【課題】 包装用積層フィルムにおいて、積層フィルムの層間から接着処理剤を取り除くことにより、積層工程数および使用条件数を低減して、積層フィルムコストの低廉化を図る。
【解決手段】 いずれか一方の表面に薄膜バリア層を形成した、一軸もしくは二軸延伸のベースフィルムに対し、薄膜バリア層側およびそれとは反対側のそれぞれの表面に、接着性のオレフィン樹脂よりなるそれぞれのシーラント層を、予めの接着処理なしに直接的に押出し積層する。 （もっと読む）

プラズマ小室（１２）に自己支持する壁部材となる誘電体窓（４００）を備えたプラズマ小室（１２）を含んで成る誘導結合プラズマ加工装置を提供する。誘電体窓（４００）にはプラズマ小室（１２）に対して外側面と内側面が設けられる。電磁界源（１４０）は、プラズマ小室（１２）内に電磁界を発生させる誘電体窓（４００）の外側面の前に配置される。電磁界源は少なくとも１個の磁心（３０１、３０２、３０３）から構成される。この少なくとも１個の磁心（３０１、３０２、３０３）は、該少なくとも１個の磁心によって誘電体窓（４００）が作動中にプラズマ小室内の負圧によって生ずる崩壊力に耐えることが補助されるように、誘電体窓（４００）の外側面へ取り付けられる。
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【課題】 構造を単純化するとともに、プラズマ領域を容易に可変できるプラズマ限定装置を備えた半導体製造装置を提供する。
また、同一の駆動装置を用いて、プラズマ領域を小さな体積または大きな体積に限定することで、構成を単純化できるプラズマ限定装置を備えた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 反応室１３内のプラズマ領域を限定するプラズマ限定装置３０を備えた半導体製造装置であって、プラズマ限定装置３０は、反応室１３内のプラズマ領域を第１プラズマ領域Ｐ１に限定する第１限定装置３１と、反応室１３内のプラズマ領域を第１プラズマ領域Ｐ１より大きい第２プラズマ領域Ｐ２に限定する第２限定装置３５と、プラズマ領域を可変するために第１限定装置３１及び第２限定装置３５を一緒に移動する駆動装置３９とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体処理装置に供給される電力の変動を管理する方法を提供する。
【解決手段】ある態様では、本発明は、半導体処理装置に供給される電力の変動を管理する方法を提供し、その方法は、半導体処理活動中の電力変動事象の発生を検出するために半導体処理装置に供給される電力を監視する過程を含む。電力変動事象を検出すると、半導体処理は、中断されてよい。電力変動事象の終了の後に、半導体処理装置の少なくとも一つの動作パラメーター、例えば、排気された処理チャンバ内の真空レベル、が測定されてよく、半導体処理は、測定された動作パラメーターが受容可能な範囲内にある場合には、再開されてよい。測定された動作パラメーターは、好ましくは、電力変動事象によって悪影響を及ぼされた場合に他の動作パラメーターよりもゆっくりと回復する動作パラメーターを含んでいてよい。 （もっと読む）

【課題】安定した放電を維持し、付着力の高い良質のダイヤモンドライクカーボン膜を形成する。
【解決手段】排気系を備えた真空槽の中に、不活性ガスによってプラズマ放電を起こすようになされているイオン源２０と、成膜ガス導入機構２とを具備してなり、この成膜ガス導入機構２は、イオン源２０を基準として支持体１の走行方向の、下流側に設けられているものとした成膜装置１０を提供する。 （もっと読む）

本発明は、局所的にレジスト膜を形成する手段と、大気圧若しくは大気圧近傍の圧力下におけるプラズマ処理により局所的に成膜、エッチング、若しくはアッシングする手段を用いて、表示装置製造の低コスト化を実現する表示装置の作製方法について提案する。
本発明の表示装置の製造方法は、大気圧若しくは大気圧近傍の圧力下で、局所的に導電膜を形成し、配線を形成する工程を有することを特徴としている。ここで、配線とは、アクティブマトリクス型の表示装置の画素部においてゲート配線やソース配線として機能する配線の他、外部入力端子から画素部へ信号を送るための接続配線や、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と画素電極とを接続するための配線など、全ての配線を含む。
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【課題】 プラズマを用いてフッ素添加カーボン膜を成膜にするにあたり、原料ガスを分解してＣ4Ｆ6やＣ4Ｆ5を多く含む成膜種を得ることにより、リーク特性や熱的安定性に優れた特性を有するフッ素添加カーボン膜を成膜すること。
【解決手段】 気密な処理雰囲気内に載置された基板に対し、ラジアルラインスロットアンテナにマイクロ波を導くことによりプラズマを発生させる。処理雰囲気の圧力が７．３２Ｐａ以上８．６５Ｐａ以下、マイクロ波電力が２０００Ｗ以上２３００Ｗ以下、基板表面と原料ガス供給口との距離が７０ｍｍ以上１０５ｍｍ以下、基板と第１のガス供給部との距離が１００ｍｍ以上１４０ｍｍ以下の条件で、例えば環状Ｃ5Ｆ8ガスよりなる原料ガスをマイクロ波のエネルギーに基づいて活性化させると、Ｃ4Ｆ6イオン又はラジカルを多く含む成膜種が得られ、これによりフッ素添加カーボン膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】レイアウトを容易にすることができると共に、プラズマ処理の均一化を充分に達成することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置１は、第１のコンベア３および第２のコンベア４と、高周波電力が印加される上部電極部１０と、該上部電極部１０に対向するアース電極としての下部電極１１とを備える。第１のコンベア３および第２のコンベア４は、ワーク２を上部電極部１０および下部電極１１の間の処理空間へ搬送し、ワーク２が上記処理空間を通過する際、高周波電界に発生したプラズマによってワーク２に所定のプラズマ処理が施される。 （もっと読む）

【課題】バリヤ効果を高めた既知の容器で生じる問題を解決し、経済的条件下であまり複雑でない手段を用いて、内容物を効果的に保護しながら製造しやすい容器を提案する。
【解決手段】本発明は、高真空を発生させたチャンバ内に、基板を形成するポリマー材料からなる容器ブランク１８を導入するステップと、非常に低い圧力下で気相状態のものであって、アルカン、アルケン、アルキン、芳香族化合物等から選択された少なくとも１つの炭素前駆体を反応チャンバ内に注入するステップと、ガラス転移温度よりも低い温度でポリマーを維持し、ポリマー傾向を有する過度に水素と化合させた炭素材料を堆積させる温度条件下で、プラズマを発生させる比較的低い電力で、ＵＨＦ帯域のマイクロ波電磁励起を反応チャンバ内に発生させるステップとからなる方法に関する。 （もっと読む）

磁気記録媒体は、基板と、基板上に形成された下部電極層と、下部電極層上に形成された陽極酸化アルミナ膜（１３）と、陽極酸化アルミナ膜（１３）の上部表面及び細孔（１４）の内壁に形成された炭素層（１５）と、細孔（１４）の炭素層（１５）を介して内部に形成された磁性粒子（１６）と、炭素層（１５）及び磁性粒子（１６）の表面に形成された潤滑層などから構成される。炭素層（１５）により陽極酸化アルミナ膜（１３）の表面及び細孔（１４）の内壁を覆うことにより、陽極酸化アルミナ膜（１３）を保護して、耐蝕性及び耐久性に優れた磁気記録媒体を実現する。
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【課題】７０ｎｍ以下の金属配線を有する次世代ＤＲＡＭで要求される容量、良好な漏れ電流特性を確保できるキャパシタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ストレージ電極１５及びプレート電極１７間のキャパシタの誘電膜１６として、Ａｌ_２Ｏ_３／ＺｒＯ_２、ＺｒＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３、（ＺｒＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３）_ｎ（２≦ｎ≦１０）、（Ａｌ_２Ｏ_３／ＺｒＯ_２）_ｎ（２≦ｎ≦１０）、ＺｒＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３／ＺｒＯ_２の３重膜構造、窒化されたＺｒＯ_２薄膜の単一膜、窒化Ａｌ_２Ｏ_３薄膜と窒化されたＺｒＯ_２薄膜との２重膜、Ａｌ_２Ｏ_３薄膜と窒化されたＺｒＯ_２薄膜との２重膜、又は、ＺｒＯ_２薄膜、Ａｌ_２Ｏ_３薄膜及び窒化されたＺｒＯ_２薄膜の３重膜を採用し、また、バンドギャップエネルギーの大きいＺｒＯ_２（Ｅｇ＝７．８ｅＶ、ε＝２０〜２５）薄膜及び熱安定性に優れたＡｌ_２Ｏ_３（Ｅｇ＝８．７ｅＶ、ε＝９）薄膜からなる多重誘電膜構造を有する。 （もっと読む）

【課題】被処理面に処理ムラを生ずることなく、全体を均一に処理することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置は、上部電極部１０と下部電極１１との間に発生させたプラズマにより被処理体における被処理面をプラズマ処理するものであり、プラズマが被処理面に沿って相対的に移動するように電極と被処理体とを相対移動させる相対移動機構と、上部電極部１０と下部電極１１との間に形成される電極間ギャップの長さである電極間ギャップ長を変化させる電極間ギャップ長可変機構９と、被処理面の高さに関する情報に基づいて電極間ギャップ長可変機構９を作動させ、電極間ギャップ長を調整する電極間ギャップ長調整手段とを備え、被処理面のうちの、プラズマが照射される部位の高さに応じて、電極間ギャップ長を調整しつつ、プラズマを被処理面に沿って相対的に移動させて被処理面をプラズマ処理する。 （もっと読む）

【課題】 大気圧下でワークディスタンスの制御範囲が広く安定したプラズマを発生させることで低ランニングコストと高速処理を両立し、更に周辺機器や人体に対する障害をなくした安全でコスト競争力の高いプラズマプロセス装置を提供すること
【解決手段】 プラズマ処理空間１５を挟んで略対向対置されている電極５および電極３１と、電極５に対してガス流路２６を挟んで対向配置されている電極６と、電極３１に対してガス流路２８を挟んで対向配置されている電極３２とを備える。処理ガスは、装置の外部からガス流路２６,２８を通って、プラズマ処理空間１５に到達するようになっている。上記電極６は、サーボ装置等によって矢印αに示す方向に移動できるようになっており、電極３２は、サーボ装置等によって矢印β方向に移動できるようになっている。 （もっと読む）

【課題】 膜厚の面内均一性を大幅に向上させることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器２４と、被処理体Ｗを載置するために前記処理容器内に設けられた載置台２６と、前記処理容器内へ成膜用ガスを含む所定のガスを供給するためのガス供給手段６０と、前記処理容器内でプラズマを立てるためのプラズマ形成手段４０と、前記被処理体を加熱するための加熱手段８８と、装置全体の動作を制御するための制御手段１０８と、を有することを成膜装置において、前記載置台の上面の周辺部に、前記被処理体の周辺部よりも外側へ僅かに離間させて隙間を介して補助加熱手段９４を設けるように構成する。 （もっと読む）

【課題】 電極と筐体との間の絶縁性を高めるとともに、電極を外側から温調することも可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 電極３０の放電空間形成面に固体誘電体５０を設ける。この放電空間形成面の固体誘電体５０を露出させるようにして電極３０を筐体２０に収容する。電極３０の放電空間形成面以外の外面と筐体２０の内面との間に電極外空間１３，１４を形成する。この電極外空間１３，１４を実質的に純正の窒素ガスにて満たす。この窒素ガス圧を放電空間より高くする。望ましくは、窒素ガスを流通させる。 （もっと読む）

アルミノシリケート前駆体で、高い機械的な強度の、低いｋの、層間の誘電体の材料を、アルミニウムがその材料のケイ素の基材の中へ手軽に組み込まれるように、形成するための方法、及び、そのように形成された一つ又はより多くの高い強度、低いｋの層間の誘電体の層を含む集積回路デバイス。

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本発明の目的は、半導体材料、電子部品、光学部品などに用いられる、高靱性でかつ、大面積・高品質なダイヤモンド基板及びその製造法を提供することである。 ダイヤモンド単結晶基板の表面にダイヤモンド多結晶膜を積層させてダイヤモンド複合基板とする。該複合基板は、ダイヤモンド単結晶基板の最も面積の大きい主たる面を｛１００｝面とし、この面に平行な対面に、前記ダイヤモンド多結晶膜が積層されていることが好ましい。該ダイヤモンド単結晶基板３を、主たる面の面方位が揃った複数個のダイヤモンド単結晶体から構成し、これら複数個のダイヤモンド単結晶体を該ダイヤモンド多結晶層４によって接合してダイヤモンド複合基板２としてもよい。また、該ダイヤモンド単結晶を種結晶として、その表面に気相合成ダイヤモンド単結晶を設けても良い。
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【課題】従来技術の問題点を解決した大面積を均一に処理できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】複数の導波管４の複数のスロット５から放射された電磁波を、梁１１に支持された複数の誘電体窓６を通して処理容器７内に放射し、プラズマを生成し、このプラズマにより前記被処理基板の処理を行うプラズマ処理装置である。この梁１１の処理容器７側に誘電体板１２が取り付けられており、前記誘電体板１２の厚さが電磁波の誘電体内波長の１／２以上であること特徴とする。このプラズマ処理装置を用いることにより、大面積を均一に処理することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波の導入口に近い位置での強いプラズマと、マイクロ波導入口から遠い位置での弱いプラズマとによる被処理物に対する成膜処理の不均一を解消する。
【解決手段】円筒型空洞共振器１内のほぼ中心に被処理物３を装填する円筒型真空チャンバー２と、該円筒型空洞共振器１の側壁部に前記チャンバー２の外側から該チャンバー２内に装填された被処理物３に対してマイクロ波エネルギーｗを導入してプラズマを発生させるマイクロ波導波管７及びマイクロ波導入口８と、該チャンバー２内に装填された被処理物３の内面又は／及び外面とに成膜用原料ガスｇを導入する原料ガス導入管６を備え、該真空チャンバー２内にて前記被処理物３を該真空チャンバー２の筒中心線を回転軸として回転運動させる回転手段４を備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置のＣｕ拡散防止膜とＣｕ配線との密着力を良好とし、半導体装置の信頼性を良好とする。
【解決手段】 被処理基板上にＣｕ膜を成膜する成膜方法であって、前記被処理基板上に形成されたＣｕ拡散防止膜上に密着膜を形成する第１の工程と、前記密着膜上にＣｕ膜を成膜する第２の工程と、を有し、前記密着膜はＰｄを含むことを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）