリーニングの頻度を低減させることができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、内部が真空に維持される成膜容器と、成膜容器の内部に配置される加熱部と、成膜容器の開口に取り付け可能な筒状のインジェクタと、インジェクタを介して成膜容器の内部に薄膜の原料である原料ガスを供給する原料ガス供給部と、インジェクタを介して成膜容器の内部に原料ガスと反応して薄膜を形成する反応ガスを供給する反応ガス供給部と、不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、を備え、インジェクタは、原料ガスが流れる原料ガス供給口と、反応ガスが流れる反応ガス供給口と、不活性ガスが流れる不活性ガス供給口と、を備え、不活性ガス供給口は、インジェクタと成膜容器との隙間に不活性ガスが流れるように、インジェクタの外表面に設けられていることを特徴とする原子層堆積装置。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣエピタキシャル成長装置に代表される誘導加熱により基板処理装置において、装置の高さを高くせずに基板載置領域の均熱長を確保する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内に収容され、複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持するボートと、処理室内で基板の収容領域を囲うように設けられ、筒状の側壁を有する被誘導体と、被誘導体を誘導加熱する誘導コイルと、を具備し、被誘導体の筒状の側壁の上端側及び下端側の厚さは、筒状の側壁の中央部の厚さより薄い。また、誘導コイルの上端側及び下端側は、中央部と比較して密に構成される。 （もっと読む）

【課題】高温条件下で行われるＳｉＣエピタキシャル膜成長において複数枚の基板を均一に成膜することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の基板を鉛直方向に夫々が間隔を成すように積層して保持する基板保持体と、前記基板保持体を収容し、該基板保持体に保持された複数枚の基板を処理する処理室と、前記処理室内へ処理ガスを供給する複数のガス供給穴が設けられ、鉛直方向に延在するガス供給ノズルとを備えた基板処理装置において、前記ガス供給ノズルは、複数のノズルユニットで構成され、複数のノズルユニットの夫々は、その表面が保護膜でコーティングされるよう構成する。 （もっと読む）

【課題】識別表記の視認性を阻害することがなく、プラズマ処理時において、識別表示を起点として生じる割れ等の弊害を防止することができるプラズマ処理装置用部品及び識別表示の刻印方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１内に配置される電極板３の背面に、断面形状がＵ字状の凹溝３１により形成された識別表示３０が付されており、凹溝３１は、深さＨに対する幅Ｗの比率が０．３以上２．０以下であり、その凹溝３１の底部３３の半径Ｒが３０μｍ以上の曲率半径で形成されている。 （もっと読む）

【課題】反応室内のＳｉＣ基板の配列領域に積極的にガスを供給し、ガス流れを最適化することで、基板上での原料ガスを消費しやすくし、基板面内でのガス流れを均等化し、積層された基板間の下方方向への流れ落ちを抑制するＳｉＣ縦型熱処理装置の提供。
【解決手段】炭化珪素膜を成長させることを可能とする反応室とその中に配置されたボートを有し、且つそのボートには、複数枚の基板１４が平行に縦積みで配置され、反応室内に設けられたガス供給ノズル６０，７０の基板の配列領域に設けられた第一のガス供給ノズルから少なくともシリコン原子含有ガスを供給し、ガス供給ノズルとは異なる箇所であって、基板の配列領域に設けられた第二のガス供給ノズルから少なくとも炭素原子含有ガスを供給して、基板上に炭化珪素膜を成膜する縦型基板処理装置において、反応室内の基板の配列領域に積極的にガスを供給し、ガス流れを最適化するための壁体３００を設ける。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度やエッチングの均一性を向上させる。
【解決手段】空隙を形成するために下部電極１０４と反対側に上部電極１１４を含むプラズマ処理装置において形成されたプラズマのフローコンダクタンスを制御する。下部電極１０４は、基板を支持するために構成され、ＲＦ電源１１０に結合されている。空隙に注入されたプロセスガスは、動作中にプラズマ状態に励起される。装置は、下部電極を同心円状に取り囲み、内部にスロットセットを有するグランドリングと、スロットを通してガスフローを制御するための機構１０８を含む。 （もっと読む）

【課題】ノズルを縦型反応管に適正に取り付ける方法を提供する。
【解決手段】マニホールド２０９にノズル２０を取り付けるに際して、保持治具１０をノズル２０の上下両端部に取り付け、ノズル２０の水平部をマニホールド２０９の取付口２１０に処理室２０１側から挿入し、上下の保持治具１０の前端面を処理室２０１の内周面に当接させることでノズル２０と処理室２０１の内周面とのクリアランスおよび平行を自動的に保持する。ノズル２０を保持治具１０で位置決めした状態で、ノズル２０の水平部を取付口２１０に設置された継手２１１に固定し、その後、上下の保持治具１０をノズル２０９から取り外す。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャルウェーハの平坦性を向上させるためのエピタキシャルウェーハの製造装置および製造方法、特にエピタキシャルウェーハのエピタキシャル層の膜厚均一性を制御する枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置および製造方法を提供することを主な目的とする。
【解決手段】 単結晶基板上にエピタキシャル層を気相成長するための反応室と、該反応室内に前記単結晶基板を水平に配置するためのサセプタと、気相成長用の原料ガス及びキャリアガスを前記反応室内に導入するためのガス導入路とを有する枚葉式エピタキシャルウェーハの製造装置であって、前記ガス導入路は、前記反応室に水平に開口する水平部と、該水平部から斜めに伸び、前記製造装置外部に開口する傾斜部からなり、該傾斜部が、水平である前記単結晶基板の配置面に対して２０度≦θ≦８０度となる傾きθを有することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造装置。 （もっと読む）

【課題】基板（特にＳｉＣエピタキシャル膜が形成された基板）の生産効率を向上させると共にガス供給口への膜の形成を抑制する。
【解決手段】複数の基板１４が縦方向に並んで配置される反応室と、反応室を覆うように設けられ、処理室を加熱する加熱部と、反応室内に複数の基板１４に沿うように設けられ、複数の基板１４が配置される方向に向けて第１ガスを噴出する第１ガス供給口６８を有する第１ガス供給管６０と、反応室内に複数の基板１４に沿うように設けられ、複数の基板１４が配置される方向に向けて第２ガスを噴出する第２ガス供給口７２を有する第２ガス供給管７０と、少なくとも第２ガスが第１ガス供給口へ向かう流れを抑制する第１遮蔽部と、を具備する熱処理装置。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ支持部の面内の温度分布を適切にする処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置は、処理室１０と、該処理室内に設けられたウェーハＷの支持部２２と、該支持部を加熱するヒータｈと、前記支持部に対向して設けられ、前記処理室に通じる複数のガス吹出孔１４を有するシャワープレート１２と、を備え、該シャワープレートにおける前記支持部に対向する表面は、前記支持部側からの輻射熱に対する反射率が相対的に異なる複数の領域を含む。 （もっと読む）