【課題】低圧力下においても、高い成膜レートを引き出し、高いガスバリア性を有する高分子フィルム積層体を製造するための真空成膜装置ならびに最適な高分子フィルム積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】高分子フィルム基材６にプラズマＣＶＤ法により薄膜を形成させる成膜室３と、成膜室に薄膜の原料を導入する原料噴出手段と、マイクロ波発生手段１２と、マイクロ波を受信するアンテナ機構の先端よりプラズマ噴出源のガスを噴出するガス噴射手段１３とを具備する真空成膜装置１を用いる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成部と成膜処理部の間に隔壁を配することによって被成膜基板にプラズマ生成部で発生する高エネルギー粒子が入射するのを抑制する構成を有する装置において、成膜分布を改善することを課題とする。
【解決手段】基板処理装置を、プラズマが生成される第一の空間、基板を載置する為の基板ホルダを有する第二の空間、第一の空間と第二の空間を分離する、内部に第三の空間を有する隔壁、第一の空間と第二の空間を繋ぐ前記隔壁に形成された複数の第一の孔、第二の空間と第三の空間を結ぶ前記隔壁の第二の空間に接する面に形成された複数の第二の孔、第一の空間に第一のガスを導入する第一のガス導入手段及び第三の空間に第二のガスを導入する第二のガス導入手段を有し、第一の孔に係わる単位面積当たりの開口率は、中心部より周辺部で大きい構成とする。 （もっと読む）

【課題】イオン種等の荷電粒子の影響を回避し得る反応種生成方法、および反応種生成装置、並びに反応種による処理方法、および反応種による処理装置を提供する。
【解決手段】希ガス１を励起種に励起させるための第１の反応容器１１と、第１の反応容器１１内でプラズマを生成させるための電源１２及び電極１３と、第１の反応容器１１にて希ガス１を励起させるときに生成された荷電粒子が、第１の反応容器１１外に漏れるのを抑制する接地されたメッシュ１４と、第１の反応容器１１にて励起された希ガス１を移送させる流路と、励起された希ガス１とプロセスガス３とが混合される第２の反応容器１６と、プロセスガス３をプロセス領域４に導入するプロセスガス供給流路１５とを備える。プロセス領域４にて、励起された希ガス１によってプロセスガス３から励起された希ガス１に比べて短寿命である反応種を生成する。 （もっと読む）

【課題】 チャンバ内で基板を処理するとともに蓄積した物質をチャンバ構成要素から洗浄する装置を提供する。
【解決手段】 本装置は、蓄積した物質をチャンバ構成要素から化学的にエッチングする反応性ガス化学種を生成するように適合した反応性化学種発生器、及び反応性化学種に曝露される鏡面研磨面をもつ少なくとも１つの構成要素を有する処理チャンバを含んでいる。好ましくは、チャンバ洗浄効率に対する効果を最大にするために、鏡面研磨面６４はガス分配プレート１２又はバッキングプレート１３のような構成要素の表面、及び/又は反応性化学種に曝露される表面積の割合の大きい複数の小さな構成要素（例えば、チャンバ壁ライナ２９、ガスコンダクタンスライン４８等）の表面である。更に好ましくは、反応性化学種が接触するはだかのアルミニウム表面すべてが鏡面研磨される。 （もっと読む）

【課題】均一な成膜を行うことができるＤＣアークプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】ＤＣアークプラズマＣＶＤ装置１は、プラズマガン４及び陽極部５と、反応容器３と、を備え、プラズマガン４及び陽極部５は、プラズマＰを発生させ、反応容器３は、プラズマガン４及び陽極部５が互いに対向するように取り付けられると共に発生させたプラズマＰをその内部で囲うように設けられた反応室６と、反応室６に隣接しその内部に基板２が配置される成膜室７と、を含んでいる。反応室６と成膜室７との間の対向壁部８ｃには、プラズマＰによって活性化させた原料ガスが通過する孔が複数形成され、反応室６の壁部８は、絶縁体で構成されている。このＤＣアークプラズマＣＶＤ装置１によれば、反応室６の壁部８に電流が流れ込んで放電空間内の電流密度が不均一になるのを抑制でき、成膜速度のばらつきを防止できる。 （もっと読む）

【課題】成膜ガス供給ノズル内壁におけるＳｉ薄膜の形成を抑制する。
【解決手段】処理室２０１内に設けられたコーティングガス供給ノズル２８０ｂによりコーティングガスを供給して処理室内の石英部材をコーティングし、処理室内に設けられた成膜ガス供給ノズル２８０ａにより成膜ガスを供給して基板上にエピタキシャル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】
シャワーヘッドのガス吐出孔の塞がりを防止することにより、供給される反応ガス流のばらつきの発生を抑制し、被処理基板上での膜均一性及び膜の再現性を確保し得る気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】
反応炉内に、複数のガス吐出孔を配設したシャワーヘッドと、上記シャワーヘッドに対向して設けられ、かつ複数のプレート孔を配設したシャワープレートとを備え、上記シャワーヘッドから、該シャワーヘッドのガス吐出孔及びシャワープレートのプレート孔を通して被処理基板を収容する成長室内にガスを供給して被処理基板に成膜する気相成長装置であり、基板保持部材の基板加熱ヒータによって加熱される領域より外側かつ、上記基板保持部材との対向面であって、上記シャワーヘッドにシャワープレートが近接して配置されている面において、低熱伝導の領域が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電源が大きくなるのを抑制しながら、成膜速度を大きくするとともに、膜厚およ
び膜質が不均一になるのをより有効に抑制することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】このプラズマ処理装置１は、基板１０を保持することが可能な上部電極３と、上部電極３と対向するように設置され、上部電極３と対向する部分に複数の凸部４ａおよび複数の凹部４ｂが形成される下部電極４とを備えている。また、下部電極４の凹部４ｂに絶縁部材１４が配置されている。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内に原料供給管が設置される気相成長装置において、ｐ型不純物のメモリー効果を抑えるとともに、不純物ドーピングを確実に行える気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、チャンバー本体３と、チャンバー蓋５と、チャンバー本体３内に設置されて薄膜が成長する基板９が載置されるサセプタ１１と、サセプタ１１に対向配置される対向面部材１３とを備え、サセプタ１１に基板９を載置した状態で基板９を加熱し、対向面部材１３とサセプタ１１とで形成される反応室に気相原料を導入する複数の原料導入流路３７、３９、４１とを備えた気相成長装置であって、複数の原料導入流路の少なくとも一つの流路３９をドーピング原料が供給されるドーピング原料導入流路とし、該ドーピング原料導入流路の流路壁に隣接させて熱媒体を通流させる熱媒体ジャケット４３を設けると共に熱媒体の温度を制御する温度制御装置を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】オゾンガスの酸化力低下を防止し、効率的に基板の酸化処理を行うことができるようにすることにある。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ２００を収容する処理室２０１と、処理室２０１内に設けられ、噴出孔２４８ｂを有するノズル２３３ｂと、ノズル２３３ｂの内側であって噴出孔２４８ｂの近傍に設けられる貴金属系触媒１０４と、ノズル２３３ｂにオゾンガスを供給するオゾンガス供給系２５２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】原料物質が格納された炉と、前記炉と連通されて前記炉で気化された原料物質を噴射するインジェクターと、前記炉の外側を囲むように設けられた高周波コイル部と、前記インジェクターの外側に設けられた抵抗式発熱部と、を含む原料供給ユニット及び原料供給方法を提供する。
【解決手段】本発明は、高周波誘導加熱法と抵抗発熱加熱法を混用して原料物質を気化させて供給するので、大容量の原料物質を用いることができて、薄膜厚さ及び薄膜品質の制御が容易である。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性や耐化学特性などの機能に優れた被膜を、安価に大面積の基材に対して形成可能であり、とくに凹凸のある立体形状の基材に対しても適用可能な被膜形成方法および装置を提供する。
【解決手段】噴出口から基材に向けて噴出させた不活性ガスに、高周波電圧を常圧下で印加して、不活性ガスをプラズマ化させることにより発生させたプラズマ化不活性ガスに対し、プラズマ化不活性ガスの噴射方向と交差する方向に反応ガスを供給して該反応ガスとプラズマ化不活性ガスを合流させることにより、反応ガスの少なくとも一部がプラズマ化されてなるプラズマ化反応ガスを発生させ、該プラズマ化反応ガスを、プラズマ化不活性ガスとともに基材に向けて吹き付けることにより、基材表面に、非晶質素材からなる被膜を形成することを特徴とする基材の被膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】従来のように薄膜が基板以外の広範囲な領域に形成されず、したがって容易にクリーニングすることのできる原子層成長装置を提供する。
【解決手段】原子層成長装置は、基板Ｓを、成膜容器１２内の第１の内部空間２２内に設けられた筒形状のリアクタ容器１４内の第２の内部空間１５内に配置する。リアクタ容器１４には、筒形状の内側の空間を筒形状の長手方向に沿って第１の層の空間と第２の層の空間とに区分けするための仕切板１５ｃが設けられ、２層構造となっている。原料ガス供給ヘッド２０は、リアクタ容器の一方の端の側に設けられ、リアクタ容器の一方の端から他方の端に向けて筒形状の長手方向に沿って、原料ガスを第１層の空間内に流す。ガス排気部は、リアクタ容器の他方の端で原料ガスの流れを折り返して第２の層の空間中を筒形状の長手方向に沿って一方の端に向けて流れるように原料ガスを吸引する。 （もっと読む）

【課題】表面性状が良好なＣＶＤ−Ｃｕ膜を成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】表面にＣＶＤ−Ｒｕ膜を成膜したウエハを準備する。酸素雰囲気にさらすことによりＲｕ膜表面を酸化処理し、次に水素プラズマによる還元処理をし、清浄化する。清浄化されたＲｕ膜表面にＣｕ錯体からなる成膜原料を供給してＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】結晶の質と堆積プロセスの効率とを向上させる。
【解決手段】本発明の堆積装置は、プロセスチャンバー（１）の床を形成し、少なくとも１つの基板（５）が置かれるサセプタ（２）と、プロセスチャンバー（１）の天井を形成するカバープレート（３）と、プロセスチャンバー（１）の中にプロセスガスおよびキャリアガスを導入するためのガス注入エレメント（４）とを備える。サセプタ（２）の下には多数の加熱ゾーン（Ｈ１−Ｈ８）が互いに隣り合って配置され、プロセスチャンバー（１）に面するサセプタ（２）の表面とプロセスチャンバー（１）の中にあるガスとを加熱する。カバープレート（３）の上の熱消散エレメント（８）は、サセプタ（２）からカバープレート（３）に移る熱を消散させる。高い熱伝達能力を持つ熱伝達結合ゾーン（Ｚ１−Ｚ８）は高い熱出力
【数１３】


を持つ加熱ゾーン（Ｈ１−Ｈ８）の位置に対応する。 （もっと読む）

本発明の実施例は、一般的に、化学蒸着プロセスの装置に関する。一の実施例では、蒸着用反応装置蓋アセンブリが提供されており、これは、第１のシャワーヘッドアセンブリとアイソレータアセンブリとが蓋サポートの上に隣り合って配置されており、第２のシャワーヘッドアセンブリと排気アセンブリとが、蓋サポートの上に隣り合って配置されており、アイソレータアセンブリが、第１及び第２のシャワーヘッドアセンブリの間に配置されており、第２のシャワーヘッドアセンブリがアイソレータアセンブリと排気アセンブリとの間に配置されている。 （もっと読む）

本発明の実施例は、一般的に、化学蒸着（ＣＶＤ）用装置及び方法に関する。一の実施例では、ＣＶＤ反応装置システム用の加熱ランプアセンブリが設けられており、このアセンブリは、支持ベースの上面上に配置されており、第１のランプホルダから第２のランプホルダへ延在する複数のランプを有するランプハウジングを具える。このランプは、分割フィラメントランプ及び／又は非分割フィラメントを有していても良く、いくつかの例では、分割及び非分割フィラメントが、第１及び第２のランプホルダの間に交互に配置されていても良い。第１及び第２のランプホルダの間の支持ベースの上面上にリフレクタを設けても良い。別の実施例では、この方法は、ウエハキャリアの下面を加熱ランプアセンブリから生じるエネルギィに露出させるステップと、当該ウエハキャリアを所定の温度に加熱するステップと、を具えている。 （もっと読む）

本発明は、ガス分配装置およびこれを備える基板処理装置に関するものであり、少なくとも２種以上のプロセスガスを相異なるルートを介して基板の上に噴射する第１のガス分配部と、少なくとも２種以上のプロセスガスの分解温度の平均よりも高い分解温度を有するプロセスガスを基板の上に噴射する第２のガス分配部と、を備え、第１のガス分配部は少なくとも２以上に分割されて第２のガス分配部を中心として配置され、互いに結合および分離可能なガス分配装置およびこれを備える基板処理装置を提供する。
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【課題】処理室内へのパーティクルの拡散を抑制し、ガスフィルタの交換に要するコストを低減する。
【解決手段】基板を収容する処理室内に少なくとも１種の処理ガスを導入するガス導入手段を有し、ガス導入手段は、処理室内に配設されるガス導入ノズルと、ガス導入ノズルの先端に接続され、処理室内に処理ガスを導入するガス導入口を有するガス整流ノズルと、ガス整流ノズルの内部に配置されたフィルタと、を有し、処理ガスは、ガス導入ノズルからフィルタを介してガス整流ノズルへ導入され、ガス導入口から処理室内に導入される。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の厚みの面内方向の均一性を向上できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハの面内方向に配列する複数の測定位置でエピタキシャル層（エピ層）の厚みを測定し、開閉部材の操作によって開閉部材に対応するガス流出口を開閉させ、開閉部材の操作に対応するウェーハ面内のエピ層の厚みをモデル化して、ウェーハ面内エピ厚推定モデルを作成するモデル作成工程Ｓ１と、ウェーハにエピ層を形成させるエピタキシャル層形成工程Ｓ２と、エピタキシャル層形成工程Ｓ２により形成されたエピ層について複数の測定位置においてエピ層の実厚みであるウェーハ面内実エピ厚を測定する実厚み測定工程Ｓ３と、モデル作成工程Ｓ１により作成されたウェーハ面内エピ厚推定モデルに基づいて開閉部材を操作し、ウェーハ面内実エピ厚のばらつきが最小となるように修正するウェーハ面内実エピ厚修正工程Ｓ１０と、を備える。 （もっと読む）