薄膜形成装置

【課題】噴霧法を用いて膜原料を溶解した溶液を噴霧させる薄膜作製炉である。溶媒を使用するので噴霧直後に溶媒は気化し膜原料の微細な粒子は基材に接近させるとき過熱された基材に気体状態で基材表面への常温常圧の表面蒸着および浸透蒸着方法を提供する。
【解決手段】薄膜の製法については多種の製法、イオン、スパッタリング、真空等の製法が用いられている。原点に返り室温下での製法を用いる。このことは炉３の構造、加熱温度、空圧、溶媒の質量、基材の軟化点、蒸着に用いる先端ノズル５の改良および過熱温度、空圧、溶液量、噴霧距離等を勘案して炉３の開閉と噴霧時の温度と溶液量のおよび温度、空圧、軟化点の確認との一致、噴霧時の距離。以上の技術的一致点にて蒸着することにより既存の表面蒸着ではなく、浸透蒸着を可能にする。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜作成に関する。
【背景技術】
【０００２】
すでに薄膜作成方法として多種の方法があり、物理的蒸着法として熱蒸着、スパッタ、イオンプレーティング、化学的気相成長法では材料のハロゲン化合物、硫化物、水素化合物等を高温中で熱分解、酸化還元、重合、または気相化合反応をさせたのち、薄膜組成を基材上に沈着させ形成する方法である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来技術の問題点としては、上記の化学的方法、物理的方法は共に設備装置の構造が複雑であり、とくに管理、ランニングコスト面から資源エネルギーの節約に対しては合理的でない。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明により熱源として非常に高い熱効率が期待でき、かつ省電力の薄膜半導体が得られる。
【０００５】
請求項１に表示した通り、同型炉を連続させて基材を加熱し、基材上部に薄膜を蒸着させる。装置は小型でシンプルな構造であると同時に炉の昇温は１１００℃まで可能にして、室温、常圧の環境のもとに処理が可能である。そのため装置全体にかかる経費削減ができ、設置スペースも縮小できる。同時に装置のオートメーション化により物質的連続生産が可能である。
【０００６】
請求項２に示した炉の上部構造にあたる開閉部分の開閉上部に位置する噴霧先端部分を移動して噴霧する。
【０００７】
噴霧ノズルの最先端の部分わ噴霧時に回転しながら噴霧する。溶液通路の口経及び空気通路の傾斜口経と関連性がある。
【０００８】
噴霧の回転する先端部の下部の溶液と空気通路の開口経わ０．２ｍｍ以下にする。液と空圧制御により５０ｍｍ×５０ｍｍ以上の正方形基板に均一な表面蒸着のみでなく，浸透蒸着を可能にした。
【０００９】
本発明薄膜形成装置を使用してのＡｌ_２ＺｒＯＢｅＯ_２ＳｎＣｌ_２ＭｇＯＺｎＯ等の金属酸化物膜わ化学的，耐久性にも優れている事が確認されたと同時に蒸着温度での耐火度も安定している。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に関する薄膜形成装置を使用することにより大量生産が可能で同時に装置の耐久性も高くエネルギー消費を最小限にとどめる利点がある。
【００１１】
薄膜形成装置を使用して試作されたアモルファス半導体通電測定結果はミクロン単位の各種の酸化金属薄膜の浸透が確認された。これに８０００時間通電した結果優れた薄膜であることが確認された。
【００１２】
これにより金属酸化薄膜の用途が拡大するものと考えられる。
【００１３】
薄膜形成装置により作成された薄膜半導体は省電力で熱効率の高い熱源としてその応用範囲が拡大する。
【図面の簡単な説明】
【図１】薄膜形成装置の側面図及び２の拡大図１３０００ｍｍ２炉の拡大図３炉４６００ｍｍ５スプレイノズル６ドレ−ン７ＦＥＥＤ８５００ｍｍ９６５０ｍｍ１０３５０ｍｍ１１１００ｍｍ１２ＦＥＥＤ１３２７５ｍｍ１４７７５ｍｍ１５２７５ｍｍ１６５００ｍｍ１７先端開口部２１２３１８先端回転部１９下部開口部２０空気通口２２
【図２】先端ノズルの側面図及び上部番号は共通

【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜形成装置
同型炉を連続させて基材を加熱させ，その上部に薄膜を蒸着させる。炉の昇温度わ１１００℃まで可能にして，室温，常圧の環境のもとに，噴霧先端部分の距離移動制御により，噴霧先端ノズルの構造により表面蒸着のみだけでなく浸透蒸着をも可能にした
【請求項２】
噴霧先端ノズルの構造
噴霧先端開口部内の３〜６ケ所の口経わ０．２ｍｍ以下にする。液と空圧を制御し，先端部の回転により５０ｍｍ×５０ｍｍ以上の正方形基板に均一蒸着を可能にいたらしめた。

【図１】